JPS63169655A

JPS63169655A - 感光体

Info

Publication number: JPS63169655A
Application number: JP251387A
Authority: JP
Inventors: Yumiko Taketomi; 武富　由美子
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1987-01-08
Filing date: 1987-01-08
Publication date: 1988-07-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、非晶質炭素源を電荷輸送層とした感光体に関
する。

従来技術カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、感光体にも様々な材料が開発され実用化さ
れてきた。

従来用いられて来た感光体材料の主なもめとしては、非
晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化カドミウ
ム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機物質、ポ
リビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、ジスアゾ
顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフェニルメ
タン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒドラゾン化
合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾー
ル化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機物質が挙
げられる。また、その構成形態としては、これらの物質
を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散きせて用い
るバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電荷輸送層
とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、面来用いられて来た感光体材料にはそれ
ぞれ欠点があった。その一つとして人体への有害性が挙
げられるが、前述したアモルファスシリコンを除く無機
物質においては、何れも好ましくない性質を持つもので
あった。また、感光体が実際に複写機内で用いられるた
めには、帯電、露光、現像、転写、除電、清掃等の苛酷
な環境条件に曝された場合においても、常に安定な性能
を維持している必要があるが、前述した有１幾物質にお
いては、何れも耐久性に乏しく、性能面での不安定要素
が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成きれ
るアモルファスシリコンの感光体への応用が進んで来て
いる。しかし、アモルファスシリコンは、原料として発
火性の強いシランガスを必要とするため、製造上の危険
性が高い。また、シランガスを多量に必要とする反面、
高価なガスであることから、出来上がった電子写真感光
体も、従来の感光体に比べ大幅に高価なものとなる。ま
た、成膜速度が遅く、成膜時に爆発性を有する多量のシ
ラン未分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都
合も多い。この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。また、アモル
ファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性能
が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するためには
、帯電器に高出力が要求される。

また一方、近年ではプラズマ有機重合膜を感光体に用い
ることが提案されている。

プラズマ有機重合膜自体は古くより知られており、例え
ばジエン（）ＬＳｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ、Ｂｅ１ｌ
）らにより、１９７３年のジャーナル・オブ・アプライ
ド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｎａｌ　ｏｆ　Ａｐ
ｐｌｉｅｄＰｏｌｙｍｅｒ　５ｉｅｎｃｅ）第１７巻の
８８５〜８９２頁において、あらゆる有機化合物のガス
から作製されうろことが、また、同著者により、１９７
９年のアメリカンケミカルソサエティー（Ａｍｅｒｉｃ
ａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）発行による
プラズマポリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　ｐｏｌ
ｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じら
れている。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された綱
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭６
０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその上に設け
たアモルファスシリコン層との接着性を改善するために
、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモンド状炭素
模を中間に設けた感光体が開示きれ、残留電荷の面から
膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

発明が解′、シようとする問題点上述のように、従来の方法で作製したプラズマ有機重合
膜は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそ
れらの膜は通常のポリエチレン膜の如く１０１６Ωｃｍ
程度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なく
ともそのような膜であるとの認識のもとに用いられてい
た。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識
から、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層
に限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバ
ーコート層としてしか用いられていなかった。従ってそ
の膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか用い
られず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過するか、
トンネル効果が期待できない場合には、実用上の残留電
位としては問題にならずに済む程度の薄い膜でしか用い
られていない。

銭能分Ｓｌｌ型感光体においては、電荷↑ｆｌ送層はキ
ャリア輸送性に優れている必要があり、キャリア易動度
として少なくとも１０”’　［ｃｍ２／Ｖ／ｓ　ｅＣ］
以上の値が必要である。また、電子写真システムの中で
好適に使用するために帯電性能に優れている必要があり
、少なくとも１０［Ｖ／μｍ］以上の耐圧が要求され、
ざらに帯電器の負荷を抑えるために比誘電率εにして６
以下の値を有することが好ましい。

