JPS63157143A - Solder resist pattern forming method - Google Patents

Solder resist pattern forming method

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Publication number
JPS63157143A
JPS63157143A JP30566786A JP30566786A JPS63157143A JP S63157143 A JPS63157143 A JP S63157143A JP 30566786 A JP30566786 A JP 30566786A JP 30566786 A JP30566786 A JP 30566786A JP S63157143 A JPS63157143 A JP S63157143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
parts
solder resist
trichloroethane
resist pattern
epoxy resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30566786A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Teiji Obara
禎二 小原
Kazuhiro Takeda
武田 一広
Yuji Nakaizumi
中泉 祐司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP30566786A priority Critical patent/JPS63157143A/en
Publication of JPS63157143A publication Critical patent/JPS63157143A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325Non-aqueous compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、印刷配線基板に用いられるソルダーレジスト
パターン形成する方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for forming a solder resist pattern used for a printed wiring board.

(従来の技術) 近年、印刷配線基板の配線密度は急速に高密度化が進み
、従来のスクリーン印刷法により画像形成するソルダー
レジストに代って、より解像度の優れた写真蝕刻法によ
り画像形成する液状ソルダーレジストが開発されている
。   ・このようなソルダーレジストとしては、感光
基を有するエポキシ樹脂又はエポキシ樹脂に感光基を有
する化合物を反応せしめて得られる光硬化性樹脂を主成
分とするソルダーレジストが例えば特開昭58−626
36号、特開昭60−208377号、特開昭81−2
72号に開示されている。
(Prior art) In recent years, the wiring density of printed wiring boards has rapidly increased, and instead of solder resist, which forms images using the conventional screen printing method, images are formed using photolithography, which has better resolution. Liquid solder resists have been developed. - As such a solder resist, a solder resist whose main component is an epoxy resin having a photosensitive group or a photocurable resin obtained by reacting an epoxy resin with a compound having a photosensitive group is disclosed in, for example, JP-A-58-626.
No. 36, JP-A-60-208377, JP-A-81-2
It is disclosed in No. 72.

しかしながら、これらのソルダーレジストは、印刷配線
基板の製造工程上の安全確保及び衛生環境確保上の点か
ら、最も好ましい不燃性でかつ宵害性の比較的少ない、
1.1.1−トリクロエタンを現像液に用いた場合、溶
解性が低く現像性が極めて劣るという問題があった。し
かるに、これらのソルダーレジストは可燃性有機溶剤又
は1,1゜1−トリクロロエタンにアルコール系溶剤、
エーテル系溶剤等を配合した混合溶剤により現像しなけ
ればならない。しかし、可燃性溶剤の使用は既述の如く
製造工程の安全確保上好ましくない。また、混合溶剤系
では、現像液を蒸留再生した場合、溶液組成の変化が生
じ易く、再び現像液として用いた場合、現像不良の原因
となり易い問題があった。
However, these solder resists are most preferable from the viewpoint of ensuring safety in the manufacturing process of printed wiring boards and ensuring a sanitary environment, and are non-flammable and relatively less harmful.
When 1.1.1-tricloethane was used in a developer, there was a problem that the solubility was low and the developability was extremely poor. However, these solder resists are prepared using flammable organic solvents or alcoholic solvents in 1,1°1-trichloroethane.
It must be developed using a mixed solvent containing an ether solvent or the like. However, as mentioned above, the use of flammable solvents is not preferable in terms of ensuring safety in the manufacturing process. Further, in a mixed solvent system, when the developer is regenerated by distillation, the solution composition tends to change, and when used as a developer again, there is a problem that it tends to cause poor development.

(発明が解決しようとする問題) 本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、1,1.1−トリクロロエタンを主成分とする
不燃性で有害性の比較的低い現像液により良好な現像を
達成でき、かつ現像液の再生利用が可能なソルダーレジ
ストパターンの形成方法を提供しよとするものである。
(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems. It is an object of the present invention to provide a method for forming a solder resist pattern in which good development can be achieved using a liquid and the developer can be recycled.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は、 (a)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂の1エポキ
シ当量に対して0.4〜0.6当量のアクリル酸及び/
又はメタクリル酸が付加されている部分アクリル化及び
/又はメタクリル化エポキシ樹脂、(b)少なくとも3
個のアクリロイル基を有し、かつ1,1.1−トリクロ
ロエタンに可溶性の光重合性単量体、 (c)光重合開始剤、 (d)熱硬化剤 を含むソルダーレジストを基材に塗布し、このソルダー
レジスト膜に光を選択的に照射した後、1゜1.1−ト
リクロロエタン及び界面活性剤からなる現像液にて現像
処理せしめることを特徴とするソルダーレジストパター
ンの形成方法である。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention provides the following features: (a) 0.4 to 0.6 equivalents of acrylic acid and/or
or a partially acrylated and/or methacrylated epoxy resin to which methacrylic acid has been added, (b) at least 3
A solder resist containing a photopolymerizable monomer having 2 acryloyl groups and soluble in 1,1,1-trichloroethane, (c) a photopolymerization initiator, and (d) a thermosetting agent is applied to the base material. This is a method of forming a solder resist pattern, which comprises selectively irradiating the solder resist film with light and then developing it with a developer comprising 1°1,1-trichloroethane and a surfactant.

