JPS63178633A - 光受信ａｇｃ装置 - Google Patents
光受信ａｇｃ装置Info
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- JPS63178633A JPS63178633A JP62010429A JP1042987A JPS63178633A JP S63178633 A JPS63178633 A JP S63178633A JP 62010429 A JP62010429 A JP 62010429A JP 1042987 A JP1042987 A JP 1042987A JP S63178633 A JPS63178633 A JP S63178633A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、光通信における光受信レベルの変動にかか
わらず、レベル変動の少ない電気信号を得るために好適
な、光受信ＡＧＣ装四に関するものである。
わらず、レベル変動の少ない電気信号を得るために好適
な、光受信ＡＧＣ装四に関するものである。
（従来の技術〉
従来、光通信の受信側においては、受信した光信号を電
気信号に変換するため、ＡＰＤ （ＡＶ−ａｌａｎｃｈ
ｅ Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）が用いられている。そ
して、光受信ＡＧＣ装置としては、ＡＰＤの増倍率制御
と電気ＡＧＣとを併用した第３図の如き装置が知られて
いる。ＡＰＤＩにより、受信された光信号が電気信号に
変換され、前置増幅器２へ送出される。この前置増幅器
２では、電気信号が所定の増幅を受け、可変利得増幅器
３へ送られ、ゲインコントロールされて、出力端子１１
から出力される。可変利得増幅器３の出力信号は、レベ
ル検出器（ピーク検出器等）４に取込まれ、対応するレ
ベルの信号が出力される。レベル検出器４の出力信号は
、誤差信号増幅器５，６に与えられ、夫々、基準電圧８
，９と比較される。この場合、受光レベルが高い範囲（
即ち、レベル検出器４の出力が基準電圧８の電圧値より
高い場合）では、誤差信号増幅器５が動作し、レベル検
出器４の出力が誤差信号増幅器５で増幅され、その出力
により、可変利得増幅器３のゲインがコントロールされ
る。
気信号に変換するため、ＡＰＤ （ＡＶ−ａｌａｎｃｈ
ｅ Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）が用いられている。そ
して、光受信ＡＧＣ装置としては、ＡＰＤの増倍率制御
と電気ＡＧＣとを併用した第３図の如き装置が知られて
いる。ＡＰＤＩにより、受信された光信号が電気信号に
変換され、前置増幅器２へ送出される。この前置増幅器
２では、電気信号が所定の増幅を受け、可変利得増幅器
３へ送られ、ゲインコントロールされて、出力端子１１
から出力される。可変利得増幅器３の出力信号は、レベ
ル検出器（ピーク検出器等）４に取込まれ、対応するレ
ベルの信号が出力される。レベル検出器４の出力信号は
、誤差信号増幅器５，６に与えられ、夫々、基準電圧８
，９と比較される。この場合、受光レベルが高い範囲（
即ち、レベル検出器４の出力が基準電圧８の電圧値より
高い場合）では、誤差信号増幅器５が動作し、レベル検
出器４の出力が誤差信号増幅器５で増幅され、その出力
により、可変利得増幅器３のゲインがコントロールされ
る。
即ち、誤差信号増幅器５の出力信号が、可変利得増幅器
３のＡＧＣ制御電圧として負帰還される。
３のＡＧＣ制御電圧として負帰還される。
受光レベルが所定レベルまで低下すると、可変利得増幅
器３による増幅の限界を越え、可変利得増幅器３の出力
レベルが低下する。このため、レベル検出器４の出力も
低下する。レベル検出器４の出力が低下し、基準電圧９
の電圧値より低下すると、誤着信＠僧幅器６が動作し、
