JPS63182829A - Bonding device and spool used therefor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ワイヤボンディング技術に関し、特に、金属
線表面が絶縁体で被覆された被覆ワイヤを使用するワイ
ヤボンディング技術に適用して有効な技術に関するもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to wire bonding technology, and in particular to a technology that is effective when applied to wire bonding technology that uses a coated wire whose metal wire surface is coated with an insulator. It is related to.
樹脂封止型半導体装置の半導体チップとリードとの接続
には、ワイヤが使用されている。ワイヤの接続は、ワイ
ヤボンディング装置により行われている。Wires are used to connect semiconductor chips and leads of resin-sealed semiconductor devices. The wires are connected using a wire bonding device.
ワイヤは、ボンディング装置に取り付けられたスプール
に巻き回されており、このスプールからテンショナ、ワ
イヤクランパ、ボンディングツール等を通して、ボンデ
ィング部分に供給される。The wire is wound around a spool attached to a bonding device, and is supplied from this spool to a bonding part through a tensioner, a wire clamper, a bonding tool, etc.
ボンディング装置は、供給側先端部にボールを形成した
ワイヤを半導体チップの外部端子(ボンディングパット
)に接続した後、所定長さの後端側のワイヤをリードに
接続するように構成されている。この種のボンディング
方法は所謂ボールボンディング法と称されている。前記
ワイヤの供給側の先端部のボールは、アーク電極を近接
させ、アークを発生させることで形成している。The bonding device is configured to connect a wire with a ball formed at the tip end on the supply side to an external terminal (bonding pad) of the semiconductor chip, and then connect a predetermined length of the wire at the rear end side to the lead. This type of bonding method is called a so-called ball bonding method. The ball at the tip of the supply side of the wire is formed by bringing an arc electrode close to each other and generating an arc.
前記ワイヤとしては、被覆ワイヤが使用される傾向にあ
る。被覆ワイヤは、金、Cu等の金属線表面をウレタン
樹脂、ポリイミド樹脂、金属酸化膜等の絶縁体で被覆し
たものである。この被覆ワイヤは、樹脂封止した際に、
ワイヤ間の接触不良やワイヤと半導体チップとの接触不
良等を防止することができるという特徴がある。There is a tendency for coated wires to be used as the wires. The coated wire is a metal wire made of gold, Cu, etc. whose surface is coated with an insulator such as urethane resin, polyimide resin, or metal oxide film. When this coated wire is sealed with resin,
A feature of this method is that poor contact between wires and poor contact between wires and semiconductor chips can be prevented.
なお、被覆ワイヤについては、例えば、特開昭61−1
94735号公報に記載されている。Regarding the coated wire, for example, JP-A-61-1
It is described in Publication No. 94735.
しかしながら、本発明者は、前述の被覆ワイヤのボンデ
ィング試験ならびにその検討の結果、次の問題点が生じ
ることを見出した。However, as a result of the above-mentioned coated wire bonding test and study thereof, the inventor found that the following problem occurred.
前記被覆ワイヤの金属線は、その表面が絶縁体で覆われ
ているので、スプールがらの供給経路において接地(基
準電位、例えばO[V])させることができない、この
ため、被覆ワイヤの供給側の先端部にボールを形成する
際に、アークが発生しずらく、充分なボールを形成する
ことができないので、ボールボンディングが行えなくな
る。Since the surface of the metal wire of the coated wire is covered with an insulator, it cannot be grounded (reference potential, e.g. O [V]) in the supply path of the spool. Therefore, the supply side of the coated wire When forming a ball at the tip of the ball, it is difficult to generate an arc and it is not possible to form a sufficient ball, making ball bonding impossible.
また、前述のように、被覆ワイヤの金属線を接地させる
ことができないので、被覆ワイヤの供給側の先端部にボ
ールを形成する際に、被覆ワイヤの浮遊容量に電荷がチ
ャージアップする。このため、半導体チップの外部端子
に被覆ワイヤを接続した時に、前記浮遊容量の電荷がデ
スチャージし。Further, as described above, since the metal wire of the covered wire cannot be grounded, when a ball is formed at the tip end of the covered wire on the supply side, the stray capacitance of the covered wire is charged up. Therefore, when the coated wire is connected to the external terminal of the semiconductor chip, the electric charge of the stray capacitance is discharged.
