JPS63168083A - 電子部品の半田付け方法 - Google Patents
電子部品の半田付け方法Info
- Publication number
- JPS63168083A JPS63168083A JP31194386A JP31194386A JPS63168083A JP S63168083 A JPS63168083 A JP S63168083A JP 31194386 A JP31194386 A JP 31194386A JP 31194386 A JP31194386 A JP 31194386A JP S63168083 A JPS63168083 A JP S63168083A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soldering
- laser
- electronic component
- energy beam
- lead terminal
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- Pending
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明のＨ的］
（産業上の利用分野）
本発明は、基板上に搭載された半導体装置例えばフラッ
トパッケージＩＣ等の電子部品を半■イ１１けする際の
電子部品の半田付は方法に関する。
トパッケージＩＣ等の電子部品を半■イ１１けする際の
電子部品の半田付は方法に関する。
（従来の技術）
従来より、第４図に示すように、基板（図示せず）上の
所定の位置に搭載された電子部品１の本体部分２の各辺
に突設した多数のリード端子列３と基板上に形成されて
いるリード配線パターン（図示せず）とを半田付けする
場合には、半田付は装置が使用されている。
所定の位置に搭載された電子部品１の本体部分２の各辺
に突設した多数のリード端子列３と基板上に形成されて
いるリード配線パターン（図示せず）とを半田付けする
場合には、半田付は装置が使用されている。
このような半田付は装置の半田付は手段としては、ヒー
タチップを電子部品１のリード端子列３に押圧した後、
このヒータチップを加熱して半４日付けを行うものがあ
るが、ヒータチップと電子部品の接触時に電子部品の位
置ずれを招く等、物理的接触手段であるための間圧が多
く、この問題を解決するためレーザ光等を用いた非接触
手段による半田付け４’［を採用したものが近年開発さ
れている。
タチップを電子部品１のリード端子列３に押圧した後、
このヒータチップを加熱して半４日付けを行うものがあ
るが、ヒータチップと電子部品の接触時に電子部品の位
置ずれを招く等、物理的接触手段であるための間圧が多
く、この問題を解決するためレーザ光等を用いた非接触
手段による半田付け４’［を採用したものが近年開発さ
れている。
非接触手段を用いた半田付は装置としては、例えば電子
部品１が仮止めされている基板を載置する基板載置台と
、この基板載置台上方に基板と対向配置したレーザ照射
部と、レーザ照射部をマウントしこれを基板上でＸ−Ｙ
方向へ移動させるＸ−Ｙテーブル等のレーザ移動部から
構成されたものがある。
部品１が仮止めされている基板を載置する基板載置台と
、この基板載置台上方に基板と対向配置したレーザ照射
部と、レーザ照射部をマウントしこれを基板上でＸ−Ｙ
方向へ移動させるＸ−Ｙテーブル等のレーザ移動部から
構成されたものがある。
このような半田付は装置における半田付は方法は、レー
ザ移動部を駆動してレーザ照射部をＸ−Ｙ方向に移動さ
せながらレーザ光Ａをリード端子列３に順次照射して半
田付けを行っていた。またレーザ光の照射スポット形状
を線形状として電子部品の一辺のリード端子列３を一度
に同時照射して半田付けを行う方法もある。
ザ移動部を駆動してレーザ照射部をＸ−Ｙ方向に移動さ
せながらレーザ光Ａをリード端子列３に順次照射して半
田付けを行っていた。またレーザ光の照射スポット形状
を線形状として電子部品の一辺のリード端子列３を一度
に同時照射して半田付けを行う方法もある。
（発明か解決しようとする問題点）
しかしながら上述した従来の半１日付は方法では、レー
ザ光の照射は１本のリード端子の半田付けが終了した復
改のリード端子に移動するようにしてリード端子列に対
し順次照射を行うか、線形状のビームスボッ！・により
リード端子列を一度に同時照射する方法であるため、隣
接するリード端子の熱影響を大きく受け、この熱影響に
よる弊害例えば隣接するリード端子間で半田が接続して
電気的に導通してしまう半田ブリッジ等が生じるという
問題があった。さらにレーザ照射部近傍の局部的な温度
上昇が上記問題を助長していた。特にリード端子間が０
．５ｉｍや０．６５＋ａ＋ａと狭い狭ピッチフラッ１−
パッケージＩＣ等では、上記問題が発生しやすく、これ
を解決する技術が早急に望まれていた。
ザ光の照射は１本のリード端子の半田付けが終了した復
