JPS63149059A - 金属物質を製造し更に加工する方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は回転対称容器壁の内側に液体金属を回転させる
回転誘導フィールドの遠心力による液体金属に対する直
接作用により金属物質を製造し更に加工する方法および
装置に関する。

極めて微粒な金属粉またはワイヤが生じるように液体金
属を分離し冷却することは周知である。

冷却速度は得られる製品の構造を決める。非常に高い冷
却速度では気体、即ち非晶質構造になる。

これらの目的を達成する種々の方法が知られている。こ
れらの方法の一つは金属を通常加熱された状態で圧力下
に、比較的に小さい開口を備えたノズルを通じて微粒化
または冷却させてるつぼから流出させ、次いで金属を分
離し、ガスジェットによりまたは急速回転する通常は冷
却された板、中空球形容器、シリンダなどにより金属を
冷却することから成る。これらの方法の組合わせも促案
されている。

他の方法では遠心力により容器壁へ直角に流動する液へ
金属を導入することにより金属を急速に冷却する。

しかし、これらの周知の方法は急速回転構成要素を必要
とし、かかる高速度では不平衡と汚染の問題を生じると
いう欠点がある。

これらの問題は冒頭に述べＰＲ−Ａ−２，３９１，７９
９に開示された方法では存在せず、この方法では液体金
属の回転運動は誘導によりもたらされ、故に可動部分は
らはや必要でない。これにも拘わらず、この方法には小
さな中央開口ノズル以外は底が閉じられかつ金属が出る
ときに通る管内で液体金属を回転するという欠点がある
。この小さなノズルの故に、第１に出力が限定され、第
２にこのノズルは閉塞の危険があり、また急速に摩耗す
る。なお、遠心力の結果、液体金属は回転運動中に管状
形態で管の内壁へ押圧され、従って軸方向に配置された
ノズルから逃げる機会は殆どない。

冒頭に述べた方法に基づく本発明の目的は周知の欠点を
もたず、良好な通気を与える新しい方法および新しい装
置を提供することである。

この目的を達成するために、冒頭に述べた方法は、金属
を誘導フィールド内に配置されたバッフル面に沿って漸
次薄くなる回転フィルムの形態に延ばすために遠心力を
利用することを特徴とする。

多くの場合、このように遠心処理された金属を冷却する
ことは所望の製品を得るのに十分である。

この冷却は周知の方法、例えば、ガス、蒸気、または液
体冷却および／または冷たい壁への衝突により行うこと
ができる。

しかし、得られる製品をより広範に分離しまたはより急
速に冷却することか望まれる他の場合には、面記誘導遠
心処理により分離された製品は液体中でまたは誘導移動
冷却装置内でまたは回転物体への衝撃微粒化および／ま
たはガス微粒化により更に分離または冷却できる。

誘導回転運動は供給容器の下に配置された管状ノズル内
で生じさせることができるが、多くの場合このノズルを
円錐形に下方へ広げ、あるいはこれに円錐形延長部を与
えて転倒漏斗を設け、誘導回転運動をこの広げられた区
分内に部分的または完全に設定し、ノズルの狭い横断面
自体の受ける摩耗を少なくすることが判明している。

本発明の装置の他の実施例は、円錐形の広くなった区分
を下方に広げて放出開口が双曲面形またはトランペット
形をとるようにし、円いまたは偏平な部分を広げられた
、または他の偏平な誘導システムに暴露できるようにし
たものである。このようにして、金属は非常に高い加速
度、従ってまた非常に広範な遠心処理および分離を受け
る。個々の場合、更に一つの偏平誘導器を偏平双曲面の
下に取り付けて金属をトランペット形バッフル面と偏平
誘導器との間の環状ギャップで更に分離することができ
る。転向用の広い区分または延長部を保護するために、
この転向バッフル面と誘導器との間に冷却システムを取
り付けるのが有利である。

この冷却システムはこれらの部分を連続的に保護する薄
い固体金属被覆層が形成するよう非常に強力にできる。

本発明の範囲はノズルの広い区分、円錐形区分またはト
ランペット形の広い区分においてこれらの部分のだめの
機械的回転運動により誘導回転運動を助成することを除
外しない。

