JPS63161609A - 拡散炉 - Google Patents

拡散炉

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Publication number
JPS63161609A
JPS63161609A JP30784486A JP30784486A JPS63161609A JP S63161609 A JPS63161609 A JP S63161609A JP 30784486 A JP30784486 A JP 30784486A JP 30784486 A JP30784486 A JP 30784486A JP S63161609 A JPS63161609 A JP S63161609A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater
zone
diffusion furnace
diffusion
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30784486A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichi Sakai
勇一 酒井
Hitoo Yamura
矢村 仁夫
Kazuhiro Morishima
森島 和宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP30784486A priority Critical patent/JPS63161609A/ja
Publication of JPS63161609A publication Critical patent/JPS63161609A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産−上の1 ′) この発明は、拡散炉に関し特に高温で動作される高温拡
散炉に関するものである。
更1匹良血 拡散炉は、例えば半導体製品の製造において拡散酸化処
理を行なうのに使用される。
従来の拡散炉では、拡散炉の長さ方向にカートリッジヒ
ータがコイル状に配置されている。このヒータは、金属
製ヒータ、たとえばFe−Crヒーク(商品名:カンタ
ルΔ−1、が用いられている。
拡散炉では、処理物を加熱する均熱長が長ければ長いほ
ど処理量が多くなり効率が良く拡散処Iす!ができる。
:明が ′1しようとするn 点 ところが、拡散炉のエンドゾーン(端部領域)では、セ
ンターゾーン〈中央領域)より炉内温度が下がるので、
エンドゾーンとセンターゾーンにおけるそれぞれの炉内
温度をできるだけ均一にしなければならない。
例えば両端が開口しているプロヒスチューブを用いる場
合、センターゾーンの設定温度を1300℃にすると、
一方と他方のエンドゾーンの設定温度は1300℃+5
0℃が限界となった。すなわちセンターゾーンとエンド
ゾーンの温度差が一+−50℃もあった。
また均熱長はセンターゾーンの長さより実際には短く、
均熱長が拡散炉の長さにJ3いて占める割合は小さかっ
た。
そこで従来では、エンドゾーンに位置するヒータの部分
を、センターゾーンに位置するヒータ部分より密に配置
して、エンドゾーンのIJ[1熱温度を上げてエンドゾ
ーンとセンターゾーンにおける調度をなるべく均一にし
て、拡散炉の均熱長を長くとることが試みられた。
しかしエンドゾーンの加熱温度を上げると、高負荷とな
りヒータの寿命がセンターゾーンのヒータの寿命に比べ
てかなり短くなり、しかも密に配置するのには限界があ
った。
11悲l江 この発明は上記問題点を解決するためになされ!ζもの
であり、エンドゾーンでのヒータ野分が長く、センター
ゾーンの占める割合を多くして、均熱長を長くとること
ができ、処理物を効率よく拡散処理できる拡散炉を提供
することを目的としている。
立」「住I」L この発明はヒータにより加熱されろ拡散炉において、エ
ンドゾーンに非金属製のヒータを配置することを特徴と
する拡散炉を要旨としている。
+3νrを 決するための手 第1図を参照すれば、拡散炉1のエンドゾーンEZ1お
よびEZ2に、非金属製のヒータ6.7をそれぞれ配置
する。
センターゾーンC7とエンドゾーンEZ1、EZ2にお
ける温度差が小さくなる。
支i九 第1図はこの発明の拡散炉の好適な実施例を示している
拡散炉1は断熱材2を有している。断熱材2は入口20
を有している。断熱材2の中には両端開口型のプロセス
チューブ3が設けられている。このプロセスチューブ3
は、チューブ入1」3aおよびチューブ出口3bを有し
ている。このプロセスチューブ3は例えば石英により作
られている。プ【コセスヂューブ3の中には処理物4が
設定できるようになっている。この処理物は、例えば半
導体ウェー八等である。
プロセスチューブ3の周囲には、カートリッジ型のヒー
タ5.6.7がそれぞれコイル状に配置されている。こ
のヒータ5.6.7は、それぞれ別個のヒータである。
ヒータ5は、拡散炉1のセンターゾーンC7、言いかえ
ればプロセスチューブ3のセンターゾーンC7に配置さ
れている。ヒータ6は、拡散炉1のエンドゾーンEZ1
、言いがえれば、プロセスチューブ3のエンドゾーンE
Z1に配置されている。ヒータ7は、拡散炉1のエンド
ゾーンEZ2、言いかえればプロセスチューブ3のエン
ドゾーンEZ2に配置されている。
ヒータ5は、金属材料例えばFe−Crにより作られて
いる。ヒータ6.7は非金属製の材料、例えばMo5i
zにより作られている。このMOSi2製のヒータ6.
7は、高負荷、高温用のものである。
ヒータ5は、例えばその直径が8mmあるいは10mm
で、ピッチが15mmである。一方、ヒータ6.7は例
えば直径が3mmで、ピッチが20111111である
第2図に示ずように、エンドゾーンEZ1はエンドゾー
ンEZ2より大きくなっている。
センターゾーンC7のヒータ5は、加熱温度制御装置1
1とでヒータ回路8を構成している。この加熱温度制御
装置11は例えば1つKWの能力を有している。
