JPS63148448A - 光磁気用光ヘツド装置 - Google Patents
光磁気用光ヘツド装置Info
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- JPS63148448A JPS63148448A JP61294696A JP29469686A JPS63148448A JP S63148448 A JPS63148448 A JP S63148448A JP 61294696 A JP61294696 A JP 61294696A JP 29469686 A JP29469686 A JP 29469686A JP S63148448 A JPS63148448 A JP S63148448A
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- Japan
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- thin film
- film waveguide
- light
- head device
- optical head
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- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光を用いて磁気記録媒体上への記録および再生
を行う光磁気用光ヘッド装置に関するものである。
を行う光磁気用光ヘッド装置に関するものである。
光磁気記録は光記録の高密度性と同時に、磁気記録の書
き換え可能性を備えているため、大容量のファイルとし
て有用な手段である。
き換え可能性を備えているため、大容量のファイルとし
て有用な手段である。
光磁気記録は記録ビットの検出方式として、直線偏光を
記録媒体に照射しカー効果により反射光の偏光面が回転
することを利用してピントの有無を検出している。
記録媒体に照射しカー効果により反射光の偏光面が回転
することを利用してピントの有無を検出している。
第５図は従来用いられている光ヘッド装置の構成を示し
たものである。半導体レーザ１の出射光は、コリメート
レンズ２、ビームスプリンタ３ａ。
たものである。半導体レーザ１の出射光は、コリメート
レンズ２、ビームスプリンタ３ａ。
３ｂ、集光レンズ４を介して記録媒体５上に微小スポッ
トとして集光される。ここでレーザ出射光は直線偏光で
あるので、集光スポットも直線偏光となる。このスポッ
トからの反射光はビームスプリンタ３ｂで一部が分離さ
れ、アナライザーを通して光検出器１７で検出される。
トとして集光される。ここでレーザ出射光は直線偏光で
あるので、集光スポットも直線偏光となる。このスポッ
トからの反射光はビームスプリンタ３ｂで一部が分離さ
れ、アナライザーを通して光検出器１７で検出される。
このときアナライザーの角度を入射偏光の方向に対して
４５＠〜８０’程度の角度に設定しておくことにより、
偏光面の回転を検出することができる。もう一方のビー
ムスプリンタ３ａで分離された反射光はスポットの位置
エラーを検出するエラー検出光学系８に導かれる。
４５＠〜８０’程度の角度に設定しておくことにより、
偏光面の回転を検出することができる。もう一方のビー
ムスプリンタ３ａで分離された反射光はスポットの位置
エラーを検出するエラー検出光学系８に導かれる。
偏光面の回転の他の検出方式としては第６図に示すよう
に、半波長板１３と偏光ビームスプリッタ１４を組み合
わせて反射光を±４５＠の偏光方向で検出し、２つの光
検出器の１７ａ 、 １７ｂの出力の差を取る方式があ
り、この方式によれば検出信号のＳｉＮを向上すること
ができる。
に、半波長板１３と偏光ビームスプリッタ１４を組み合
わせて反射光を±４５＠の偏光方向で検出し、２つの光
検出器の１７ａ 、 １７ｂの出力の差を取る方式があ
り、この方式によれば検出信号のＳｉＮを向上すること
ができる。
従来の偏光面の回転を検出する系ではアナライザーや偏
光ビームスプリフタを用いるため、光学系が大きく、光
ヘッド装置全体を小型化することが難しかった。このた
め光デイスク装置全体の小型化やデータのアクセスタイ
ムの向上に対して問題点となっていた。
光ビームスプリフタを用いるため、光学系が大きく、光
ヘッド装置全体を小型化することが難しかった。このた
め光デイスク装置全体の小型化やデータのアクセスタイ
ムの向上に対して問題点となっていた。
本発明の目的は、上記の問題点を生じることなく小型化