この誤差信号増幅器６により増幅されたレベル検出器４
の出力がＡＰＤバイアス供給回路７に与えられる。これ
により、受信レベルが低い範囲では、レベル検出器４の
出力に基づきＡＰＤバイアス供給回路７が制御され１．
Ａ、 Ｐ Ｄ １のバイアス電圧が変化させられ入力信
号レベルに対応してＡＰＤｌの増倍率の制御がなされる
。
器３による増幅の限界を越え、可変利得増幅器３の出力
レベルが低下する。このため、レベル検出器４の出力も
低下する。レベル検出器４の出力が低下し、基準電圧９
の電圧値より低下すると、誤着信＠僧幅器６が動作し、
この誤差信号増幅器６により増幅されたレベル検出器４
の出力がＡＰＤバイアス供給回路７に与えられる。これ
により、受信レベルが低い範囲では、レベル検出器４の
出力に基づきＡＰＤバイアス供給回路７が制御され１．
Ａ、 Ｐ Ｄ １のバイアス電圧が変化させられ入力信
号レベルに対応してＡＰＤｌの増倍率の制御がなされる
。
第４図には、上記光受信ＡＧＯ装置の動作の特性を示す
グラフが掲げられている。このグラフから明らかなよう
に、可変利得増幅器３は受光レベルが高い領域から受光
レベルがＰａとなる迄、ゲインが増加するが〈ａ）、そ
の制ＷＪ電圧がＶａから増加するにもかかわらず（ｄ）
、受光レベルがＰ、より小さな範囲では、ゲインが増加
せず、一定となる（ａ）。これに対し、受光レベルがＰ
ａ以下の場合には、ＡＰＤバイアス供給回路７によるバ
イアス電圧の制御で、ＡＰＤＩの増倍率が増加する（ｂ
）。一方、受光レベルがＰａを越えると、ＡＰＤバイア
ス供給回路７が誤差信号増幅器６による制御を受けなく
なり、ＡＰＤｌの増倍率は一定となる（ｂ）。このよう
に、受光レベルがＰａとなるのを境にして、受光レベル
が高い範囲では、可変利得増幅器３によるゲインコント
ロールがなされる一方、受光レベルが低い範囲において
はＡＰＤｌのバイアスコントロールによるＡＰＩ）１の
増倍率制御がなされる結果、レベル検出器４で検出した
ピーク検出電圧に段差が生じる（Ｃ）。
グラフが掲げられている。このグラフから明らかなよう
に、可変利得増幅器３は受光レベルが高い領域から受光
レベルがＰａとなる迄、ゲインが増加するが〈ａ）、そ
の制ＷＪ電圧がＶａから増加するにもかかわらず（ｄ）
、受光レベルがＰ、より小さな範囲では、ゲインが増加
せず、一定となる（ａ）。これに対し、受光レベルがＰ
ａ以下の場合には、ＡＰＤバイアス供給回路７によるバ
イアス電圧の制御で、ＡＰＤＩの増倍率が増加する（ｂ
）。一方、受光レベルがＰａを越えると、ＡＰＤバイア
ス供給回路７が誤差信号増幅器６による制御を受けなく
なり、ＡＰＤｌの増倍率は一定となる（ｂ）。このよう
に、受光レベルがＰａとなるのを境にして、受光レベル
が高い範囲では、可変利得増幅器３によるゲインコント
ロールがなされる一方、受光レベルが低い範囲において
はＡＰＤｌのバイアスコントロールによるＡＰＩ）１の
増倍率制御がなされる結果、レベル検出器４で検出した
ピーク検出電圧に段差が生じる（Ｃ）。
即ち、アナログ信号が伝送されてきた場合には、出力端
子１１から出力される信号の振幅が、受光レベルがＰａ
となる点を境に、大きく変化することを意味し、正常な
受信信号が得られない。また、ディジタル信号が伝送さ
れてきた場合には、後段の回路にて振幅を基準として識
別を行わんとしても、識別レベルが変動し、適切な識別
が困難である。また、受光レベルが低い範囲では、ＡＰ
Ｄｌの増倍率制御が行われるため、光信号が断となった
場合、ＡＰＤＩのバイアス電圧がＡＰＤｌのブレークダ
ウン電圧となり、ＡＰＤｌの雑音電流が増倍され、ピー
ク検出電圧は光信号を受信しているときと変らなくなる
。従って、ピーク検出電圧を監視することによっては、
光信号の断を検出できないという不具合を生じる。
子１１から出力される信号の振幅が、受光レベルがＰａ
となる点を境に、大きく変化することを意味し、正常な