本発明の装置の他の実施例は、金属流の誘導回転運動を
伴いまたは伴わずに、金属を管状ノズルから板状誘導器
へ指向させ、板上の金属に遠心処理を受けさせる。細い
ワイヤを得たい場合、誘導板に湾曲溝またはリブを設け
、微粒金属がこれらの溝またはリブに収集されワイヤの
形態で設備を出るようにできる。この発明の範囲は誘導
板におけろ誘導回転運動を同じ板の機械的回転運動によ
り助成することを除外しない。これは、流出金属流と同
じ方向または反対の方向に回転する衝撃面を機械的に回
転させないが、金属粒子自体を衝撃面上またはその回り
に配置された誘導器による急速回転誘導フィールドに暴
らす場合に、特に有利であることが判明している。この
方法では、可動構成要素なしに金属の優れた分離および
冷却を得られるシステムを形成し、方法全体を高い真空
の下に問題なく遂行できるという利点がある。

更に、捕捉または衝撃に用いられる液は、得られる製品
のα図される用途に応じて、誘導遠心処理された金属流
と同じ回転方向を持つことができ、あるいは衝撃効果を
増すために反対方向に回転できることが判明している。

なお、発生する遠心力は用いられる電流の周波数に依存
すること、および非常に微細なまたは非常に急速に冷却
される製品を作るとき、数百ま１こは数千１１ｚの周波
数が適当であることが判明している。

アルミ、鋼などの如き金属の多量鋳造では、電気的負荷
が制御変数を表す移行フィールド誘導器により出口を包
囲することにより鋳造速度に影響することは既に何回も
提案されている。

本発明において、非常に小さい出口の場合にこの原理を
適用することにより、出口が実質的に拡大し、操作が容
易になる。この発明の範囲内において、誘導器を螺旋体
に構成することにより液体金属流、故に最終効果を制御
する追加の手段が得られ、螺旋体形誘導フィールドを上
へ向けると生産高が減少し、螺旋体形誘導フィールドを
下へ向けると生産高が増加する。

この方法を正しく用いると、管を筒状衝撃壁へ連続的に
遠心移送できるような液体金属の大きい遠心力が得られ
、管の壁厚は１ｍｍから数センチにできる。この管は連
続的に引き出し、管として圧延できる。しかし、これは
割ることもでき、真直化の後に連続金属ストリップが生
じ、次いでこれをストリップとして更に熱間加工および
／または冷間加工できる。連続的に形成された管の横断
面の切断は、僅かに下へ広がる円錐塵を持つ衝撃壁によ
り容易ならしめることができる。

これまで述べてきた方法は本質的に液体金属流に関する
もので、この流れは回転誘導フィールドに暴露されるほ
か、それ自体の重力を受ける。しかし、重力の方向と反
対の方向に同時に移動する成る量の金属に回転誘導フィ
ールドを適用［ると、誘導力の効果が実質的に増す。こ
のようにして、流動ノズルによる制御は多くの場合なし
で済ますことができ、また他の制御手段を用いることが
できる。

方法のこの観点によれば、金属は重力の方向と本質的に
反対の方向に誘導器により運ばれ、同時に回転誘導フィ
ールドを受け、金属は急速回転運動させられ上へ駆動す
る遠心力を受け、金属流は装置を出るとき実質的に分割
される。

本発明の方法を実施する装置は有利には円錐形バッフル
面から成り、このバッフル面は底が閉じて頂部へ広がり
、また誘導器を備え、回転誘導フィールドが円錐の内側
に生じ、而して円錐内に位置する金属が遠心処理され、
また円錐形の故に、同時に上へ螺旋形で運ばれる。

円錐の発散を連続的に上へ、即ちトランペット形にまた
は段階的に増加しまたこのようにして形成されたバッフ
ル面に数個の誘導器を設けることは、特に有利であるこ
とが判明している。これらの誘導器は同じ回転速度を持
つことができる。しかし、回転速度が底から上へ増すよ
うに誘導器を設計または給電することは特に有利である
ことが判明している。バッフル面の上方部分を双曲面状
またはトランペット形の放出形態とすることは特）こ有
利であることが判明している。

この発明の範囲は恐らく割り当てられる双曲面状または
トランペット形の放出形態を持つ円錐形バッフル面また
は装置の誘導回転運動をこれらの部分の機械的回転運動
により助成することを除外しない。

