JPS63182814A - プラズマｃｖｄ用ウエ−ハ載置ボ−トおよびこれを利用するウエ−ハ上の薄膜生成方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ用ウエ−ハ載置ボ−トおよびこれを利用するウエ−ハ上の薄膜生成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の技術分！ｌ！Ｆ ）
本発明は、平行に上下に対向配置され各上面が水平であ
る少なくとも２枚の導電材プレートから成るプラズマＣ
Ｖ Ｄ用つェーへ載ｒボートおよびこれを利用して膜；
７均一の薄膜を半導体ウェーハ上に生成する方法に閏す
る。 〔従来の技術とその問題点〕 従来、ρｉ周波放電を（り用してシリ：Ｉンまたはガリ
ウムヒ素ウェーハ上にアモルファス窒化膜などをプラズ
マ化学気相成長（Ｐ Ｅ ＣＶＤ）させる工程において
、ウェーハを装着支持するボートとして多数のＪｉｌ直
方肉方向−ボンプレー１・を平行間隔で横方向に対向配
置して構成したボートがある。これは、対向するカーボ
ンプレート間に高周波電圧を印加しカーボンプレート間
の空間に高周波電界を形成して、これにより上記のよう
な薄膜（デボ膜）を成長させるガス成分を電離させ、ウ
ェーハ表面上に付着堆積させるものである。 このような従来のウェーハ装着ボートには以「のような
欠点が認められる。その第１は、ウェーハ上に成長され
るデボ膜の膜厚が均一でないことである。この不均一性
は、異なるウェーハの間の膜厚を問題とするウェーハ間
均一性と１枚のウェーハ上のウェーハ面内均一性との両
方に現れるが、特にウェーハ面内の不均一性が顕著であ
る。 第２の欠点は、ウェーハを装着する際にウェーハを支持
するピンとの衝突によってウェーハの損傷等を引き起こ
すことである。この欠点は、自重の大きい６インチや８
インチのウェーハにおいて特に顕著であり、また非番に
脆いガリウムヒ素ウェーへの場合に深刻である。 このような従来の問題点のうち、第１の膜厚不均一性が
特に重大なものである。その主たる原因の１つと考えら
れるものは、ウェーハを鉛直方向に支持するためのピン
の存在である０通常、このビンはカーボンまたはセラミ
ックで作られるが、カーボンプレート間の電界中におい
て特異な点をなし、本来カーボンプレート間で一様とな
るべき電界がピンの近端において乱れてしまう、このた
め、ビンの付近においてウェーハ上への膜成長が一様で
なくなり、膜厚に不均一が生じる。膜１°１不均−性の
主たる原因の°２つめは、ウェーハが鉛直方向に支持さ
れていることである。ウェーハの！ｔＵｔを実際に支持
しているのはビンであり、カーボンプレー１・はウェー
ハを傾がないように側面から単に接触しているにすぎな
い、このため、ウェーハは必ずしもカーボンプレート面
と完全な平行関係になく、通常ウェーハ裏面はカーボン
プレート面に対し多少傾斜することになる。この結果、
ウェーハ表面付近において電界の不均一が生ずる。
る少なくとも２枚の導電材プレートから成るプラズマＣ
Ｖ Ｄ用つェーへ載ｒボートおよびこれを利用して膜；
７均一の薄膜を半導体ウェーハ上に生成する方法に閏す
る。 〔従来の技術とその問題点〕 従来、ρｉ周波放電を（り用してシリ：Ｉンまたはガリ
ウムヒ素ウェーハ上にアモルファス窒化膜などをプラズ
マ化学気相成長（Ｐ Ｅ ＣＶＤ）させる工程において
、ウェーハを装着支持するボートとして多数のＪｉｌ直
方肉方向−ボンプレー１・を平行間隔で横方向に対向配
置して構成したボートがある。これは、対向するカーボ
ンプレート間に高周波電圧を印加しカーボンプレート間
の空間に高周波電界を形成して、これにより上記のよう
な薄膜（デボ膜）を成長させるガス成分を電離させ、ウ
ェーハ表面上に付着堆積させるものである。 このような従来のウェーハ装着ボートには以「のような
欠点が認められる。その第１は、ウェーハ上に成長され