半導体チップの入出力回路に静電気破壊を生じる。Electrostatic damage occurs in the input/output circuits of semiconductor chips.
本発明の目的は、被覆ワイヤを使用するボンディング技
術において、ポールボンディングを確実に行うことが可
能な技術を提供することにある。An object of the present invention is to provide a technique that can reliably perform pole bonding in a bonding technique using coated wire.
本発明の他の目的は、被覆ワイヤを使用するボンディン
グ技術において、半導体装置に静電気破壊が生じること
を防止することが可能な技術を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a technique that can prevent electrostatic damage from occurring in a semiconductor device in a bonding technique using covered wire.
本発明の他の目的は、前記夫々の目的を達成することが
可能なボンディング装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a bonding device capable of achieving each of the above objects.
本発明の他の目的は、前記夫々の目的を達成することが
可能なスプールを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a spool that can achieve each of the above objects.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
被覆ワイヤを使用するボンディング装置において、前記
被覆ワイヤの供給側と反対の端部を基準電位に接続する
。In a bonding apparatus using a coated wire, an end of the coated wire opposite to the supply side is connected to a reference potential.
また、被覆ワイヤが巻き回されたスプールにおいて、前
記スプールに基準電位に接続するための接続端子を設け
るか、又はアルマイト表面処理を部分的に除去したアル
ミニウム本体を接続端子とし、その部分に被覆ワイヤの
巻き始め端部の被覆膜を除去した金属線を接続する。In addition, in the spool around which the coated wire is wound, a connection terminal for connecting to a reference potential is provided on the spool, or an aluminum body from which the alumite surface treatment has been partially removed is used as a connection terminal, and the coated wire is attached to that part. Connect the metal wire with the coating film removed from the winding start end.
上述した手段によれば、前記被覆ワイヤの金属線を基準
電位にすることができるので、ボール形成時にアークの
発生を良好にし、被覆ワイヤの供給側の先端部に確実に
ボールを形成することができる。また、被覆ワイヤを基
準電位にすることができるので、被覆ワイヤの浮遊容量
に電荷がチャージアップすることを防止することができ
る。According to the above-mentioned means, since the metal wire of the covered wire can be brought to a reference potential, it is possible to improve arc generation when forming a ball and to form a ball reliably at the tip of the supply side of the covered wire. can. Furthermore, since the covered wire can be set at a reference potential, it is possible to prevent charges from being charged up in the stray capacitance of the covered wire.
以下、本発明の構成について、実施例とともに説明する
。Hereinafter, the configuration of the present invention will be explained along with examples.
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。In addition, in all the figures for explaining the embodiment, parts having the same functions are given the same reference numerals, and repeated explanations thereof will be omitted.
本発明の実施例■であるボンディング装置を第1図(概
略構成図)で示す。FIG. 1 (schematic configuration diagram) shows a bonding apparatus which is Embodiment 2 of the present invention.
ボンディング装置は、第1図に示すように、スプール1
に巻き回された被覆ワイヤ2をボンディング部分3に供
給するように構成されてνする。被覆ワイヤ2の供給は
、テンシ目す4、ワイヤ案内部材5、ワイヤクランパ6
、ボンディングツールフの夫々を通してボンディング部
分3に供給されている。The bonding device has a spool 1 as shown in FIG.
It is arranged to supply the coated wire 2 wound around the bonding part 3 to the bonding part 3. The coated wire 2 is supplied by a tensile eye 4, a wire guide member 5, and a wire clamper 6.
, bonding tools are supplied to the bonding part 3 through each of the bonding tools.
前記ボンディング部分3には、第2図(断面図)及び第
3図(要部断面図)で示すように構成される、樹脂封止
前の樹脂封止型半導体装置12が配置されている。樹脂
封止型半導体装置12は、接続金属膜12Bを介してタ
ブ部12C上に塔載された半導体チップ12Aと、リー
ド12Dのインナーリード部とを樹脂封止部材12Eで
樹脂封止して構成されている。In the bonding portion 3, a resin-sealed semiconductor device 12, which is configured as shown in FIG. 2 (cross-sectional view) and FIG. 3 (main part cross-sectional view), is arranged before being resin-sealed. The resin-sealed semiconductor device 12 is configured by resin-sealing a semiconductor chip 12A mounted on a tab portion 12C via a connecting metal film 12B and an inner lead portion of a lead 12D with a resin sealing member 12E. has been done.
