JPS63176475A - Ｃｖｄ装置清掃方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置清掃方法Info
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- JPS63176475A JPS63176475A JP759287A JP759287A JPS63176475A JP S63176475 A JPS63176475 A JP S63176475A JP 759287 A JP759287 A JP 759287A JP 759287 A JP759287 A JP 759287A JP S63176475 A JPS63176475 A JP S63176475A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＣＶＤ装置清掃方法に関するものである。
−ｍに、半導体デバイス作製において使用されるＣＶＤ
装置では、基板以外の部分への反応生成物の付着が生じ
る。ことに、シラン系ガスを用いた５ｉ０２膜等のＣＶ
Ｄ装置の場合は、反応生成物が微粒子状態で壁面に付着
するため、ＣＶＤ終了後の基板取出しの際にこれらがは
がれて形成したＳ ｉ ０２膜上にふり積るなどのトラ
ブルが多い。
装置では、基板以外の部分への反応生成物の付着が生じ
る。ことに、シラン系ガスを用いた５ｉ０２膜等のＣＶ
Ｄ装置の場合は、反応生成物が微粒子状態で壁面に付着
するため、ＣＶＤ終了後の基板取出しの際にこれらがは
がれて形成したＳ ｉ ０２膜上にふり積るなどのトラ
ブルが多い。
この基板以外の部分への生成物の付着を軽減する方法で
最も代表的なものとしては、光ＣＶＤ装置において窓材
への成膜を軽減するため光ＣＶＤ中に窓′へのチッ素等
の不活性ガスの吹きつけを行う方法がある。
最も代表的なものとしては、光ＣＶＤ装置において窓材
への成膜を軽減するため光ＣＶＤ中に窓′へのチッ素等
の不活性ガスの吹きつけを行う方法がある。
上述した不活性ガスを吹きつける方法をとる場合、窓等
小さい面積への堆積を有効に軽減できるが、面積の大き
い壁面全体への堆積を防止するには壁面全体に隅なくゆ
きわたるように不活性ガスを吹きつける必要がある。こ
の場合、堆積を防止された微粒子のチャンバ内全体への
飛散はまぬがれないので、微粒子はかえって基板上に落
ちやすく、余計ふり積りを招くことになる。
小さい面積への堆積を有効に軽減できるが、面積の大き
い壁面全体への堆積を防止するには壁面全体に隅なくゆ
きわたるように不活性ガスを吹きつける必要がある。こ
の場合、堆積を防止された微粒子のチャンバ内全体への
飛散はまぬがれないので、微粒子はかえって基板上に落
ちやすく、余計ふり積りを招くことになる。
このように従来のＣＶＤ方法では、壁面等から基板への
基板取出し時の反応生成物のふり積りは避けられず、頻
繁にチャンバ全体のクリーニングを行なうことによって
のみ影響を軽減しており、クリーニングにも多大な工数
を要ていな。
基板取出し時の反応生成物のふり積りは避けられず、頻
繁にチャンバ全体のクリーニングを行なうことによって
のみ影響を軽減しており、クリーニングにも多大な工数
を要ていな。
本発明の目的は、上述した従来方法の欠点を除去し、基
板取出し時の反応生成物のふり積りを防ぎ、チャンバ全
体のクリーニングも簡単にしなＣＶＤ方法を提供するこ
とにある。
板取出し時の反応生成物のふり積りを防ぎ、チャンバ全
体のクリーニングも簡単にしなＣＶＤ方法を提供するこ
とにある。
本発明のＣＶＤ装置清掃方法は、ＣＶＤ終了後に、反応
室に希ガスを流すと共に、この反応室の壁面に負の電圧
を印加し、この反応室内部の電極に正の電圧を印加する
ことにより、前記希ガスのイオンを形成し、この希ガス
イオンにより前記反応室の壁面をスパッタし、この壁面
を清掃することを特徴とする。
室に希ガスを流すと共に、この反応室の壁面に負の電圧
を印加し、この反応室内部の電極に正の電圧を印加する
ことにより、前記希ガスのイオンを形成し、この希ガス
イオンにより前記反応室の壁面をスパッタし、この壁面
を清掃することを特徴とする。
成膜の副産物として微粒子状の反応生成物を伴なうＣＶ
Ｄのチャンバにおいて、ＣＶＤの際に生じた反応生成物
が付着しているチャンバの壁面に負の電圧を、また壁面
と向かいあい、チャンバからの取出しが容易な電極に正
の電圧をそれぞれ印加すると、Ａｒガスは放電してプラ
ズマ状態となりＡｒ＋イオンと電子を生じる。このＡｒ
＋イオンは負電極である壁面に付着した微粒子状の反応
生成物に高速で衝突してスパッタ作用を行い、その反応
生物を壁面から浮遊させる。この浮遊した反応生成物は
、相対して設けられた内側の電極付近に付着する。本発
明は、このようにＡｒ＋イオンによるスパッタを利用し
て微粒子状の反応生成物をチャンバ内の特定箇所に集め
、基板取出しの際の微粒子の飛散等による基板上へのふ
り積りを防ぐことが出来る。
Ｄのチャンバにおいて、ＣＶＤの際に生じた反応生成物
が付着しているチャンバの壁面に負の電圧を、また壁面
と向かいあい、チャンバからの取出しが容易な電極に正
の電圧をそれぞれ印加すると、Ａｒガスは放電してプラ
ズマ状態となりＡｒ＋イオンと電子を生じる。このＡｒ
＋イオンは負電極である壁面に付着した微粒子状の反応
生成物に高速で衝突してスパッタ作用を行い、その反応
生物を壁面から浮遊させる。この浮遊した反応生成物は
、相対して設けられた内側の電極付近に付着する。本発
明は、このようにＡｒ＋イオンによるスパッタを利用し
て微粒子状の反応生成物をチャンバ内の特定箇所に集め
、基板取出しの際の微粒子の飛散等による基板上へのふ
り積りを防ぐことが出来る。
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を適用したＣＶＤ装置を表わ