受信信号が得られない。また、ディジタル信号が伝送さ
れてきた場合には、後段の回路にて振幅を基準として識
別を行わんとしても、識別レベルが変動し、適切な識別
が困難である。また、受光レベルが低い範囲では、ＡＰ
Ｄｌの増倍率制御が行われるため、光信号が断となった
場合、ＡＰＤＩのバイアス電圧がＡＰＤｌのブレークダ
ウン電圧となり、ＡＰＤｌの雑音電流が増倍され、ピー
ク検出電圧は光信号を受信しているときと変らなくなる
。従って、ピーク検出電圧を監視することによっては、
光信号の断を検出できないという不具合を生じる。
（発明が解決しようとする問題点）
上記のように、従来の光受信ＡＧＣｇＡ置によると、受
光レベルが所定値となる点を基準として、電気的ＡＧＣ
とＡＰＤの増倍率制御とが切換的に行われるため、可変
利得増幅器の出力のピーク検出電圧に段差が生じ、アナ
ログ信号が伝送されると、振幅の変動のため正常な受信
信号を得ることができず、ディジタル信号が伝送される
と、識別レベルを変化させる必要があり、正しい信号を
得ることが困難であった。また、受光レベルの低い範囲
では、ＡＰＤのバイアス電圧がブレークダウン電圧とな
り、雑音電流の増倍のため、ピーク検出電圧によっては
、光信号の断を検出できないという問題があった。本発
明は、このような従来の光受信ＡＧＣ装置の欠点に鑑み
なされたもので、その目的は、ＡＧＣが動作する範囲で
は、受信レベルの変化にかかわらず、ピーク検出電圧の
変動をほとんど無くするとともに、光信号が断となった
場合には、ピーク検出電圧の低下により、光信号の断を
的確に検出することの可能な光受信ＡＧＣ装置を提供す
ることである。
光レベルが所定値となる点を基準として、電気的ＡＧＣ
とＡＰＤの増倍率制御とが切換的に行われるため、可変
利得増幅器の出力のピーク検出電圧に段差が生じ、アナ
ログ信号が伝送されると、振幅の変動のため正常な受信
信号を得ることができず、ディジタル信号が伝送される
と、識別レベルを変化させる必要があり、正しい信号を
得ることが困難であった。また、受光レベルの低い範囲
では、ＡＰＤのバイアス電圧がブレークダウン電圧とな
り、雑音電流の増倍のため、ピーク検出電圧によっては
、光信号の断を検出できないという問題があった。本発
明は、このような従来の光受信ＡＧＣ装置の欠点に鑑み
なされたもので、その目的は、ＡＧＣが動作する範囲で
は、受信レベルの変化にかかわらず、ピーク検出電圧の
変動をほとんど無くするとともに、光信号が断となった
場合には、ピーク検出電圧の低下により、光信号の断を
的確に検出することの可能な光受信ＡＧＣ装置を提供す
ることである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明では、光電変換素子と、この光電変換素子により
得られた電気信号を増幅する可変利得増幅器と、この可
変利得増幅器の出力信号に基づいて制御電圧７！ｉ−得
て前記可変利得増幅器の利得制御を行う増幅器制御手段
と、前記制御電圧に基づき第１の電圧と第２の電圧とを
切換えて前記光電変換素子のバイアス電圧として与える
バイアス制御手段とを具備させて光受信ＡＧＣ装置を構
成したものである。
得られた電気信号を増幅する可変利得増幅器と、この可
変利得増幅器の出力信号に基づいて制御電圧７！ｉ−得
て前記可変利得増幅器の利得制御を行う増幅器制御手段
と、前記制御電圧に基づき第１の電圧と第２の電圧とを
切換えて前記光電変換素子のバイアス電圧として与える
バイアス制御手段とを具備させて光受信ＡＧＣ装置を構
成したものである。
（作用）
上記構成の光受信ＡＧＣ装置では、制御電圧が所定とな
ったとき−即ち、受光レベルが所定となったとき−に、
ＡＰＤのバイアス電圧を、２段階で切換えることにより
、その分、可変利得増幅器の制御電圧が変動して、この
可変利得増幅器によるゲインコントロールが可能な範囲
広がり、ゲインコントロールがなされる。
