JPS63170976A - ａ−Ｓｉ光ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
ａ−Ｓｉ光ダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS63170976A JPS63170976A JP62002851A JP285187A JPS63170976A JP S63170976 A JPS63170976 A JP S63170976A JP 62002851 A JP62002851 A JP 62002851A JP 285187 A JP285187 A JP 285187A JP S63170976 A JPS63170976 A JP S63170976A
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- Japan
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- layer
- film
- photodiode
- annealing
- polycrystallize
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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-
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
下地や接合面に影響を与えない程度の弱い放電パワーで
ｐｉｎ型のａ−３ｉ膜を作成した後、２層およびｎ層の
少なくとも片方を、エキシマレーザを用いた紫外光レー
ザ照射でアニールすることにより多結晶化し、ｐ／ｉ、
ｉ／ｎの界面にダメージを与えることなく多結晶化を実
現する。
ｐｉｎ型のａ−３ｉ膜を作成した後、２層およびｎ層の
少なくとも片方を、エキシマレーザを用いた紫外光レー
ザ照射でアニールすることにより多結晶化し、ｐ／ｉ、
ｉ／ｎの界面にダメージを与えることなく多結晶化を実
現する。
ａ−Ｓｉを用いた密着型イメージセンサは、ファクシミ
リ装置の普及に伴ない、小型化、低コスト化、高精細化
が急がれている。本発明はこのようなイメージセンサ等
に適しているａ−Ｓｉ光ダイオードおよび太陽電池の製
造方法に関する。
リ装置の普及に伴ない、小型化、低コスト化、高精細化
が急がれている。本発明はこのようなイメージセンサ等
に適しているａ−Ｓｉ光ダイオードおよび太陽電池の製
造方法に関する。
第５図は従来のａ−Ｓｉ膜を用いた表面型のイメージセ
ンサの断面図である。４はガラスまたはセラミック等の
基板であり、その上にＣｒやＮｉＣｒ等のオーミック電
極１、ａ−５ｉ膜３、ＩＴＯまたはｐｔなとの透明電極
２の順に積層されている。その上に保護膜５として、プ
ラズマＣＶＤ法等によりＳｉＯ□またはＳｉＮ膜を形成
し、この保護膜５側から光を入射することで、イメージ
センサとして使用する。
ンサの断面図である。４はガラスまたはセラミック等の
基板であり、その上にＣｒやＮｉＣｒ等のオーミック電
極１、ａ−５ｉ膜３、ＩＴＯまたはｐｔなとの透明電極
２の順に積層されている。その上に保護膜５として、プ
ラズマＣＶＤ法等によりＳｉＯ□またはＳｉＮ膜を形成
し、この保護膜５側から光を入射することで、イメージ
センサとして使用する。
ところがこのように、保護膜５側から光を入射する構造
では、光がＩＴＯ等の透明電極２を透過して入ってくる
ため、透明電極２上に保護膜５を形成する際、保護膜５
の透過率、屈折率、厚さが問題となり、光の透過量を大
きくするには、保護膜をある程度薄くせざるを得ない。
では、光がＩＴＯ等の透明電極２を透過して入ってくる
ため、透明電極２上に保護膜５を形成する際、保護膜５
の透過率、屈折率、厚さが問題となり、光の透過量を大
きくするには、保護膜をある程度薄くせざるを得ない。
しかし保護膜を薄くすると、保護膜としての信転性が低
くなるといった問題が生じる。またａ−Ｓｉ自体は２５
０″Ｃ，ＩＴＯは２００°Ｃを超えると特性が変化し、
