JPS63185023A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS63185023A JPS63185023A JP62015999A JP1599987A JPS63185023A JP S63185023 A JPS63185023 A JP S63185023A JP 62015999 A JP62015999 A JP 62015999A JP 1599987 A JP1599987 A JP 1599987A JP S63185023 A JPS63185023 A JP S63185023A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bandpass
- width
- filter
- printing
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野］
本発明は、半導体焼゛付露光装置等の露光装置に関し、
例えばステッパ等のマスクアライナにおいて、露光用の
照明光学系より照射される焼付光のバンドパス巾を切換
えることにより被露光パターンの特性に応じて最適の露
光が行なわれるようにした装置に関する。
例えばステッパ等のマスクアライナにおいて、露光用の
照明光学系より照射される焼付光のバンドパス巾を切換
えることにより被露光パターンの特性に応じて最適の露
光が行なわれるようにした装置に関する。
［従来技術］
近年、半導体集積回路等の露光装置により製造されるべ
きデバイスの高集積化の進歩が目覚ましい。例えば、現
在では１Ｍビットのメモリが実用化され、さらに近い将
来４Ｍビットのメモリが実用化されることが見込まれて
いる。これに伴い露光装置には、複数工程に亙るパター
ンを重ね合せるためのアライメント性能と高いスルーブ
ツトでウェハの焼付処理を可能とする処理性能はもとよ
リ、０．８μｍ以下の微細パターンを焼付可能な解像性
能が要求され、各種の方式の露光装置が提供されている
。
きデバイスの高集積化の進歩が目覚ましい。例えば、現
在では１Ｍビットのメモリが実用化され、さらに近い将
来４Ｍビットのメモリが実用化されることが見込まれて
いる。これに伴い露光装置には、複数工程に亙るパター
ンを重ね合せるためのアライメント性能と高いスルーブ
ツトでウェハの焼付処理を可能とする処理性能はもとよ
リ、０．８μｍ以下の微細パターンを焼付可能な解像性
能が要求され、各種の方式の露光装置が提供されている
。
ステッパ等の露光装置に搭載されている投影光学系につ
いて、光学手段には付随的に色収差の影響を避けること
ができない。このため、焼付光の波長のバンドパス巾が
狭い程、色収差の影響が少なくなり、高い解像性能が得
られることが広く知られている。
いて、光学手段には付随的に色収差の影響を避けること
ができない。このため、焼付光の波長のバンドパス巾が
狭い程、色収差の影響が少なくなり、高い解像性能が得
られることが広く知られている。
［発明が解決しようとする問題点〕
ところで、従来のステッパで用いられている焼付光は、
焼付波長が４３６ｎｍのｇ線が主流である。
焼付波長が４３６ｎｍのｇ線が主流である。
このｇ線のバンドパス巾は、第２図に示すように４３６
ｎｍビークで半値巾１（ｌｎｍであったが、最近では、
第３図に示すように半値巾５ｎｍのバンドパス巾とする
ことにより、投影光学系の色収差の影響の軽減を図り、
より高い解像性能を得ている。
ｎｍビークで半値巾１（ｌｎｍであったが、最近では、
第３図に示すように半値巾５ｎｍのバンドパス巾とする
ことにより、投影光学系の色収差の影響の軽減を図り、
より高い解像性能を得ている。
しかしながら、バンドパス巾が狭くなると、第４図に示
すように焼付波長のピークの強度は同じであっても、同
図の斜線部分の光量がカットされてしまい、必然的に光
量が不足するという不都合があった。このため、従来の
露光装置においては、集積回路の各種焼付工程の中で、
比較的太い線巾のパターンを焼付ける場合でも、光量不
足のままで焼付けなければならないという欠点があった
。
すように焼付波長のピークの強度は同じであっても、同
図の斜線部分の光量がカットされてしまい、必然的に光
量が不足するという不都合があった。このため、従来の
露光装置においては、集積回路の各種焼付工程の中で、
比較的太い線巾のパターンを焼付ける場合でも、光量不
足のままで焼付けなければならないという欠点があった
。
本発明の目的は、上述の従来形の問題点に鑑み、投影光
学系を介して原版上のパターンをクエへ等の被露光体上
に投影させるための照明光学系を有する露光装置におい
て、露光パターンの特性に応じて最適の露光が行なわれ
るようにすることにある。
学系を介して原版上のパターンをクエへ等の被露光体上
に投影させるための照明光学系を有する露光装置におい
て、露光パターンの特性に応じて最適の露光が行なわれ
るようにすることにある。
［問題点を解決するための手段および作用］上記の目的
を達成するため、本発明においては、露光装置の照明光
学系内に焼付波長のバンドパス巾を変えるための光学エ
レメントを複数個用い、これら複数個の光学エレメント
は任意に選択切換可能とされる。
を達成するため、本発明においては、露光装置の照明光
学系内に焼付波長のバンドパス巾を変えるための光学エ
レメントを複数個用い、これら複数個の光学エレメント
は任意に選択切換可能とされる。
すなわち本発明では、照明光学系内で光学エレメントを
切換えて焼付波長のバンドパス巾を変えることにより、
比較的太いパターンの焼付の場合には、大光量の焼付光
でスルーブツトを重視した焼付を行ない、また線巾の細
いパターンの焼付の場合には、投影光学系の色収差の影
響を軽減して高い解像性能で焼付けを行なうことができ
る。従って、スルーブツト性能および解像性能の両者を
各種工程において必要に応じて使い分けることが可能と
なった。