放出部と偏平誘導器との間に環状ギャップが生じるよう
に発散バッフル面を偏平誘導器と反対の上端に同様に位
置させることができる。

発散容器の下方部分は偏平または盤ベースから成り、ベ
ースと円錐形部分との間には本質的に筒状の中間ジャケ
ットが設けられる。

この下方部分は、処理される液体金属が下または上から
導入されるものであるが、有利には加熱される。

下方の円錐形および／または筒状部分は有利には双曲面
状に上へ指向した制御可能誘導器を備え、下方部分に流
れる金属は円錐形部分の回りに取り付けられた強力な遠
心誘導器の部域へ運び込まれ、この部域で更に処理され
ることができる。

既述の如（、このシステムは制御ノズルを伴いまたは伴
わずに作動できる。制御ノズルにより作動することが所
望される場合、この制御ノズルは円錐の軸線または発散
バッフル面を通じて金属をベースへ運び、ここで制御さ
れた形態で放出させることができる。この場合、供給容
４は設備の上方に位置する。この構成は遠心処理回路に
影響しないという利点を持つ。

他の場合、微粒化される金属を下から、即ちＵ字形管を
通じてベースへまたは筒状部分へ導入することができる
。

他の場合、筒状および／または円錐の一部を誘導炉とし
て設計し、微粒化される金属はここで熔融されまたは所
望の温度に加熱されまたは保持される。

除去される量は、螺旋体状に作用する最下部の誘導器に
より制御できる。筒状または双曲線形の面に取り付けら
れた誘導器は下向きまたは上向きの螺旋体の作用を持つ
ことができることが判明している。

少なくとも誘導器に暴露された上記装置の部分は非磁性
材料または非導電性材料から作らなければならない。

上記から明らかな如く、装置の下部に導入された被処理
液体金属は必要であればここで加熱され、上へ運ばれ、
発散部分において必要であれば幾つかの平面に配置され
る強力な誘導器により遠心力を受け、発散バッフル面に
おいてこれらの遠心力により上へ移動され面して円錐の
上端またはトランペット形の広い区分において高速で遠
心処理され微粒化される。

金属が重力の方向と反対の方向に動かされるこの形態の
設備は非常に細いワイヤを製造するのに同様に適してお
り、円錐は例えば双曲面放出形態に作られ、この放出形
態は溝またはリブを備える。

こうして製造されたワイヤは、上述の如く、直ちに液体
冷却容器に収容される。

本発明による装置は、金属を特定の方向に投げまたは微
粒化することができ、これは多くの用途、例えばビルド
アップ（ｂｕｉｌｔ−ｕＰ）被覆において非常に好まし
い。この場合、円錐の上部は蓋を備え、また円錐自体は
被覆される製品の方向に１個または数個のスロットを備
え、微粒化または被覆に用いられる微粒金属を放出でき
る。過剰金属は装置のベースの管路を経て戻すことがで
きる。この場合、設備を傾斜または水平に位置するのが
有利である。

微粒化される金属の虫に関する理由でまたは摩耗の理由
で筒状下部を持つまたは持たず、かつ必要であれば双曲
面形上部を持つ円錐の如き金属浴に暴露される部分は、
誘導器および必要であれば加熱システムまたは冷却゛シ
ステムの如き設備の他の部分内に容易に設置しかつ除去
できる。

次に本発明を添付図面について詳述する。

第１図による実施例において、液体金属２は誘導加熱シ
ステム３に包囲されたるつぼｌ内に配置されている。出
口はできるだけ摩耗抵抗の高い管状ノズル４を備え、ノ
ズル４は螺旋体の態様で働く誘導器５に包囲されている
。この誘導器はノズル４を通る金属流を制御するのに主
として用いられ、上へ螺旋体運動して流を禁止し、下へ
螺旋体運動してノズル４を通る流速を増す。ノズルの下
には、ノズル４の円錐形の広い区分から、あるいはノズ
ル４の下の円錐形延長部から成る発散バッフル而４ａが
配置されている。この円錐形バッフル面の回りに非常に
強力な誘導器７が配置されている。ノズル４を通る金属
流は２００Ｈｚで働くこの誘導器７により急速運動させ
られ、而してノズルの放出部において金属流は１２，０
００回転／分の理論回転運動をし、これにより金属は遠
心処理される。このように遠心処理された金属は筒状衝
撃壁１３へ直接膜げられ、ノズル１２により冷却され、
また必要であれば回転運動させられ、微粒化された金属
粒子が生じる。