ダイオードとしての特性が劣化するため、保護膜５の形
成法としては、２００°Ｃ以下のプロセスを検討しなけ
ればならないが、そうすると良質の保護膜を形成するこ
とが困難になる。その結果、保護膜としての機能を充分
に果たせず、素子の寿命低下を招く。
くなるといった問題が生じる。またａ−Ｓｉ自体は２５
０″Ｃ，ＩＴＯは２００°Ｃを超えると特性が変化し、
ダイオードとしての特性が劣化するため、保護膜５の形
成法としては、２００°Ｃ以下のプロセスを検討しなけ
ればならないが、そうすると良質の保護膜を形成するこ
とが困難になる。その結果、保護膜としての機能を充分
に果たせず、素子の寿命低下を招く。
そこで第６図に示すように、基板側から光を入射する裏
面型のイメージセンサが使用されている。
面型のイメージセンサが使用されている。
この図において、（ａ）の構成は、基板４上にショット
キー電極１としてａ−Ｓｔと反応しにくいＳｎＯ２が積
層され、その上にａ−５ｉ膜３、オーミック電極２、保
護膜５の順に積層されている。この裏面型のイメージセ
ンサは、光を透明基板４から入射するため、最上段の最
終保護膜５は、透明でも不透明でもよく、また膜厚も自
由に選べるという利点がある。
キー電極１としてａ−Ｓｔと反応しにくいＳｎＯ２が積
層され、その上にａ−５ｉ膜３、オーミック電極２、保
護膜５の順に積層されている。この裏面型のイメージセ
ンサは、光を透明基板４から入射するため、最上段の最
終保護膜５は、透明でも不透明でもよく、また膜厚も自
由に選べるという利点がある。
ところでショットキー電極１として、ＩＴＯを使用する
ことも可能ではあるが、ａ−５ｉ膜３を作成する際の熱
でＩＴＯとａ−Ｓｉが反応し、目標の特性が得られない
。そこで、ショットキー電極として、ａ−Ｓｉと反応し
にくいＳｎＯ□を使用しているが、ＳｎＯ□は５ｃｈｏ
ｔｔｋｙ障壁が低く、逆方向バイアスでの漏れ電流が大
きく、動作マージンが小さい、という問題がある。
ことも可能ではあるが、ａ−５ｉ膜３を作成する際の熱
でＩＴＯとａ−Ｓｉが反応し、目標の特性が得られない
。そこで、ショットキー電極として、ａ−Ｓｉと反応し
にくいＳｎＯ□を使用しているが、ＳｎＯ□は５ｃｈｏ
ｔｔｋｙ障壁が低く、逆方向バイアスでの漏れ電流が大
きく、動作マージンが小さい、という問題がある。
第６図（１））はこの問題を解消し、動作マージンを大
きくできるようにしたものである。すなわち基板４上に
、ＳｎＯ，から成る下部電極１、ｐｉｎ型ａ−３ｉ膜３
ａを積層し、その上に眉間絶縁膜６を被覆してから、Ｃ
ｒやＮｉＣｒなどの上部電極２、保護膜５の順に積層す
る。ｐｉｎ型ａ−Ｓｉ膜３ａはプラズマＣＶＤ法によっ
て作成される。すなわちａ−ＳｉＦ！！膜にまずボロン
（Ｂ）をドーピングしてｐ型ａ−５ｉ層を形成し、次い
で不純物をドーピングしないｉ層、リン（Ｐ）をドーピ
ングしたｎ層の層構成とする。
きくできるようにしたものである。すなわち基板４上に
、ＳｎＯ，から成る下部電極１、ｐｉｎ型ａ−３ｉ膜３
ａを積層し、その上に眉間絶縁膜６を被覆してから、Ｃ
ｒやＮｉＣｒなどの上部電極２、保護膜５の順に積層す
る。ｐｉｎ型ａ−Ｓｉ膜３ａはプラズマＣＶＤ法によっ
て作成される。すなわちａ−ＳｉＦ！！膜にまずボロン
（Ｂ）をドーピングしてｐ型ａ−５ｉ層を形成し、次い
で不純物をドーピングしないｉ層、リン（Ｐ）をドーピ
ングしたｎ層の層構成とする。
ところでこのようなｐｉｎ構造のフォトダイオードや太
陽電池では、充電流特性を上げるために、ｐ層、ｎ層を
多結晶化することが行なわれている。
陽電池では、充電流特性を上げるために、ｐ層、ｎ層を
多結晶化することが行なわれている。
例えば、プラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ薄膜を作成す
る際に、ｐ層、ｎＪｉＩの作成工程において、水素の希
釈度を上げたり放電パワーを上げたりすることにより、
多結晶化が行なわれる。
る際に、ｐ層、ｎＪｉＩの作成工程において、水素の希
釈度を上げたり放電パワーを上げたりすることにより、
多結晶化が行なわれる。