るデボ膜の膜厚が均一でないことである。この不均一性
は、異なるウェーハの間の膜厚を問題とするウェーハ間
均一性と１枚のウェーハ上のウェーハ面内均一性との両
方に現れるが、特にウェーハ面内の不均一性が顕著であ
る。 第２の欠点は、ウェーハを装着する際にウェーハを支持
するピンとの衝突によってウェーハの損傷等を引き起こ
すことである。この欠点は、自重の大きい６インチや８
インチのウェーハにおいて特に顕著であり、また非番に
脆いガリウムヒ素ウェーへの場合に深刻である。 このような従来の問題点のうち、第１の膜厚不均一性が
特に重大なものである。その主たる原因の１つと考えら
れるものは、ウェーハを鉛直方向に支持するためのピン
の存在である０通常、このビンはカーボンまたはセラミ
ックで作られるが、カーボンプレート間の電界中におい
て特異な点をなし、本来カーボンプレート間で一様とな
るべき電界がピンの近端において乱れてしまう、このた
め、ビンの付近においてウェーハ上への膜成長が一様で
なくなり、膜厚に不均一が生じる。膜１°１不均−性の
主たる原因の°２つめは、ウェーハが鉛直方向に支持さ
れていることである。ウェーハの！ｔＵｔを実際に支持
しているのはビンであり、カーボンプレー１・はウェー
ハを傾がないように側面から単に接触しているにすぎな
い、このため、ウェーハは必ずしもカーボンプレート面
と完全な平行関係になく、通常ウェーハ裏面はカーボン
プレート面に対し多少傾斜することになる。この結果、
ウェーハ表面付近において電界の不均一が生ずる。
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、その目的とするところは、半導体ウェーハ上
に生成されるデボ膜の面内均一性およびウェーハ間カー
性を向」−さぜうるウェーハ載置ボートを提供すること
である。 本発明の他の目的は、上記のようなウェーハｉｋｌ！
’１１ボートを利用して、半導体ウェーハ上に膜Ｊソ均
一な薄１１つ１を生成する方法を提供することである。 〔発明の概要〕 上記目的を達成するため本発明は、半導体ウェーハを載
：庁するためのカーボンプレー１・を水平に配置するこ
とにより、ウェーハ支持ピンの必要性を除去しかつウェ
ーハとカーボングレートとの密着性を高めたものである
。 またウェーハを装着する際にビンと衝突するようなこと
はなく、ウェーハの損傷等の危険性がない、さらに、カ
ーボンプレー１・」二面に円形凹部を設けてその中にウ
ェーハを収納することにより、カーボンプレート上面に
起伏が無くなり、プレート間の電界の一様性が一；キし
く向上する０以上よりデボ膜の膜厚均一性が改善される
。 〔発明の実施例〕 次に図面を参照して本発明の実施例に−）いて説明する
。まず第１図は、本発明に係るウェーハ載置ボートの導
電材プレートの一実施例の斜視図である。全体をｎ′；
４１で示す本発明のプレートは、カーボン、ステンレス
、ニッケルまたはアルミニウムなどの導電材で作ること
ができ、カーボンが最も好ましい。 プレート１は図示のように細長い形状とし、上面２が水
平に配置されるべきである。プレート１の上面２に！ｌ
’ ７’ｉ体ウェーハＷを収納４−るための円形凹部３
を長手方向に複数個設ける。第１図においては、凹部３
を５個しか設けていないが、実際は処理量を上げるため
にもっと個数を増すべきである。実験例においては、１
＝９０ｅ鴎、Ｉ）＝ｌＯｃｍ、ｂ＝０．５ｃｍのプレー
トの上面に３インチウェーハ用の円形凹部を１０個設け
た。その渇きの円形凹部３の径は７．６〜７．７ｃｍ程
度であり、ウェーハの径と同等かそれよりもわずかに大
きくする０円形口部３の深さは、ウェーハのＪｖさとほ
ぼ同じくらいにする。各円形凹部の両側に図示のように
溝４を設ける。これにより、収納載置されているウェー
ハの端部をビンセラ１〜等の把持手段によって把持する
ことが可能となり、ウェーハを自由に載置・取出しをす