上記(a)の部分アクリル化及び/又はメタクリル化エ
ポキシ樹脂は、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂に
アクリル酸もしくはメタクリル酸又はこれらの混合物を
付加反応させて得られるものである。ここに用いられる
エポキシ樹脂は、クレゾールノボラック型に限られ、他
の型のエポキシ樹脂、例えばビスフェノールA型、ビス
フェノールF型、ジオールのジグリシジルエーテル型、
水添ビスフェノールA型、ジカルボン酸のジグリレジル
エステル型等のエポキシ樹脂を使用しても、得られた部
分アクリル化及び/又はメタクリル化エポキシ樹脂を含
むソルダーレジストは硬化膜の半田耐熱性が劣るため好
ましくない。また、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂と類似の構造
を有し、耐熱性に優れるでいるものの、1,1.1−ト
リクロロエタンに対する溶解性が極めて低いため使用で
きない。前記付加反応方法は、常法に従って行なえばよ
いが、反応に際してはクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂の1エポキシ当量に対して、アクリル酸及び/又は
メタクリル酸を0.4〜0.8当量、更に好ましくは0
.45〜0.55当量にして付加反応させる必要がある
。この理由は、反応に用いるアクリル酸等の当量を0.
4未満にすると、ソルダーレジストの光硬化性が低下す
る。一方、アクリル酸等の当量が0.6を越えると、1
.1.1−トリクロロエタンに対する溶解性が極端に低
下し、現像不能を招く。
The partially acrylated and/or methacrylated epoxy resin (a) above is obtained by subjecting a cresol novolac type epoxy resin to an addition reaction with acrylic acid, methacrylic acid, or a mixture thereof. The epoxy resin used here is limited to the cresol novolak type, and other types of epoxy resins, such as bisphenol A type, bisphenol F type, diglycidyl ether type of diol,
Even if epoxy resins such as hydrogenated bisphenol A type or diglyresyl ester type of dicarboxylic acid are used, solder resists containing partially acrylated and/or methacrylated epoxy resins have poor soldering heat resistance of the cured film. Undesirable. Furthermore, although the phenol novolac type epoxy resin has a similar structure to the cresol novolac type epoxy resin and has excellent heat resistance, it cannot be used because its solubility in 1,1,1-trichloroethane is extremely low. The addition reaction method may be carried out according to a conventional method, but in the reaction, acrylic acid and/or methacrylic acid is used in an amount of 0.4 to 0.8 equivalents, more preferably 0.4 to 0.8 equivalents per 1 epoxy equivalent of the cresol novolac type epoxy resin. 0
.. It is necessary to carry out the addition reaction at 45 to 0.55 equivalents. The reason for this is that the equivalent of acrylic acid used in the reaction is 0.
If it is less than 4, the photocurability of the solder resist will decrease. On the other hand, if the equivalent of acrylic acid etc. exceeds 0.6, 1
.. 1. The solubility in 1-trichloroethane is extremely reduced, leading to inability to develop.

上記(b)の少なくとも3個のアクリロイル基を有し、
かつ1,1.1−トリクロロエタンに可溶性の光重合成
単量体は、ソルダーレジストに対して露光時における優
れた感度を付与し、かつ1゜1.1−トリクロロエタン
を主成分とする現像液に対する現像性を高めるために必
要とされる。更に、硬化後のソルダーレジスト膜に優れ
た耐熱性、表面硬度、耐溶剤性等をも付加できる。かか
る(b’1成分としては、例えばトリメチロールプロパ
ントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート、
テトラメチロールメタンテトラアクリレート、トリス(
アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、ヘキサ
メチレンジイソシアナートの三量体と2−ヒドロキシエ
チルアクリレート、グリセリンジアクリレート、ペンタ
エリスリトールトリアクリレート等の1個の水酸基を有
するアクリル酸エステルとの反応生成物等を挙げること
ができる。
having at least three acryloyl groups of the above (b),
In addition, the photopolymerizable monomer soluble in 1,1,1-trichloroethane imparts excellent sensitivity to the solder resist during exposure, and is highly resistant to developing solutions containing 1°1,1-trichloroethane as a main component. Required to improve developability. Furthermore, excellent heat resistance, surface hardness, solvent resistance, etc. can be added to the cured solder resist film. Such (b'1 component includes, for example, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate,
Tetramethylolmethanetetraacrylate, Tris(
Examples include reaction products of trimers of acryloyloxyethyl isocyanurate and hexamethylene diisocyanate and acrylic acid esters having one hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl acrylate, glycerin diacrylate, and pentaerythritol triacrylate. be able to.

上記(c)の光重合開始剤は、光照射により前記(a)
及び(b)成分を重合せしめる成分であり、この光重合
開始剤としては一般にアクリレートの光重合開始剤とし
て知られているものであれば、特に制限されない。具体
的には、ビアセチル、ベンゾフェノン、ベンジル、ベン
ゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール
、(1−ヒドロキシシクロヘキシル)フェニルケトン、
2−ヒドロキシ−2メチルプロピオフエノン、ジエチル
チオキサントン、エチルアンスラキノン、ビス(ジエチ
ルアミノ)ベンゾフェノン等、及びこれらの化合物とエ
チル(N、N−ジメチルアミノ)ベンゾエート、ベンジ
ルジメチルアミン、トリエタノールアミン、N、N−ジ
メチルエタノールアミン等のアミン類との複合系光重合
開始剤を挙げることができる。
The photopolymerization initiator (c) above can be transformed into the photopolymerization initiator (a) by light irradiation.
The photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it is generally known as an acrylate photopolymerization initiator. Specifically, biacetyl, benzophenone, benzyl, benzoin isobutyl ether, benzyl dimethyl ketal, (1-hydroxycyclohexyl) phenyl ketone,
2-hydroxy-2methylpropiophenone, diethylthioxanthone, ethyl anthraquinone, bis(diethylamino)benzophenone, etc., and these compounds and ethyl (N,N-dimethylamino)benzoate, benzyldimethylamine, triethanolamine, N, Examples include composite photopolymerization initiators with amines such as N-dimethylethanolamine.