問題点を解決するための手段本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離
型感光体において、当該電荷輸送層が炭化水素を気相状
態でプラズマ重合後、酸処理して形成される、炭素と水
素を構成原子としてなる非晶質固体であることを特徴と
する機能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、可視
光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に対しては
、明確なる光導電性は有しないが好適な電荷輸送性を長
期にわたり安定に提供し、ざらに、帯電能、耐久性、耐
候性、耐環境汚染等の感光体性能に優れ、しかも透光性
にも優れるため、特に機能分離型感光体としての積層構
造を形成する場合においても（否めて高い自由度が得ら
れるものである。

本発明者らは、プラズマ有機重合膜の感光体への応用を
検討しているうちに、本来絶縁性であると考えられてい
た有機重合膜が、炭化水素を気相状態でプラズマ重合し
た後、酸処理して形成された炭素原子と水素原子からな
る非晶質炭素膜においては、比抵抗が低く、容易に電荷
輸送性が得られることを見出した。その理論的解釈には
本発明者においても不明確点が多く詳細にわたり言及は
できないが、この上うにして得られた電荷発生層中には
、比較的不安定なエネルギー状態の電子、例えばπ電子
、不対電子、残存フリーラジカル等が、構造中に多く存
在し、電荷輸送性に効果的に寄与しているものと推定さ
れる。ざらに、単にプラズマ重合しただけの膜では構造
的に不安定であり、静電特性上経時劣化を発生しやすい
が、酸処理を加える事により、経時劣化を無くし、長期
にわたり安定したＩｒｌ電特性が確保されることを見出
した（以下、本発明による電荷！５＋送層をａ　−Ｃ膜
と称す）。

本発明においては、ａ−Ｃ膜を形成するための有機気体
として少なくとも一種類の炭化水素が用いられる。該炭
化水素における相状態は常温常圧において必ずしも気相
である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、
昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固相で
も使用可能である。該炭化水素としては、飽和炭化水素
、不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、及び芳香族炭化水
素、が用いられる。

使用可能な炭化尿素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ノーキサコサン、ペンタコサン、オクタコサン、ノナコ
サン、トリアコンタン、トドリアコンクン、ペンタトリ
アコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタ
ン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオ
ヘキサン、２，３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサ
ン、３−エチルペンクン、２，２−ジメチルペンタン、
２．４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペンタン
、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブタ
ン、２，２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメチル
ヘキサン、２，２．３−）ジメチルペンタン、２，２．
４−トリメチルペンタン、２゜３．３−トリメチルペン
タン、２，３．４−トリメチルペンタン、イソナノン、
等のイソパラフィン、等が用いられる。

不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピレ
ン、イソブチレン、１−ブテン、ａ−ブテン、１−ペン
テン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メ
チル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキ
セン、テトラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オク
テン、１−ノネン、１−デセン、等のオレフィン、並び
に、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン
、ヘキサジエン、シクロブタジエン、等のジオレフィン
、並びに、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサ
トリエン、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、
メチルアセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペン
チン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１
−ノニン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロブンテ゛カン、シクロドデカン、シクロトリ
デカン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シ
クロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シク
ロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネ
ン、シクロデセン、等のジクロオレフィン並びに、リモ
ネン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニリン、カンフエン、フ
エンヂエン、シクロフェンチェン、トリシクレン、ピサ
ボリン、ジンギベリン、クルクメン、フムレン、カジネ
ンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタ
レン、セドレン、カンホリン、フィロクラテン、ポドカ
ルプレン、ミリン、等のテルペン並びに、ステロイド等
が用いられる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン、等が用いられ
る。