更に分離を促進したい場合、モータＭにより急速回転さ
れる中空球形容器８に流れを収集し、更に分離した状態
で衝撃壁１３へ投げつけることができる。

第５Ｂ図はノズル４を通る流れを制御する誘導器５の断
面を示す。極５ａ、５ｂ、５ｃは僅かに偏倚され、正ま
やは負の方向に流れに影響する螺旋体形回転フィールド
が生じる。

誘導器７は第１Ｂ図の誘導器５と同様であるが必要であ
れば多極でかなり強力に構成され、極は偏倚している。

第２図による改変例において、第１図の衝撃壁１３は、
電気モータにより急速回転運動させられる冷却遠心分離
機１５により置換されている。遠心分離機！５に入った
冷却液１６は回転中に遠心力により内壁に対接して変位
して環状になり、バッフル面４ａから投げられた金属を
受は取る。

第３図による改変例において、バッフル面４ａの下縁は
ノズル■８を備える。金属粒子はノズル１８から放出す
るガスジェットに暴露され次いで回転水冷ドラム１９の
方へ案内される。

第４図は細いワイヤを製造する設備を示し、金属２は容
器ｌから流出し、３により加熱され、強力な誘導器２０
を備えた板２１上へノズル４を通じて遠心移送される。

湾曲凹所および／またはリブ２Ｉにより金属は非常に薄
い金属流として板を離れ、次いで冷たいガス、蒸気また
は液中でできるだけ急速に冷却され圧延される。板は静
止しまた遠心力は電気誘導効果に基づいて生じるから、
冷却またはワイヤの冷却は周知の機械的回転板における
よりも遥かに簡単である。第１図の例七同様に、ノズル
４を通る金属の流れを制御するように螺旋体形誘導器５
が設けられる。第４Ａ図は第４図の分布板２１の断面を
示し、ノズル４、溝またはリブ２２を備えた板２１、お
よび誘導器２０を示す。付属品２３は必ずしも必要でな
く、これは金属が板全体に亙り均一に分布されることを
保証する。

第４Ｂ図は溝またはリブ２２ａおよび誘導器２０を持つ
分布板２１ａの円錐形の実施例を示す。

この実施例では液で満たされた深皿２４に直ちに補足さ
れ、深皿は必要であれば主軸線の回りに回転可能であり
、生じる流れは急速に冷却され、またかなり長いワイヤ
が得られる。

第５図は最高品質の要件をも満たす更に進歩した設備を
示す。この設備は金属２を入れたるつぼ１を含み、金属
の温度は誘導器３により制御される。必要であれば僅か
な正の圧力により運ばれる金属は小さい筒状穴を備えた
耐摩耗性ノズル４を通りその直後にトランペット形また
は双曲面形耐火性耐摩耗性のバッフル面３４により延ば
される。

３４の全面は閉鎖冷却コイルへ３５において導入され３
６において取り出される液により冷却される。ノズル４
へ入る金属の流れはその爪が螺旋体形誘導器５により制
御され、同時に回転流の僅かな回転運動を生じることが
できる。バッフル面３４により規定されたスペースに金
属が一旦入ると、強力な誘導器３７により金属が非常に
急速に運動させられ次いで偏平誘導器３８により加速さ
れ、トランペット形バッフル面３４の下縁において、水
ノズル９により冷却された筒状壁４０へ金属粒子が非常
に高速で投げられる。この壁４０は駆動装置（図示せず
）により球軸受内で回転させることができる。いかし、
真空中で微粒化を行いたい場合、壁４０をフード４２へ
強固に接続し、封入された設備全体を接続片４３を介し
て減圧する。

この場合、壁４０へ投げられる金属は筒状壁４０の回り
に取り付けられた誘導器４４により移動され分布される
。作られた金属粒子は下方の漏斗状部分４０ａに集まり
、ここから、弁４５が開いた後に金属粒子を取り出して
中間加熱後に圧粉設備へ直接送られる。

バッフル面３４の下から放出する金属粒子をより一層加
速したい場合、偏平誘導器４６を備えたリング４７を、
バッフル面３４とリング４７との間に環状ギャップ４８
が生じるように発散バッフル面３４の下に取り付け、環
状ギャップ４８を通じて金属粒子を更に加速する。この
環状ギャップ４８内で金属が凍結するのを阻止するため
に、リング４７を例えば誘導器４６により加熱できる。

誘導器３７．３８および恐らくは４６によりもたらされ
るシステム全体の回転方向は総ての場合同じである。し
かし、最終製品の所望の状態に応じて誘導器４４の衝撃
壁４０は前記誘導器の前記回転方向あるいは反対方向に
働くことができる。

