JPS63142585A - イオン注入転送路形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 磁気バブルメモリのイオン注入転送路形成法であって、
初めにバブル結晶全面に転送路用イオン注入を行ない、
次いでその上に転送路形成用のマスクパターンを形成し
、次いで転送路となる部分の結晶性を回復させるか、あ
るいは非晶質状態とすることにより、欠陥のないイオン
注入転送路の形成を可能とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ装置に関するもので、さらに詳しく言えばそ
のイオン注入転送路の形成法に関するものである。

磁気バブルメモリ素子は、例えばガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネットの単結晶基板の上に液相エピタキシャル
成長法により磁性ガーネットの薄膜（磁気バブル結晶）
を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いた
ハーフデスク型又は非対称シェブロン等のパターンを行
列させたバブル転送路を形成したものであり、バブル発
生器により情報に従って発生させたバブルを転送路に導
き、そのパターンにバブルがある場合を“１″、ない場
合を“０”として情報を記憶させている。また情報の読
み出しは、バブルをバブル磁区伸長器によって引伸ばし
、ストライプ磁区とした後、磁気抵抗効果を利用した検
出器により電気信号として取出し、バブルの有無を検出
するようになっている。

このような磁気バブルメモリ素子は高密度化の一途をた
どっており、使用されるバブルも微細化される傾向にあ
る。このため軟磁性薄膜パターンより寸法精度が緩くて
も良いイオン注入法によるバブル転送路の形成法が開発
されている。

〔従来の技術〕

イオン注入法によるバブル転送路の形成は、従来バブル
結晶を育成されたまま、あるいはハードバブル抑制の為
の浅くイオン注入した状態で、その上にマスク材を形成
し、転送路用イオン注入を行ない、イオン注入転送路を
形成していた。第３図はその工程を示す図である。この
方法は、先ず第３図ａの如く基板１の上に磁気バブル結
晶２を形成する。次に同図すに示すように全面にマスク
材３を形成し、その上にレジスト膜４を形成する。

次いで同図Ｃに示すようにホトリソグラフィ法により露
光現像してレジストパターン４°を形成する。次に同図
ｄに示すようにマスク材３をエツチングしてマスクパタ
ーン３′を形成したのち、レジストパターン４”を除去
する。次いで同図ｅに示すように、イオン５を注入しイ
オン注入領域６を形成した後、ｆ図の如くマスクパター
ン３°を除去して完成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来のイオン注入転送路の形成方法では、第３図Ｃ
の露光時にレジスト膜４の上にゴミ等が付着していると
現像時にレジスト残りが生じ、次のマスク材３をエツチ
ングする時にマスク材の除去不足部分が生じ、転送路間
のイオン注入領域６に非注入部ができる可能性がある。

このためマイナーループに欠陥ループができる欠点があ
った。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、転送
路間のイオン注入領域に非イオン注入領域ができないよ
うにしたイオン注入転送路の形成法を提供することを目
的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

このため本発明においては、イオン注入磁気バブルメモ
リ素子において、初めにバブル結晶１１の全面に転送路
用イオン注入を行なってイオン注入層１２を形成し、そ
の後転送路用マスクパターン１３′を形成し、次いで前
記イオン注入層１２のマスクされない部分の結晶性を回
復させるか、あるいは非晶質の状態にして異なる結晶状
態をつくり、イオン注入転送路１６を形成することを特
徴としている。

〔作　用〕

先ずバブル結晶全面にイオン注入層１２を形成し、その
後転送路となる部分を、結晶性を回復させるか又は非晶
質の状態とすることにより、転送路用マスク形成時にゴ
ミ等が付着しても、その部分は結晶性を回復させるか又
は非晶質状態にする部分であるので、転送路の欠陥には
ならない。

〔実施例〕

第１図は本発明の詳細な説明するための図である。

本実施例は先ず第１図ａに示すように基板１゜の上にバ
ブル結晶１１を育成し、次いでｂ図の如く育成された状
態のままの該バブル結晶１１に対し全面に転送路用のイ
オン注入を行ないイオン注入層１２を形成する。次にＣ
図の如く、イオン注入層１２の上にマスク材１３及びレ
ジスト膜１４を形成し、次いでｄ図の如くレジスト膜１
４に露光・現像してレジストパターン１４’　を形成し
、さらにｅ図の如くマスク材１３をエツチングしてマス
クパターン１３”を形成する。この時マスクされていな
い部分は従来技術では非イオン注入部（第３図ｆのＡ部
）である。次にｆ図の如くマスクされていない部分Ｂに
レーザ光を照射して、その部分をレーザアニールし局部
的に結晶を回復させることによりＢ部とイオン注入領域
Ｃとの境界にチャージドウオールができイオン注入転送
路が形成される。最後にｆ図の如くマスクパターン１３
′　を除去する。なお前記マスク材１３はその下のイオ
ン注入層１３をアニールさせないようにレーザ光を反射
させるため、金属膜が好ましい。

本実施例によれば、たとえｄ図の露光時のゴミ付着、ｅ
図のマスクパターン形成時のマスク材除去不足が生じて
も、ｈ図に示す平面図のＢ部に欠陥ができることがあっ
ても、イオン注入転送路１６及び転送路間のイオン注入
領域Ｃには欠陥が生じない。また前記Ｂ部の欠陥は、バ
ブル１７が転送路１６のイオン注入領域側を転送される
ので、その転送には何ら障害とならない。従って本実施
例によれば欠陥ループができる確率は著しく小さくなる
。

第２図は本発明の他の実施例を説明するための図である
。

本実施例は第２図ｅに示す工程まで前実施例と全く同様
である。異なる点は、１図に示すように、さらにイオン
注入等によりＢ部に非晶質状態をつくることである。な
お本実施例の効果は前実施例と全く同様である。

（７）　　　　　　　゛ 〔発明の効果〕 以上述べてきたように、本発明によれば、極めて簡易な
方法によりイオン注入転送路における欠陥の発生を防止
でき実用的には極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は本
発明の他の実施例を説明するための図、 第３図は従来のイオン注入転送路の形成方法を説明する
ための図である。 第１図組第２図において、 １０は基板、 １１はバブル結晶、 １２はイオン注入層、 １３はマスク材、 １３”はマスクパターン、 １４はレジスト膜、 １４゛　はレジストパターン、 １５はレーザ光、 １６はイオン注入転送路、 １７はバブルである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、イオン注入磁気バブルメモリ素子において、初めに
   バブル結晶（１１）の全面に転送路用イオン注入を行な
   ってイオン注入層（１２）を形成し、その後転送路用マ
   スクパターン（１３′）を形成し、次いで前記イオン注
   入層（１２）のマスクされない部分の結晶性を回復させ
   るか、あるいは非晶質の状態にして異なる結晶状態をつ
   くり、イオン注入転送路（１６）を形成することを特徴
   とするイオン注入転送路形成法。