本発明におけるａ　−Ｃ膜は炭素原子と水素原子をその
１１市成原子とするが、含まれる水素原子の量は、炭素
原子と水素原子の総量に対してｏ、１乃至６７原子％、
好適には３０乃至６０原子％である。水素原子の量が０
．１原子％より低い場合には、輸送性能が低下し好適な
光感度が得られない。水素原子の量が６７原子％より高
い場合には、帯電能の低下と成膜性の劣化を招く。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化させる
ことか可能であり、水素量を低くするには、例えば、基
板温度を高くする、圧力を低くする、原料炭化水素ガス
の希釈率を低くする、印加電力を高くする、交番電界の
周波数を低くする、交番電界に重畳せしめた直流電界強
度を高くする、等の手段により制御することが可能であ
る。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるのであればば、５乃
至５０μｍ１特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍ
より薄いと、帯電電位が低いｔ：の充分な複写画像）４
度を得ることが出来ないう士た、５０μｍより厚いと、
生産性の面で好ましくない。このａ−Ｃ膜は、高透光性
、高暗抵抗を有するとともに電荷輸送性に富み、膜厚を
上記の様に５μｍ以上としてもキャリアはトラップされ
ること無く輸送され明減衰に寄与することが可能である
。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、更には、これらの組み
合わせにより形成されてもよい。また、該ａ−Ｃ膜の酸
処理に用いられる酸としては、例えば、硫酸、塩酸、硝
酸、リン酸、臭酸、硼酸等が挙げられる。用いる酸の種
類によっても異なるが、酸処理方法としては、例えば、
およそ０．０１Ｎ乃至１ＯＮ水溶液を５０℃乃至１５０
℃程度の飽和蒸気圧状態に保ち、その雰囲気中に該ａ　
−〇膜を５分乃至３時間程度放置すればよい。または、
およそＯ，ＯＩＮ乃至１ＯＮ水溶液を５℃乃至３５℃程
度に保ち、１秒乃至１時間程度浸漬すればよい。

本発明による感光体に用いる電荷発生層は特に限定的で
はなく、例えば、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテ
ルル、硫化カドミウム、酸化亜鉛、特性を変えるため場
合により異種元素（例えば、水素、硼素、炭素、窒素、
酸素、弗素、燐、硫黄、塩素、臭素、ゲルマニウム、等
）を含有せしめたアモルファスシリコン、等の無機物質
、ポリビニルカルバゾール、シアニン系化合物、金属フ
タロシアニン系化合物、アゾ系化合物、ペリレン系化合
物、トリアリールメタン系化合物、トリフェニルメタン
系化合物、トリフェニルアミン系化合物、ヒドラゾン系
化合物、スチリル系化合物、ピラゾリン系化合物、オキ
サゾール系化合物、オキサジン系化合物、オキサジアゾ
ール系化合物、チアジン系化合物、キサンチン系化合物
、ピリリウム系化合物、キナクリドン系化合物、インジ
ゴ系化合物、多環キノン系化合物、ジスベンズイミダゾ
ール系化合物、インダスロン系化合物、スクアリリウム
系化合物、等の有（実物質を用いることが可能である。

これ以外にも、照射光により効率よく光励起キャリアを
発生し、そのキャリアを電荷輸送層中に効率よく注入し
うる材料であれば、いずれの材料であっても使用するこ
とができる。

また、該電荷発生層は製造方法においても制限を受ける
ことはなく、例えば、本発明における電荷輸送層（ａ−
Ｃ膜）と同様の製造方法によってもよいし、液相中での
電着法、スプレー或はディッピング等による塗布法、等
によって形成してもよい。中でも、本発明における電荷
輸送層と同様の製造方法にり成膜した場合には、製造装
置コスト、工程の省力化にもつながり好ましい。