ったとき−即ち、受光レベルが所定となったとき−に、
ＡＰＤのバイアス電圧を、２段階で切換えることにより
、その分、可変利得増幅器の制御電圧が変動して、この
可変利得増幅器によるゲインコントロールが可能な範囲
広がり、ゲインコントロールがなされる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
１図は本発明の一実施例のブロック図である。同図にお
いて、第３図と同一の構成要素には、同一の符号を付し
、その説明を省略する。
１図は本発明の一実施例のブロック図である。同図にお
いて、第３図と同一の構成要素には、同一の符号を付し
、その説明を省略する。
この実施例では、誤差信号増幅器５の出力を、ヒステリ
シスコンパレータ１０に与えている。ヒステリシスコン
パレータ１０は、誤差信号増幅器５の出カー即ち、可変
利得増幅器３の制御電圧−が高いレベルから低い方へ遷
移してゆき、Ｖｃ （第２図（ｄ））となると、第２
の出力レベルの信号をＡＰＤバイアス供給回路７へ出力
する。これにより、ＡＰＤバイアス供給回路７は、ＡＰ
ＤＩの増倍率がｙｄＢ （第２図（ｂ））となるように
、第２の電圧をバイアス電圧としてＡＰＤＩに与える。
シスコンパレータ１０に与えている。ヒステリシスコン
パレータ１０は、誤差信号増幅器５の出カー即ち、可変
利得増幅器３の制御電圧−が高いレベルから低い方へ遷
移してゆき、Ｖｃ （第２図（ｄ））となると、第２
の出力レベルの信号をＡＰＤバイアス供給回路７へ出力
する。これにより、ＡＰＤバイアス供給回路７は、ＡＰ
ＤＩの増倍率がｙｄＢ （第２図（ｂ））となるように
、第２の電圧をバイアス電圧としてＡＰＤＩに与える。
一方、可変利得増幅器３の制御電圧が、低いレベルから
高い方へ遷移してゆき、■ｂ （第２図（ｄ））となる
と、ヒステリシスコンパレータ１０は、第１の出力レベ
ルの信号をＡＰＤバイアス供給回路７へ出力する。これ
により、ＡＰＤバイアス供給回路７はＡＰＤｌの増倍率
がｙｄＢ（第２図（ｂ））となるように、第１の電圧を
バイアス電圧としてＡＰＤＩに与える。かかるＡＰＤバ
イアス供給回路７の動作によって、ＡＰＤｌの増倍率が
第２図（ｂ）に示す如く変化するが、可変利得増幅器３
、レベル検出器４、誤差信号増幅器５のループの制御に
より可変利得増幅器３のゲインが第２図（ａ＞に示すよ
うに、ＡＰＤｌの増倍率の変化を補負するように（大き
さは同じで、変化の方向を逆にして）構成されている。
高い方へ遷移してゆき、■ｂ （第２図（ｄ））となる
と、ヒステリシスコンパレータ１０は、第１の出力レベ
ルの信号をＡＰＤバイアス供給回路７へ出力する。これ
により、ＡＰＤバイアス供給回路７はＡＰＤｌの増倍率
がｙｄＢ（第２図（ｂ））となるように、第１の電圧を
バイアス電圧としてＡＰＤＩに与える。かかるＡＰＤバ
イアス供給回路７の動作によって、ＡＰＤｌの増倍率が
第２図（ｂ）に示す如く変化するが、可変利得増幅器３
、レベル検出器４、誤差信号増幅器５のループの制御に
より可変利得増幅器３のゲインが第２図（ａ＞に示すよ
うに、ＡＰＤｌの増倍率の変化を補負するように（大き
さは同じで、変化の方向を逆にして）構成されている。
以上のように構成された光受信ＡＧＣ装置の動作を、第
２図を参照して説明する。先ず、受光レベルが高い範囲
においては、ヒステリシスコンパレータ１０からは第２
の出力レベルの信号が出力されるから、ＡＰＤバイアス
供給回路７からは第２の電圧がバイアス電圧として出力
され、ＡＰＤｌの増倍率はＶｄＢとなっている。＊光レ
ベルが下降するに従って、可変利得増幅器３の制御電圧
は第２図（ｄ＞のＵの如く変化する。そして、受光レベ
ルがＰｂとなり制御電圧が■ｂまで上昇すると、ヒステ
リシスコンパレータ１０が第１の出力レベルの信号を出
力し、これによって、ＡＰＤバイアス供給回路７が第１
の電圧をバイアス電圧として出力する。これにより、Ａ