半導体チップ12Aとリード12Dとは、前記被覆ワイ
ヤ2で接続されている。被覆ワイヤ2の一端部は、半導
体チップ12Aのパッシベーション膜12Abの開口部
から露出する外部端子(ボンディングパット)12Aa
に接続されている。被覆ワイヤ2の他部は、リード12
Dのインナーリード部に接続されている。The semiconductor chip 12A and the leads 12D are connected by the covered wire 2. One end of the covered wire 2 is an external terminal (bonding pad) 12Aa exposed from an opening in the passivation film 12Ab of the semiconductor chip 12A.
It is connected to the. The other part of the coated wire 2 is a lead 12.
It is connected to the inner lead part of D.
前記被覆ワイヤ2は、第3図に詳細に示すように、金属
線2Aの表面に絶縁体2Bを被覆して構成されている。As shown in detail in FIG. 3, the covered wire 2 is constructed by covering the surface of a metal wire 2A with an insulator 2B.
金属線2Aは、例えば、金(Au)、銅(Cu)、アル
ミニウム(Al1)等で形成する。絶縁体2Bは、例え
ばウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、金属酸化膜(CuO
,Cu、○、Affi、02)で形成する。The metal wire 2A is made of, for example, gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al1), or the like. The insulator 2B is made of, for example, urethane resin, polyimide resin, metal oxide film (CuO
, Cu, ○, Affi, 02).
前記ボンディングツール7の先端部に位置する、被覆ワ
イヤ2の供給側の先端部には、ボール2Aaが形成され
るようになっている。ボール2Aaは、ボンディングツ
ール7に近接した位置に設けられたアーク電極10で形
成される。つまり、ボール2Aaは、被覆ワイヤ2の供
給側の先端部の金属線2Aとアーク電極10との間にア
ークを発生することで形成される。アーク電極10は、
アーク発生回路11に接続されている6
アーク発生回路11は、主に、コンデンサC1、蓄積用
コンデンサC2、トリガーで作動するサイリスタD、抵
抗Rで構成されている。DCは数千[V]の電圧を供給
する直流電源、GNDは基準電位(例えば接地電位=
O[V])、Vlt電圧計、Aは電流計である。A ball 2Aa is formed at the tip of the supply side of the coated wire 2, which is located at the tip of the bonding tool 7. The ball 2Aa is formed by an arc electrode 10 provided close to the bonding tool 7. That is, the ball 2Aa is formed by generating an arc between the metal wire 2A at the supply side tip of the coated wire 2 and the arc electrode 10. The arc electrode 10 is
6 connected to the arc generating circuit 11 The arc generating circuit 11 mainly includes a capacitor C1, a storage capacitor C2, a thyristor D operated by a trigger, and a resistor R. DC is a direct current power supply that supplies a voltage of several thousand [V], and GND is a reference potential (for example, ground potential =
O [V]), Vlt is a voltmeter, and A is an ammeter.
前記被覆ワイヤ2が巻き回された前記スプール1は、第
1図及び第4図(要部斜視図)で示すように、例えば、
アルミニウム金属の表面にアルマイト処理を施して構成
する。アルマイト処理は、機械的強度の向上やキズの発
生を防止するために施す、このスプールLは、前述のよ
うに、アルマイト処理が施されているので絶縁性を有す
る。The spool 1 around which the covered wire 2 is wound is, for example, as shown in FIGS. 1 and 4 (perspective views of main parts).
Constructed by applying alumite treatment to the surface of aluminum metal. The alumite treatment is performed to improve mechanical strength and prevent the occurrence of scratches. As described above, this spool L has insulation properties because it has been alumite treated.