しかしながらこのように希釈ガスを使用して放電パワー
を上げるため、ａ−３ｉと透明電極１とが反応し、また
大きな放電パワーでもってａ −Ｓ ｉ ［９面がたた
かれるため、ｐ層とｉ層間の接合面の制御が困難で、所
望の特性が得られない。しかも特性にバラツキが生じた
り、劣化するなどの問題がある。
を上げるため、ａ−３ｉと透明電極１とが反応し、また
大きな放電パワーでもってａ −Ｓ ｉ ［９面がたた
かれるため、ｐ層とｉ層間の接合面の制御が困難で、所
望の特性が得られない。しかも特性にバラツキが生じた
り、劣化するなどの問題がある。
本発明の技術的課題は、このような問題を解消し、ｐｉ
ｎ型ａ−５ｉ光ダイオードを作成する際に、放電パワー
を下げて多結晶化を可能とすることにある。
ｎ型ａ−５ｉ光ダイオードを作成する際に、放電パワー
を下げて多結晶化を可能とすることにある。
〔問題点を解決するための手段］
第１図は本発明によるａ−Ｓｉ光導電膜の製造方法の基
本原理を説明する断面図である。４は基板であり、その
上にａ−５ｉによりｎ層、ｉ層、ｐ層が作成される。こ
のとき、下地や接合面に影響を与えない程度の弱い放電
パワーでｐｉｎ型ａ−Ｓｉ光導電膜を作成する。その後
ｐ層、ｎ層を短波長のレーザ光照射でアニールし、多結
晶化することにより、フォトダイオードとしての光電流
の増加または太陽電池として起電力の増加を行なう。な
おｐ層、ｎ層は、片方のみをアニールしてもよく、両方
共アニールしてもよい。
本原理を説明する断面図である。４は基板であり、その
上にａ−５ｉによりｎ層、ｉ層、ｐ層が作成される。こ
のとき、下地や接合面に影響を与えない程度の弱い放電
パワーでｐｉｎ型ａ−Ｓｉ光導電膜を作成する。その後
ｐ層、ｎ層を短波長のレーザ光照射でアニールし、多結
晶化することにより、フォトダイオードとしての光電流
の増加または太陽電池として起電力の増加を行なう。な
おｐ層、ｎ層は、片方のみをアニールしてもよく、両方
共アニールしてもよい。
ｐｉｎ型のａ−Ｓｉ光導電膜の形成工程とｐ層、ｎ層の
多結晶化工程が分かれており、まず下地や接合面に影響
を与えない程度の弱い放電パワーでｐｉｎ型のａ−３ｔ
光導電膜を形成する。そしてｐ層、ｎ層の片方または両
方にレーザ光を照射してアニールすることで、ａ−５ｉ
のｐ層、ｎ層の少なくとも片方を多結晶化する。このよ
うにレーザ光アニールでｎ層が多結晶化することにより
、直列抵抗が低減し、かつ電子親和力が向上する。その
結果、太陽電池として使用した場合の光起電力が増す。
多結晶化工程が分かれており、まず下地や接合面に影響
を与えない程度の弱い放電パワーでｐｉｎ型のａ−３ｔ
光導電膜を形成する。そしてｐ層、ｎ層の片方または両
方にレーザ光を照射してアニールすることで、ａ−５ｉ
のｐ層、ｎ層の少なくとも片方を多結晶化する。このよ
うにレーザ光アニールでｎ層が多結晶化することにより
、直列抵抗が低減し、かつ電子親和力が向上する。その
結果、太陽電池として使用した場合の光起電力が増す。
ｐ層が多結晶化することにより、直列抵抗が低減し、か
つ透過率が向上する”ため、ｐ層からの光入射の場合の
光電流の増加の作用があり、フォトダイオードとして極
めて有効である。
つ透過率が向上する”ため、ｐ層からの光入射の場合の
光電流の増加の作用があり、フォトダイオードとして極
めて有効である。
またｐ層、ｎ層の多結晶化のためにレーザ光を照射して
アニールするが、そのときレーザ光は浅い領域までしか
届かず、ｐ／ｉ、ｎ／ｉ接合面に達しない。そのため、
接合面に悪影響を及ぼすことはない。ｐｉｎ層の形成は
、下地や接合面に影響を与えない程度の弱い放電パワー
で行なわれるので、下地や接合面に悪影響を与えること
はなく、多結晶化が確実で所定の特性を得ることができ
、かつ特性が安定し、劣化も少ない。
アニールするが、そのときレーザ光は浅い領域までしか
届かず、ｐ／ｉ、ｎ／ｉ接合面に達しない。そのため、
接合面に悪影響を及ぼすことはない。ｐｉｎ層の形成は
、下地や接合面に影響を与えない程度の弱い放電パワー
で行なわれるので、下地や接合面に悪影響を与えること
はなく、多結晶化が確実で所定の特性を得ることができ