ＰＤｌの増倍率は、ｙｄａからｙｄＢへ変化しく第２図
（ｂ））、レベル検出器４によるピーク検出電圧の上昇
により制御電圧が■８となり（第２図（ｄ））、可変利
得増幅器３のゲインが１χ−ｙｌｄＢ低下する。（第２
図（ａ））。これ以後、受光レベルが下降することによ
り制御電圧が第２図（ｄ＞のＤの如く変化し、対応して
可変利得増幅器３のゲインが第２図（ａ）のように変化
する。一方、受光レベルが低い範囲においては、ヒステ
リシスコンパレータ１０からは第１の出力レベルの信号
が出力されるから、ＡＰＤバイアス供給回路７からは第
１の電圧がバイアス電圧として出力され、ＡＰＤｌの増
倍率はｙｄＢとなっている。受光レベルが上昇するに従
って、可変利得増幅器３の制御電圧が第２図（ｄ）のＤ
の如く変化する。そして、受光レベルがＰ。
２図を参照して説明する。先ず、受光レベルが高い範囲
においては、ヒステリシスコンパレータ１０からは第２
の出力レベルの信号が出力されるから、ＡＰＤバイアス
供給回路７からは第２の電圧がバイアス電圧として出力
され、ＡＰＤｌの増倍率はＶｄＢとなっている。＊光レ
ベルが下降するに従って、可変利得増幅器３の制御電圧
は第２図（ｄ＞のＵの如く変化する。そして、受光レベ
ルがＰｂとなり制御電圧が■ｂまで上昇すると、ヒステ
リシスコンパレータ１０が第１の出力レベルの信号を出
力し、これによって、ＡＰＤバイアス供給回路７が第１
の電圧をバイアス電圧として出力する。これにより、Ａ
ＰＤｌの増倍率は、ｙｄａからｙｄＢへ変化しく第２図
（ｂ））、レベル検出器４によるピーク検出電圧の上昇
により制御電圧が■８となり（第２図（ｄ））、可変利
得増幅器３のゲインが１χ−ｙｌｄＢ低下する。（第２
図（ａ））。これ以後、受光レベルが下降することによ
り制御電圧が第２図（ｄ＞のＤの如く変化し、対応して
可変利得増幅器３のゲインが第２図（ａ）のように変化
する。一方、受光レベルが低い範囲においては、ヒステ
リシスコンパレータ１０からは第１の出力レベルの信号
が出力されるから、ＡＰＤバイアス供給回路７からは第
１の電圧がバイアス電圧として出力され、ＡＰＤｌの増
倍率はｙｄＢとなっている。受光レベルが上昇するに従
って、可変利得増幅器３の制御電圧が第２図（ｄ）のＤ
の如く変化する。そして、受光レベルがＰ。
となり、制御電圧がｖｃまで下降すると、ヒステリシス
コンパレータ１０が第２の出力レベルの信号を出力し、
これによって、ＡＰＤバイアス供給回路７が第２の電圧
をバイアス電圧として出力する。
コンパレータ１０が第２の出力レベルの信号を出力し、
これによって、ＡＰＤバイアス供給回路７が第２の電圧
をバイアス電圧として出力する。
これにより、ＡＰＤｌの増倍率は、ｙｄＢからｙｄＢへ
変化しく第２図（ｂ））、レベル検出器４によるピーク
検出電圧の下降により、制御電圧がＶｄとなり（第２図
（ｄ））可変利得増幅器３のゲインがＩ ｚ−ｙ Ｉ
ｄＢ上昇する（第２図（ａ））。
変化しく第２図（ｂ））、レベル検出器４によるピーク
検出電圧の下降により、制御電圧がＶｄとなり（第２図
（ｄ））可変利得増幅器３のゲインがＩ ｚ−ｙ Ｉ
ｄＢ上昇する（第２図（ａ））。
これ以後、受光レベルが上昇することにより、制御電圧
が第２図（ｄ）のＵの如く変化し、対応して、可変利得
増幅器３のゲインが第２図（ａ）の如く変化する。
が第２図（ｄ）のＵの如く変化し、対応して、可変利得
増幅器３のゲインが第２図（ａ）の如く変化する。
このように本実施例では、受光レベルが低下してＰ、と
なったとき、ＡＰＤｌの増倍率が上昇されその上昇分だ
け可変利得増幅器３のゲインが下降し、その制ＶＡＮ圧
の曲線が第２図（ｄ＞のＤに移るから、それ以後の受光
レベルの低下によっても、受光レベルがＰｂとなる前と
同様可変利得増幅器３のゲイン制御により一元的なゲイ
ンの制御がなされ、かつ、逆に受信レベルが上昇してＰ
。
なったとき、ＡＰＤｌの増倍率が上昇されその上昇分だ