上記(d)の熱硬化剤は、加熱により前記(a)成分中
のエポキシ基を架橋反応させることにより該樹脂に優れ
た耐熱性、電気特性、耐湿性、耐薬品性等を付与する成
分である。かかる熱硬化剤は、エポキシ樹脂硬化剤とし
て一般に知られている、アミン類、イミダゾール誘導体
等を用いることができる。具体的には、ジエチレントリ
アミン、トリエチレンテトラアミン、ジエチルアミノプ
ロビルアミン、ベンジルジメチルアミン、トリス(ジメ
チルアミノメチル)フェノール、ジアミノジフェニルメ
タン、キシリレンジアミン、ジシアンジアミド、2−メ
チルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾー
ル、1−ベンジル−2−メチルイミダゾールなどを挙げ
ることができる。
The thermosetting agent (d) above is a component that imparts excellent heat resistance, electrical properties, moisture resistance, chemical resistance, etc. to the resin by crosslinking the epoxy groups in the component (a) by heating. be. As such a thermosetting agent, amines, imidazole derivatives, etc., which are generally known as epoxy resin curing agents, can be used. Specifically, diethylenetriamine, triethylenetetraamine, diethylaminoprobylamine, benzyldimethylamine, tris(dimethylaminomethyl)phenol, diaminodiphenylmethane, xylylenediamine, dicyandiamide, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methyl Examples include imidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, and the like.

上記ソルダーレジストを構成する(a)〜(d)成分の
配合割合は、〈a)〜((1)成分合計を100重量部
とした場合、(a)成分の配合割合を40〜90重量部
、好−しくは50〜80重量部、(b)成分の配合割合
を3〜50重量部、好ましくは5〜40重量部、(c)
成分の配合割合を2〜15重量部、好ましくは4〜10
重量部、(d)成分の配合割合を0.5〜10重量部、
好ましくは1〜7重量部とすることが望ましい。前記(
a)成分の配合割合が40重量部未満の場合は、耐熱性
が劣り、90重量部を越える場合は、光硬化性及び現像
性が劣る恐れがある。前記(b)成分の配合割合が3重
量部未満の場合は、光硬化性及び現像性が劣り、50重
量部を越える場合は、耐熱性及び基材への密着性が劣る
恐れがある。<C)成分の配合割合が2frffi部未
満の場合は、光硬化性が劣り、15重量部を越える場合
は、ソルダーレジストの耐熱性、耐湿性及び電気特性が
劣る恐れがある。(d)成分の配合割合が0.5 ti
f1部未満の場合は熱硬化性が劣り、10重量部を越え
る場合は、耐熱性、耐湿性及び電気特性が劣る恐れがあ
る。
The blending ratio of components (a) to (d) constituting the solder resist is as follows: (If the total of components (a) to (1) is 100 parts by weight, the blending ratio of component (a) is 40 to 90 parts by weight. , preferably 50 to 80 parts by weight, the blending ratio of component (b) to 3 to 50 parts by weight, preferably 5 to 40 parts by weight, (c)
The blending ratio of the components is 2 to 15 parts by weight, preferably 4 to 10 parts by weight.
parts by weight, the blending ratio of component (d) is 0.5 to 10 parts by weight,
The amount is preferably 1 to 7 parts by weight. Said (
If the blending ratio of component a) is less than 40 parts by weight, heat resistance may be poor, and if it exceeds 90 parts by weight, photocurability and developability may be poor. When the proportion of the component (b) is less than 3 parts by weight, photocurability and developability may be poor, and when it exceeds 50 parts by weight, heat resistance and adhesion to the substrate may be poor. If the blending ratio of <C) component is less than 2 parts by weight, the photocurability may be poor, and if it exceeds 15 parts by weight, the heat resistance, moisture resistance, and electrical properties of the solder resist may be poor. (d) The blending ratio of the component is 0.5 ti
If it is less than 1 part f, the thermosetting properties may be poor, and if it exceeds 10 parts by weight, the heat resistance, moisture resistance, and electrical properties may be poor.

上記ソルダーレジストにあっては、その構成成分として
前記(a)〜(d)の各成分以外に、必要に応じて難燃
性付与剤、無機質充填剤、染料、顔料、消泡剤、レベリ
ング剤、重合禁止剤、溶剤、密着性付与剤等を配合する
ことができる。その配合割合は、前記(a)〜(d)の
成分の合計を100重量部とした場合、50重量部以下
、好ましくは40重量部以下である。これらの添加剤の
配合割合が50重量部を越える場合は、ソルダーレジス
トの硬化性が劣るため好ましくない。
In addition to the above-mentioned components (a) to (d), the solder resist may optionally include a flame retardant agent, an inorganic filler, a dye, a pigment, an antifoaming agent, and a leveling agent. , a polymerization inhibitor, a solvent, an adhesion imparting agent, etc. can be blended. The blending ratio is 50 parts by weight or less, preferably 40 parts by weight or less, when the total of the components (a) to (d) is 100 parts by weight. If the blending ratio of these additives exceeds 50 parts by weight, it is not preferable because the curability of the solder resist will be poor.

上記ソルダーレジスト膜に選択的に照射して光硬化させ
るための光としては、通常、波長が200〜500 n
ls好ましくは300〜450 nmのものを使用され
る。
The light for selectively irradiating and photocuring the solder resist film usually has a wavelength of 200 to 500 nm.
ls preferably used is one with a wavelength of 300 to 450 nm.

