JPS63166277A - オプトカプラ装置の製造方法 - Google Patents

オプトカプラ装置の製造方法

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JPS63166277A
JPS63166277A JP62319115A JP31911587A JPS63166277A JP S63166277 A JPS63166277 A JP S63166277A JP 62319115 A JP62319115 A JP 62319115A JP 31911587 A JP31911587 A JP 31911587A JP S63166277 A JPS63166277 A JP S63166277A
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JP
Japan
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wafer
detector
light emitting
chips
photodetector
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Pending
Application number
JP62319115A
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English (en)
Inventor
カーティス・ディ・モイヤー
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Motorola Solutions Inc
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Motorola Inc
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
    • H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto

Landscapes

  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は一般にオプトカプラ装置に関し、特に発光子と
検出子の組合わせを、リードフレームへの取付は及びカ
プセル化に先立って試験できる前記装置の製造法に関す
る。
［従来の技術］ 基本的に検出子と発光子の間を電気的に絶縁するため、
透明の誘電材料で分離された半導体検出子と半導体発光
子（ｅｍｉｊｔｅｒ）とから成る、各種のオプトカプラ
装置が市販されている。最も一般的に入手可能な装置は
、その装置の発光子と検出子の部分がリードフレームに
個別に分離されて取付けられ、かつ単一のオプトカプラ
装置へと組立てられる前に別個に試験される態様にて製
造される。
［発明が解決しようとする問題点］ 各種の試験Ｆ３階に加えて、最も一段的な製造法では組
立ての最終段階で、発光子と検出子とを取付けた２個の
別個のリードフレームを比較的厳密に心合わせする必要
がある。更に、装置全体がリードフレームに取付けられ
るまで、又、場合によってはカプセル化の後まで発光子
と検出子の組合わせの試験がなされないことが多い。従
来型の装置には、検出器に取付けられた誘電材料に発光
子を直接取付け、それ故、２つの素子の結合を比較的＠
密に制御できるものもあるが、この方法に於ても、組合
わせの試験に先立って、別個のリードフレームに発光子
と検出子の回路を別個に取付ける必要がある。
従って、厳密なリードフレームの心合わせを軽減又は省
くことができ、多段階のプラスチック成形を省き、光学
的結合を高めかつリードフレームへの取付は又はカプセ
ル化の前に発光子と検出子とを有するダイ対を試験でき
るオプトカプラ装置の組立て方法を提供することが望ま
れよう。
従って本発明の目的は、発光子と検出子の部分が、リー
ドフレームに取付ける前に直接誘電材料と結合される改
良されたオプトカプラｉｔの組立て方法を提供すること
である。
本発明め更なる目的は、発光子と検出子の組合わせを、
リードフレームへの取付は又はカプセル化の前に試験で
きるオプトカプラ装置の改良された組立て方法を提供す
ることである。
本発明の更に別の目的は、光学的結合が向上し、高さを
縮減したオプトカプラ装置を提供することでおる。
［問題点を解決するための手段］ 不発明に基づき、前記の目的及びその他の目的は、複数
個の別個の光検出子チップを含むウェーハを形成し、検
出子ウェーへの選択された部分に誘電材料の層を付設し
、発光ダイオードのような複数個の別個の発光回路チッ
プを形成し、これらの発光子チップの１つを検出子ウェ
ーハ上のそれぞれの検出子チップに取付け、検出子ウェ
ーハを切断して個々の発光子と検出子の対にし、かつそ
れぞれの発光子と検出子の対をリードフレームに取付け
る各段階を有するオプトカプラ装置の組立て方法によっ
て達成される。　　　　　−［作用コ この方法によって、検出子ウェーハ上に載置されている
間に個々の発光子と検出子の対を試験することが可能で
ある。個々の発光子と検出子の対はリードフレームに取
付けるのではなく表面取付け（ｓｕｒｆａｃｅ　ｍｏｌ
Ｊｎｔｅｄ）も可能でおろう。
［実施例］ 次に、本発明の実施例を添付図面を参照しつつ詳細に説
明する。
ざて第１図を参照すると、モトローラ社の部品Ｎｏ、　
　ＨｌｌＤｌのような従来型の装置の横断面図が示して
おる。この装置の形成中、発光子１４は別個にリードフ
レーム１０に取付けられ、又、検出子１６は別個にリー
ドフレーム１２に取付けられる。次に、別個のリードフ
レーム１０と１２は、素子１４と１６の極めて正確な水
平及び垂直間隔を必要とする比較的厳密な工程で心合わ
せされる。次に、光学上透明な誘電材料が付設されて両
方の素子１４と１６を囲み、それによって素子１４と１
６の間に光学的通路を与え、かつ素子１４及び１６と、
リードフレーム１０及び１２との間の電気的絶縁がなさ
れる。従って、素子１４と１６の間の光学的結合又は両
者間の絶縁を判定するための試験は、個々のダイかリー
ドフレーム１０と１２に取付けられ、リードフレーム１
０と１２とが心合わせされ、かつ誘電材料が付設されて
しまうまでは実施することができない。
その時点で欠陥のある素子は各試験段階によって検知す
ることができるが、高価なリードフレームの取付は及び
成形段階は既に終了しているので、心合わせ又は電気絶
縁に関する欠陥の検出前に、時間と材料の両方の意味で
相当の出費がなされている。
オプトカプラ装置には別の各種の従来型の組立て方法が
おり、そのなかにはリードフレームを取付けた検出子に