が可能な光磁気用光ヘッド装置を提供することにある。
が可能な光磁気用光ヘッド装置を提供することにある。
本発明の光磁気用光ヘッド装置は、レーザ光源の出射光
を直線偏光の微小スポットとして記録媒体上に集光する
光学系と、前記記録媒体からの反射光の中で特定の方向
の偏光成分のみを薄膜導波路に導くグレーティング結合
器を備えた薄膜導波素子と、前記薄膜導波路に結合され
た記録媒体の反射光の光量を検出する光検出器とを有す
ることを特徴とする。
を直線偏光の微小スポットとして記録媒体上に集光する
光学系と、前記記録媒体からの反射光の中で特定の方向
の偏光成分のみを薄膜導波路に導くグレーティング結合
器を備えた薄膜導波素子と、前記薄膜導波路に結合され
た記録媒体の反射光の光量を検出する光検出器とを有す
ることを特徴とする。
本発明に用いるグレーティング結合器は第２図に示すよ
うに、薄膜導波素子６上の薄膜導波路９上に周期的に構
成された格子パターンよりなり、周期的な屈折率分布を
有するグレーティング結合器である。このグレーティン
グ結合器では周期構造は薄膜導波路９上に形成されてい
るが、周期構造は薄膜導波路９内にあっても同様の働き
をする。
うに、薄膜導波素子６上の薄膜導波路９上に周期的に構
成された格子パターンよりなり、周期的な屈折率分布を
有するグレーティング結合器である。このグレーティン
グ結合器では周期構造は薄膜導波路９上に形成されてい
るが、周期構造は薄膜導波路９内にあっても同様の働き
をする。
薄膜導波路９においては、膜厚と材料を適当に選ぶこと
により、膜面内の横方向のみに電界成分を有するＴＥモ
ードと、その他の方向のみに電界成分を有する７Ｍモー
ドとで大きく異なる伝搬定数を持たせることができる。
により、膜面内の横方向のみに電界成分を有するＴＥモ
ードと、その他の方向のみに電界成分を有する７Ｍモー
ドとで大きく異なる伝搬定数を持たせることができる。
グレーティング結合器１０は入射光ビームに対して同一
方向の電界成分を有するモード間のみの結合を生じるの
で、グレーティングに平行な電界をもつ入射光はＴＥモ
ードに、垂直な電界を持つ入射光は７Ｍモードに結合す
る。
方向の電界成分を有するモード間のみの結合を生じるの
で、グレーティングに平行な電界をもつ入射光はＴＥモ
ードに、垂直な電界を持つ入射光は７Ｍモードに結合す
る。
一方、先に述べたようにＴＥモードと７Ｍモードの伝搬
定数は異なるため、グレーティングにより伝搬モードと
結合する入射光の入射角度は両モード間では異なること
になる。したがって入射角度を選ぶことにより、入射光
のうちの特定の方向の偏光成分のみを薄膜導波路９に結
合することができアナライザーと同様の効果を示す。
定数は異なるため、グレーティングにより伝搬モードと
結合する入射光の入射角度は両モード間では異なること
になる。したがって入射角度を選ぶことにより、入射光
のうちの特定の方向の偏光成分のみを薄膜導波路９に結
合することができアナライザーと同様の効果を示す。
上記のような特性を示すグレーティング結合器は、例え
ばパイレックスガラス基板上にコーニング７０５９の薄
膜をスパッタ等で形成し、その上にＳｉＮ等のエソチッ
グにより格子パターンを形成することで製作可能である
。各層厚は波長０．６μｍ程度であれば、導波路厚０．
５μＩ、グレーティング層厚０．０２μｍ程度で十分な
特性が得られる。
ばパイレックスガラス基板上にコーニング７０５９の薄
膜をスパッタ等で形成し、その上にＳｉＮ等のエソチッ
グにより格子パターンを形成することで製作可能である
。各層厚は波長０．６μｍ程度であれば、導波路厚０．
５μＩ、グレーティング層厚０．０２μｍ程度で十分な
特性が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す。この光磁気用光ヘッ
ド装置は、半導体レーザ１と、コリメートレンズ２と、
ビームスプリッタ３と、集光レンズ４と、第２図に示し
た、特定の方向の偏光成分のみを薄膜導波路９に導くグ
レーティング結合器ｌＯを備えた薄膜導波素子６と、薄
膜導波路９の端面に結合された光検出器７と、エラー検
出光学系８とから構成されている。
ド装置は、半導体レーザ１と、コリメートレンズ２と、
ビームスプリッタ３と、集光レンズ４と、第２図に示し
た、特定の方向の偏光成分のみを薄膜導波路９に導くグ
レーティング結合器ｌＯを備えた薄膜導波素子６と、薄
膜導波路９の端面に結合された光検出器７と、エラー検
出光学系８とから構成されている。
以上の構成の光ヘッド装置において、半導体レーザ１か
らの出射光はコリメートレンズ２．集光レンズ４を介し
