JPS63174242A - エミツタチツプ処理装置 - Google Patents

エミツタチツプ処理装置

Info

Publication number
JPS63174242A
JPS63174242A JP62003156A JP315687A JPS63174242A JP S63174242 A JPS63174242 A JP S63174242A JP 62003156 A JP62003156 A JP 62003156A JP 315687 A JP315687 A JP 315687A JP S63174242 A JPS63174242 A JP S63174242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
emitter
emitter chip
chip processing
ionized material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62003156A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Ikebe
池辺 義紀
Hifumi Tamura
田村 一二三
Hiroyasu Shichi
広康 志知
Eiichi Izumi
泉 栄一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP62003156A priority Critical patent/JPS63174242A/ja
Publication of JPS63174242A publication Critical patent/JPS63174242A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エミッタチップ処理装置に係り、特に液体金
属イオン源で使用するエミッタチップの前処理に好適な
エミッタチップ処理装置に関する。
〔従来の技術〕
イオンビーム加工装置やイオン微小分析装置等で利用さ
れている液体金属イオン源として、例えば特開昭60−
241632号に示されているものがあるが、この種の
イオン源ではエミッタチップの先端をイオン化材料で濡
らし、電界をかけてイオン化し、イオンビームとして引
き出すよう構成されている。ここで、エミッタチップの
濡れ特性の良否がイオンビームの安定度を左右するため
、エミッタチップの前処理が重要である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、上記従来技術では、エミッタチップを液体金
属イオン源に組込んだ後、溶融したイオン化材料で濡ら
すものであるため、操作が煩わしくまた長時間を要する
という問題がある。さらに、良好な濡れ特性を得ること
が困難で、所定の濡れ特性が得られない場合にはイオン
源の真空を破って再度組立て調整をやり直さなければな
らないという問題があった。
本発明の目的は、簡単な操作で均一な濡れ特性のエミッ
タチップを得ることができるエミッタチップ処理装置を
提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はイオン材料を充填したるつぼと、このるつぼを
加熱してイオン化材料を溶融させる加熱手段と、この加
熱手段からの放出電子を制御して前記るつぼに衝撃させ
る制御電極および電子衝撃用加速電源と、前記るつぼ内
の溶融イオン化材料中でエミッタチップを移動させるエ
ミッタチップ調整つまみから構成したものである。
〔作用〕
エミッタチップは、るつぼ内で溶融したイオン化材料中
で移動されることにより、均一に濡らされる。従って、
簡単に均一な濡れ特性のエミッタチップを得ることがで
きる。
〔実施例〕 第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。
同図において、1はGa、Av、In等のイオン化材料
、2はイオン化材料を充填したTaの製るつぼ、3はW
製エミッタチップ、4はエミッタチップ3を上・下に移
動できるエミッタチップ調整つまみ、5はフィラメント
、6は放出電子を制御する制御電極、7は放出電子をる
つぼに衝撃させる電子衝撃用加速電源、8はフィラメン
ト電源、9は熱絶縁性の良いセラミックス製るつぼ支持
台である。
次にこの実施例の動作について述べる。
2 X 10−I5Torr以下の真空中において、イ
オン化材料1、るつぼ2、エミッタチップ3は同電位に
保たれており、外部より、電気的に絶縁されたエミッタ
チップ調整つまみ4でエミッタチップ3を上下に移動で
きる。フィラメント5からの放出電子は電子衝撃用加速
電源7の電圧(Ex )とフィラメント電源8の電圧(
E2)の差(EI Ex)で加速され、イオン化材料1
を充填したるつぼ2に衝撃して加熱する。るつぼ2は、
支枝台9で熱的に隔離されているので、加熱効率は良く
、2500℃までの昇温か可能である。故に、融点の低
いものから高いものまでの各種イオン化材料lを加熱・
溶融できる。エミッタチップ3を上下に移動し、エミッ
タチップ3の先端を溶融材料1で均一に濡らす。
本実施例によれば、融点の低いものから高いものまでの
各種のイオン化材料を用いることができ、さらにエミッ
タチップを溶融材料中で上下に移動させることで、均一
で濡れ特性の良いエミッタチップ製作することができる
第2図は、第1図のフィラメント5による電子衝撃加熱
の代わりにヒータ線10でるつぼ2を抵抗加熱するよう
にした実施例を示すものであり。
抵抗加熱は電子衝撃加熱に比べてるつぼ2を高温加熱で
きないが、簡単な回路組立で済み、Gaの如き融点の低
いイオン化材料1を用いる場合に好。
都合である。
第3図は複数個のエミッタチップ3を一度に溶融材料1
中で処理できるようにした実施例であり。
この実施例によれば、均一に濡れ特性の良いエミッタチ
ップを短時間で多数製作することができる。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、均一で
濡れ特性の良いエミッタチップを容易に短時間で製作で
きる。従って、このようにして製作されたエミッタチッ
プを組み込んだ液体金属イオン源は、イオン化材料の溶
融後すぐに安定なイオンビームを出力することができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図はるつ
ぼの加熱手段としてヒータ線を用いた実施例を示す図、
第3図は同時に複数のエミッタチップを処理するように
した実施例を示す図である。 1・・・イオン化材料、2・・・るつぼ、3・・・エミ
ッタチップ、4・・・エミッタチップ調整つまみ、5・
・・フィラメント、6・・・制御電極、7・・・電子衝
撃用加用加速電源、10・・・ヒータ線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、イオン化材料を充填したるつぼと、このるつぼを加
    熱してイオン化材料を溶融させる加熱手段と、この加熱
    手段からの放出電子を制御して前記るつぼに衝撃させる
    制御電極および電子衝撃用加速電源と、前記るつぼ内の
    溶融イオン化材料中でエミッタチップを移動させるエミ
    ッタチップ調整つまみとを備えたエミッタチップ処理装
    置。 2、エミッタチップ調整つまみは複数個のエミッタチッ
    プをるつぼ内で同時に移動可能に構成されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のエミッタチップ
    処理装置。
JP62003156A 1987-01-12 1987-01-12 エミツタチツプ処理装置 Pending JPS63174242A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62003156A JPS63174242A (ja) 1987-01-12 1987-01-12 エミツタチツプ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62003156A JPS63174242A (ja) 1987-01-12 1987-01-12 エミツタチツプ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63174242A true JPS63174242A (ja) 1988-07-18