した模式図である。基板２はチャンバ１の中のヒータ７
の上に固定される。原料ガスのＳｉＨ４ガス１０及びＮ
２０ガス１１は基板２の上をこの基板２とほぼ平行の向
きに供給される。
した模式図である。基板２はチャンバ１の中のヒータ７
の上に固定される。原料ガスのＳｉＨ４ガス１０及びＮ
２０ガス１１は基板２の上をこの基板２とほぼ平行の向
きに供給される。
、二のチャンバ１内はロータリーポンプ６によって排気
される。ＳｉＯ□膜のＣＶＤ後原料ガスのＳ ｉ Ｈ４
ガス１０．Ｎ２０ガス１１を止め、Ａｒガス１２を流し
チャンバ１の壁面に直流電源４により一５ｋＶを、また
電極３に同じく直流電源４により＋５ｋＶを印加する。
される。ＳｉＯ□膜のＣＶＤ後原料ガスのＳ ｉ Ｈ４
ガス１０．Ｎ２０ガス１１を止め、Ａｒガス１２を流し
チャンバ１の壁面に直流電源４により一５ｋＶを、また
電極３に同じく直流電源４により＋５ｋＶを印加する。
チャンバ１の壁面に付着しな５ｉＯ２微粒子はＡｒ“イ
オンによりスパッタされて取出しの容易な電極３上に集
められる。また、電極３から落下したＳ ｉ ０２微粒
子はプレート９に溜められる。
オンによりスパッタされて取出しの容易な電極３上に集
められる。また、電極３から落下したＳ ｉ ０２微粒
子はプレート９に溜められる。
チャンバ１の外部は絶縁体５で囲み高圧部分が露出しな
いようにする。また電極ヒータ端子間絶縁体８によりヒ
ータ端子と電極の間の放電を防ぐ。
いようにする。また電極ヒータ端子間絶縁体８によりヒ
ータ端子と電極の間の放電を防ぐ。
本実施例では、ＣＶＤ終了後、このようなＡｒ”イオン
によるスパッタを行なうことによって、５ｉＯ２（ｉｉ
粒子をチャンバ内の取出しの容易な特定箇所に集めるこ
とができな。また、本実施例による方法では、壁面に付
着しているＳｉ○２微粒子のほとんどが電極３の上に集
められるので、ＣＶＤ終了直後でまだ温度の高い基板の
上へふり積りを防ぐことができ、膜質に劣化が生じない
。
によるスパッタを行なうことによって、５ｉＯ２（ｉｉ
粒子をチャンバ内の取出しの容易な特定箇所に集めるこ
とができな。また、本実施例による方法では、壁面に付
着しているＳｉ○２微粒子のほとんどが電極３の上に集
められるので、ＣＶＤ終了直後でまだ温度の高い基板の
上へふり積りを防ぐことができ、膜質に劣化が生じない
。
また本実施例による清掃方法では、チャンバ内の５ｉＯ
２微粒子をとり除く作業が単に電極３のプレート９をそ
れぞれ清浄なものと交換するだけでよいので、そのクリ
ーニングにかかる工数を大幅に低減することができる。
２微粒子をとり除く作業が単に電極３のプレート９をそ
れぞれ清浄なものと交換するだけでよいので、そのクリ
ーニングにかかる工数を大幅に低減することができる。
本発明は、必ずしもＳｉＯ□のＣＶＤのみならずＳ ｉ
Ｎ、 Ａｊ’２０３等の絶縁膜や、半導体金属等のＣ
ＶＤにも適用することができ、その場合の装置の構成は
Ｓ ｉ Ｏ２の場合と全く変わらない。
Ｎ、 Ａｊ’２０３等の絶縁膜や、半導体金属等のＣ
ＶＤにも適用することができ、その場合の装置の構成は
Ｓ ｉ Ｏ２の場合と全く変わらない。
本発明による方法において、電極から壁面への逆スバ拳
ツタはほとんど無視できる程度であり、チャンバのクリ
ーニング及び膜質に影響を与えることはなかった。
ツタはほとんど無視できる程度であり、チャンバのクリ
ーニング及び膜質に影響を与えることはなかった。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、ＣＶＤの終了後
スパッタによりＣＶＤチャンバの壁面に付着した微粒子
状の反応生成物をチャンバ内の取出し可能な特定箇所に
集めることにより、微粒子の基板へのふり積りによる膜
質の劣化をもたらすことが少なく、また次回のＣＶＤの
ための、チャンバ内の清掃にかかる工数も低減できるＣ
ＶＤ装置清掃方法を得ることができる。
スパッタによりＣＶＤチャンバの壁面に付着した微粒子
状の反応生成物をチャンバ内の取出し可能な特定箇所に
集めることにより、微粒子の基板へのふり積りによる膜
質の劣化をもたらすことが少なく、また次回のＣＶＤの
ための、チャンバ内の清掃にかかる工数も低減できるＣ
ＶＤ装置清掃方法を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するＣＶＤ装置の模式
図である。 １・・・チャンバ、２・・・基板、３・・・電極、４・
・・直流電源、５・・・絶縁体、６・・・ロータリーポ
ンプ、７・・・ヒータ、８・・・電極ヒータ端子間絶縁
体、９・・・プレート、１０・・・５ｉＨｙガス、１１
・・・Ｎ２０ガス、１２・・・Ａｒガス。
図である。 １・・・チャンバ、２・・・基板、３・・・電極、４・
・・直流電源、５・・・絶縁体、６・・・ロータリーポ
ンプ、７・・・ヒータ、８・・・電極ヒータ端子間絶縁
体、９・・・プレート、１０・・・５ｉＨｙガス、１１
・・・Ｎ２０ガス、１２・・・Ａｒガス。
Claims (1)
- ＣＶＤ終了後に、反応室に希ガスを流すと共に、この反
応室の壁面に負の電圧を印加し、この反応室内部の電極
に正の電圧を印加することにより、前記希ガスのイオン
を形成し、この希ガスイオンにより前記反応室の壁面を
スパッタし、この壁面を清掃することを特徴とするＣＶ
Ｄ装置清掃方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP759287A JPS63176475A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | Ｃｖｄ装置清掃方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP759287A JPS63176475A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | Ｃｖｄ装置清掃方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63176475A true JPS63176475A (ja) | 1988-07-20 |
