JPS6314868A - 物理気相成長装置 - Google Patents
物理気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6314868A JPS6314868A JP15737386A JP15737386A JPS6314868A JP S6314868 A JPS6314868 A JP S6314868A JP 15737386 A JP15737386 A JP 15737386A JP 15737386 A JP15737386 A JP 15737386A JP S6314868 A JPS6314868 A JP S6314868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- deposited
- source
- film thickness
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、真空蒸着法あるいはスパッタリング法などに
より半導体基板あるいは光学レンズ基体上に薄膜を形成
する物理気相成長（ＰＶＤ）装置に関する。
より半導体基板あるいは光学レンズ基体上に薄膜を形成
する物理気相成長（ＰＶＤ）装置に関する。
半導体基板上に、Ａｊ、 Ａｕ、 Ｎｉ、 Ｔｉのよう
な金属あるいは酸化物、窒化物のような絶縁物などの薄
膜を被着したり、光学レンズ基体上に氷晶石やＧｅなど
のコーティングを施したりするために真空蒸着あるいは
スパッタリングを行う場合、成膜された薄膜の厚さを制
御することは極めて重要である。 従来、このような膜厚制御のために成膜装置内に膜厚セ
ンサを配置し、センサ上に被着する膜厚を検知して、そ
れによって成膜膜厚を制御していた。 ところが、このような制御は、センサ上と膜を被着すべ
き部材上での成膜速度の比が一定であるとの設定をせざ
るを得ないため、成膜材料あるいは成膜条件の変化によ
り所望の被着膜厚が得られないという欠点があった。
な金属あるいは酸化物、窒化物のような絶縁物などの薄
膜を被着したり、光学レンズ基体上に氷晶石やＧｅなど
のコーティングを施したりするために真空蒸着あるいは
スパッタリングを行う場合、成膜された薄膜の厚さを制
御することは極めて重要である。 従来、このような膜厚制御のために成膜装置内に膜厚セ
ンサを配置し、センサ上に被着する膜厚を検知して、そ
れによって成膜膜厚を制御していた。 ところが、このような制御は、センサ上と膜を被着すべ
き部材上での成膜速度の比が一定であるとの設定をせざ
るを得ないため、成膜材料あるいは成膜条件の変化によ
り所望の被着膜厚が得られないという欠点があった。
本発明は、上述の欠点を除去して成膜すべき部材上の成
膜速度を正確に検知して、所望の厚さの膜を部材上に形
成することのできる物理気相成長装置を提供することを
目的とする。
膜速度を正確に検知して、所望の厚さの膜を部材上に形
成することのできる物理気相成長装置を提供することを
目的とする。
本発明は、装置内部の被着材料源からほぼ同一方向で距
離の異なる位置にそれぞれ配置される複数の膜厚センサ
を備えるもので、各センサ上の膜厚の変化より成膜すべ
き部材上での成膜速度を推測することにより、例えば装
置内の真空度、ソース溶融状態によって異なるセンサ位
πと被着部材位置での成膜速度比を較正することが可能
になり、成膜条件にかかわらず被着膜厚を正確に制御卸
シて上記の目的を達成することができる。
離の異なる位置にそれぞれ配置される複数の膜厚センサ
を備えるもので、各センサ上の膜厚の変化より成膜すべ
き部材上での成膜速度を推測することにより、例えば装
置内の真空度、ソース溶融状態によって異なるセンサ位
πと被着部材位置での成膜速度比を較正することが可能
になり、成膜条件にかかわらず被着膜厚を正確に制御卸
シて上記の目的を達成することができる。
第１図は本発明の一実施例の真空蒸着装置を示し、基台
２上の真空槽１は排気口３を介して真空排気系４によっ
て真空にされ、槽内に置かれた蒸発ｆ１５の中の１発材
料６はｔ源７に接続された電子銃８からの電子ビーム９
により加熱されて蒸発する。真空槽ｌ内の上部には、回
転するドーム１０上にさらにそれぞれ自転する被成膜部
材１１が配置されており、この部材上に蒸発材料が被着
する。 さらに、蒸発′ａ５の上方には異なる高さに二つの膜厚
センサ２１．２２が配置されており、このセンサ２１、
２２に接続される制御器１２は、各センサ上にそれぞれ
被着する膜厚の変化、すなわち成膜速度を算出し、その
両者の関係から部材１１上の成膜速度を検知してｔｉ７
を制御し、部材上の成膜速度あるいは被着膜厚を所定の
値にする働きをする。成膜条件が変わると両センサ２１