改のリード端子に移動するようにしてリード端子列に対
し順次照射を行うか、線形状のビームスボッ！・により
リード端子列を一度に同時照射する方法であるため、隣
接するリード端子の熱影響を大きく受け、この熱影響に
よる弊害例えば隣接するリード端子間で半田が接続して
電気的に導通してしまう半田ブリッジ等が生じるという
問題があった。さらにレーザ照射部近傍の局部的な温度
上昇が上記問題を助長していた。特にリード端子間が０
．５ｉｍや０．６５＋ａ＋ａと狭い狭ピッチフラッ１−
パッケージＩＣ等では、上記問題が発生しやすく、これ
を解決する技術が早急に望まれていた。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、半！Ｈ付は部近傍の温度分布を均一化し精度の高い
半１０付けが行える電子部品の半ＩＩ付は方法を提供す
ることを目的とする。
で、半！Ｈ付は部近傍の温度分布を均一化し精度の高い
半１０付けが行える電子部品の半ＩＩ付は方法を提供す
ることを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明の電子部品の半田付は方法は、基板上に搭載され
た電子部品のリード端子列に高エネルギービームを照射
して前記リード端子列と前記基板上に形成されたリード
配線パターンとを半田付けする半田付は方法において、
前記電子部品の所定のリード端子列に半田付けに必要な
照射量に至らない高エネルギービームを複数回照射走査
して半ＥＨ付けを行うことを特徴とする。
た電子部品のリード端子列に高エネルギービームを照射
して前記リード端子列と前記基板上に形成されたリード
配線パターンとを半田付けする半田付は方法において、
前記電子部品の所定のリード端子列に半田付けに必要な
照射量に至らない高エネルギービームを複数回照射走査
して半ＥＨ付けを行うことを特徴とする。
（作 用）
本発明は、レーザ光等の高エネルギービームを用いて半
田付けを行い、かつこの高エネルギービームを電子部品
のリード端子列に複数回に分けてビーム照射することで
リード端子近傍の温度上昇率が均一化し、高精度の゛ト
田付けが行える。
田付けを行い、かつこの高エネルギービームを電子部品
のリード端子列に複数回に分けてビーム照射することで
リード端子近傍の温度上昇率が均一化し、高精度の゛ト
田付けが行える。
電子部品がその四辺にリード端子列を突設したものであ
れば、該リード端子列上に沿って電子部品の周囲を複数
回照射走査すればよい。
れば、該リード端子列上に沿って電子部品の周囲を複数
回照射走査すればよい。
（実施例）
以下本発明の一実施例について図を参照にしながら説明
する。
する。
第１図は実施例の半Ｈ１付は装置を示す図で、Ｘ軸駆動
機構２１およびＹ軸駆動機構２２により駆動されるＸ−
Ｙテーブル２３上にはレーザ照射部２４を内装したマウ
ントヘッド部２５がｒ６ｇされている。
機構２１およびＹ軸駆動機構２２により駆動されるＸ−
Ｙテーブル２３上にはレーザ照射部２４を内装したマウ
ントヘッド部２５がｒ６ｇされている。
このＸ−Ｙテーブル２３前面には電子部品１が１苔載さ
れた基板２６をｉ！置した基板載置台２７が配置されて
いる。
れた基板２６をｉ！置した基板載置台２７が配置されて
いる。
一方Ｘ−Ｙテーブル２３背面には例えばＹＡＧレーザ笠
のレーザ光を発信するレーザ発振器２８と、このレーザ
発振器２８で出力されたレーザ光を光フアイバ内に導入
するレーザ光学ユニット２９が配設されている。
のレーザ光を発信するレーザ発振器２８と、このレーザ
発振器２８で出力されたレーザ光を光フアイバ内に導入
するレーザ光学ユニット２９が配設されている。
このレーザ光学ユニット２９とマウントヘッド部２５１
面に設けられたレーザ光学ユニット３０とが光ファイバ
３１により光学的に接続されている。
面に設けられたレーザ光学ユニット３０とが光ファイバ
３１により光学的に接続されている。
マウ〉′Ｉ・ヘッド部２５内に内装されたレーザ照封部
２４について第２図を参照にして説明する。
２４について第２図を参照にして説明する。
レーザ発振器２８で出力されたレーザ光は、光フアイバ
３１内を導波されてマウントヘッド部２５上面の光学ユ
ニット３０を経てレーザ照射部２４へと導かれる。
３１内を導波されてマウントヘッド部２５上面の光学ユ
ニット３０を経てレーザ照射部２４へと導かれる。
レーザ照射部２１１は、レーザ光Ａを基板２６上で照射
走査するための回転軸ａを中心に回転する第１のレーザ
反射板３２と、第１のレーザ反射板３２と直角に対向配
置し回転軸ａと直角な回転軸すを中心に回転する第２の
レーザ反射板３３と、レーザ反射板３２．３３に夫々接
続され半田付は装置ＣＰＵ３４内の光学系制御機構３５
で制御される反射板回転機構３６．３７とから構成され
ている。これら反射板回転１ａＭ３６．３７によりレー
ザ反射板３２．３３を回転させてレーザ光Ａの基板２６