ることができる。溝４は、円形凹部３の片側のみに設け
てもよい、消４は、プレート１の外縁から凹部外周を通
ってさらに円形凹部３の中にまで伸びている。涌４の深
さは、円形凹部３の深さよりも深くする必要がある。実
験例においては、円形凹部３の深さを０．５１とし、講
４の深さを１．（１ｍｍ、講４の幅を１５ｍｍとした０
本発明は、上記寸法に限定されるわけではない。 第２図に、本発明に係るウェーハ載置ボート８の正面図
を示す０図中１０．１１，１２゜および１３は、第１図
のル−ト１と同様なプレートであり、各プレートの上面
にウェーハを複数枚載置することが可能である。各プレ
ートの」二面がほぼ水平になるように配置すべきである
。最上段のプレート９の上面は、ウェーハを載置しない
ので、円形凹部３や）１４４を設ける必要がなく、ただ
の平坦なカーボンプレー１・でよい、これらプレート９
、１０ 。 １．１，１２．および１３は、互いに所定間隔をおいて
平行関係にあり、上下に対向するように配置する。プレ
ートを所定位置に保持するために、複数の支社１５が用
いられている。 第１の電極１７が、最上プレート９から数えて６１数枚
目の各プレート 、すなわちプレート９．１１．１３に
接続されている。一方、第２の電極１８が、ｇＡ数枚１
１の各プレート、すなわちプレート１０．１２に接続さ
れている。 このように接続したことによって、各プレートは隣り合
うプレートと必ず逆極性になる。 第１の電極１７と第２の電極１８との間に高周波電圧を
印加すると、各プレート９ 、１０ 。 ・〈ぎ−ヅ１． １１．３２・、１３の間に高周波電界が発生する。 ウェーハ載置ボート８を第３図に略示するように反応管
２】内に水平に挿入して、プラズマ気相成長装置に、お
いて利用することができる。ウェーハａｇｌｒボート°
は；第４図に示すように反応管２１内において水平方向
に配置される。 ・ ″ −１い゛第
３図において、ウェーハ載置ボート８は適宜反応管２】
内に出入ｉｉ１能に挿置される。 反応管２１の一端は４′！空ポンプ２３に適宜接続され
、反応管２１の外周には電熱ヒータなどの加熱体２２が
配置される０反応管２２の他端は開田ドア２４を介して
反応ガスソース２５に接続される。ＲＦは高周波電源で
ある。 高周波電源ＲＩ？は、第４図に略示するように、第１の
電ｔｆ＋１７および第２の電極１８に接続され、対向プ
レート間に高周波電圧を印加する。 第３図のプラズマ気相成長装置の作用について説明する
。まず、ウェーハ載置ボート８？）開昭６３−１８２８
１４（４） を反応管２１外に引き出して各プレート Ｌ Ｏ〜１３
の上面の各凹部３にビンセットを用いてウェーハを横か
ら挿入してＱ 面した後、この載置ボート８を再び反応
管内部に導入し、ドア２４を気密にｉｌｌじ、真空ポン
プ２３により反応管内部を所定の減圧にする。その後、
反応ガスソース２５より後述する非晶質薄膜を生成する
のに必要な反応ガスを一定員反応管内に供給し、続いて
高周波電源Ｉｔ Ｉ”より高周波電圧を印加すると、ウ
ェーハ載置ボート８の相対向しているプレート間でプラ
ズマ放電が形成され、さらに外部の加熱体２２により与
えられる熱の作用と相俟ってウェーハの表面上に所望の
薄膜（デボ膜）が均−ｌ〃で純度の高い高品質のものと
して生成される。 この気相成長装置でシリコンまたはガリウムヒ素等の半
導体ウェーハ上に生成され（−）るデボ膜としては、非
晶質の窒化膜（ＳｉＪ４など５ｉｘＮｙ）、５ｉＯＸＪ
！！（ＳｉＯｚなど）、シリコン膜、ポリシリコン膜等
々がある。 本発明によれば、ウェーハを水平に配置することができ
るため、ウェーハ支持ピンを不要とし、プレート間の電
界の乱れが少なくなる。さらに、導電材プレート上面に
円形凹部を設けてその中に半導体ウェーハを収納するこ
とにしたため、プレート上面がほぼ平坦になるので、電
界を一層一様にすることができる。円形凹部の深さは、
ウェーハの厚さと同程度にするが、これより多少深くて