、かつ特性が安定し、劣化も少ない。
次に本発明によるａ−Ｓｉ光ダイオードの製造方法が実
際上どのように具体化されるかを実施例で説明する。第
２図はｐｉｎ型ａ−Ｓｉ膜を作成するプラズマＣＶＤ装
置であり、ヒータ７で基板４を加熱した状態で、ガス供
給口８から装置内に反応ガスを供給しながら、電源９に
接続された電極１０でグロー放電を起こさせてプラズマ
を発生させる。反応ガスとしては通常ＳｉＨ４を使用し
、グロー放電分解法によりｐｉｎ型のａ−５ｉ膜が形成
される。ｐＨはＢ２Ｈ４、ｎ層はＰＨ３が不純物として
添加されている。
際上どのように具体化されるかを実施例で説明する。第
２図はｐｉｎ型ａ−Ｓｉ膜を作成するプラズマＣＶＤ装
置であり、ヒータ７で基板４を加熱した状態で、ガス供
給口８から装置内に反応ガスを供給しながら、電源９に
接続された電極１０でグロー放電を起こさせてプラズマ
を発生させる。反応ガスとしては通常ＳｉＨ４を使用し
、グロー放電分解法によりｐｉｎ型のａ−５ｉ膜が形成
される。ｐＨはＢ２Ｈ４、ｎ層はＰＨ３が不純物として
添加されている。
そのためｐ層を形成するときはＳｉＨ４＋Ｂｚｌｌａを
使用し、ｎ層を形成するときはＳｉＨ４＋ Ｐ １１３
を使用する。
使用し、ｎ層を形成するときはＳｉＨ４＋ Ｐ １１３
を使用する。
基板４としては、Ｔｓ＝ ３００°Ｃに耐えるもので、
ガラス、有機薄膜、ＳＵＳ薄板等を用いる。
ガラス、有機薄膜、ＳＵＳ薄板等を用いる。
第２図のプラズマＣＶＤ装置において、前記組成のガス
を使用して、まず第３図のようなｐｉｎ型ａ−Ｓｉ膜を
作成する。第３図の（ａ）は基板側からｐｉｎ構成にな
っており、（ｂ）は逆に上側からｐｉｎ構成になってい
る。基板側のｐ層、ｎＮは１００〜２００人、中間のｉ
層は５０００〜１ｏｏｏｏ人、上側のｎ層、ｐ層は１０
０〜４００人程度の膜厚とする。次いでレーザ光により
ｐ層、ｎ層の多結晶化を行なう。
を使用して、まず第３図のようなｐｉｎ型ａ−Ｓｉ膜を
作成する。第３図の（ａ）は基板側からｐｉｎ構成にな
っており、（ｂ）は逆に上側からｐｉｎ構成になってい
る。基板側のｐ層、ｎＮは１００〜２００人、中間のｉ
層は５０００〜１ｏｏｏｏ人、上側のｎ層、ｐ層は１０
０〜４００人程度の膜厚とする。次いでレーザ光により
ｐ層、ｎ層の多結晶化を行なう。
第３図（ａ）の層構成において、上側のｎ層を多結晶化
するには、上部より紫外線（この場合は、ＡｒＦエキシ
マレーザλ＝ １９３ｒｖを使用）を照射する。また基
板側のｐ層を多結晶化するには、基板４側よりレーザ光
を照射しアニールする。（ｂ）のように上側からｐｉｎ
構成の場合も、基板側からレーザ光照射してｎ層を多結
晶化し、上側からレーザ光照射してｐ層を多結晶化する
。なお基板から上記レーザ光を照射する場合、基板はそ
の波長に対して透過性のある合成石英等を使用しなくて
はいけない。
するには、上部より紫外線（この場合は、ＡｒＦエキシ
マレーザλ＝ １９３ｒｖを使用）を照射する。また基
板側のｐ層を多結晶化するには、基板４側よりレーザ光
を照射しアニールする。（ｂ）のように上側からｐｉｎ
構成の場合も、基板側からレーザ光照射してｎ層を多結
晶化し、上側からレーザ光照射してｐ層を多結晶化する
。なお基板から上記レーザ光を照射する場合、基板はそ
の波長に対して透過性のある合成石英等を使用しなくて
はいけない。
第４図は従来のプラズマＣＶＤ法による多結晶化製品と
本発明によるレーザ光照射による多結晶化製品との特性
を比較する図である。まず結晶粒径は、プラズマＣＶＤ
法による多結晶化品が１００〜２００人であるのに対し
エキシマレーザ光によるアニール品は１００〜５００人
であり、レーザアニールにより多結晶化が確実に進行し
ていることを示している。直列抵抗値は、レーザアニー
ルの方が、１桁低下している。またレーザアニール品は
、−光の吸収係数が小さく、光の透過率が良くなってい
る。その結果フォトダイオードや太陽電池とした場合、
入射光に対し大きな出力が得られる。
本発明によるレーザ光照射による多結晶化製品との特性
を比較する図である。まず結晶粒径は、プラズマＣＶＤ