上での照射走査を行う。
走査するための回転軸ａを中心に回転する第１のレーザ
反射板３２と、第１のレーザ反射板３２と直角に対向配
置し回転軸ａと直角な回転軸すを中心に回転する第２の
レーザ反射板３３と、レーザ反射板３２．３３に夫々接
続され半田付は装置ＣＰＵ３４内の光学系制御機構３５
で制御される反射板回転機構３６．３７とから構成され
ている。これら反射板回転１ａＭ３６．３７によりレー
ザ反射板３２．３３を回転させてレーザ光Ａの基板２６
上での照射走査を行う。
このような構成の半田付は装置の動作は、予め実装装置
等で電子部品１を搭載した基板２６を、半田付は装置の
基板ｉ！置台２７上に載置した後、半１１１付は装ｆｉ
ｃ Ｐ Ｕ ３４内の記憶機構に予め入力されている電
子部品１の実装位置情報に基つき、Ｘ−Ｙテーブル２３
を駆動して処理対象の電子部品１上にレーザ照射部２４
がくるようにマウントヘッド部２５を移動する。
等で電子部品１を搭載した基板２６を、半田付は装置の
基板ｉ！置台２７上に載置した後、半１１１付は装ｆｉ
ｃ Ｐ Ｕ ３４内の記憶機構に予め入力されている電
子部品１の実装位置情報に基つき、Ｘ−Ｙテーブル２３
を駆動して処理対象の電子部品１上にレーザ照射部２４
がくるようにマウントヘッド部２５を移動する。
こうして電子部品１とレーザ照射部２４の■位置合せが
終了した後、レーザ発１辰器２８をｊｒｌ動して電子部
品１のリード端子列３を照射走査して基板２６上に形成
されたリード配線パターンとリード端子列３とを半１）
１付けする。このときレーザ光への照射走査は、第３図
に示すように電子部品１の周りをリード端子列３上に沿
って連続的に複数回照射走査して行う。即ち一度に半田
付けを行うのではなく、出力の弱いレーザ光により数回
に別りて半田付けを行う。従って、電子部品１周囲全体
の温度上昇率が一定となり、温度分布が均一化する。
終了した後、レーザ発１辰器２８をｊｒｌ動して電子部
品１のリード端子列３を照射走査して基板２６上に形成
されたリード配線パターンとリード端子列３とを半１）
１付けする。このときレーザ光への照射走査は、第３図
に示すように電子部品１の周りをリード端子列３上に沿
って連続的に複数回照射走査して行う。即ち一度に半田
付けを行うのではなく、出力の弱いレーザ光により数回
に別りて半田付けを行う。従って、電子部品１周囲全体
の温度上昇率が一定となり、温度分布が均一化する。
」１記レーザ光Ａの照射走査は、レーザ反射板３２．３
３とこれらレーザ反射板を回転させる反射板機構３６．
３７により行い、また、本例ではレーザ反射板３２が基
板２６上のＹ方向を、レーザ反射板３３が基板２６上の
Ｘ方向の走査を行うように構成した。
３とこれらレーザ反射板を回転させる反射板機構３６．
３７により行い、また、本例ではレーザ反射板３２が基
板２６上のＹ方向を、レーザ反射板３３が基板２６上の
Ｘ方向の走査を行うように構成した。
このようにレーザ光等の高エネルギービームを使用し、
かつこの高エネルギービームを電子部品のリード端子列
に複数回に分けて連続的にビーム照射することでリード
端子近傍の温度上昇率が均一化し易く、局部的な温度上
昇による半田ブリッジの発生等の半ＩＴ’ｌ付は不良が
なくなり、高精度の半田付けが行える。
かつこの高エネルギービームを電子部品のリード端子列
に複数回に分けて連続的にビーム照射することでリード
端子近傍の温度上昇率が均一化し易く、局部的な温度上
昇による半田ブリッジの発生等の半ＩＴ’ｌ付は不良が
なくなり、高精度の半田付けが行える。
上述実施例では、高エネルギービームとしてレーザ光を
使用したが本発明はこれに限定されるものではなく、レ
ーザ光以外の高エネルギー線ビーム、例えば高エネルギ
ーの赤外線や紫外線等、非接触手段の半田付は作業に使
用できるものであればいずれでもよい。
使用したが本発明はこれに限定されるものではなく、レ
ーザ光以外の高エネルギー線ビーム、例えば高エネルギ
ーの赤外線や紫外線等、非接触手段の半田付は作業に使
用できるものであればいずれでもよい。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の電子部品の半田付は方法に
よれば、半ＨＩ付は部の温度上昇率が均一化し、半田付
はミスのない高精度な半田付は作業が行える。
よれば、半ＨＩ付は部の温度上昇率が均一化し、半田付
はミスのない高精度な半田付は作業が行える。
第１図は本発明による一実施例の半Ｉｆｆ付は装置の外
観を示す斜視図、第２図は第１図のレーザ照射部の光学
系の構成を示す図、第３図はレーザ光のリード端子への
照射走査の一例を示す図、第４図は電子部品を示す平面
図である。 １・・・・・・・・・電子部品 ３・・・・・・・・・リード端子列 ２３・・・・・・・・・Ｘ−Ｙテーブル２４・・・・・
・・・・ビーム照射部 ２５・・・・・・・・・マウントヘッド部２６・・・・