け可変利得増幅器３のゲインが下降し、その制ＶＡＮ圧
の曲線が第２図（ｄ＞のＤに移るから、それ以後の受光
レベルの低下によっても、受光レベルがＰｂとなる前と
同様可変利得増幅器３のゲイン制御により一元的なゲイ
ンの制御がなされ、かつ、逆に受信レベルが上昇してＰ
。
となったとき、ＡＰＤｌの増倍率が下降し、その下降力
だけ可変利得増幅器３のゲインが上昇し、その制御電圧
の曲線が第２図＜ｄ）のりに移るから、それ以後の受光
レベルの上昇によっても、受光レベルがＰ。どなる前と
同様、可変利得増幅器３のゲイン制御により一元的なゲ
インの制御がなされる。このため、ピーク検出電圧は偏
差が少なく、第２図（Ｃ）の如く変化する。ここに、特
性のわずかな傾きは、ＡＧＣの圧縮残差によるものであ
る。
だけ可変利得増幅器３のゲインが上昇し、その制御電圧
の曲線が第２図＜ｄ）のりに移るから、それ以後の受光
レベルの上昇によっても、受光レベルがＰ。どなる前と
同様、可変利得増幅器３のゲイン制御により一元的なゲ
インの制御がなされる。このため、ピーク検出電圧は偏
差が少なく、第２図（Ｃ）の如く変化する。ここに、特
性のわずかな傾きは、ＡＧＣの圧縮残差によるものであ
る。
ところで、受光レベルが、可変利得増幅器３のゲイン上
昇の限界を越えて低下したときには（第２図（ａ）の特
性曲線がフラットな領域に入ったときには）、ＡＰＤｌ
の増倍率が一定でおる（第２図（ｂ））ことから、受光
レベルの低下とともにピーク検出電圧が低下する。従っ
て、このピーク検出電圧（第２図（Ｃ））を監視するこ
とにより、光信号の断を検出できる。
昇の限界を越えて低下したときには（第２図（ａ）の特
性曲線がフラットな領域に入ったときには）、ＡＰＤｌ
の増倍率が一定でおる（第２図（ｂ））ことから、受光
レベルの低下とともにピーク検出電圧が低下する。従っ
て、このピーク検出電圧（第２図（Ｃ））を監視するこ
とにより、光信号の断を検出できる。
上記のように、本実施例では、レベル検出器４、誤差信
号増幅器５、基準電圧８は、可変利得増幅器３の出力信
号に基づいて制御電圧Ｓ−得て上記可変利得増幅器３の
利得制御を行う増幅器制御手段１００として機能し、ヒ
ステリシスコンパレータ１０と、ＡＰＤバイアス供給回
路７とは、上記制御電圧に基づいて第１の電圧と第２の
電圧とを切換えてＡＰＤｌのバイアス電圧として与える
バイアス制御手段２００として渫能する。
号増幅器５、基準電圧８は、可変利得増幅器３の出力信
号に基づいて制御電圧Ｓ−得て上記可変利得増幅器３の
利得制御を行う増幅器制御手段１００として機能し、ヒ
ステリシスコンパレータ１０と、ＡＰＤバイアス供給回
路７とは、上記制御電圧に基づいて第１の電圧と第２の
電圧とを切換えてＡＰＤｌのバイアス電圧として与える
バイアス制御手段２００として渫能する。
かくして、本実施例では、ＡＰＤＩの増倍率をヒステリ
シスを持たせて切換え、かつ、この切換え時にＡＰＤＩ
の増倍率に応じた可変利得増幅器３のゲインの変動が、
逆方向に同じ大きざで生じるので、ＡＧＣ制御の切換時
にピーク検出電圧に段差が生じることなく、良好な圧縮
特性が得られ、出力レベルは受光レベルの変動に対し、
はぼ一定となる。
シスを持たせて切換え、かつ、この切換え時にＡＰＤＩ
の増倍率に応じた可変利得増幅器３のゲインの変動が、
逆方向に同じ大きざで生じるので、ＡＧＣ制御の切換時
にピーク検出電圧に段差が生じることなく、良好な圧縮
特性が得られ、出力レベルは受光レベルの変動に対し、
はぼ一定となる。
ところで、ＡＰＤの増倍率が受信Ｓ／Ｎに関係を持ち、
受光レベルが高い範囲では最適増倍率が低く、受光レベ
ルが低い範囲では最適増倍率が高いことが知られている
。従って、ＡＰＤｌのバイアス電圧の切換えによって生
じるＡＰＤｌの高い方の増倍率χｄＢを、最小受光レベ
ルでＳ／Ｎが最適になるように設定し、低い方の増倍率