上記現像液は、1.1.1−トリクロロエタンを主成分
とし、これに該1,1.1−トリクロロエタンによる現
像力を効果的に高めるの界面活性剤が少量の添加された
組成となっている。このような組成の現像液を用いる現
像方法は、前記1゜1.1−トリクロロエタンに他のア
ルコール系溶剤、エーテル系溶剤等を混合して現像力を
高める従来力に比べてより効果的に現像力を高めること
ができる。かかる界面活性剤としては、例えばノニルフ
ェノールエトキシレート、オクチルフェノールエトキシ
レート、ツルとタンステアリルエステル、ポリオキシエ
チレンソルビタンステアリルエステル、ソルビタンオレ
イルエステル、ポリオキシエチレンソルビタンオレイル
エステル、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、塩
化ペンサルコニウム、ポリオキシエチレンアルキルアリ
ールエーテル、塩化セチルピリジニウム、ポリオキシエ
チレンモノアリールエーテルのリン酸エステル等が挙げ
られるが、これらに制限されるものではない。また、界
面活性剤の配合割合は1,1゜1−トリクロロエタン1
00重量部に対して0.5重量部以上にすることが望ま
しい。この理由は、界面活性剤の配合量を0.5重量部
未満にすると、現像力を向上化効果を充分に達成できな
い恐れがある。なお、界面活性剤の配合量の上限ついて
は経済的観点から5重量部にすることが望ましい。より
好ましい界面活性剤の配合量は、1〜3重量部の範囲で
ある。
The above-mentioned developer has a composition mainly composed of 1.1.1-trichloroethane, to which is added a small amount of a surfactant that effectively enhances the developing power of the 1,1.1-trichloroethane. . A developing method using a developer having such a composition can develop more effectively than the conventional method in which the 1゜1.1-trichloroethane is mixed with other alcohol-based solvents, ether-based solvents, etc. to increase the developing power. You can increase your power. Examples of such surfactants include nonylphenol ethoxylate, octylphenol ethoxylate, vine and tanstearyl ester, polyoxyethylene sorbitan stearyl ester, sorbitan oleyl ester, polyoxyethylene sorbitan oleyl ester, sodium alkylbenzene sulfonate, pensalkonium chloride, Examples include, but are not limited to, polyoxyethylene alkylaryl ether, cetylpyridinium chloride, and phosphoric acid ester of polyoxyethylene monoaryl ether. In addition, the blending ratio of surfactant is 1,1゜1-trichloroethane 1
It is desirable to use 0.5 parts by weight or more per 00 parts by weight. The reason for this is that if the amount of the surfactant is less than 0.5 parts by weight, the effect of improving the developing power may not be sufficiently achieved. Note that the upper limit of the amount of surfactant blended is preferably 5 parts by weight from an economical point of view. A more preferred amount of surfactant is in the range of 1 to 3 parts by weight.

(作用) 本発明は、上述した(a)〜(d)の成分を含むのソル
ダーレジスト及び上述した1、i、i−トリクロロエタ
ンを主成分とし、これに界面活性剤を配合した現像液を
用いることによって、選択的な光照射(露光)後のソル
ダーレジストを不燃性で有害性の比較的低い1.1.1
−トリクロロエタンを主成分とする該現像液で良好に現
像でき、ひいては露光時のマスク等に忠実な高精度のソ
ルダーレジストパターンを形成できる。
(Function) The present invention uses a solder resist containing the above-mentioned components (a) to (d) and a developer containing the above-mentioned 1, i, i-trichloroethane as a main component and a surfactant mixed therein. 1.1.1 The solder resist after selective light irradiation (exposure) is non-flammable and has relatively low toxicity.
- It can be developed well with the developer containing trichloroethane as a main component, and a highly accurate solder resist pattern that is faithful to the mask etc. during exposure can be formed.

また、1,1.1−トリクロロエタン及び界面活性剤か
ら成る現像液は蒸留することによって、1.1.1−ト
リクロロエタンのみが留分として回収され、界面活性剤
及び現像により溶は込んでいるソルダーレジスト成分と
ほぼ完全に分離できる。このため、回収された1、1.
1−トリクロロエタンは所定割合の界面活性剤を配合す
ることにより再び現像液として使用できる。従って、本
発明方法では1,1.1−トリクロロエタンは前記分離
操作での未回収分を僅かに補充するだけで繰返し使用が
可能となり、印刷配線基板の製造コストの低減化に大き
く貢献できる。
In addition, by distilling the developer consisting of 1,1,1-trichloroethane and a surfactant, only 1,1,1-trichloroethane is recovered as a fraction, and the surfactant and the solder dissolved by the development are recovered. It can be almost completely separated from the resist components. For this reason, the recovered 1, 1.
1-Trichloroethane can be used again as a developer by adding a surfactant in a predetermined proportion. Therefore, in the method of the present invention, 1,1,1-trichloroethane can be used repeatedly by only slightly replenishing the unrecovered amount in the separation operation, which can greatly contribute to reducing the manufacturing cost of printed wiring boards.

更に、上記現像により形成されたソルダーレジストパタ
ーンを加熱、又は加熱及び光照射を施せば、更に硬化反
応が進行して該ソルダーレジストパターンに要求される
耐熱性、電気特性等を向上できる。この時の加熱条件と
しては、通常、100〜170℃、好ましくは120〜
150℃とすればよい。
Furthermore, if the solder resist pattern formed by the above development is heated, or subjected to heating and light irradiation, the curing reaction will further proceed and the heat resistance, electrical properties, etc. required of the solder resist pattern can be improved. The heating conditions at this time are usually 100 to 170°C, preferably 120 to 170°C.
The temperature may be 150°C.

(発明の実施例) 以下に実施例及び比較例を挙げ、本発明を更に詳細に説
明する。なお、実施例及び比較例中「部」は全て「重量
部」を表わす。
(Examples of the Invention) The present invention will be explained in more detail by giving Examples and Comparative Examples below. In addition, all "parts" in Examples and Comparative Examples represent "parts by weight."