も浅くてもよい、また、ウェーハを水平にプレート」−
にｕ＋ｑするので、ウェーハｉ−面とプレート凹部面と
が密着して傾きが生ぜず、電界の一様性を乱さない、以
」−のように、本発明によれば電界の一様性が保障され
るので、半導体ウェーハ上のデボ膜の膜厚の均一性が著
しく向上するという効果が得られる。さらに、ウェーハ
載置の際に衝撃を伴わないので、ウェーハの損傷等を防
ぐという効果もある。 このような本発明の効果を実証するため、従来の支持ピ
ン付き鉛直型ボートと、本発明に係る水平ウェーハ１ｌ
ｉｉｔボートとをそれぞれ利用したプラズマＣＶＤｇ装
置によってウェーハ上に生成されるデボ膜の面内均一性
とウェーハ間カー性とを調べた結果を表１に示す。 表１ 従来 １８％ １８％ 本発明 １２％ １２％（注１）面内均
一性は、Ｒ＝２インチのＧａＡ＋ｑウェーハ」１に、Ｉ
ｌｑ記第３図のような装置を使って５ｉＸＮ、デボ膜を
気相成長させ、第５図に示ずウェーハＷの 園内にｘ印で示す５ケ所の測定ポイ ント（Ｌ＝５ｍｍ、θ＝９０度）におけるデボ膜の膜厚
を、光学測定器であ るナノスペックまたはエリプソメー タにより測定し、その測定値’１’ ｉを下記（１）、
（２）式に導入して算出した。 八ｖｅ＝（Σ Ｔｉ）１５
（１）ｉ＝１ 均一性（±＄）□（Ｔｍａｘ−Ｔｍ市１）×ｌＯＯ／２
＾ｖｅ（２）４゜ ７ｉ＝各測定ポイントの膜厚 Ｔ彌ａｘ＝最大膜厚 Ｔｍ１ｎ＝最小膜厚 （注２）ウェーへ間カー性は、Ｒ＝２インチのＧａＡＳ
ウェーハ７２枚に、前記第 ３図のような装：す：を使ってＳ ｉ ｘ Ｎ ｙデボ
膜を気相成長させ、各ウェーハ の中心の１点におけるデボ膜の膜ＩＶ を、光学ａｊす定器であるナノスペックまたはエリプソ
メータにより測定し、 その測定値′Ｉ″ｊを下記〈３）、（４）式に導入して
算出した。 均一性（±＄）＝（Ｔｍａｘ−’ｒａｉｎ）×１００／
２＾ｖｅＴｊ＝各ウェーハの中心の膜Ｊ′、（ ＴｌｌＩｎ×−最大Ｉ＋＜！ ＪＷ ’ｒｍ市＋＝Ｊ電ノド膜Ｊ￥ １１面の簡単な１２明 第１図は、本発明に係るウェーハ載置ボートの導電材プ
レートの一実施例の斜視図である。 第２図は、本発明に１系るウェーハ載置ボートの一実施
例の正面図である。 第３図は、本発明に係るウェーハ載；ｎボートを利用す
るグラズマ気相成長′Ａ：す：の概念１４である。 第４図は、第３図における高周波電源と各心電（・４プ
レートとの接続およびウェーハの水平載置を示す概念図
である。 第５図は、本発明により生成された生導体ウェーハ上の
薄膜の試験法を説明する平面図である。 〔主要符号の説明） Ｗ・・・ウェーハ ト・・導電材プレート ２・・上面 ３・・・円形凹部 ４・・・講 ８・・・ウェーハ載；ｒ１：ボート ９・・・最上プレート １０〜１３・・・プレート １５・・・支柱 １７・・・第１の電極 １８・・・第２の電極 ２１・・・反応管 ２２・・・加熱体 ２３・・・真空ポンプ ２４・・・ドア ２５・・・反応ガスソース Ｒｌ”・・・高周波電源 第３ 図 尾４ 図 奉５ 凹 手続補正書 昭和６２年４月８日 特許庁長官 黒 １）明 ｌＩｙ。 １、 事件の表示 昭和６２年 特 許 願 第１
４１５９号２、 発明の名称 プラズマＣＶＤ用ウ
ェーハ載置ボートおよびこれを利用するウェーハ上のＫ
ｍｍ生方方法３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 日本ニー・ニス・エム株式会社４、代理
人
たもので、その目的とするところは、半導体ウェーハ上
に生成されるデボ膜の面内均一性およびウェーハ間カー
性を向」−さぜうるウェーハ載置ボートを提供すること
である。 本発明の他の目的は、上記のようなウェーハｉｋｌ！
’１１ボートを利用して、半導体ウェーハ上に膜Ｊソ均
一な薄１１つ１を生成する方法を提供することである。 〔発明の概要〕 上記目的を達成するため本発明は、半導体ウェーハを載