て記録媒体５に微小スポットとして集光される。記録媒
体５からの反射光のうちで特定の偏光成分のみがグレー
ティング結合器１０により薄膜導波路９に導かれ端面出
射光が光検出器７によって検出される。一方、ビームス
プリッタ３で分離された光はエラー検出光学系８に導か
れる。
らの出射光はコリメートレンズ２．集光レンズ４を介し
て記録媒体５に微小スポットとして集光される。記録媒
体５からの反射光のうちで特定の偏光成分のみがグレー
ティング結合器１０により薄膜導波路９に導かれ端面出
射光が光検出器７によって検出される。一方、ビームス
プリッタ３で分離された光はエラー検出光学系８に導か
れる。
以上の実施例では光検出器７は薄膜導波路９の端面に結
合されて設けられているが、薄膜導波素子上に集積化し
てもよい。また、以上の実施例では薄膜導波素子はビー
ムスプリフタ３と集光レンズ４との間に設けられている
が、ビームスプリッタ３の反射光中に薄膜導波素子を用
いてもよい。
合されて設けられているが、薄膜導波素子上に集積化し
てもよい。また、以上の実施例では薄膜導波素子はビー
ムスプリフタ３と集光レンズ４との間に設けられている
が、ビームスプリッタ３の反射光中に薄膜導波素子を用
いてもよい。
この場合には、エラー検出用の光学系８を薄膜導波素子
上に集積することもできる。
上に集積することもできる。
第３図はエラー検出用の光学系を薄膜導波素子９上に集
積したものを示す。薄膜導波素子６上の薄膜導波路６上
にグレーティング結合器１０および集光性を有する分波
器１１とが形成されており、分波器１１の収束位置に２
分割型の光検出器７ａ、７ｂがそれぞれ設けられている
。グレーティング結合器１０により導波路９に導かれた
光は集光性分波器１１により２つに分かれて光検出器７
ａ、および７ｂにそれぞれ収束する。光検出器７ａでは
記録媒体５からの反射光の光量を検出し、光検出器７ｂ
ではフーコー法によりエラー検出を行う。
積したものを示す。薄膜導波素子６上の薄膜導波路６上
にグレーティング結合器１０および集光性を有する分波
器１１とが形成されており、分波器１１の収束位置に２
分割型の光検出器７ａ、７ｂがそれぞれ設けられている
。グレーティング結合器１０により導波路９に導かれた
光は集光性分波器１１により２つに分かれて光検出器７
ａ、および７ｂにそれぞれ収束する。光検出器７ａでは
記録媒体５からの反射光の光量を検出し、光検出器７ｂ
ではフーコー法によりエラー検出を行う。
第４図は薄膜導波素子６を構成する基板の表・裏に薄膜
導波路９ａ、９ｂとグレーティング結合器１０ａ、１０
ｂを設け、ＴＥとＴＭモードにそれぞれ結合するように
し、薄膜導波路９ａ、９ｂに光検出器１５ａ、１５ｂを
それぞれ結合したものである。これにより、第６図の検
出方式と同様に±４５°での偏光成分の検出が可能とな
る。
導波路９ａ、９ｂとグレーティング結合器１０ａ、１０
ｂを設け、ＴＥとＴＭモードにそれぞれ結合するように
し、薄膜導波路９ａ、９ｂに光検出器１５ａ、１５ｂを
それぞれ結合したものである。これにより、第６図の検
出方式と同様に±４５°での偏光成分の検出が可能とな
る。
本発明によれば、従来の光ヘッド装置のように偏光面の
回転を検出する系にアナライザーや偏光ビームスプリッ
タを用いないので、光磁気用の小型の光ヘッド装置を提
供することが可能になる。
回転を検出する系にアナライザーや偏光ビームスプリッ
タを用いないので、光磁気用の小型の光ヘッド装置を提
供することが可能になる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図〜第４図はは本発明に用いる薄膜導波素子の構成
例を示す図、 第５図は従来の光ヘッド装置を示す図、第６図は従来の
光ヘッド装置における偏光面の回転の検出方式の他の例
を示す図である。 ｌ・・・・・・・・・・半導体レーザ ２・・・・・・・・・・コリメートレンズ３・・・・・
・・・・・ビームスプリッタ４・・・・・・・・・・集
光レンズ ５・・・・・・・・・・記録媒体 ６・・・・・・・・・・薄膜導波素子 ７ 、 ７ ａ、 ７ ｂ、 １５ａ、 １５ｂ。 １７、１７ａ、 １７ｂ・・・・・・光検出器８・・・
・・・・・・・エラー検出光学系９・・・・・・・・・
・薄膜導波路 １０、１０ａ、１０ｂ ・・・・・グレーティング結
合器１１・・・・・・・・・・集光性分波器１２・・・
・・・・・・・アナライザー１３・・・・・・・・・・
半波長板 １４・・・・・・・・・・偏光ビームスプリッタ代理人
弁理士 岩 佐 義 幸 第１図 第２図 １ｏｂ ミ趨／ｒＷ４ 第５図