・・・・・基板 ２７・・・・・・・・・基板載置台 ２８・・・・・・・・・レーザ発振器 ３１・・・・・・・・・光ファイバ ３２．３３・・・レーザ反射板 ３５・・・・・・・・・光学系制御ａ桔３６．３７・・
・反射回転動機構 第３図 第４図
観を示す斜視図、第２図は第１図のレーザ照射部の光学
系の構成を示す図、第３図はレーザ光のリード端子への
照射走査の一例を示す図、第４図は電子部品を示す平面
図である。 １・・・・・・・・・電子部品 ３・・・・・・・・・リード端子列 ２３・・・・・・・・・Ｘ−Ｙテーブル２４・・・・・
・・・・ビーム照射部 ２５・・・・・・・・・マウントヘッド部２６・・・・
・・・・・基板 ２７・・・・・・・・・基板載置台 ２８・・・・・・・・・レーザ発振器 ３１・・・・・・・・・光ファイバ ３２．３３・・・レーザ反射板 ３５・・・・・・・・・光学系制御ａ桔３６．３７・・
・反射回転動機構 第３図 第４図
Claims (4)
- （１）基板上に搭載された電子部品のリード端子列に高
エネルギービームを照射して前記リード端子列と前記基
板上に形成されたリード配線パターンとを半田付けする
半田付け方法において、前記電子部品の所定のリード端
子列に半田付けに必要な照射量に至らない高エネルギー
ビームを複数回照射走査して半田付けを行うことを特徴
とする電子部品の半田付け方法。 - （２）高エネルギービームの照射走査が、電子部品の四
辺に突設されたリード端子列上を走査するように前記電
子部品の周囲を複数回連続的に照射走査することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子部品の半田付け
方法。 - （３）高エネルギービームの照射走査が、電子部品の所
定のリード端子列を１回以上往復して照射走査すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子部品の半
田付け方法。 - （４）高エネルギービームがレーザ光であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子部品の半田付け
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31194386A JPS63168083A (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 電子部品の半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31194386A JPS63168083A (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 電子部品の半田付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168083A true JPS63168083A (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=18023300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31194386A Pending JPS63168083A (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 電子部品の半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63168083A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5992163A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-28 | Toshiba Corp | レ−ザはんだ付け方法 |
| JPS63164296A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-07 | ソニー株式会社 | 半田付け方法 |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP31194386A patent/JPS63168083A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5992163A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-28 | Toshiba Corp | レ−ザはんだ付け方法 |
| JPS63164296A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-07 | ソニー株式会社 | 半田付け方法 |
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