JPS63148167A - 磁気センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はニッケル合金の強磁性薄膜抵抗素子（以下、Ｍ
Ｒ素子という）からなる磁気センサに関するものである
。

従来の技術 従来、この種の磁気センサは、第６図に示すような構造
であった。第６図において、２ａ、２ｂ。

２Ｇ、２ｄはＭＲ素子、３は増幅器、４は直流電源であ
り、４個のＭＲ素子２ａ〜２ｄは直流電源４によって駆
動されるという条件を満たしていた。

発明が解決しようとする問題点 このような従来の構造では、被検出体である磁石がＭＲ
素子の近傍を通過した場合の出力信号Ｖｏｕｔは第６図
に示される様に、１回の通過でＬｏ−４Ｈｉ→ＬＯの１
回のパルス出力しか得られなかった。すなわち被検出体
の通過は判定できるが、通過速度を検出できなかった。

このため通過速度を検出する場合には時間計測回路を付
加しなくてはならないという問題点があった。

本発明はこのような問題点を解決するもので、ＭＲ素子
を交流電源で駆動することにより被検出体の通過速度に
応じて交流電源周波数のパルスが出力され、通過速度を
検出できる様にすることを目的とするものである。

問題点を解決するだめの手段 この問題点を解決するために本発明は、４個のＭＲ素子
を交流電源で駆動させたものである。

作用 この構成によって、ＭＲ素子からは被検出体の通過速度
に応じたパルス列の信号を得ることができる。

実施例 第１図は本発明の一実施例による磁気センサを示す図で
ある。

第１図では、均一な磁界Ｈにおいて、ＭＲ素子２ａとＭ
Ｒ素子２ｂがそれぞれ異なる抵抗値変化を示す配置を有
し、かつＭＲ素子２ＣとＭＲ素子２ｄがＭＲ素子２＆と
ＭＲ素子２ｂの抵抗値変化と逆の変化を示す配置を有し
、それぞれ直列に接続されて交流電源１に結線されてい
る。また、それぞれのＭＲ素子２ａ〜２ｄの中点電位の
差を増幅器３で増幅し、出力Ｖｏｕｔ１を得る構造とな
っている。

この構造による磁気センサーの出力Ｖｏｕｔ１は、第２
図の検出状態において、第３図に示される出力信号を有
し、被検出体である磁石５の通過速度に応じて、出力信
号はＬｏ−＋Ｈｉ−Ｌｏ−・・・−り。

をくりかえす。従ってこのパルス数をカウントすること
により、被検出体の通過速度はパルス数に変換される。

すなわち、従来のセンサが被検出体の通過速度が出力の
ｉｔ状態の時間というアナログ状態であったのに対し、
本発明のセンナが被検出体の通過速度がパルス数によっ
てカウントされるためデジタル出力としてとらえること
ができるものである。

また、第４図に示される検出状態においては、被検出体
６を鉄片などの磁性体とし、ＭＲ素子２＋Ｌ〜２ｄにバ
イアス磁石７を付加することにより、鉄片の通過速度を
検出することができる。

発明の効果 以上のように本発明によれば、従来の磁気センナでは被
検出体の通過速度が検出できなかったのに対して被検出
体の通過速度をパルス数で検出できるという効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の７実施例による磁気センサの回路図、
第２図は磁気センサと被検出体の関係を示す概略図、第
３図は本発明の磁気センサで検出した出力信号を示す波
形図、第４図は磁性体の被検出体と磁気センサの関係を
示す概略図、第５図は従来例の磁気セ／すの回路図、第
６図は従来例の磁気センサで検出した出力信号を示す波
形図である。 １・・・・・交流電源、２ａ　、２ｂ、２Ｇ、２ｄ　　
・・・・ＭＲ素子、３・・・・・増幅器。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 （ｆ！１） 第２図 ２Ａ、Ｚｂ、ｚｃ、ｕ 第３図 翌閲 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ニッケル合金からなる強磁性薄膜抵抗素子を４個具備し
   、均一な磁場中において抵抗値の変化が異なるように２
   個の強磁性薄膜抵抗素子を配置して直列に接続すると共
   に、残り２個の強磁性薄膜抵抗素子を前記２個の強磁性
   薄膜抵抗素子の抵抗値の変化と逆になるように配置して
   直列に接続し、これら４個の強磁性薄膜抵抗素子に交流
   電源を印加して、４個の強磁性薄膜抵抗素子の中点の差
   動出力を増幅するように構成したことを特徴とする磁気
   センサ。