実施例1 まずくエポキシ基が4.7当量のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(大日本インキ(株)製画品名;エピク
ロンN−673) 1000部及びトルエン100部を
120℃に加熱し、溶解させた後、p−メトキシフェノ
ール1部及びトリフェニルホスフィン5部を加えて溶解
させた。つづいて、温度を100°Cに維持し、アクリ
ル酸1136部(2,3当量)を加えた。その後、前記
温度で3時間反応させ5096アクリル化エポキシ樹脂
を得た。ひきつづき、この50%アクリル化エポキシ樹
脂109部、トリス(アクリロイルオキシエチル)イソ
シアヌレート10部、ベンジルジメチルケタール6部、
ジシアンアミド2部、ジメチルホルムアミド18部、ソ
ルベントナフサ10部、フタロシアニングリーン1部、
シリコーンオイル0.5部及びタルク30部を混合し、
更にロールで混練してソルダーレジストを調製した。
Example 1 After heating 1000 parts of a cresol novolac type epoxy resin (product name: Epiclon N-673, manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd., product name: Epiclon N-673) with 4.7 equivalents of bad epoxy groups and 100 parts of toluene to 120°C and dissolving them. , 1 part of p-methoxyphenol, and 5 parts of triphenylphosphine were added and dissolved. Subsequently, 1136 parts (2.3 equivalents) of acrylic acid were added while maintaining the temperature at 100°C. Thereafter, the mixture was reacted at the above temperature for 3 hours to obtain 5096 acrylated epoxy resin. Subsequently, 109 parts of this 50% acrylated epoxy resin, 10 parts of tris(acryloyloxyethyl)isocyanurate, 6 parts of benzyl dimethyl ketal,
2 parts dicyanamide, 18 parts dimethylformamide, 10 parts solvent naphtha, 1 part phthalocyanine green,
Mix 0.5 parts of silicone oil and 30 parts of talc,
The mixture was further kneaded with a roll to prepare a solder resist.

次いで、前記ソルダーレジストを銅スルホール印刷配線
板の全面にスクリーン印刷法にて35μmの厚さに塗布
した。つづいて、この塗膜を80°Cで30分乾燥して
ソルダーレジスト膜とした後、ネガ型マスクを介して高
圧水銀ランプによって照度lOm W / aAの紫外
線を100秒間選択的に照射した。
Next, the solder resist was applied to a thickness of 35 μm over the entire surface of the copper through-hole printed wiring board by screen printing. Subsequently, this coating film was dried at 80° C. for 30 minutes to form a solder resist film, and then it was selectively irradiated with ultraviolet rays at an illumination intensity of 10m W/aA for 100 seconds using a high-pressure mercury lamp through a negative mask.

次いで、1,1.1−トリクロロエタン100部に対し
てノニルフェノールエトキシレート(旭電化工業(株)
製部品名;アデカトールNP−660)2部を加えた現
像液を用いて前記ソルダーレジスト膜を1分間スプレー
現像を行なった。この現像工程においては、ソルダーレ
ジスト膜を良好に現像でき、レジストの現像残りは認め
られなかった。
Next, nonylphenol ethoxylate (Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) was added to 100 parts of 1,1,1-trichloroethane.
The solder resist film was developed by spraying for 1 minute using a developer containing 2 parts of Adecatol NP-660. In this developing step, the solder resist film could be developed well, and no undeveloped resist was observed.

また、現像工程後に140℃で1時間加熱硬化させたと
ころ、ネガマスクに忠実な高精度の硬化ソルダーレジス
トパターンが形成された。
Furthermore, when the film was cured by heating at 140° C. for 1 hour after the development process, a highly accurate cured solder resist pattern faithful to the negative mask was formed.

実施例2 まず、エポキシ基が4.7当量のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(大日本インキ(株)裂開品名;エピク
ロンN−873) 1000部及びソルベントナフサ2
00部を120℃に加熱し、溶解させ、更にp−メトキ
シフェノール2部、トリフェニルホスフィン7部及びア
クリル酸152部(2,11当量)を加えた後、100
℃で3時間反応させ45%アクリル化エポキシ樹脂を得
た。ひきつづき、この45%アクリル化エポキシ樹脂1
17部、テトラメチロールメタンテトラアクリレート1
0部、2,4−ジエチルオキサントン4部、エチル(p
−ジメチルアミノ)ベンゾエート4部、2−エチル−4
−メチルイミダゾール3部、ソルベントナフサ16部、
ブチルセロソルブ30部、フタロシアニングリーン1部
、シリコーンオイル065部及びタルク25部を混合し
、さらにロールで混練しソルダーレジストを調製した。
Example 2 First, 1000 parts of a cresol novolac type epoxy resin having 4.7 equivalents of epoxy groups (Dainippon Ink Co., Ltd., cleavage product name: Epiclon N-873) and 2 parts of solvent naphtha.
00 parts were heated to 120°C and dissolved, and 2 parts of p-methoxyphenol, 7 parts of triphenylphosphine and 152 parts of acrylic acid (2.11 equivalents) were added.
The reaction was carried out at ℃ for 3 hours to obtain a 45% acrylated epoxy resin. Continuing, this 45% acrylated epoxy resin 1
17 parts, tetramethylolmethanetetraacrylate 1
0 parts, 4 parts of 2,4-diethyloxanthone, ethyl (p
-dimethylamino)benzoate 4 parts, 2-ethyl-4
- 3 parts of methylimidazole, 16 parts of solvent naphtha,
30 parts of butyl cellosolve, 1 part of phthalocyanine green, 065 parts of silicone oil, and 25 parts of talc were mixed and further kneaded with a roll to prepare a solder resist.

次いで、前記ソルダーレジストを銅スルホール印刷配線
板に実施例1と同様にして塗布、乾燥、露光した。つづ
いて、1,1.1−)ジクロロエタン100部に対して
ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム2部を加えた現
像液を用いて前記ソルダーレジスト膜を1分間スプレー
現像を行なった。
Next, the solder resist was applied to a copper through-hole printed wiring board in the same manner as in Example 1, dried, and exposed. Subsequently, the solder resist film was developed by spraying for 1 minute using a developer prepared by adding 2 parts of sodium dodecylbenzenesulfonate to 100 parts of 1,1.1-) dichloroethane.