直接取付けられた誘電材料の前もって形成されたシート
を使用するものもある。次に、リードフレームを取付け
た発光素子が、検出素子に取付けた誘電材料に直接付設
される。この方法は、発光子と検出子との縦の分離をよ
り簡便に遼成し、ひいては光学的結合を改良させるが、
発光子と検出子の対の最終試験はなお、個々のリードフ
レームが取付けられ、素子全体がカプセル封じされた後
で実施しなければならない。
第２図は、発光子と検出子の対の試験と、欠陥のある対
の分離が、リードフレームへの取付は又はカプセル化の
前に可能である本発明の方法の各段階を示す。好適な方
法の第１段階にて、光検出素子を含むウェーハが従来の
方法によって製造される。次に誘電材料の層が、複数の
個々の光検出子集積回路又はチップを含むこのウェーハ
全体に直接付設される。この誘電層は例えば光検出子層
２２上の＠２４として図示されている。領域２６は導体
を個々の検出子チップの適宜のリードに取付けるために
使用される検出子ウェーハのワイヤボンド領域を表わし
ている。複数個の検出子チップを含むウェーハが一旦形
成されると、誘電材料層が全体のウェーハの所定の位置
に直接付設される。この誘電材料層は光学上透明でおり
かつ、現在の技術水準の装置に適応する例えば７キロボ
ルトの所望の絶縁耐力を備えている必要がおる。この誘
電層はガラス焼結層のような、いくつかの異なる従来の
方法のいずれかによって付設できる。
特定の所定領域は例えば、誘電層が検出子ウェーハに付
設され終った時点で誘電層の特定の領域をエツチングに
より除去するか、又は誘電層の付設中にマスクを用いる
ことによるいくつかの異なる従来の方法のいずれかによ
って形成できる。これによって、誘電層を通して、検出
子チップのワイヤボンド３０のような取付は部位にアク
セス可能となる。
誘電ツの付設が完了すると、ウェーハ上のどの特定の検
出子チップに、もしあるとすれば、欠陥があるかを判定
するため、ウェーハ全体の試験ができる。欠陥のあるチ
ップは後に識別できるようにマークを付される。次に、
ＧａＡＳ発光ダイオード（ＬＥＤ）のような別個の発光
チップが従来型のいずれかの方法で組立てられる。次に
、既に試験された個々の発光ダイオードチップ３２のう
ちの選択されたものが、欠陥品のマークを付されなかっ
た検出子ウェーハ上の個々の検出子チップに個別的に付
設される。この付設段階は誘電層に付されたダイ取付は
金属パターン２８を介するなどの従来の方法により実施
できる。
この時点で、ＬＥＤチップがシリコン検出子つ工−ハに
付設されると共に、個々の発光子検出子ダイ対は、蕃々
の国別のダイ対に付与される試験用探針パッドのような
従来型の試験方法を用いて一体として試験することがで
きる。一旦、試験が行なわれ欠陥のあるダイ対が明らか
になると、検出子ウェーハは個々のダイ対ユニットに切
断され、これらのユニットは次に単一のリードフレーム
に取付けられる。次に、ワイヤボンドがリードフレーム
の個々のリードから個々の検出子及び発光子のチップの
一部として予め形成されたコンタクトパッドに接続され
る。デバイス仝体は次に従来の技術を用いて不透明材料
でカプセル封じされる。
完成した素子は第３図に示しており、この図では個別の
シリコン検出子２２上に載置されかつ、絶縁誘電層２４
の特定部分によって分離された個々のＬＥＤ３２が示さ
れている。第３図は更に、個々のＬＥＤ３２及びシリコ
ン検出子２２からリードフレームの適宜のリードに延び
るワイヤボンドリードをも示している。別の実施例では
、発光子と検出子の対を従来の技術を用いて所望のレセ
プタクルに表面取付けすることもできよう。
検出子ウェーハに誘電材料を取付ける別の方法には、１
つの面は発光面として形成され、−又反対面は両方の電
気接点を僅えるようなＬＥＤウエー八を構成する方法が
おる。次に誘電材料はパターン化又は金属化なしでＬＥ
Ｄウェーハの発光面に付設される。次に、ＬＥＤウェー
ハは試験され、切断され、又、絶縁誘電体を付与された
ＬＥＤダイは検出子ウェーハ上に直接取付けられる。
これまで特定の方法に関して本発明の原理を開示してぎ
たが、これらの説明はあくまで例示されたものであり、
本発明の範囲を限定するものでないことが明確に了解さ
れるべきでおる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来型の素子の簡略化した横断面図、第２Ａ
図、第２Ｂ図、第２Ｃ図及び第２Ｄ図はそれぞれ、本発
明に係る方法を図解する横断面図、そして 第３図は、本発明の方法に基づき形成された素子の好適
な実施例の等角投影図である。 １０、’！２：リードフレーム、 １４：発光素子、　１６：検出素子、 ２２：光検出子層、　２４：誘電層、 ２６．３０：配線結合領域、 ２８：ダイ取付は金属パターン、 ３２二発光ダイオードチップ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ウェーハ上に複数の半導体光検出子チップを形成し
    、 前記ウェーハの所定部分に誘電層を付設し、個々の半導
    体発光チップを形成し、 前記光検出子チップの各々の上方の前記誘電層の所定位
    置に前記発光チップの１つを取付けて光検出器チップと
    発光チップとの対を形成し、かつ、それぞれが光検出子
    チップと発光チップとを有する個々の対へと前記ウェー
    ハを切断する、各工程を備えていることを特徴とするオ
    プトカプラ装置の製造方法。 ２、前記切断工程に先立ち前記光検出子チップと発光チ
    ップの対を試験する工程を更に含む特許請求の範囲第１
    項に記載の製造方法。 ３、第１のウェーハ上に複数の半導体光検出子チップを
    形成し、 第２のウェーハ上に複数の半導体発光チップを形成し、 前記第２のウェーハの一面に誘電層を付設し、前記第２
    のウェーハを個々の半導体発光チツプへと切断し、 前記第１のウェーハ上の所与の位置に前記発光チップの
    １つを取付けて光検出子チップと発光チップの対を形成
    し、かつ それぞれが光検出子チップと発光チップとを有する個々
    の対へと第１のウェーハを切断する、各工程を備えてい
    ることを特徴とするオプトカプラ装置の製造方法。
JP62319115A 1986-12-22 1987-12-18 オプトカプラ装置の製造方法 Pending JPS63166277A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US944,125 1986-12-22
US06/944,125 US4755474A (en) 1986-12-22 1986-12-22 Method of assembling an optocoupler