また、該電荷発生層が影響を受けないものであれば、本
発明による酸処理は、電荷発生ｍを設けた状態で行なっ
てもよい。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
なる槻能分離型感光体であり、該電荷発生層と該電荷輸
送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択することが可
能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生しｔ二電子が電荷ネｉｌ送層（２）中を
感光体表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）
で発生した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を
導電性基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発
生層（３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）
中を感光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証され
た静電潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負
帯電した後、画像露光して使用する場合においては、電
子と正孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解
すればよい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射
光が電荷輸送層（２）中を通過することになるが、本発
明による電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な
潜像形成を行なうことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発声層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が本発明においては特に限定
を受けない電荷発生層で有ることから、多くの場合実用
上の耐久性を確保するために表面保護層を設けることが
好ましい。第２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐
久性に優れた本発明による電荷輸送層であるため、表面
保Ｗｋ層を設けなくてもよいが、例えば現像剤の付着に
よる感光体表面の汚れを防止するような、複写機内の各
種エレメントに対する整合性を調整する目的から、表面
保護層を設けることもざらなる一形態となりうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面が本発明においては特
に限定を受けない電荷発生層で有ることから、多くの場
合接着性及び注入阻止効果を確保するために中間層を設
けることが好ましい。第１図及び第３図の構成の場合、
導電性基板との接合面が、接着性及び注入阻止効果に優
れた、本発明による電荷Ｇ１送層であるため、中間層を
設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前処理方法の
ような、感光層形成以前の製造工程との整合性を調整す
る目的から、中間層を設けることもざらなる一形態とな
りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第２図及び第３図の構成にお
いて中間層と表面保：ｊｉｍを設けることもざらなる一
形態となりうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例え゛ば従来例で述べた如き絶縁性材料であ
る場合には、残留電位発生の防止のためｎλＪ５は５μ
ｍ以下に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積させる、所謂プラズマ重合反応
から生成される。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第ｄタ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または同相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３加熱器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または同相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地型ｔｆｆｌ（７３５）と電力印加
電極（７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極
加熱器（７３７）により与熱可能とされている。電力印
加電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）
を介して高周波電源（７３９Ｌ低周波電力用整合器（７
４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィル
タ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されて
おり、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の
圧力は圧力制御１弁（７４５）により調整可能であり、
反応室（７３３）内の減圧は、排気系彦択弁（７４６）
を介して、拡１１々ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ
（７４８）、或は、冷却除外装置（７４９）、メカニカ
ルブースターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８
）により行なわれる。排ガスについては、更に適当な除
外装置（７５３）により安全無害化した後、大気中に排
気される。これら排気系配管についても、常温において
液相または固相状態にあった原料化合物が気化したガス
が、途中で凝結しないように、４宜配置きれた配管加熱
器（７３４）により、与熱可能とされている。反応室（
７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）によ
り与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板
（７５２）が設置される。図７おいて導電性基板（７５
２）は接地電極（７３５）に固定して配されているが、
電力印加電極（７３６）に固定して配されてもよく、更
に双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（７３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様である。

第８図において、反応室（７３３）内部には、第７図に
おける接地電極（７３５）を兼ねた円筒形の導電性基板
（７５２）が設置され、内側には電極加熱器（７３７）
が配されている。導電性基板（７’Ｓ　２）周囲には同
じく円筒形状をした電力中加電ｔｉ（７３６）が配され
、外側には電極加熱器（７３７）が配されている。導電
性基板（７５２）は、外部より駆動モータ（７５４）を
用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１’Ｏ”’Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空
度の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同
時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配さ
れた導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板
には、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得る
ために、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷
莞生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電
荷発生層の設置には、水装置仝用いてもよいし別装置を
用いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃
至第３容器から適宜炭化水素よりなる原註ガスを第１乃
至第９流量制御器を用いて定流量化しながら反応室内に
導入し、圧力調節弁により反応室内を一定の減圧状態に
保つ。ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチによ
り、例えば高周波電源を選択し、電力印加電極に高周波
電力を投入する。両電極間には放電が開始され、時間と
共に基板上に固相の膜が形成される。反応時間により膜
厚を制御し、所定の膜厚に達したところで放電を停止し
、次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内を充分
に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる場合に
は、該感光体を取り出し酸処理を行なう。更に所望の感
光体構成において、電荷発生層或はオーバーコート層が
必要とされる場合には、一旦取り出して同様に酸処理を
行ない、もう−反応装置を用いるか、或は別装置に移し
てこれらの層を設け、本発明による感光体を得る。この
場合の酸処理は、電荷発生層或はオーバーコート層を設
けた後、施してもよい。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

Ｘ施撚よ本発明に系わる製造装置を用いて、第１図に述べた如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程（ＣＴ　Ｌ工程）：第７図に示すグ
ロー放電分解装置において、まず、反応装置（７３３）
の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高真空にした後、
第１、及び第２調節弁（７０７、及び７０８）を解放し
、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び第２タンク
（７０２）よりエチレンガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／
Ｃｍ２の下で第１１及び第２流量制御器（７１３、及び
７１４）内へ、同時に、第７調節弁（７２５）を解放し
、第１容器（７１９）よりスチレンを第１加熱器（７２
２）１度２５℃の下で気化して、第７流量制御器（７２
８）内へ流入させた。

