JPS631472Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS631472Y2 JPS631472Y2 JP1384482U JP1384482U JPS631472Y2 JP S631472 Y2 JPS631472 Y2 JP S631472Y2 JP 1384482 U JP1384482 U JP 1384482U JP 1384482 U JP1384482 U JP 1384482U JP S631472 Y2 JPS631472 Y2 JP S631472Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- front plate
- synthesizer circuit
- board
- chassis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Structure Of Receivers (AREA)
- Stereo-Broadcasting Methods (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はシヤシーに関し、特にデジタルクオー
ツシンセサイザー回路を内蔵するステレオ受信機
におけるシヤシーに関する。
ツシンセサイザー回路を内蔵するステレオ受信機
におけるシヤシーに関する。
一般に上記の様なステレオ受信機においては、
第3図に示す様に、セツト内の物理的な寸法制約
上及び電気性能上からAF,RF回路基板3とは別
にデイジタルクオーツシンセサイザー回路基板4
がレイアウトされ、それぞれ前板2に支持されて
いる。1はフロントパネルである。そして、前記
シンセサイザー回路基板4に搭載されたマイコン
5は抵抗,コンデンサ等の電気部品6、FL、液
晶等の表示装置7とともに回路を構成しており、
その駆動時には高エネルギークロツク成分を発し
て同一セツト内のAF,RF回路に入射し、ノイズ
発生の原因となり、又、同一セツト内に限らず、
周辺にある各種の電気機器にも影響を与える。そ
のため、従来はマイコン5及びそれによつて駆動
されて高エネルギークロツク成分を発する回路全
体を導電体8でシールドし、同一セツト内及び周
辺機器へのノイズの影響を押えてきた。又、一枚
のプリント基板で構成されるステレオ受信機にお
いても、マイコン、周辺部品を含めて導電体でシ
ールドを行なつてきた。しかしながら、この様な
従来の構成では、イ)シールド構造が非常に複雑
になり、ロ)シールド部品を含めての回路設計が
むつかしく、ハ)回路部品、シールド部品を含め
た部品点数が増加し、ニ)部品点数が増えること
により製造作業がむつかしく生産性が極めて悪く
なる等の問題があつた。
第3図に示す様に、セツト内の物理的な寸法制約
上及び電気性能上からAF,RF回路基板3とは別
にデイジタルクオーツシンセサイザー回路基板4
がレイアウトされ、それぞれ前板2に支持されて
いる。1はフロントパネルである。そして、前記
シンセサイザー回路基板4に搭載されたマイコン
5は抵抗,コンデンサ等の電気部品6、FL、液
晶等の表示装置7とともに回路を構成しており、
その駆動時には高エネルギークロツク成分を発し
て同一セツト内のAF,RF回路に入射し、ノイズ
発生の原因となり、又、同一セツト内に限らず、
周辺にある各種の電気機器にも影響を与える。そ
のため、従来はマイコン5及びそれによつて駆動
されて高エネルギークロツク成分を発する回路全
体を導電体8でシールドし、同一セツト内及び周
辺機器へのノイズの影響を押えてきた。又、一枚
のプリント基板で構成されるステレオ受信機にお
いても、マイコン、周辺部品を含めて導電体でシ
ールドを行なつてきた。しかしながら、この様な
従来の構成では、イ)シールド構造が非常に複雑
になり、ロ)シールド部品を含めての回路設計が
むつかしく、ハ)回路部品、シールド部品を含め
た部品点数が増加し、ニ)部品点数が増えること
により製造作業がむつかしく生産性が極めて悪く
なる等の問題があつた。
本考案は、かかる問題点に鑑みて、シールド部
品として別部品を必要とせず、回路設計が簡単で
ありながら確実に導電シールドを行なえるシヤシ
ーの提供を目的とする。
品として別部品を必要とせず、回路設計が簡単で
ありながら確実に導電シールドを行なえるシヤシ
ーの提供を目的とする。
本考案は、この目的を達成するため、前板の一
部をAF,RF基板と略平行に折り曲げ、その上に
シンセサイザー回路基板の搭載部を構成すること
により、この前板の折り曲げ部分で導電シールド
し、下部に位置するAF,RF基板に高エネルギー
クロツク成分が伝播するのを無くしたシヤシーを
提供するものである。
部をAF,RF基板と略平行に折り曲げ、その上に
シンセサイザー回路基板の搭載部を構成すること
により、この前板の折り曲げ部分で導電シールド
し、下部に位置するAF,RF基板に高エネルギー
クロツク成分が伝播するのを無くしたシヤシーを
提供するものである。
次に本考案の一実施例を第1図及び第2図に基
づいて説明する。なお、第1図は外装部品を除い
たシヤシー廻りを示している。12はフロントパ
ネル11に支持された前板であり、その上部の一
部がAF基板13a、RF基板13bと略平行に折
り曲げられ、この折り曲げ部分12a上にデジタ
ルクオーツシンセサイザー回路基板14の搭載部
が構成されている。このシンセサイザー回路基板
14にはノイズ発生の原因であるマイコン15及
び周辺部品16、表示部品17が搭載され、かつ
箔面を下位にして前記前板12の折り曲げ部分1
2a上に配置されている。そして、折り曲げ部分
12aはその周辺部がシンセサイザー回路基板1
4よりはみ出す様な大きさを有している。かくし