分離された製品は環状ギャップ４８を出るとき上記と同
様に更に処理できる。

第５図に示す同様の装置は管を製造でき、あるいは管を
割った後に偏平製品を製造できる。この場合、衝撃壁４
０は底の方へ広がった僅かに円錐形の形態である。漏斗
状延長部４０は省略されている。冷却ノズル３９はまば
らに敷設して４８から放出する粒子が互いに溶着するよ
うにし、溶着４４は遠心処理された粒子が均一に分布す
るのを保証する。大きい生産高の場合、環状ギャップ４
８と衝撃壁４０との間の分離金属流は冷却システム、好
ましくは不活性ガス冷却システムにより冷却される。

遠心処理および溶接により得られた管は抽出設備（図示
せず）により連続的に引き出され、次いで必要であれば
例えば遊星スキュー圧延機で圧延される。既述の如く、
形成された管は割ることができ、そして連続ストリップ
の形態で、必要であればその後に熱間圧延および／また
は必要であれば冷間圧延しコイルの形態にできる。

以上の実施例では金属は頂部から遠心処理されたが、第
６図および第７図による以下の実施例では重力の方向と
反対の方向、即ち底から上へ輸送または遠心処理される
。

第６図の設備は金属２を入れたるっぽｌを含み、金属の
温度は誘導器３により制御される。金属はラインＩａを
通って装置の容器６０へ流入し、この容器６０は誘導器
６１により加熱される筒状供給容器として設計され、ト
ランペット形または双曲面形に広がる耐火耐摩耗性バッ
フル面６２により延長される。バッフル而６２全体また
は少なくとも最上方部分は液により冷却され、この液は
例えば冷却コイルを流れ、あるいは包囲スペース内に位
置し６３を通じて導入され６４から取り出される。冷却
は微粒化ノズルを介して行うこともできる。測定プロー
ブ６５はコントローラ６７および位置決め部材６８を介
してタブキング（ｔａｃｋｉｎｇ）ロッド６９を操作す
ることによりおよび／または誘導弁として設計された誘
導器５を作動することにより６０中の熔融金属浴６６が
一定レベルにあることを保証する。バッフル面６２の下
側に沿って一組の誘導器が配置されている。金属は先ず
誘導器７０ａにより次いで誘導器７０ｂ、７０ｃ。

７０ｄにより加速される。これらの誘導器は簡単な回転
運動を生じることができるが、螺旋体形にすることもで
き、その場合必要であれば金属を遠心力にできるだけ長
く暴露するために下方の誘導器７０ａ、７０ｂは上向き
の螺旋体運動を生じ、上方の誘導器７０ｃ、７０ｄは下
向きに作用することができる。誘導器７０ａないし７０
ｄをより高い周波数で負荷するのも同様に適切である。

而して、殆どの場合、例えば誘導器７０ａを幹線周波数
、即ち５０Ｈｚで操作すれば十分であり、その場合有利
には誘導器７０ｂは２００Ｈｚで、誘導器７０ｃはＩ　
０００Ｈｚで、誘導器７０ｄは２０００Ｈｚで操作すれ
ば十分である。金属は非常に大きい遠心力で、したがっ
゛Ｃ非常に大きい微粒化速度でバッフル面６２から出る
ことは容易に判る。

バッフル面６２を出る金属粒子の加速度を更に大きくし
たい場合、偏平誘導器７２を備えたリング７３をバッフ
ル面７２の上方に取り付けてバッフル面６２の縁とリン
グ７３との間に環状ギャップ７４か生じるようにし、環
状ギャップ７４を通って金属粒子が更に加速される。こ
の環状ギャップ内で金属か凍結するのを阻止するために
、リング７３は例えば誘導器７２により加熱できる。

既述の如く、装置を衝撃壁７５に関しであるいは衝撃壁
７５を装置に関して上下運動させると、得られる製品の
均一性が増す。

この装置を同様に用いて細いワイヤを製造することもで
き、それにはバッフル面の放出側に隆起部またはリブ７
６を設け、ここで所望量の金属を収集し、また第４Ｂ図
で述べた如く、液を満たされ必要であれば回転可能な深
皿７７に金属を捕捉し、生じる流れを非常に急速に冷却
し、かなりの長さのワイヤが得られる（第６図の左側）
。