前記スプール1は、スプールホルダ8に取り付けられ、
このスプールホルダ8の回転軸8Aによってボンディン
グ装置の本体9に取り付けられている。The spool 1 is attached to a spool holder 8,
The spool holder 8 is attached to the main body 9 of the bonding device by a rotating shaft 8A.
スプールホルダ8は、少なくともその一部に導電性を有
するように、例えば、ステンレス鋼で構成されている。The spool holder 8 is made of, for example, stainless steel so that at least a portion thereof is conductive.
このように構成されるボンディング装置は、第4図及び
第5図(要部拡大斜視図)で示すように、スプール1に
接続端子IAが設けられている。接続端子IAは、スプ
ールホルダ8の導電性を有する部分と接触する、スプー
ル1の側面部分(鍔部)に、点形状で設けられている。In the bonding device configured as described above, as shown in FIGS. 4 and 5 (enlarged perspective views of main parts), the spool 1 is provided with a connection terminal IA. The connection terminal IA is provided in a dot shape on the side surface portion (flange portion) of the spool 1 that contacts the conductive portion of the spool holder 8 .
接続端子IAは、第5図に示すように、絶縁体IAaの
上部に導電体IAbを設け、この導電体IAbの上部に
接続用金属部IAcを設けて構成している。絶縁体IA
aは、スプール1と電気的に分離し、しかも、スプール
ホルダ8に接続用金属部IAcを確実に当接できる、適
度な弾力性を有するように、例えばポリイミド樹脂で形
成する。As shown in FIG. 5, the connection terminal IA is constructed by providing a conductor IAb on top of an insulator IAa and a connection metal portion IAc on top of the conductor IAb. Insulator IA
A is electrically isolated from the spool 1 and is formed of, for example, polyimide resin so as to have appropriate elasticity so that the connecting metal part IAc can reliably abut against the spool holder 8.
導電体IAbは、被覆ワイヤ2の金属線2人を接続する
接続用金属部IAcと、スプールホルダ8に接触する接
続用金属部IAcとを確実に接続できるように、例えば
、Cu箔で形成する。接続用金属部IAcは、導電性ペ
ースト、半田、接着テープ等で形成する。The conductor IAb is formed of, for example, Cu foil so that the connection metal part IAc that connects the two metal wires of the covered wire 2 and the connection metal part IAc that contacts the spool holder 8 can be reliably connected. . The metal connection portion IAc is formed using conductive paste, solder, adhesive tape, or the like.
この接続端子IAには、スプール1の側面(鍔部)に形
成された切り欠き部を通して、ボンディング部分3に供
給される側と反対側の被覆ワイヤ2の端部の金属線2A
、すなわち被覆ワイヤ2の巻き始め端部の金属線2Aを
接続するように構成されている。この金属線2Aは、接
続端子IAの接続用金属部IAcによって接続される。A metal wire 2A of the end of the covered wire 2 on the opposite side to the side to be supplied to the bonding part 3 is inserted into the connection terminal IA through a notch formed in the side surface (flange) of the spool 1.
That is, it is configured to connect the metal wire 2A at the winding start end of the coated wire 2. This metal wire 2A is connected by the connection metal portion IAc of the connection terminal IA.
被覆ワイヤ2の巻き始めの金属線2Aの表面の絶縁体2
Bは、加熱或は化学的に除去する。接続端子IAつまり
被覆ワイヤ2の金属線2Aは、スプールホルダ8、その
回転軸8A及び本体9を通して基準電位GNDに接続さ
れている。基準電位GNDは。Insulator 2 on the surface of metal wire 2A at the beginning of winding of coated wire 2
B is removed by heating or chemically. The connection terminal IA, that is, the metal wire 2A of the coated wire 2 is connected to the reference potential GND through the spool holder 8, its rotating shaft 8A, and the main body 9. The reference potential GND is.
前記アーク発生回路11の基準電位GNDと同様の電位
である。This potential is similar to the reference potential GND of the arc generating circuit 11.