ｙｄＢを、ＡＧＣの所要ダイナミックレンジを考慮する
とともに、高受光レベル領域でＳ／Ｎが良好となるよう
に設定するようにすると、全受光レベルの範囲において
、はぼ最適に近いＳ／Ｎを実現することが可能である。
受光レベルが高い範囲では最適増倍率が低く、受光レベ
ルが低い範囲では最適増倍率が高いことが知られている
。従って、ＡＰＤｌのバイアス電圧の切換えによって生
じるＡＰＤｌの高い方の増倍率χｄＢを、最小受光レベ
ルでＳ／Ｎが最適になるように設定し、低い方の増倍率
ｙｄＢを、ＡＧＣの所要ダイナミックレンジを考慮する
とともに、高受光レベル領域でＳ／Ｎが良好となるよう
に設定するようにすると、全受光レベルの範囲において
、はぼ最適に近いＳ／Ｎを実現することが可能である。
尚、本実施例では、ヒステリシスコンパレータ１０を用
いたが、上述したバイアス制御手段２００の機能を持つ
構成ならば、他の回路によっても良い。
いたが、上述したバイアス制御手段２００の機能を持つ
構成ならば、他の回路によっても良い。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、可変利得増幅器の
制御電圧が所定となったときに、光電変換素子のバイア
ス電圧が、２段階で切換えられ、可変利得増幅器のゲイ
ンが対応して逆方向に変動するから、この可変利得増幅
器でゲインコントロール可能な範囲が広がり、受信レベ
ルの変化にかかわらず、ピーク電圧の変動をほとんど無
くすとともに、光信号が断となった場合には、ＡＧＣｔ
！能の停止により、ピーク検出電圧が低下するから受信
光信号の断を的確に検出できる。
制御電圧が所定となったときに、光電変換素子のバイア
ス電圧が、２段階で切換えられ、可変利得増幅器のゲイ
ンが対応して逆方向に変動するから、この可変利得増幅
器でゲインコントロール可能な範囲が広がり、受信レベ
ルの変化にかかわらず、ピーク電圧の変動をほとんど無
くすとともに、光信号が断となった場合には、ＡＧＣｔ
！能の停止により、ピーク検出電圧が低下するから受信
光信号の断を的確に検出できる。
第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図は第１
図の実施例の動作を説明するための各部の特性を示す図
、第３図は従来の光受信ＡＧＣ装置のブロック図、第４
図は第３図の動作を説明するための各部の特性を示す図
である。 １・・・ＡＰＤ ２・・・前置増幅器訃・
・可変利得増幅器 ４・・・レベル検出器５．６・・
・誤差信号増幅器 ７・・・ＡＰＤバイアス供給回路 ８，９・・・基準電圧 １０・・・ヒステリシスコンパレータ １００・・・増幅器制御手段 ２００・・・バイアス制御手段 代理人 弁理士 本 １） 崇 第１図 第３図 ９ｆｆｉＬへ咲ｄ外−一→ 第２図 受註へＪぼｄＢ）−− 第４図
図の実施例の動作を説明するための各部の特性を示す図
、第３図は従来の光受信ＡＧＣ装置のブロック図、第４
図は第３図の動作を説明するための各部の特性を示す図
である。 １・・・ＡＰＤ ２・・・前置増幅器訃・
・可変利得増幅器 ４・・・レベル検出器５．６・・
・誤差信号増幅器 ７・・・ＡＰＤバイアス供給回路 ８，９・・・基準電圧 １０・・・ヒステリシスコンパレータ １００・・・増幅器制御手段 ２００・・・バイアス制御手段 代理人 弁理士 本 １） 崇 第１図 第３図 ９ｆｆｉＬへ咲ｄ外−一→ 第２図 受註へＪぼｄＢ）−− 第４図
Claims (1)
- 光電変換素子と、この光電変換素子により得られた電気
信号を増幅する可変利得増幅器と、この可変利得増幅器
の出力信号に基づいて制御電圧を得て前記可変利得増幅
器の利得制御を行う増幅器制御手段と、前記制御電圧に
基づき第１の電圧と第２の電圧とを切換えて前記光電変
換素子のバイアス電圧として与えるバイアス制御手段と
を具備したことを特徴とする光受信ＡＧＣ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62010429A JP2693427B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 光受信ａｇｃ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62010429A JP2693427B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 光受信ａｇｃ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63178633A true JPS63178633A (ja) | 1988-07-22 |
| JP2693427B2 JP2693427B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=11749911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62010429A Expired - Fee Related JP2693427B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 光受信ａｇｃ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2693427B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009060203A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Nec Corp | 光受信信号断検出回路及び光受信信号断検出方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102506438B1 (ko) | 2017-07-06 | 2023-03-06 | 삼성전자주식회사 | 거리 측정 장치 및 그 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016776A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転ヘツド型磁気録画再生装置 |
| JPS61177832A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光受信装置の自動利得制御方式 |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP62010429A patent/JP2693427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016776A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転ヘツド型磁気録画再生装置 |
| JPS61177832A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光受信装置の自動利得制御方式 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009060203A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Nec Corp | 光受信信号断検出回路及び光受信信号断検出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2693427B2 (ja) | 1997-12-24 |
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