上記設備はその全周に亙り遠心処理できる。しかし、例
えば細いワイヤを製造するためにまたはガスジェットに
より更に微粒化するために成る方向に遠心処理したい場
合、設備は傾斜または水平に設定できる。

第６図による装置の実施例が第７図に示されている。こ
の設備は例えば被覆目的でまたはガスジェットによる微
粒化のために一側で遠心処理するために開発されたもの
である。なお、この設備の隣に設置された炉を通じて送
る可能性が示されている。第７図に示す設備は第６図に
示す設備と同様の原理に従って操作するが、その異なる
点は遠心処理された金属が開口またはスロット８１ある
いは開口またはスロット８１．８２．８３（第７Ａ図を
も参照）から投げ出されること、および過剰量がチャン
ネル８４に収集されリターン８５を経てるつぼへ戻され
ることである。既に微粒化された金属はスロットから放
出するときガスノズルにより更に微粒化され、冷却され
または圧延設備へ輸送できる。なお、この装置は頂部を
蓋により閉じることができる。

第７図に示す如く、るつぼＩは遠心処理装置の隣に配置
され、連通管の原理によりライン８７を経て供給容器６
０へ接続される。

るつぼｌへのリターン８５は早期凍結を阻止するために
好ましくは加熱コイル８８により包囲される。

重力は遠心力に比べて無視できるから、この装置は同様
に傾斜または水平に設置できる。これは液体金属ビレッ
トがバッフル面の開口またはスロットから放出するよう
に働く第７図による設備に適用される。発散形態または
筒状形態のバッフル面さえも液体金属の入来と反対側で
閉じることができる。

要するに、上述した総ての実施例は完全な液体金属ビレ
ットが回転対称バッフル面の中央へ導入されたときに誘
導回転運動の遠心力により形成されるという共通の特徴
を有し、その場合対応予備成形は第１図ないし第５図に
よる実施例では入口ノズル４において既に生じている。

中空に遠心処理されたこの金属ビレットは次いで遠心力
の作用で内方バッフル面に沿って円錐形またはトランペ
ット形に広がり、連続液体金属フィルムがこのバッフル
面に衝突し、金属フィルムの厚みは半径の増加につれて
減少する。バッフル面の入口における流れおよび誘導回
転フィールドの周波数と強度は、バッフル面に適合され
てバッフル面の出口縁における金属フィルムが非常に薄
く容易に裂けて完全に微粒化される。この原理は第４図
の実施例にも適用される、というのは偏平板盤２１は他
の実施例の発散バッフル面の極端な場合を表すに過ぎな
いからである。