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JPS63166277A true JPS63166277A (ja) 1988-07-09

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ID=25480830

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62319115A Pending JPS63166277A (ja) 1986-12-22 1987-12-18 オプトカプラ装置の製造方法

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DE (1) DE3735489A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5147815A (en) * 1990-05-14 1992-09-15 Motorola, Inc. Method for fabricating a multichip semiconductor device having two interdigitated leadframes
JP2763441B2 (ja) * 1992-02-06 1998-06-11 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
WO1993021663A1 (en) * 1992-04-08 1993-10-28 Georgia Tech Research Corporation Process for lift-off of thin film materials from a growth substrate
EP0645827B1 (de) * 1993-09-23 1998-02-11 Siemens Aktiengesellschaft Optokoppler und Verfahren zu dessen Herstellung
US5389578A (en) * 1994-01-04 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Optical coupler
US5489800A (en) * 1994-08-31 1996-02-06 Motorola, Inc. Dual channel small outline optocoupler package and method thereof
US5864776A (en) * 1997-08-27 1999-01-26 Mitsubishi Electric America, Inc. Apparatus and method for detecting an error in the placement of a lead frame on a surface of a die mold
US6393183B1 (en) * 1998-08-13 2002-05-21 Eugene Robert Worley Opto-coupler device for packaging optically coupled integrated circuits
DE10011258A1 (de) * 2000-03-08 2001-09-20 Rossendorf Forschzent Integrierter Optokoppler und Verfahren zu seiner Herstellung
US7061949B1 (en) 2002-08-16 2006-06-13 Jds Uniphase Corporation Methods, apparatus, and systems with semiconductor laser packaging for high modulation bandwidth
DE102011056706B4 (de) * 2011-12-20 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Anordnung und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9252375B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
JP6254674B2 (ja) * 2013-03-15 2017-12-27 アップル インコーポレイテッド 冗長性スキームを備えた発光ダイオードディスプレイパネル

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS584470B2 (ja) * 1975-04-02 1983-01-26 株式会社日立製作所 ヒカリケツゴウハンドウタイソウチ オヨビ ソノセイホウ
JPS51128280A (en) * 1975-04-30 1976-11-09 Hitachi Ltd Optical bonding semiconojctor device and its mandfactoring metho
GB1557685A (en) * 1976-02-02 1979-12-12 Fairchild Camera Instr Co Optically coupled isolator device
JPS52137279A (en) * 1976-05-12 1977-11-16 Hitachi Ltd Semiconductor device for optical coupling
US4156148A (en) * 1977-08-18 1979-05-22 Gentron Corporation Photocoupling structure for a solid state power control device
US4478588A (en) * 1978-03-06 1984-10-23 Amp Incorporated Light emitting diode assembly
US4590667A (en) * 1984-08-22 1986-05-27 General Instrument Corporation Method and apparatus for assembling semiconductor devices such as LEDs or optodetectors
US4633582A (en) * 1985-08-14 1987-01-06 General Instrument Corporation Method for assembling an optoisolator and leadframe therefor

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Publication number Publication date
US4755474A (en) 1988-07-05
DE3735489A1 (de) 1988-06-30

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