このように、前記スプール1に、基準電位GNDに接続
するための接続端子IAを設け、この接続端子に被覆ワ
イヤ2の巻き始め端部の金FitIi12Aを接続する
ことにより、スプールホルダ8等を通して基準電位GN
Dに接続することができるので、被覆ワイヤ2の金属l
12Aを基準電位GNDに接続することができる。In this way, the spool 1 is provided with a connection terminal IA for connecting to the reference potential GND, and by connecting the gold FitIi 12A at the winding start end of the coated wire 2 to this connection terminal, the reference potential can be connected to the reference potential GND through the spool holder 8, etc. Potential GN
Since it can be connected to D, the metal l of coated wire 2
12A can be connected to reference potential GND.
また、被覆ワイヤ2の金属線2人は、スプール1の接続
端子IAに被覆ワイヤ2の巻き始め端部の金属線2Aを
接続するだけで基準電位GNDに接続することができる
で、被覆ワイヤ2の金属線2Aを基準電位GNDに接続
するための作業を簡単にすることができる。Further, the two metal wires of the covered wire 2 can be connected to the reference potential GND by simply connecting the metal wire 2A at the winding start end of the covered wire 2 to the connecting terminal IA of the spool 1. The work for connecting the metal wire 2A to the reference potential GND can be simplified.
また、前記接続端子IAを有するスプール1を用いたボ
ンディング装置は、前記被覆ワイヤ2の金属線2Aが基
準電位GNDに接続されているので、ボール形成時に、
アーク電極10と供給側の被覆ワイヤ2の金属線2Aと
の間の電位差を充分に確保し、アークの発生を良好にす
ることができるので、被覆ワイヤ2の供給側の先端部の
金属線2Aに確実にボールを形成することができる。Further, in the bonding apparatus using the spool 1 having the connection terminal IA, since the metal wire 2A of the covered wire 2 is connected to the reference potential GND, when forming the ball,
Since a sufficient potential difference between the arc electrode 10 and the metal wire 2A of the coated wire 2 on the supply side can be ensured and good arc generation can be achieved, the metal wire 2A at the tip of the coated wire 2 on the supply side A ball can be reliably formed.
また、被覆ワイヤ2の金属線2Aを基準電位GNDにす
ることができるので、被覆ワイヤ2の金属線2Aの浮遊
容量に電荷がチャージアップすることを防止することが
できる。つまり、半導体チップ12Aの外部端子12A
aに、ボールが形成された被覆ワイヤ2の供給側の先端
部の金属線2Aを接続するファーストボンディングの際
に、過大電圧が半導体チップ12Aの入出力回路に流入
することを防止できるので、静電気破壊を防止すること
ができる。Further, since the metal wire 2A of the covered wire 2 can be set to the reference potential GND, it is possible to prevent charges from being charged up in the stray capacitance of the metal wire 2A of the covered wire 2. In other words, the external terminal 12A of the semiconductor chip 12A
When first bonding is performed to connect the metal wire 2A at the tip of the supply side of the coated wire 2 with a ball formed thereon, it is possible to prevent excessive voltage from flowing into the input/output circuit of the semiconductor chip 12A, thereby reducing static electricity. Destruction can be prevented.
なお、前述の被覆ワイヤ2は、金属線2人の表面に絶縁
体2Bが存在するか否かを明確にするために、いす九か
を着色してもよい。In addition, the above-mentioned coated wire 2 may be colored in order to clarify whether or not the insulator 2B is present on the surface of the two metal wires.
本実施例■は、スプールに設けられる接続端子の形状を
変えた、本発明の他の実施例である。This embodiment (2) is another embodiment of the present invention in which the shape of the connection terminal provided on the spool is changed.
本発明の実施例■であるボンディング装置に使用される
スプールを第6図(要部斜視図)で示す。FIG. 6 (a perspective view of the main parts) shows a spool used in a bonding apparatus which is Embodiment (2) of the present invention.
本実施例■のスプール1は、第6図に示すように、側面
部分にリング形状の接続端子IAを設けている。この接
続端子IAは、スプール1が回転した場合であっても、
基準電位GNDとの接続部材9Aを通して、被覆ワイヤ
2の金属線2Aを確実に基準電位GNDに接続すること
ができるように構成されている。As shown in FIG. 6, the spool 1 of this embodiment (2) is provided with a ring-shaped connection terminal IA on its side surface. Even if the spool 1 rotates, this connection terminal IA
The structure is such that the metal wire 2A of the covered wire 2 can be reliably connected to the reference potential GND through the connection member 9A to the reference potential GND.