これに対比して、Ｆｌ？−＾−２．３１＋１，７９９に
よる周知の装置においては、液体金属は遠心処理されて
薄くなるフィルムにならず、また遠心力により微粒化も
されない。その理由はこの周知装置における微粒化は、
遠心力により放出開口で生じる圧力の減少により誘導回
転フィールドの外側で行われるからである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の最も簡単な実施例を示す図、第１Ｂ図
は第１図のＢ−Ｂ線に沿う断面図、第２図は第１図の実
施例の改変例を示す図、第３図は第１図の実施例の他の
改変例を示す図、第４図は本発明の第２実施例を示す図
、第４Ａ図は第４図の分布板を通る垂直断面図、第４Ｂ
図は第４図の分布板の改変例を示す図、第５図は本発明
の第３実施例を示す図、第６図は本発明の第４実施例を
示す図、第７図は第６図の実施例の改変例を示す図、第
７Ａ図は第７図のバッフル面の上方部分の詳細を示す図
である。 １９３．るつぼ、　２．１．液体金属、　４．。 ノズル、　４ａ、２１，３４，６２．、、バッフル面、
　　５．７，３７，３８，４４．７０．、。 誘導ム、　　１３．４５．７５．、、衝撃壁、　４７．
７３．、、誘導リング。 ｆＦｔＦ出１ｉ１１人　　　　セントレム・ソシエテの
アノニム ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、３ ３、補正をする者 一仕一雪づｔ−子一 ４、代理人 ／、名も正の女を東 Ｂ１１１９ａ＊ｈ５３ｏ霜へ碑瀉ｑ８東萌。オ１飼−面 ７、補正さ腎の１ｑ心、 １）、Ｂ祷キ；Ｔ：３澱、オｑイｊ目７りＩＢ図誓１１
Ａ圀ユヒ褌正す３゜ ２ン　ｔａｔうｒｌ”ＢＩＥ］’ａ　　　　別Ｓ’Ｊ　
　ｔＡｋｊ；４９　２”２＋Ａ区し　ヒ補正する。　　
づｈ、矛１図１ま内陶Ｆ）−、ｉ変更−１オシソはぜズ
」。 以と。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、回転対称制限壁の内側に液体金属を回転させる回転
   誘導フィールドの遠心力による液体金属に対する直接作
   用により金属物質を製造し更に加工する方法において、
   金属を誘導フィールド内に配置されたバッフル面に沿っ
   て漸次薄くなる回転フィルムの形態に延ばすために遠心
   力を利用することを特徴とする方法。 ２、バッフル面に形成される連続的に回転する金属フィ
   ルムは薄く形成されるためにバッフル面から投げ飛ばさ
   れるときに微粒化されることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の方法。 ３、電気誘導遠心力により分離された金属は周知の機械
   的方法により更に分離されることを特徴とする特許請求
   の範囲第２項記載の方法。 ４、金属は分離後に周知の方法により冷却されることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項の一項記
   載の方法。 ５、液体金属部分は、衝撃壁から連続的に引き出され巻
   かれることのできる管を凝固後に形成するために、内部
   から筒状衝撃壁へ連続的に投げつけられることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６、管は割ることにより更に加工されて金属ストリップ
   にされることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
   方法。 ７、液体金属は完全な金属ビレットの形態で重力により
   管状ノズルへ運ばれ、ここで誘導遠心力により管状ビレ
   ットに予備成形され、次いで円錐形またはトランペット
   形に広がるバッフル面に沿って誘導回転フィールド内で
   更に成形されて漸次薄くなる円錐形またはトランペット
   形のフィルムになることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項ないし第６項の一項記載の方法。 ８、液体金属は誘導遠心力により重力と反対方向に容器
   から上昇されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   ないし第６項の一項記載の方向。 ９、液体金属は円錐形またはトランペット形に上方へ広
   がるバッフル面を経て上方かつ放射方向外方へ投げ飛ば
   されて漸次薄くなるフィルムを形成することを特徴とす
   る特許請求の範囲第８項記載の方法。 １０、回転金属フィルムはバッフル面に形成されたリブ
   またはスロットによりワイヤまたはストリップの形に成
   形され次いで冷却されることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項ないし第９項の一項記載の方法。 １１、液体金属（２）の供給容器として役立つるつぼ（
   １）、遠心処理装置および液体金属を回転する電磁誘導
   器から成る特許請求の範囲第１項ないし第１０項の一項
   記載の方法を実施する装置において、遠心処理装置は軸
   方向に対称なバッフル面（４ａ、２１、３４、６２）か
   ら成り、その外面に誘導器（７、３７、３８、７０）を
   配置し、るつぼ（１）を軸方向接続区分によりバッフル
   面の内側へ接続したことを特徴とする装置。 １２、バッフル面（４ａ）は円錐から成ることを特徴と
   する特許請求の範囲第１１項記載の装置。 １３、バッフル面（３４、４２）はトランペット形また
   は双曲面形に広がることを特徴とする特許請求の範囲第
   １１項記載の装置。 １４、接続区分はるつぼ（１）の軸方向出口を形成しか
   つ底がバッフル面（４ａ、３４）へ変化した管状ノズル
   （４）から成ることを特徴とする特許請求の範囲第１１
   項ないし第１３項の一項記載の装置。 １５、ノズル（４）は流れを制御する回転フィールドを