て、シンセサイザー回路基板14上の高エネルギ
ークロツク成分は、前記折り曲げ部分12aで導
電シールドされる。また、通常妨害に対して最も
弱いとされる電気回路はコントロールつまみ18
の周辺に構成されているが、この部分が前板12
とその折り曲げ部分12aで完全にシールドさ
れ、妨害の影響が免がれるのである。従つて、前
記前板12の折り曲げ部分12aの寸法は、シン
セサイザー回路基板14の投影面積よりも大き
く、かつAF基板13a、RF基板13bのコント
ロールつまみ18側に配されるトーンコントロー
ル回路よりも大きいことが必要である。なお、図
中、19はパワートランジスター用放熱板、20
は後面板、21は底板である。
づいて説明する。なお、第1図は外装部品を除い
たシヤシー廻りを示している。12はフロントパ
ネル11に支持された前板であり、その上部の一
部がAF基板13a、RF基板13bと略平行に折
り曲げられ、この折り曲げ部分12a上にデジタ
ルクオーツシンセサイザー回路基板14の搭載部
が構成されている。このシンセサイザー回路基板
14にはノイズ発生の原因であるマイコン15及
び周辺部品16、表示部品17が搭載され、かつ
箔面を下位にして前記前板12の折り曲げ部分1
2a上に配置されている。そして、折り曲げ部分
12aはその周辺部がシンセサイザー回路基板1
4よりはみ出す様な大きさを有している。かくし
て、シンセサイザー回路基板14上の高エネルギ
ークロツク成分は、前記折り曲げ部分12aで導
電シールドされる。また、通常妨害に対して最も
弱いとされる電気回路はコントロールつまみ18
の周辺に構成されているが、この部分が前板12
とその折り曲げ部分12aで完全にシールドさ
れ、妨害の影響が免がれるのである。従つて、前
記前板12の折り曲げ部分12aの寸法は、シン
セサイザー回路基板14の投影面積よりも大き
く、かつAF基板13a、RF基板13bのコント
ロールつまみ18側に配されるトーンコントロー
ル回路よりも大きいことが必要である。なお、図
中、19はパワートランジスター用放熱板、20
は後面板、21は底板である。
本考案のシヤシーによれば、以上の説明から明
らかな様に、前板の一部をAF,RF基板と略平行
に折曲げてその上にシンセサイザー回路基板の搭
載部を構成し、この折り曲げ部で導電シールドを
行う様にしているので、次の様な効果が得られ
る。
らかな様に、前板の一部をAF,RF基板と略平行
に折曲げてその上にシンセサイザー回路基板の搭
載部を構成し、この折り曲げ部で導電シールドを
行う様にしているので、次の様な効果が得られ
る。
1 シールド部品としての別の金具が不要とな
り、生産性が向上する。
り、生産性が向上する。
2 構造がシンプルになり、薄型化に移行しつつ
あるステレオ受信機の実装密度を上げることが
できる。
あるステレオ受信機の実装密度を上げることが
できる。
3 シールド部品を含めての回路設計が簡単にな
り、妨害に対する回路性能が向上する。
り、妨害に対する回路性能が向上する。
第1図及び第2図は本考案の一実施例を示し、
第1図は外装部品を除去した状態の斜視図、第2
図は前部の縦断側面図、第3図は従来例の前部の
縦断面図である。 11はフロントパネル、12は前板、12aは
折り曲げ部分、13aはAF基板、13bはRF基
板、14はシンセサイザー回路基板、15はマイ
コン。
第1図は外装部品を除去した状態の斜視図、第2
図は前部の縦断側面図、第3図は従来例の前部の
縦断面図である。 11はフロントパネル、12は前板、12aは
折り曲げ部分、13aはAF基板、13bはRF基
板、14はシンセサイザー回路基板、15はマイ
コン。
Claims (1)
- 前板の一部をAF,RF基板と略平行に折り曲
げ、その上部にデジタルクオーツシンセサイザー
回路基板の搭載部を構成したことを特徴とするシ
ヤシー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1384482U JPS58116349U (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | シヤシ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1384482U JPS58116349U (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | シヤシ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116349U JPS58116349U (ja) | 1983-08-09 |
| JPS631472Y2 true JPS631472Y2 (ja) | 1988-01-14 |
Family
ID=30026331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1384482U Granted JPS58116349U (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | シヤシ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116349U (ja) |
-
1982
- 1982-02-02 JP JP1384482U patent/JPS58116349U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58116349U (ja) | 1983-08-09 |
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