：庁するためのカーボンプレー１・を水平に配置するこ
とにより、ウェーハ支持ピンの必要性を除去しかつウェ
ーハとカーボングレートとの密着性を高めたものである
。 またウェーハを装着する際にビンと衝突するようなこと
はなく、ウェーハの損傷等の危険性がない、さらに、カ
ーボンプレー１・」二面に円形凹部を設けてその中にウ
ェーハを収納することにより、カーボンプレート上面に
起伏が無くなり、プレート間の電界の一様性が一；キし
く向上する０以上よりデボ膜の膜厚均一性が改善される
。 〔発明の実施例〕 次に図面を参照して本発明の実施例に−）いて説明する
。まず第１図は、本発明に係るウェーハ載置ボートの導
電材プレートの一実施例の斜視図である。全体をｎ′；
４１で示す本発明のプレートは、カーボン、ステンレス
、ニッケルまたはアルミニウムなどの導電材で作ること
ができ、カーボンが最も好ましい。 プレート１は図示のように細長い形状とし、上面２が水
平に配置されるべきである。プレート１の上面２に！ｌ
’ ７’ｉ体ウェーハＷを収納４−るための円形凹部３
を長手方向に複数個設ける。第１図においては、凹部３
を５個しか設けていないが、実際は処理量を上げるため
にもっと個数を増すべきである。実験例においては、１
＝９０ｅ鴎、Ｉ）＝ｌＯｃｍ、ｂ＝０．５ｃｍのプレー
トの上面に３インチウェーハ用の円形凹部を１０個設け
た。その渇きの円形凹部３の径は７．６〜７．７ｃｍ程
度であり、ウェーハの径と同等かそれよりもわずかに大
きくする０円形口部３の深さは、ウェーハのＪｖさとほ
ぼ同じくらいにする。各円形凹部の両側に図示のように
溝４を設ける。これにより、収納載置されているウェー
ハの端部をビンセラ１〜等の把持手段によって把持する
ことが可能となり、ウェーハを自由に載置・取出しをす
ることができる。溝４は、円形凹部３の片側のみに設け
てもよい、消４は、プレート１の外縁から凹部外周を通
ってさらに円形凹部３の中にまで伸びている。涌４の深
さは、円形凹部３の深さよりも深くする必要がある。実
験例においては、円形凹部３の深さを０．５１とし、講
４の深さを１．（１ｍｍ、講４の幅を１５ｍｍとした０
本発明は、上記寸法に限定されるわけではない。 第２図に、本発明に係るウェーハ載置ボート８の正面図
を示す０図中１０．１１，１２゜および１３は、第１図
のル−ト１と同様なプレートであり、各プレートの上面
にウェーハを複数枚載置することが可能である。各プレ
ートの」二面がほぼ水平になるように配置すべきである
。最上段のプレート９の上面は、ウェーハを載置しない
ので、円形凹部３や）１４４を設ける必要がなく、ただ
の平坦なカーボンプレー１・でよい、これらプレート９
、１０ 。 １．１，１２．および１３は、互いに所定間隔をおいて
平行関係にあり、上下に対向するように配置する。プレ
ートを所定位置に保持するために、複数の支社１５が用
いられている。 第１の電極１７が、最上プレート９から数えて６１数枚
目の各プレート 、すなわちプレート９．１１．１３に
接続されている。一方、第２の電極１８が、ｇＡ数枚１
１の各プレート、すなわちプレート１０．１２に接続さ
れている。 このように接続したことによって、各プレートは隣り合
うプレートと必ず逆極性になる。 第１の電極１７と第２の電極１８との間に高周波電圧を
印加すると、各プレート９ 、１０ 。 ・〈ぎ−ヅ１． １１．３２・、１３の間に高周波電界が発生する。 ウェーハ載置ボート８を第３図に略示するように反応管
２】内に水平に挿入して、プラズマ気相成長装置に、お
いて利用することができる。ウェーハａｇｌｒボート°
は；第４図に示すように反応管２１内において水平方向
に配置される。 ・ ″ −１い゛第
３図において、ウェーハ載置ボート８は適宜反応管２】
内に出入ｉｉ１能に挿置される。 反応管２１の一端は４′！空ポンプ２３に適宜接続され
、反応管２１の外周には電熱ヒータなどの加熱体２２が