Family
ID=11670077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP759287A Pending JPS63176475A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | Ｃｖｄ装置清掃方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63176475A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0311632A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-18 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置製造用絶縁膜形成装置 |
| US5294320A (en) * | 1990-02-09 | 1994-03-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning a shield in a physical vapor deposition chamber |
| DE4417205A1 (de) * | 1993-05-18 | 1994-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | Herstellungsgerät für Halbleiter-Vorrichtungen und Reinigungsverfahren für das Gerät |
| JPH0892764A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-09 | Nec Kyushu Ltd | スパッタ装置 |
| KR100438947B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2004-07-03 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를 이용한 고분자막 연속증착장비의 세정방법 |
| US8202394B2 (en) * | 2001-06-11 | 2012-06-19 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor manufacturing apparatus |
-
1987
- 1987-01-16 JP JP759287A patent/JPS63176475A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0311632A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-18 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置製造用絶縁膜形成装置 |
| US5294320A (en) * | 1990-02-09 | 1994-03-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning a shield in a physical vapor deposition chamber |
| DE4417205A1 (de) * | 1993-05-18 | 1994-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | Herstellungsgerät für Halbleiter-Vorrichtungen und Reinigungsverfahren für das Gerät |
| US5584963A (en) * | 1993-05-18 | 1996-12-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing apparatus and cleaning method for the apparatus |
| DE4417205C2 (de) * | 1993-05-18 | 1998-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | Herstellungsgerät für Halbleiter-Vorrichtungen und Reinigungsverfahren für das Gerät |
| JPH0892764A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-09 | Nec Kyushu Ltd | スパッタ装置 |
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| KR100438947B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2004-07-03 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를 이용한 고분자막 연속증착장비의 세정방법 |
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