例を示す図、 第５図は従来の光ヘッド装置を示す図、第６図は従来の
光ヘッド装置における偏光面の回転の検出方式の他の例
を示す図である。 ｌ・・・・・・・・・・半導体レーザ ２・・・・・・・・・・コリメートレンズ３・・・・・
・・・・・ビームスプリッタ４・・・・・・・・・・集
光レンズ ５・・・・・・・・・・記録媒体 ６・・・・・・・・・・薄膜導波素子 ７ 、 ７ ａ、 ７ ｂ、 １５ａ、 １５ｂ。 １７、１７ａ、 １７ｂ・・・・・・光検出器８・・・
・・・・・・・エラー検出光学系９・・・・・・・・・
・薄膜導波路 １０、１０ａ、１０ｂ ・・・・・グレーティング結
合器１１・・・・・・・・・・集光性分波器１２・・・
・・・・・・・アナライザー１３・・・・・・・・・・
半波長板 １４・・・・・・・・・・偏光ビームスプリッタ代理人
弁理士 岩 佐 義 幸 第１図 第２図 １ｏｂ ミ趨／ｒＷ４ 第５図
Claims (1)
- （１）光源の出射光を直線偏光の微小スポットとして記
録媒体上に集光する光学系と、前記記録媒体からの反射
光の中で特定の方向の偏光成分のみを薄膜導波路に導く
グレーティング結合器を備えた薄膜導波素子と、前記薄
膜導波路に結合された記録媒体の反射光の光量を検出す
る光検出器とを有することを特徴とする光磁気用光ヘッ
ド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294696A JPS63148448A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 光磁気用光ヘツド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294696A JPS63148448A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 光磁気用光ヘツド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148448A true JPS63148448A (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=17811119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61294696A Pending JPS63148448A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 光磁気用光ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63148448A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202553A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | Nec Corp | 導波路型光ヘツド |
| JPS61233439A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-17 | Canon Inc | 光ピツクアツプ装置 |
| JPS6353730A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | Canon Inc | 光磁気情報記録再生用光ヘツド |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP61294696A patent/JPS63148448A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202553A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | Nec Corp | 導波路型光ヘツド |
| JPS61233439A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-17 | Canon Inc | 光ピツクアツプ装置 |
| JPS6353730A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | Canon Inc | 光磁気情報記録再生用光ヘツド |
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