配置される０反応管２２の他端は開田ドア２４を介して
反応ガスソース２５に接続される。ＲＦは高周波電源で
ある。 高周波電源ＲＩ？は、第４図に略示するように、第１の
電ｔｆ＋１７および第２の電極１８に接続され、対向プ
レート間に高周波電圧を印加する。 第３図のプラズマ気相成長装置の作用について説明する
。まず、ウェーハ載置ボート８？）開昭６３−１８２８
１４（４） を反応管２１外に引き出して各プレート Ｌ Ｏ〜１３
の上面の各凹部３にビンセットを用いてウェーハを横か
ら挿入してＱ 面した後、この載置ボート８を再び反応
管内部に導入し、ドア２４を気密にｉｌｌじ、真空ポン
プ２３により反応管内部を所定の減圧にする。その後、
反応ガスソース２５より後述する非晶質薄膜を生成する
のに必要な反応ガスを一定員反応管内に供給し、続いて
高周波電源Ｉｔ Ｉ”より高周波電圧を印加すると、ウ
ェーハ載置ボート８の相対向しているプレート間でプラ
ズマ放電が形成され、さらに外部の加熱体２２により与
えられる熱の作用と相俟ってウェーハの表面上に所望の
薄膜（デボ膜）が均−ｌ〃で純度の高い高品質のものと
して生成される。 この気相成長装置でシリコンまたはガリウムヒ素等の半
導体ウェーハ上に生成され（−）るデボ膜としては、非
晶質の窒化膜（ＳｉＪ４など５ｉｘＮｙ）、５ｉＯＸＪ
！！（ＳｉＯｚなど）、シリコン膜、ポリシリコン膜等
々がある。 本発明によれば、ウェーハを水平に配置することができ
るため、ウェーハ支持ピンを不要とし、プレート間の電
界の乱れが少なくなる。さらに、導電材プレート上面に
円形凹部を設けてその中に半導体ウェーハを収納するこ
とにしたため、プレート上面がほぼ平坦になるので、電
界を一層一様にすることができる。円形凹部の深さは、
ウェーハの厚さと同程度にするが、これより多少深くて
も浅くてもよい、また、ウェーハを水平にプレート」−
にｕ＋ｑするので、ウェーハｉ−面とプレート凹部面と
が密着して傾きが生ぜず、電界の一様性を乱さない、以
」−のように、本発明によれば電界の一様性が保障され
るので、半導体ウェーハ上のデボ膜の膜厚の均一性が著
しく向上するという効果が得られる。さらに、ウェーハ
載置の際に衝撃を伴わないので、ウェーハの損傷等を防
ぐという効果もある。 このような本発明の効果を実証するため、従来の支持ピ
ン付き鉛直型ボートと、本発明に係る水平ウェーハ１ｌ
ｉｉｔボートとをそれぞれ利用したプラズマＣＶＤｇ装
置によってウェーハ上に生成されるデボ膜の面内均一性
とウェーハ間カー性とを調べた結果を表１に示す。 表１ 従来 １８％ １８％ 本発明 １２％ １２％（注１）面内均
一性は、Ｒ＝２インチのＧａＡ＋ｑウェーハ」１に、Ｉ
ｌｑ記第３図のような装置を使って５ｉＸＮ、デボ膜を
気相成長させ、第５図に示ずウェーハＷの 園内にｘ印で示す５ケ所の測定ポイ ント（Ｌ＝５ｍｍ、θ＝９０度）におけるデボ膜の膜厚
を、光学測定器であ るナノスペックまたはエリプソメー タにより測定し、その測定値’１’ ｉを下記（１）、
（２）式に導入して算出した。 八ｖｅ＝（Σ Ｔｉ）１５
（１）ｉ＝１ 均一性（±＄）□（Ｔｍａｘ−Ｔｍ市１）×ｌＯＯ／２
＾ｖｅ（２）４゜ ７ｉ＝各測定ポイントの膜厚 Ｔ彌ａｘ＝最大膜厚 Ｔｍ１ｎ＝最小膜厚 （注２）ウェーへ間カー性は、Ｒ＝２インチのＧａＡＳ
ウェーハ７２枚に、前記第 ３図のような装：す：を使ってＳ ｉ ｘ Ｎ ｙデボ
膜を気相成長させ、各ウェーハ の中心の１点におけるデボ膜の膜ＩＶ を、光学ａｊす定器であるナノスペックまたはエリプソ
メータにより測定し、 その測定値′Ｉ″ｊを下記〈３）、（４）式に導入して
算出した。 均一性（±＄）＝（Ｔｍａｘ−’ｒａｉｎ）×１００／
２＾ｖｅＴｊ＝各ウェーハの中心の膜Ｊ′、（ ＴｌｌＩｎ×−最大Ｉ＋＜！ ＪＷ ’ｒｍ市＋＝Ｊ電ノド膜Ｊ￥ １１面の簡単な１２明 第１図は、本発明に係るウェーハ載置ボートの導電材プ