法による多結晶化品が１００〜２００人であるのに対し
エキシマレーザ光によるアニール品は１００〜５００人
であり、レーザアニールにより多結晶化が確実に進行し
ていることを示している。直列抵抗値は、レーザアニー
ルの方が、１桁低下している。またレーザアニール品は
、−光の吸収係数が小さく、光の透過率が良くなってい
る。その結果フォトダイオードや太陽電池とした場合、
入射光に対し大きな出力が得られる。
このようにレーザ光アニールでｎ層が多結晶化すること
により直列抵抗が低減し、かつ電子親和力が向上する。
により直列抵抗が低減し、かつ電子親和力が向上する。
その結果、太陽電池として使用した場合の起電力が増す
。ｐ層が結晶化することにより、直列抵抗が低減し、透
過率が向上するので、ｐ層から光が入射した場合、光電
流が増加する。
。ｐ層が結晶化することにより、直列抵抗が低減し、透
過率が向上するので、ｐ層から光が入射した場合、光電
流が増加する。
〔発明の効果］
以上のように本発明によれば、ｐ／ｉ、ｉ／ｎの界面や
下地にダメージを与えることなしに、ｐ層、ｎ層の多結
晶化が可能となり、光電流の増加、光起電力の増加の効
果が得られる。また接合面や下地に対する影響が小さい
ので多結晶化が確実で所定の特性を得ることができ、か
つ特性が均一で、
下地にダメージを与えることなしに、ｐ層、ｎ層の多結
晶化が可能となり、光電流の増加、光起電力の増加の効
果が得られる。また接合面や下地に対する影響が小さい
ので多結晶化が確実で所定の特性を得ることができ、か
つ特性が均一で、
第１図は本発明によるａ−５ｉ光ダイオードの製造方法
の基本原理を説明する断面図、第２図はプラズマＣＶＤ
装置の断面図、第３図は本発明方法の実施例を示す断面
図、第４図は従来のプラズマＣＶＤによる多結晶化方法
と本発明のレーザ光照射による多結晶化方法との特性を
比較する図、第５図は表面型のイメージセンサの断面図
、第６図は裏面型のイメージセンサの断面図である。 図において、３はａ−Ｓｉ膜、３ａはｐｉｎ型ａ−５ｉ
膜、４は透明基板、６は層間絶縁膜をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 復代理人 弁理士 福 島 康 文 パマＣＶＤ美！ 第２図
の基本原理を説明する断面図、第２図はプラズマＣＶＤ
装置の断面図、第３図は本発明方法の実施例を示す断面
図、第４図は従来のプラズマＣＶＤによる多結晶化方法
と本発明のレーザ光照射による多結晶化方法との特性を
比較する図、第５図は表面型のイメージセンサの断面図
、第６図は裏面型のイメージセンサの断面図である。 図において、３はａ−Ｓｉ膜、３ａはｐｉｎ型ａ−５ｉ
膜、４は透明基板、６は層間絶縁膜をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 復代理人 弁理士 福 島 康 文 パマＣＶＤ美！ 第２図
Claims (1)
- ａ−Ｓｉを用いたｐｉｎ型の光ダイオードを作成する際
に、まず下地や接合面に影響を与えない程度の弱い放電
パワーでｐｉｎ型のａ−Ｓｉ膜を作成し、その後ｐ層お
よびｎ層の少なくとも片方を紫外光レーザ光照射でアニ
ールすることにより多結晶化することを特徴とするａ−
Ｓｉ光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62002851A JPS63170976A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | ａ−Ｓｉ光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62002851A JPS63170976A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | ａ−Ｓｉ光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170976A true JPS63170976A (ja) | 1988-07-14 |
Family