このように、スプール1にリング形状の接続端子IAを
設けることにより、前記実施例Iと略同様の効果を得る
ことができる。In this way, by providing the ring-shaped connection terminal IA on the spool 1, substantially the same effects as in Example I can be obtained.
本実施例のスプールは、第6図の端子IAにかわって、
この部分のアルマイト表面処理を取り除いた結果、表面
が露出するアルミニウム本体を接枝端子とするものであ
る。すなわち、アルミニウム本体の全表面をアルマイト
処理したスプールにおいて、スプールの側壁外側のアル
マイトの一部を除去してアルミニウム本体表面を露出し
てなり、露出されたこのアルミニウム地層領域を被覆ワ
イヤの金属線を基準電位に接続するための接続端子とし
てなり、該接続端子に被覆ワイヤの巻き始め端部の被覆
膜が除去された金属線を接続したことを特徴とするスプ
ールである。The spool of this embodiment replaces the terminal IA in FIG.
As a result of removing the alumite surface treatment on this part, the aluminum body whose surface is exposed is used as a branch terminal. That is, in a spool where the entire surface of the aluminum body is anodized, a part of the alumite on the outside of the side wall of the spool is removed to expose the surface of the aluminum body, and the exposed aluminum layer area is covered with the metal wire of the covering wire. The spool serves as a connection terminal for connection to a reference potential, and is characterized in that a metal wire from which the coating film at the winding start end of the coated wire has been removed is connected to the connection terminal.
なお、前記接続端子は、点形状、リング形状等で構成さ
れているものである。したがって、このスプールは、前
記実施例■のスプールと略同様な効果を奏することがで
きる。Note that the connection terminal has a dot shape, a ring shape, or the like. Therefore, this spool can produce substantially the same effect as the spool of the embodiment (2).
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが1本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。As above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on the above embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Of course.
例えば、本発明は、前記基準電位GNDを、アーク電極
10に印加される電圧を変化させることで必ずしも0[
v]にしなくてもよい。For example, in the present invention, the reference potential GND is not necessarily set to 0 [0] by changing the voltage applied to the arc electrode 10.
v].
また、本発明は、被覆ワイヤを使用する超音波ボンディ
ング技術に適用することができる。The invention can also be applied to ultrasonic bonding techniques using coated wires.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
被覆ワイヤが巻き回されたスプールにおいて、前記被覆
ワイヤの金属線を基準電位に接続することができる。On the spool around which the covered wire is wound, the metal wire of the covered wire can be connected to a reference potential.
被覆ワイヤを使用するボンディング装置において、確実
にポールボンディングを行うことができ、又半導体装置
の静電気破壊を防止することができる。In a bonding device using coated wire, pole bonding can be performed reliably, and electrostatic damage to semiconductor devices can be prevented.
第1図は、本発明の実施例■であるボンディング装置の
概略構成図。
第2図は、前記ボンディング装置に配置された半導体装
置の断面図、
第3図は、前記半導体装置の要部断面図、第4図は、前
記ボンディング装置に設けられたスプールの要部斜視図
、
第5図は、前記スプールの要部拡大斜視図、第6図は、
本発明の実施例■であるボンディング装置に使用される
スプールの要部斜視図である。
図中、1・・・スプール、IA・・・接続端子、2・・
・被覆ワイヤ、2A・・・金属線、2B・・・絶縁体、
10・・・アーク電極、11・・・アーク発生回路、1
2・・・半導体装置、12A・・・半導体チップ、12
0・・・リード、GND・・・基準電位である。
第1図
メ〃
第よ図FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a bonding apparatus which is Embodiment 2 of the present invention. FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor device placed in the bonding device, FIG. 3 is a sectional view of a main part of the semiconductor device, and FIG. 4 is a perspective view of a main part of a spool provided in the bonding device. , FIG. 5 is an enlarged perspective view of the main part of the spool, and FIG.
FIG. 2 is a perspective view of a main part of a spool used in a bonding device according to embodiment (2) of the present invention. In the diagram, 1... Spool, IA... Connection terminal, 2...