レートの一実施例の斜視図である。 第２図は、本発明に１系るウェーハ載置ボートの一実施
例の正面図である。 第３図は、本発明に係るウェーハ載；ｎボートを利用す
るグラズマ気相成長′Ａ：す：の概念１４である。 第４図は、第３図における高周波電源と各心電（・４プ
レートとの接続およびウェーハの水平載置を示す概念図
である。 第５図は、本発明により生成された生導体ウェーハ上の
薄膜の試験法を説明する平面図である。 〔主要符号の説明） Ｗ・・・ウェーハ ト・・導電材プレート ２・・上面 ３・・・円形凹部 ４・・・講 ８・・・ウェーハ載；ｒ１：ボート ９・・・最上プレート １０〜１３・・・プレート １５・・・支柱 １７・・・第１の電極 １８・・・第２の電極 ２１・・・反応管 ２２・・・加熱体 ２３・・・真空ポンプ ２４・・・ドア ２５・・・反応ガスソース Ｒｌ”・・・高周波電源 第３ 図 尾４ 図 奉５ 凹 手続補正書 昭和６２年４月８日 特許庁長官 黒 １）明 ｌＩｙ。 １、 事件の表示 昭和６２年 特 許 願 第１
４１５９号２、 発明の名称 プラズマＣＶＤ用ウ
ェーハ載置ボートおよびこれを利用するウェーハ上のＫ
ｍｍ生方方法３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 日本ニー・ニス・エム株式会社４、代理
人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、互いに所定間隔をおいて平行に上下に対向配置され
、各上面がほぼ水平に配置されるべき、少なくとも２枚
の細長い導電材プレート；ならびに これらの各導電材プレート間に高周波電圧 を印加するための、前記導電材プレートのうち最上プレ
ートから数えて奇数枚目の各プレートに接続された第１
の電極および偶数枚目の各プレートに接続された第２の
電極； から成り、 前記導電材プレートのうち最上プレート以外の各プレー
トの上面において、半導体ウェーハを載置収納するため
の円形凹部を長手方向に複数個設けかつウェーハの載置
・取出しのためのウェーハ把持手段を通行可能とする溝
をそれぞれプレート外縁と各前記凹部外周との間に設け
、前記凹部の径がウェーハ径と同等またはわずかに大き
く、前記凹部の深さはウェーハ厚さとほぼ同様である； ことを特徴とするプラズマＣＶＤ用ウェーハ載置ボート
。 ２、互いに所定間隔をおいて平行に上下に対向配置され
、各上面がほぼ水平に配置されるべき、少なくとも２枚
の細長い導電材プレート、ならびに これらの各導電材プレート間に高周波電圧を印加するた
めの、前記導電材プレートのうち最上プレートから数え
て奇数枚目の各プレートに接続された第１の電極および
偶数枚目の各プレートに接続された第２の電極、 から成り、 前記導電材プレートのうち最上プレート以外の各プレー
トの上面において、半導体ウェーハを載置収納するため
の円形凹部を長手方向に複数個設けかつウェーハの載置
・取出しのためのウェーハ把持手段を通行可能とする溝
をそれぞれプレート外縁と各前記凹部外周との間に設け
、前記凹部の径がウェーハ径と同等またはわずかに大き
く、前記凹部の深さはウェーハ厚さとほぼ同様である、 ことを特徴とするプラズマＣＶＤ用ウェーハ載置ボート
の前記円形凹部に半導体ウェーハを載置し； 該ウェーハ載置ボートを気密性の反応管内に水平配置し
密封して反応管内を減圧し； 該反応管内に反応ガスを導入し； 前記水平配置されたウェーハ載置ボートの前記第１およ
び第２の電極間に高周波電圧を印加して前記各導電材プ
レート間に一様な高周波電界を発生させると共に反応管
を外部から加熱して対向する前記プレート間に安定一様
なプラズマ放電を維持させ； 以って載置した半導体ウェーハ表面に膜厚均一の非晶質
薄膜を生成させることを特徴とするウェーハ上への薄膜