   生じる誘導器（５）により包囲されたことを特徴とする
   特許請求の範囲第１４項記載の装置。 １６、誘導器（５）はノズル（４）の回りに螺旋体形に
   配置された数個の極シュー（５ａ、５ｂ、５ｃ）を有す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１４項記載の装置
   。 １７、バッフル面（３４、６２）は誘導器側に冷却シス
   テムを備えたことを特徴とする特許請求の範囲第１３項
   記載の装置。 １８、トランペット形に開いたバッフル面（３４、６２
   ）と反対側に、バッフル面の外縁と協働して環状放出ギ
   ャップ（４８、７４）を形成する偏平な軸方向に対称な
   誘導リング（４８、７３）を設けたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１３項ないし第１５項の一項記載の装置
   。 １９、数個の誘導器（３７、３８）をバッフル面（３４
   ）に割り当て、前記誘導器は偏向した金属粒子の方向の
   変化に適合した種々に配向した回転フィールドを誘導す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１３項記載の装置
   。 ２０、バッフル面（２１）はるつぼ（１）の出口の下に
   中央に配置されかつ反対側で誘導器（２０）へ割り当て
   られた固定円形板盤（２１）から成ることを特徴とする
   特許請求の範囲第１１項記載の装置。 ２１、液体金属が衝突する板盤（２１）の側は放射方向
   湾曲態様で延びた溝またはリブ（２２）を備えたことを
   特徴とする特許請求の範囲第２０項記載の装置。 ２２、板盤（２１ａ）は僅かに円錐形にされたことを特
   徴とする特許請求の範囲第２１項記載の装置。 ２３、バッフル面（４ａ）は冷却液で一部満たされた遠
   心処理容器（１５）の上方に配置されたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１４項ないし第１６項の一項記載の
   装置。 ２４、トランペット形バッフル面（６２）は筒状容器（
   ６０）の上縁から上方へ延びることを特徴とする特許請
   求の範囲第１１項、第１３項、第１７項ないし第１９項
   の一項記載の装置。 ２５、るつぼ（１）は容器（６０）の上方に配置され、
   接続ライン（１ａ）がるつぼ（１）と容器との間でバッ
   フル面（６２）を通って軸方向に延びることを特徴とす
   る特許請求の範囲第２４項記載の装置。 ２６、るつぼ（１）はトランペット形バッフル面（６２
   ）の隣に配置され、連通管の原理により容器（６０）へ
   接続されたことを特徴とする特許請求の範囲第２４項記
   載の装置。 ２７、容器（６０）は加熱システムにより包囲されたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第２４項ないし第２６項
   の一項記載の装置。 ２８、容器内のレベルを測定し調節するための測定プロ
   ーブ（６５）を設けたことを特徴とする特許請求の範囲
   第２４項ないし第２７項の一項記載の装置。 ２９、バッフル面へ割り当てられた誘導器（７０）は数
   個の誘導ステージ（７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ）
   から成ることを特徴とする特許請求の範囲第２４項ない
   し第２８項の一項記載の装置。 ３０、誘導ステージ（７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ
   ）はバッフル面（６２）が広くなるにつれて対応的に高
   くなる電流周波数を供給されることを特徴とする特許請
   求の範囲第２９項記載の装置。 ３１、バッフル面（４、２１、３４、６２）は筒状衝撃
   壁（１３、４０、７５）の内側に共軸状に配置されたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１１項ないし第２０項
   の一項記載の装置。 ３２、衝撃壁（１３、４０、７５）は冷却装置（１２、
   ３９）の作用を受けることを特徴とする特許請求の範囲
   第３１項記載の装置。 ３３、電磁誘導器（４４）は衝撃壁（１３、４０、７５
   ）の外側に配置され、誘導器（４４）は衝撃壁（１３、
   ４０、７５）の内側へ投げ飛ばされる金属粒子に対して
   誘導回転フィールドを発生することを特徴とする特許請
   求の範囲第３１項または第３２項記載の装置。 ３４、衝撃壁（１３、４０、７５）はその縦軸線の回り
   およびバッフル面（４ａ、２１、３４、６２）の対称軸
   線の回りに回転可能であることを特徴とする特許請求の
   範囲第３１項ないし第３３項の一項記載の装置。 ３５、衝撃壁（１３、４０、７５）はフード（４２）お
   よび収集漏斗（４０ａ）と共に、遠心処理装置および供
   給るつぼ（１）の回りに気密ハウジングを形成すること
   を特徴とする特許請求の範囲第３１項ないし第３４項の
   一項記載の装置。 ３６、トランペット形バッフル面（６２）は外縁の近く
   に放出スロット（８１、８２、８３）を有することを特
   徴とする特許請求の範囲第２４項ないし第３０項の一項
   記載の装置。 ３７、加熱リターン（８５）によりるつぼ（１）へ接続
   された収集チャンネル（８４）をバッフル面（６２）の
   外縁に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の装置。 ３８、バッフル面から投げ飛ばされる金属粒子へ指向さ
   れた圧縮ガス放出ノズル（１８、８６）をバッフル面（
   ４ａ、２１、３４、６２）の最外側縁に設けたことを特
   徴とする特許請求の範囲第１１項ないし第３７項の一項
   記載の装置。