・Coated wire, 2A...metal wire, 2B...insulator,
10... Arc electrode, 11... Arc generation circuit, 1
2...Semiconductor device, 12A...Semiconductor chip, 12
0...Lead, GND...Reference potential. Figure 1 Figure 1 Figure 1
Claims (1)
た被覆ワイヤを供給するボンディング装置において、前
記ボンディング部分に供給される側と反対側の被覆ワイ
ヤの端部の金属線を、基準電位に接続したことを特徴と
するボンディング装置。 2、前記被覆ワイヤはスプールに巻き回されており、前
記被覆ワイヤの端部の金属線は、スプールに設けられた
接続端子を介して基準電位に接続されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載のボンディング装置
。 3、前記ボンディング部分に供給される側の被覆ワイヤ
の先端に近接した位置には、被覆ワイヤの先端部の金属
線をボールに形成するアーク電極が設けられていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の
ボンディング装置。 4、金属線表面を絶縁体で被覆した被覆ワイヤが巻き回
された、ボンディング装置用のスプールにおいて、前記
被覆ワイヤの金属線を基準電位に接続するための接続端
子を設け、該接続端子に前記被覆ワイヤの巻き始め端部
の被覆膜が除去された金属線を接続したことを特徴とす
るスプール。 5、前記接続端子は、点形状、リング形状等で構成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第4項に記載の
スプール。 6、アルミニウム本体の全表面をアルマイト処理したス
プールにおいて、スプールの側壁外側のアルマイトの一
部を除去してアルミニウム本体表面を露出してなり、露
出されたこのアルミニウム地層領域を被覆ワイヤの金属
線を基準電位に接続するための接続端子としてなり、該
接続端子に被覆ワイヤの巻き始め端部の被覆膜が除去さ
れた金属線を接続したことを特徴とするスプール。 7、前記接続端子は、点形状、リング形状等で構成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第6項に記載の
スプール。[Claims] 1. In a bonding device that supplies a coated wire whose surface is coated with an insulator to a bonding part, the metal wire at the end of the coated wire on the opposite side to the side supplied to the bonding part. A bonding device characterized in that: is connected to a reference potential. 2. The coated wire is wound around a spool, and the metal wire at the end of the coated wire is connected to a reference potential via a connection terminal provided on the spool. A bonding device according to scope 1. 3. An arc electrode for forming the metal wire at the tip of the coated wire into a ball is provided at a position close to the tip of the coated wire on the side that is supplied to the bonding part. A bonding device according to scope 1 or 2. 4. In a spool for a bonding device in which a coated wire whose surface is coated with an insulator is wound, a connection terminal for connecting the metal wire of the coated wire to a reference potential is provided, and the connection terminal is provided with a connection terminal for connecting the metal wire of the coated wire to a reference potential. A spool characterized in that a metal wire is connected to which the coating film at the winding start end of the coated wire has been removed. 5. The spool according to claim 4, wherein the connection terminal has a dot shape, a ring shape, or the like. 6. In a spool where the entire surface of the aluminum body is anodized, a part of the alumite on the outside of the side wall of the spool is removed to expose the surface of the aluminum body, and the exposed aluminum layer area is coated with the metal wire of the covering wire. 1. A spool, which serves as a connection terminal for connection to a reference potential, and is characterized in that a metal wire from which the coating film at the winding start end of the coated wire has been removed is connected to the connection terminal. 7. The spool according to claim 6, wherein the connection terminal has a dot shape, a ring shape, or the like.
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|---|---|---|---|
| JP62014036A JP2644485B2 (en) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | spool |
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|---|---|
| JP (1) | JP2644485B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5037023A (en) * | 1988-11-28 | 1991-08-06 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bonding |
| US5176310A (en) * | 1988-11-28 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bond |
Citations (3)
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| JPS52157763U (en) * | 1976-05-24 | 1977-11-30 | ||
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| JPS61102042A (en) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Matsuda Denshi Kogyo Kk | Manufacture of conductive spool for bonding wire |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP62014036A patent/JP2644485B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US5176310A (en) * | 1988-11-28 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bond |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2644485B2 (en) | 1997-08-25 |
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