生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1415987A JPS63182814A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | プラズマｃｖｄ用ウエ−ハ載置ボ−トおよびこれを利用するウエ−ハ上の薄膜生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1415987A JPS63182814A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | プラズマｃｖｄ用ウエ−ハ載置ボ−トおよびこれを利用するウエ−ハ上の薄膜生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63182814A true JPS63182814A (ja) | 1988-07-28 |
Family
ID=11853370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1415987A Pending JPS63182814A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | プラズマｃｖｄ用ウエ−ハ載置ボ−トおよびこれを利用するウエ−ハ上の薄膜生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63182814A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142120A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6054652A (en) * | 1997-04-18 | 2000-04-25 | Fujitsu Limited | Thin-film multi-layer substrate and electronic device |
| WO2002020871A1 (de) * | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Centrotherm Elektrische Anlagen Gmbh + Co. | Plasmaboot |
| CN108368608A (zh) * | 2015-07-09 | 2018-08-03 | 韩华Qcells有限公司 | 用于成对容纳衬底的设备 |
| CN108475653A (zh) * | 2015-11-18 | 2018-08-31 | 商先创国际股份有限公司 | 用于晶片的晶片舟及等离子体处理设备 |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP1415987A patent/JPS63182814A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142120A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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| CN108368608A (zh) * | 2015-07-09 | 2018-08-03 | 韩华Qcells有限公司 | 用于成对容纳衬底的设备 |
| CN108475653A (zh) * | 2015-11-18 | 2018-08-31 | 商先创国际股份有限公司 | 用于晶片的晶片舟及等离子体处理设备 |
| TWI716491B (zh) * | 2015-11-18 | 2021-01-21 | 德商山特森光伏股份有限公司 | 板元件、晶片舟及電漿處理設備 |
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