エンドゾーンEZ1のヒータ6は、加熱温度制御装置1
2とによりヒータ回路9を構成している。エンドゾーン
F”Z2におけるヒータ7は、加熱温度制御装置13と
によりヒータ回路10を構成している。加熱温度制御装
置12.13はそれぞれ8KWおよび3KWの能力をそ
れぞれ右している。
なお第2図では、図面の簡単化のために、プロセスチュ
ーブ3の図示を省略している。
第3図は第1図の処理1tJ 4を拡散処理したときの
プロセスチューブ3内の温度分布を示している。
第3図において、横軸は拡散炉1の入口20からの距離
を示している。縦軸は温度を示している。
第3図において均熱長りは、実施例では55()i+m
r”あり、1200.0℃±0.5℃の湿度に維持され
ている。チューブ入口3a側における温度は、横軸のほ
ぼ100mmの位置において最大t1の湿度たり低下し
ているb一方策1図のチューブ出口3b側においては、
温度[2だけ低下している。この温度t1と12は約2
0℃〜25℃となった。
第1図と第2図に示すようにエンドゾーンEZIとEZ
2において非金属製のヒータ6.7を用いており、高負
荷および高温に耐えることができる。したがって、エン
ドゾーンEz1、EZ2の最高温度を高くでき、センタ
ーゾーンC7とエンドゾーンE2’1、EZ2の412
差を小さくすることができる。言いかえれば、センター
ゾーンCZとエンドゾーンEZ1、EZ2間での温度勾
配を小さくづることができる。ヒータ5.6は、エンド
ゾーンでEZl、EZ2において均熱補正を行なうので
ある。
これらのことから、第2図と第3図に示すように、セン
ターゾーンCZの長さを均熱長りとすることができる。
なお、エンドゾーンEZ1、EZ2はできる限り短い方
が望ましい。
また、ヒータ5.6.7を別々のヒータ回路8.9.1
0にしているので、各ヒータ回路8.9.10の占有ス
ペースは小さい。
ところでこの発明は上述した実施例に限定されるもので
はない。ヒータ6.7はMOSi2により作るだけでな
く、その他の非金属にJ、り作ってもよい。またヒータ
5はFe −Orのほかの種類の材質を用いてらよい。
発明のダJ巣 以上説明したことから明らかなにうに、エンドゾーンの
ヒータlf命が長くセンターゾーンとエンドゾーンとの
間の温度差が小さくなり、センターゾーンの長さが均熱
長となる。
したがって均熱長を従来に比べて長くすることができ、
拡散炉において処理物をさらに均一に7Jn熱でき効率
よく拡散処理できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の拡散炉の好適な実施例を示す断面図
、第2図は拡散炉の上半分を示す断面図、第3図はプロ
セスチューブ内の温度分布を示1図である。 1、、、、、、、、拡散炉 2、、、、、、、、断熱材 3、、、、、、、、プロセスチューブ 4、、、、、、、、処理物 5.6.7.、、、、 ヒータ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ヒータにより加熱される拡散炉において、 エンドゾーンに非金属製のヒータを配置することを特徴
    とする拡散炉。
JP30784486A 1986-12-25 1986-12-25 拡散炉 Pending JPS63161609A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30784486A JPS63161609A (ja) 1986-12-25 1986-12-25 拡散炉

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30784486A JPS63161609A (ja) 1986-12-25 1986-12-25 拡散炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63161609A true JPS63161609A (ja) 1988-07-05

Family

ID=17973868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30784486A Pending JPS63161609A (ja) 1986-12-25 1986-12-25 拡散炉

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JP (1) JPS63161609A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6127288A (en) * 1996-03-25 2000-10-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of thermally processing semiconductor wafer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6127288A (en) * 1996-03-25 2000-10-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of thermally processing semiconductor wafer
US6184498B1 (en) * 1996-03-25 2001-02-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus for thermally processing semiconductor wafer
US6235543B1 (en) 1996-03-25 2001-05-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of evaluating a semiconductor wafer

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