この現像工程においては、ソルダーレジスト膜を良好に
現像でき、レジストの現像残りは認められなかった。ま
た、現像工程後に実施例1と同様に加熱硬化させたとこ
ろ、ネガマスクに忠実な高精度の硬化ソルダーレジスト
パターンが形成された。
In this developing step, the solder resist film could be developed well, and no undeveloped resist was observed. Furthermore, when the resist was heated and cured in the same manner as in Example 1 after the development step, a highly accurate cured solder resist pattern faithful to the negative mask was formed.

実施例3 実施例1で得られた部分アクリル化エポキシ樹脂109
部、ヘキサメチレンジイソシアネートの三量体とグリセ
リンジアクリレートの反応生成物であるアクリル樹脂5
部、ベンジルジメチルケタール7部、ジシアンジアミド
3部、ジメチルホルムアミド17部、ブチルセロソルブ
10部、フタロシアニングリーン1部、シリコーンオイ
ル0.5部、シリカ10部及びタルク20部を混合し、
さらにロールで混練しソルダーレジストを調製した。
Example 3 Partially acrylated epoxy resin 109 obtained in Example 1
part, acrylic resin 5 which is a reaction product of hexamethylene diisocyanate trimer and glycerin diacrylate
7 parts of benzyl dimethyl ketal, 3 parts of dicyandiamide, 17 parts of dimethylformamide, 10 parts of butyl cellosolve, 1 part of phthalocyanine green, 0.5 parts of silicone oil, 10 parts of silica and 20 parts of talc,
Further, the mixture was kneaded with a roll to prepare a solder resist.

次いで、前記ソルダーレジストを銅スルホール印刷配線
板に実施例1と同様にして塗布、乾燥、露光した。つづ
いて、1,1.1−トリクロロエタン100部に対して
ポリオキシエチレンソルビタンオレイルエステル3部を
加えた現像液を用いて前記ソルダーレジスト膜を1分間
スプレー現像を行なった。この現像工程においては、ソ
ルダーレジスト膜を良好に現像でき、レジストの現像残
りは認められなかった。また、現像工程後に実施例1と
同様に加熱硬化させたところ、ネガマスクに忠実な高精
度の硬化ソルダーレジストパターンが形成された。
Next, the solder resist was applied to a copper through-hole printed wiring board in the same manner as in Example 1, dried, and exposed. Subsequently, the solder resist film was developed by spraying for 1 minute using a developer prepared by adding 3 parts of polyoxyethylene sorbitan oleyl ester to 100 parts of 1,1,1-trichloroethane. In this developing step, the solder resist film could be developed well, and no undeveloped resist was observed. Furthermore, when the resist was heated and cured in the same manner as in Example 1 after the development step, a highly accurate cured solder resist pattern faithful to the negative mask was formed.

実施例4 実施例2で得られた部分アクリル化エポキシ樹脂117
部、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート10部
、ベンジルジメチルケタール8部、2−エチル−4−メ
チルイミダゾール3部、ソルベントナフサ16部、エト
キシエチルアセテート30部、フタロシアニングリーン
1部、シリコーンオイル0.5部、水和アルミナ10部
及びタルク40部を混合′し、更にロールで混練し、ソ
ルダーレジストを調製した。
Example 4 Partially acrylated epoxy resin 117 obtained in Example 2
parts, dipentaerythritol hexaacrylate 10 parts, benzyl dimethyl ketal 8 parts, 2-ethyl-4-methylimidazole 3 parts, solvent naphtha 16 parts, ethoxyethyl acetate 30 parts, phthalocyanine green 1 part, silicone oil 0.5 parts , 10 parts of hydrated alumina, and 40 parts of talc were mixed and further kneaded with a roll to prepare a solder resist.

次いで、前記ソルダーレジストを銅スルホール印刷配線
板に実施例1と同様にして塗布、乾燥、露光した。つづ
いて、1,1.1−トリクロロエタン100部に対して
塩化ベンザルコニウム2部を加えた現像液を用いて前記
ソルダーレジスト膜を1分間スプレー現像を行なった。
Next, the solder resist was applied to a copper through-hole printed wiring board in the same manner as in Example 1, dried, and exposed. Subsequently, the solder resist film was developed by spraying for 1 minute using a developer prepared by adding 2 parts of benzalkonium chloride to 100 parts of 1,1,1-trichloroethane.

この現像工程においては、ソルダーレジスト膜を良好に
現像でき、レジストの現像残りは認められなかった。ま
た、現像工程後に実施例1と同様に加熱硬化させたとこ
ろ、ネガマスクに忠実な高精度の硬化ソルダーレジスト
パターンが形成された。
In this developing step, the solder resist film could be developed well, and no undeveloped resist was observed. Furthermore, when the resist was heated and cured in the same manner as in Example 1 after the development step, a highly accurate cured solder resist pattern faithful to the negative mask was formed.

比較例1 実施例1で得られたソルダーレジストを、1゜1.1−
トリクロロエタンのみで現像する以外は実施例1と同様
に処理した。現像後の外観は極く薄く僅かなレジストの
現像残りが見られた。
Comparative Example 1 The solder resist obtained in Example 1 was
The process was carried out in the same manner as in Example 1, except that development was performed only with trichloroethane. The appearance after development was extremely thin, with a slight amount of resist remaining after development.