．２２における成膜速度の関係が変化し、それから同時
に変化する部材１１上の成膜速度の変化を推定できるの
でつねに被着膜厚を正確に制御できる。センサの数をさ
らに増加させれば制御の精度は向上する。 スパッタリング装置の場合は、膜厚センサは被着材料の
ターゲットからほぼ同し方向に異なる距離を置いて配置
する。
２上の真空槽１は排気口３を介して真空排気系４によっ
て真空にされ、槽内に置かれた蒸発ｆ１５の中の１発材
料６はｔ源７に接続された電子銃８からの電子ビーム９
により加熱されて蒸発する。真空槽ｌ内の上部には、回
転するドーム１０上にさらにそれぞれ自転する被成膜部
材１１が配置されており、この部材上に蒸発材料が被着
する。 さらに、蒸発′ａ５の上方には異なる高さに二つの膜厚
センサ２１．２２が配置されており、このセンサ２１、
２２に接続される制御器１２は、各センサ上にそれぞれ
被着する膜厚の変化、すなわち成膜速度を算出し、その
両者の関係から部材１１上の成膜速度を検知してｔｉ７
を制御し、部材上の成膜速度あるいは被着膜厚を所定の
値にする働きをする。成膜条件が変わると両センサ２１
．２２における成膜速度の関係が変化し、それから同時
に変化する部材１１上の成膜速度の変化を推定できるの
でつねに被着膜厚を正確に制御できる。センサの数をさ
らに増加させれば制御の精度は向上する。 スパッタリング装置の場合は、膜厚センサは被着材料の
ターゲットからほぼ同し方向に異なる距離を置いて配置
する。
本発明によれば、ＰＶＤ装置の被着材料源からほぼ同一
方向に異なる距Ｍ離れた位置に複数の膜厚センサを備え
ることによって、成膜すべき部材上の被着膜の成膜速度
の検知が正確になり、被着膜厚あるいは成膜速度の精度
の高い制御が可能になる。成膜速度の制御によりｌｉ！
！質の制御も可能になり、良好な膜質の膜が得られる。 また、複数のセンサにより成膜条件の変化、例えば真空
度の低下などが把握しやすくなるので、その面からも膜
質の制御性が向上する。
方向に異なる距Ｍ離れた位置に複数の膜厚センサを備え
ることによって、成膜すべき部材上の被着膜の成膜速度
の検知が正確になり、被着膜厚あるいは成膜速度の精度
の高い制御が可能になる。成膜速度の制御によりｌｉ！
！質の制御も可能になり、良好な膜質の膜が得られる。 また、複数のセンサにより成膜条件の変化、例えば真空
度の低下などが把握しやすくなるので、その面からも膜
質の制御性が向上する。
第１図は本発明の一実施例の真空蒸着装置の断面図であ
る。 ｌ：真空槽、４：真空排気系、５：蒸発源、７：ｔｉｌ
Ｉｇ、１１：被成膜部材、１２：１１１１１．２１．２
２：［９厚センサ。 第１図
る。 ｌ：真空槽、４：真空排気系、５：蒸発源、７：ｔｉｌ
Ｉｇ、１１：被成膜部材、１２：１１１１１．２１．２
２：［９厚センサ。 第１図
Claims (1)
- １）内部の被着材料源からほぼ同一方向でそれぞれ距離
の異なる位置にそれぞれ配置される複数の膜厚センサを
備えたことを特徴とする物理気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15737386A JPS6314868A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 物理気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15737386A JPS6314868A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 物理気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314868A true JPS6314868A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15648237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15737386A Pending JPS6314868A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 物理気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314868A (ja) |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP15737386A patent/JPS6314868A/ja active Pending
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