ID=11540898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62002851A Pending JPS63170976A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | ａ−Ｓｉ光ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63170976A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155051A (en) * | 1990-06-22 | 1992-10-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing photovoltaic device |
| US5304819A (en) * | 1992-06-29 | 1994-04-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light-activated semiconductor device having light-emitting elements, light-receiving elements and output elements |
| JP2002305297A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2006093212A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 多結晶層の形成方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
| JP2013519224A (ja) * | 2010-02-03 | 2013-05-23 | リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー．カーゲー | 太陽電池セル、特に結晶または多結晶シリコン太陽電池セルのディスク状基板材料を熱処理するための方法および装置 |
-
1987
- 1987-01-09 JP JP62002851A patent/JPS63170976A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155051A (en) * | 1990-06-22 | 1992-10-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing photovoltaic device |
| US5304819A (en) * | 1992-06-29 | 1994-04-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light-activated semiconductor device having light-emitting elements, light-receiving elements and output elements |
| JP2002305297A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2006093212A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 多結晶層の形成方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
| JP2013519224A (ja) * | 2010-02-03 | 2013-05-23 | リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー．カーゲー | 太陽電池セル、特に結晶または多結晶シリコン太陽電池セルのディスク状基板材料を熱処理するための方法および装置 |
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