そして各流量制御器の目盛を調整して、水氷−ガスの流
量を４０ｓｅｃｍ、エチレンガスの流量な３Ｏｓｃｃｍ
、及びスチレンガスの流量を１８ｓｃａｍとなるように
設定しモ、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３
２）より反応室、（７３３）内へ流・入した。各々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．５
Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した
。一方、導電性基板（７５２）としては、１５０Ｘ横５
０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１００
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておい
た低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３
６）に１００Ｗａ１１の電力を周波薮３０ＫＨｚの下で
印加して約３０分プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚；：１０ｕｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した
。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき”ＣＨＮ定量
分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素
原子ど水素原子の総置にりＪして４８原子％であっｔ；
。

酸処理工程：該ａｍＣ膜を反応室から取り出し０．ＩＮ希塩酸の飽和
蒸気圧状態が１００℃に保たれた密閉容器内に３０分間
放置した。このようにして酸処理した後、再び反応室に
戻した。

電荷発生層形成工程（ＣＧＬ工程）：次いで、第１調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７
１２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、
及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧Ｉ
Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第５、及び第６流量ｆＩ７１
Ｉ御器（７１３，７１７及び７１８）内へ流入させた。

各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２１０
ｓｅｃｍ、及びシランガスをの流量を９０　ｓ　ｃ　ａ
ｍに設定し、反応室（７３３）内に流入させな。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．
０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５
２）は、１００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧ノｊ
が安定した状態で、高周波江原（７３９）より周波数１
３．５６ＭＨｚの下で電力印加電４１（７３６）に５０
Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。こ
の放電を１５分間行ない、厚ざ０．３μｍのａ−３ｉ：
Ｈ電荷発生層を形成した。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は一１０００Ｖ程度で有り、即ち
、全感光体膜厚が１０．３μｍであることから１μｍ当
りの帯電能は約１００Ｖと極めて高く、このことから充
分な帯電性能を有することが確認された。また、暗中に
て一６００■から一５５０Ｖにまで暗減衰するのに要し
た時間は約３５秒であり、このことから充分な電荷保持
性能を有することが確認された。また、−５００Ｖに初
期帯電した後、白色光を用いて一１５０Ｖまで明減衰さ
せたところ必要とされた光量は約２．１ルツクス・秒で
あり、このことから充分な光感度性能を有することが確
認された。また、本感光体を作製より３力月後に、同（
子にして白色光感度測定を行なったところ、約２．３ル
ツクス・秒で殆ど経時劣化を生じていないことが確認き
れた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を安定に有するものである。また、こ
の感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で、作
像して転写したところ、鮮明な画像が得られた。

大旋健旦本発明に係わる製造装置を用いて、第２図に述べた如き
、導電性基板、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＧＬ、ＣＴＬ工程：実施例１におけるＣＧＬ工程とＣＴＬ工程とをこの順番
に行なった。

酸処理工程：電荷発生層と電荷輸送層が形成された後、０゜ＩＮ希硫
酸の飽和蒸気圧状態が１００℃に保たれｔ：密閉容器内
に３０分間放置して酸処理をした。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は一１ｏ○ＯＶ程度で有り、即ち
、全感光体膜厚が１０．３μｍであることから１μｍ当
りの帯電能は約１００Ｖと極めて高く、このことから充
分な帯電性能を有することが確認された。また、暗中に
て一６００Ｖから一５５０Ｖにまで暗減衰するのに要し
た時間は約４０秒であり、このことから充分な電荷保持
性能を有することが確認された。また、−５ｏＯＶに初
期帯電した後、白色光を用いて一１５０Ｖまで明減衰さ
せたとこる必要とされた光量は約４．６ルツクス・秒で
あり、このことから充分な光感度性能を有することが確
認された。また、本感光体を作製より３力月後に、同様
にして白色光感度測定を行なったところ、約４．フルッ
クス・秒で殆ど経時劣化を生じていないことが確認され
た。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
どして優れた性能を安定に有するものである）また、こ
の感光体に対して常用のカールソンプロセスの中で、作
像して転写したところ、鮮明な画像が得られた。

叉施桝旦本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に述べた如き
、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設け
た感光体を作製した。

ＣＴＬ工程：第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０”６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７
６８）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、
及び第２タンク（７０２）よりプロパンガスを各々出力
圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量制御器
（７１３、及び７１４）内へ、同時に、第７調節弁（７
２５）を解放し、第１容器（′７１９）よりベンゼンを
第１加熱器（７２２）温度６０℃の下で気化して、第７
流量制御器（７２８）内へ流入きせた。

そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を４０ｓｅｃｍ、プロパンガスの流量を５０ｓｅｃｍｓ
及びベンゼンガスのンｍ’ＦＡを２０ｓｅｃｍとなるよ
うに設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（
７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．７
Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した
。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０×横５
０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１００
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておい
た低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３
６）に１００Ｗａ１１の電りを周波数３０ＫＨｚの下で
印加して約３０分プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚き１５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送
層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、
調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につキＣＨＮ定量分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４０原子％であった。

酸処理工程：次いで、真空を破り、試料を取り出して、０゜２Ｎ希硝
酸を３０℃に保ち、２秒間浸漬して酸処理をした。

ＣＧＬ工程：次いで試料を別の真空蒸着器に移し、抵抗加熱法により
Ａ　ｓ　２　Ｓ　ｅ　３を１μｍ電荷発生層として設け
た。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は一１０００Ｖを越え、充分な帯
電性能を有することが確認された。また、暗中にて一６
００■から一５５０Ｖに、　　まで暗減衰するのに要し
た時間は約２５秒であり、このことから充分な電荷保持
性能を有することが確認された。また、−５００Ｖに初
期帯電したｉな、白色光を用いて一１５０Ｖまで明減衰
させｔ：ところ必要とされた光量は約１．８ルツクス・
秒であり、このことから充分な光感度性能を有すること
が確認された。また、本感光体を作製より３力月後に、
同様にして白色光感度測定を行なったところ、約１．８
ルツクス・秒で全く経時劣化を生じていないことが確認
きれた。

坦帥ｌ　　゛実施例１において、酸処理工程を省略する以外は、実施
例１と同様にして感光体作製を行なった。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
たところ最高帯電電位は一１０００Ｖ程度で有り、即ち
、全感光体膜厚が１０．３μｍであることから１μｍ当
りの帯電能は約１ｏｏｖと（近めて高く、このことから
充分な（１ｆ電性能を有することが確認された。また、
暗中にて一６００Ｖから一５５０Ｖに士で暗減衰するの
に要した時間は約３５秒であり、このことから充分な電
荷保持性能を有することが確認きれた。また、−５００
Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて一１５０■まで明
減衰させたとこる必要とされた光量は約１．９ルツクス
・秒であり、このことから充分な光感度性能を有するこ
とが確認された。

しかし、本感光体を作製より３力月後に、同様にして白
色光感度測定を行なったところ、約６０ルツクス・秒の
光電が必要とされ、極めて激しい経時劣化を生じている
ことが確認きれた。

本比較例により、本発明により作製された酸処理工程を
経た感光体は、感光体として優れた性能を安定に有する
ものであることが確認された。

比較例２実施例３において、酸処理工程を省略する゛以外は、実
施例３と同様にして感光体作製を行なった。

特性：得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で用い
ｔ：ところ最高帯電電位は一１０００Ｖを越え、このこ
とから充分な帯電性能を有することが確認された。また
、暗中にて一６００Ｖから一５５０Ｖにまで暗減衰する
のに要した時間は約３０秒であり、このことから充分な
電荷保持性能を有することが確認された。また、−５０
０Ｖに初期帯電した後、白色光を用いて一１５０■まで
明減衰させたとこる必要とされた光量は約１．６ルツク
ス・秒であり、このことから充分な光感度性能を有する
ことが一認された。

しかし、本感光体を作製より３力月後に、同様にして白
色光感度測定を行なったところ、約７３ルツクス・秒の
光量が必要ときれ、極めて激しい経時劣化を生じて要る
ことが確認された。

本比較例により、本発明により作製された酸処理工程を
経た感光体は、感光体として優れた性能を安定に有する
ものであることが確認きれた。

【図面の簡単な説明】

出願人　ミノルタカメラ株式会社第１図　第２図第３図　第４図第５図　　第６図

Claims

【特許請求の範囲】

電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
おいて、当該電荷輸送層が炭化水素を気相状態でプラズ
マ重合後、酸処理して形成される、炭素と水素を構成原
子としてなる非晶質固体であることを特徴とする感光体
。