比較例2 まず、エポキシ基が4.7当量のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(大日本インキ(株)製部品名;エビク
ロンN −873) 1000部及びトルエン100部
を120℃に加熱し、溶解させ、更にp−メトキシフェ
ノール2部、トリフェニルホスフィン5部及びアクリル
酸238部(3,3当量)を加えた後、100℃で4時
間反応させ7026アクリル化エポキシ樹脂を得た。ひ
きつづき、この70%アクリル化エポキシ樹脂109部
、トリス(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレー
ト10部、ベンジルジメチルケタール6部、ジシアンア
ミド2部、ジメチルホルムアミド18部、ソルベントナ
フサ10部、フタロシアニングリーン1部、シリコーン
オイル0.5部及びタルク30部を混合し、更にロール
で混練してソルダーレジストを調製した。
Comparative Example 2 First, 1000 parts of a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd., part name: Ebicuron N-873) having 4.7 equivalents of epoxy groups and 100 parts of toluene were heated to 120°C and dissolved. Further, 2 parts of p-methoxyphenol, 5 parts of triphenylphosphine, and 238 parts (3.3 equivalents) of acrylic acid were added, and the mixture was reacted at 100°C for 4 hours to obtain 7026 acrylated epoxy resin. Subsequently, 109 parts of this 70% acrylated epoxy resin, 10 parts of tris(acryloyloxyethyl) isocyanurate, 6 parts of benzyl dimethyl ketal, 2 parts of dicyanamide, 18 parts of dimethylformamide, 10 parts of solvent naphtha, 1 part of phthalocyanine green, and silicone oil. 0.5 part and 30 parts of talc were mixed and further kneaded with a roll to prepare a solder resist.

次いで、前記ソルダーレジストを銅スルホール印刷配線
板に実施例1と同様にして塗布、乾燥、露光し、さらに
現像を行なった。こうした現像においては、未露光部分
の現像が不十分で薄い膜が残存した。
Next, the solder resist was applied to a copper through-hole printed wiring board in the same manner as in Example 1, dried, exposed, and further developed. In this development, the unexposed areas were insufficiently developed and a thin film remained.

比較例3 まず、エポキシ基が4.7当量のタレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(大日本インキ(株)裂開品名;エビク
ロンN −873) 1000部及びソルベントナフサ
200部を120℃に加熱し、溶解させ、更にp−メト
キシフェノール2部、トリフェニルホスフィン7部及び
アクリル酸102部(1,42当量)を加えた後、10
0℃で2時間反応させ30%アクリル化エポキシ樹脂を
得た。ひきつづき、この30%アクリル化エポキシ樹脂
117部、テトラメチロールメタンテトラアクリレート
10部、2.4−ジエチルオキサントン4部、エチル(
p−ジメチルアミノ)ベンゾエート4部、2−エチル−
4−メチルイミダゾール3部、ソルベントナフサ16部
、ブチルセロソルブ30部、フタロシアニングリーン1
部、シリコーンオイル0.5部及びタルク25部を混合
し、さらにロールで混練しソルダーレジストを調製した
Comparative Example 3 First, 1000 parts of Talesol novolac type epoxy resin (Dainippon Ink Co., Ltd., splitting product name: Ebicuron N-873) having 4.7 equivalents of epoxy groups and 200 parts of solvent naphtha were heated to 120°C and dissolved. After adding 2 parts of p-methoxyphenol, 7 parts of triphenylphosphine and 102 parts (1,42 equivalents) of acrylic acid,
The reaction was carried out at 0° C. for 2 hours to obtain a 30% acrylated epoxy resin. Subsequently, 117 parts of this 30% acrylated epoxy resin, 10 parts of tetramethylolmethanetetraacrylate, 4 parts of 2,4-diethyloxanthone, and ethyl (
p-dimethylamino)benzoate 4 parts, 2-ethyl-
3 parts of 4-methylimidazole, 16 parts of solvent naphtha, 30 parts of butyl cellosolve, 1 part of phthalocyanine green
1 part, 0.5 parts of silicone oil, and 25 parts of talc were mixed and further kneaded with a roll to prepare a solder resist.

次いで、前記ソルダーレジストを銅スルホール印刷配線
板に実施例1と同様にして塗布、乾燥、露光し、さらに
現像を行なった。こうした現像後に加熱硬化したところ
、硬化時点で回路脇の部分に脹れの発生が認められた。
Next, the solder resist was applied to a copper through-hole printed wiring board in the same manner as in Example 1, dried, exposed, and further developed. When the film was heated and cured after such development, swelling was observed at the side of the circuit at the time of curing.

比較例4 実施例1のソルダーレジスト成分のうちトリス(アクリ
ロイルオキシエチル)イソシアヌレートを使用しない以
外は実施例1と同様なソルダーレジストを調製した。
Comparative Example 4 A solder resist similar to Example 1 was prepared except that tris(acryloyloxyethyl)isocyanurate among the solder resist components of Example 1 was not used.

次いで、前記ソルダーレジストを銅スルホール印刷配線
板に実施例1と同様にして塗布、乾燥、露光し、さらに
現像を行なった。こうした現像後に加熱硬化したところ
、硬化時点で回路脇の部分に脹れの発生が認められた。
Next, the solder resist was applied to a copper through-hole printed wiring board in the same manner as in Example 1, dried, exposed, and further developed. When the film was heated and cured after such development, swelling was observed at the side of the circuit at the time of curing.

比較例5 実施例2のソルダーレジスト成分のうちテトラメチロー
ルメタンテトラアクリレートの代わりにトリプロピレン
グリコールジアクリレートを使用した以外は実施例2と
同様なソルダーレジストを調製した。
Comparative Example 5 A solder resist similar to Example 2 was prepared except that among the solder resist components of Example 2, tripropylene glycol diacrylate was used instead of tetramethylolmethanetetraacrylate.