Family

ID=11549486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62003156A Pending JPS63174242A (ja) 1987-01-12 1987-01-12 エミツタチツプ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63174242A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105386074A (zh) * 2015-11-17 2016-03-09 上海交通大学 发射针浸润方法及其自动浸润装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105386074A (zh) * 2015-11-17 2016-03-09 上海交通大学 发射针浸润方法及其自动浸润装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4631448A (en) Ion source
US2960457A (en) Apparatus for vaporizing coating materials
JPS63174242A (ja) エミツタチツプ処理装置
JP3302710B2 (ja) 低電圧アーク放電と可変磁界を用いる基体の加熱方法
JPH0219187B2 (ja)
JPH0439181B2 (ja)
JPS6084744A (ja) 熱陰極
JPH051895Y2 (ja)
JPS6363105B2 (ja)
JPS58225537A (ja) イオン源装置
JPS5978431A (ja) 電子衝撃、電界放出形イオン源
JPH027499B2 (ja)
JPS60167249A (ja) 固体試料用電界電離イオン源
SU964786A1 (ru) Способ получени тока эмиссии ионов
JPS63216251A (ja) ガスフエ−ズイオン源
JPS62113346A (ja) 液体金属イオン源
JP2810446B2 (ja) 真空リードスイッチの製造装置及びその製造方法
JPS593815B2 (ja) イオン源
JPH0722842Y2 (ja) イオン源
JPS5887742A (ja) 高輝度イオン源
JPS58137940A (ja) イオン源
JP2697563B2 (ja) 集束イオンビーム装置
JPS58198815A (ja) 電子衝撃型電界放出イオン源
JPS58137939A (ja) イオン源
JPS59203344A (ja) イオン源