次いで、前記ソルダーレジストを銅スルホール印刷配線
板に実施例1と同様にして塗布、乾燥、露光し、さらに
現像を行なった。こうした現像後に加熱硬化したところ
、ネガマスクに忠実な高精度の硬化ソルダーレジストパ
ターンが形成された。
Next, the solder resist was applied to a copper through-hole printed wiring board in the same manner as in Example 1, dried, exposed, and further developed. When the film was heated and cured after this development, a highly accurate cured solder resist pattern faithful to the negative mask was formed.

しかして、本実施例1〜4及び比較例1〜5のソルダー
レジストパターンが形成された印刷配線基板について、
光硬化性、ハンダ耐熱性及び現像性の試験を行なった。
Therefore, regarding the printed wiring boards on which the solder resist patterns of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5 were formed,
Photocurability, solder heat resistance and developability tests were conducted.

その結果を、下記表に示す。The results are shown in the table below.

なお、光硬化性、ハンダ耐熱性及び現像性は以下に説明
する方法により試験、評価を行なった。
Note that photocurability, solder heat resistance, and developability were tested and evaluated by the methods described below.

■光硬化性:現像後及び加熱硬化後の塗膜の状態につい
て判定した。判定基準として示した表中の○は、異常な
し、×は脹れ発生を意味する。
(2) Photocurability: The state of the coating film after development and heat curing was evaluated. In the table shown as the judgment criteria, ○ means no abnormality, and × means the occurrence of swelling.

■ハンダ耐熱性;260℃のハンダ浴に20秒間浸漬を
3回繰返し行なった後の塗膜の状態について判定した。
(2) Solder heat resistance: The state of the coating film was evaluated after it was repeatedly immersed in a 260° C. solder bath for 20 seconds three times.

判定基準として示した表中の○は、異常なし、×は脹れ
、剥離、粘着テープによるビーリングテストで剥離が生
じることを意味する。
In the table shown as the judgment criteria, ○ means that there is no abnormality, and × means that swelling, peeling, and peeling occur in the peeling test with adhesive tape.

■現像性;245℃のハンダ浴上にプリント回路基板を
裏面ハンダ面に接触させて5秒間静置し、接触面の銅表
面及びスルーホール部分のハンダ付き状態について判定
した。判定基準としての表中のOは、同表面及びスルー
ホール部分の全部にハンダが付いている、×は部分的に
ハンダ付き不良箇所がある、ことを意味する。
(2) Developability: A printed circuit board was placed in contact with the back solder surface on a solder bath at 245° C. and allowed to stand for 5 seconds, and the soldered state of the copper surface of the contact surface and the through-hole portion was evaluated. As a criterion, O in the table means that the entire surface and through-hole portions are soldered, and × means that there is a partial soldering defect.

表 *)良好な塗膜が得られなかったため、実施せず。table *) Not carried out because a good coating film could not be obtained.

上記表から明らかなように、特定の組成のソルダーレジ
スト及び現像液を使用する本実施例1〜4では、銅スル
ホール印刷配線基板に形成されたソルダーレジストパタ
ーンが光硬化性、耐熱性、及び現像性において優れた性
質を示することかわかる。
As is clear from the table above, in Examples 1 to 4 in which solder resists and developers with specific compositions were used, the solder resist patterns formed on copper through-hole printed wiring boards had photocurability, heat resistance, and developability. It can be seen that it shows excellent characteristics in sex.

[発明の効果] 以上詳述した如く、本発明によれば特定の組成のソルダ
ーレジスト及び1,1.1−トリクロロエタンを主成分
とし、界面活性剤を添加した現像液を使用することによ
って、不燃性で有害性の比較的低い該現像液により良好
な現像を達成でき、かつ現像液の再生利用でき、更に優
れた光硬化性、耐熱性を有するソルダーレジストパター
ンを形成でき、ひいては印刷配線基板の製造に有効に適
用できると共に、該基板の製造コストの低減化に貢献で
きる等の顕著な効果を有する。
[Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention, by using a solder resist with a specific composition and a developer containing 1,1,1-trichloroethane as the main component and adding a surfactant, non-flammable Good development can be achieved using the developer, which has relatively low toxicity and toxicity, and the developer can be recycled. Furthermore, it is possible to form a solder resist pattern with excellent photocurability and heat resistance, and as a result, it is possible to form a solder resist pattern with excellent photocurability and heat resistance. It can be effectively applied to manufacturing and has remarkable effects such as contributing to reducing manufacturing costs of the substrate.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (a)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂の1エポキ
シ当量に対して0.4〜0.6当量のアクリル酸及び/
又はメタクリル酸が付加されている部分アクリル化及び
/又はメタクリル化エポキシ樹脂、 (b)少なくとも3個のアクリロイル基を有し、かつ1
、1、1−トリクロロエタンに可溶性の光重合性単量体
、 (c)光重合開始剤及び (d)熱硬化剤、 を含むソルダーレジストを基材に塗布し、このソルダー
レジスト膜に光を選択的に照射した後、1、1、1−ト
リクロロエタン及び界面活性剤からなる現像液にて現像
処理せしめることを特徴とするソルダーレジストパター
ンの形成方法。
[Scope of Claims] (a) 0.4 to 0.6 equivalent of acrylic acid and/or
or a partially acrylated and/or methacrylated epoxy resin to which methacrylic acid is attached, (b) having at least 3 acryloyl groups, and 1
, a photopolymerizable monomer soluble in 1,1-trichloroethane, (c) a photopolymerization initiator, and (d) a thermosetting agent. 1. A method for forming a solder resist pattern, which comprises irradiating the solder resist pattern and then developing the solder resist pattern with a developer comprising 1,1,1-trichloroethane and a surfactant.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10242829B2 (en) 2014-07-28 2019-03-26 Fujitsu Component Limited Electromagnetic relay and coil terminal
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