切換えて焼付波長のバンドパス巾を変えることにより、
比較的太いパターンの焼付の場合には、大光量の焼付光
でスルーブツトを重視した焼付を行ない、また線巾の細
いパターンの焼付の場合には、投影光学系の色収差の影
響を軽減して高い解像性能で焼付けを行なうことができ
る。従って、スルーブツト性能および解像性能の両者を
各種工程において必要に応じて使い分けることが可能と
なった。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る焼付露光装置の照明
光学系と制御部の概略図である。
光学系と制御部の概略図である。
同図において、１はフォトマスク、３は少なくとも２種
類以上のバンドパスフィルタとその切換機能を有する照
明光学系、２は切換機能をコントロールする制御部であ
る。
類以上のバンドパスフィルタとその切換機能を有する照
明光学系、２は切換機能をコントロールする制御部であ
る。
照明光学系３内の水銀灯３１より出射した光束は、パラ
ボラミラー３２により集光され、反射ミラー３３で折り
曲げられ、熱線領域の波長をカットするシャープカット
フィルタ３４を通る。さらに、この光束は、バンドパス
フィルタ３５を通って焼付波長のバンドパス巾が決定さ
れ、コンデンサーレンズおよび反射ミラーを通って、フ
ォトマスク１に焼付光として照射される。
ボラミラー３２により集光され、反射ミラー３３で折り
曲げられ、熱線領域の波長をカットするシャープカット
フィルタ３４を通る。さらに、この光束は、バンドパス
フィルタ３５を通って焼付波長のバンドパス巾が決定さ
れ、コンデンサーレンズおよび反射ミラーを通って、フ
ォトマスク１に焼付光として照射される。
次に、焼付光の焼付波長のバンドパス巾を変える場合に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、必要なバンドパス巾を選択するため、制御部２の
入力キーボード２１により、選択するバンドパス巾また
はそのフィルタを特定する情報をキーインする。これに
より、どのようなバンドパス巾を使用するのかを示す情
報が、コンソールＣＰＵ２４を介してメモリ２２に格納
されるとともに、ＣＲＴ ２３上に表示される０次に、
メモリ２２に格納されたバンドパス巾についての情報は
制御ＣＰ Ｕ ２５に送信され、ここでバンドパス巾に
対応した指令電圧に変換される。そして、この指令電圧
は駆動回路２６に入力され、これによりアクチュエータ
３７がドライブされ、今まで光路中に入っていたバンド
パスフィルタ３５をバンドパスフィルタ３６に切換える
。アクチュエータ３７としては、ＤＣモータ、パルスモ
ータまたはエアシリンダ等を用いることが可能である。
入力キーボード２１により、選択するバンドパス巾また
はそのフィルタを特定する情報をキーインする。これに
より、どのようなバンドパス巾を使用するのかを示す情
報が、コンソールＣＰＵ２４を介してメモリ２２に格納
されるとともに、ＣＲＴ ２３上に表示される０次に、
メモリ２２に格納されたバンドパス巾についての情報は
制御ＣＰ Ｕ ２５に送信され、ここでバンドパス巾に
対応した指令電圧に変換される。そして、この指令電圧
は駆動回路２６に入力され、これによりアクチュエータ
３７がドライブされ、今まで光路中に入っていたバンド
パスフィルタ３５をバンドパスフィルタ３６に切換える
。アクチュエータ３７としては、ＤＣモータ、パルスモ
ータまたはエアシリンダ等を用いることが可能である。
次に、検知センサ３８によりバンドパスフィルタの位置
を確認し適切な位置に設定されておれば、バンドパス巾
の設定動作は終了する。
を確認し適切な位置に設定されておれば、バンドパス巾
の設定動作は終了する。
以上の動作により、照明光学系内の少なくとも２種類以
上のバンドパスフィルタを選択することができる。
上のバンドパスフィルタを選択することができる。
なお、上記実施例では、光学エレメントとして２つのバ
ンドパスフィルタを用いこれを切換えることによってバ
ンドパス巾を変えているが、これはシャープカットフィ
ルタ、干渉フィルタまたはバンドパスフィルタの１種ま
たは２ ｆ！！以上の組合せとしてもよい。また、光学
エレメントがシャープカットフィルタ、干渉フィルタま
たはバンドパスフィルタの２種以上の組合せである場合
には、一部特性の異なるフィルタの切換または前記各種
フィルタの組合せの変更によってバンドパス巾を変える
ようにしてもよい。
ンドパスフィルタを用いこれを切換えることによってバ
ンドパス巾を変えているが、これはシャープカットフィ
ルタ、干渉フィルタまたはバンドパスフィルタの１種ま
たは２ ｆ！！以上の組合せとしてもよい。また、光学
エレメントがシャープカットフィルタ、干渉フィルタま
たはバンドパスフィルタの２種以上の組合せである場合
には、一部特性の異なるフィルタの切換または前記各種
フィルタの組合せの変更によってバンドパス巾を変える
ようにしてもよい。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、投影光学系を介
して原版上のパターンをウニ八等の被露光体上に投影さ
せるための照明光学系を有する露光装置において、比較
的太い線巾のパターンの焼付の場合には大光量でスルー
ブツト性能を重視した焼付を行なうことかで鮒、また微
細な線巾のパターンの焼付の場合には投影光学系の色収
差の影響を最小限に抑えて解像性能重視の焼付を行なう
ことができる。従って、装置の使用目的および焼付パタ
ーンの特性等に応じて最も適切かつ効率の良い使い方が
可能となる。
して原版上のパターンをウニ八等の被露光体上に投影さ
せるための照明光学系を有する露光装置において、比較
的太い線巾のパターンの焼付の場合には大光量でスルー
ブツト性能を重視した焼付を行なうことかで鮒、また微
細な線巾のパターンの焼付の場合には投影光学系の色収
差の影響を最小限に抑えて解像性能重視の焼付を行なう
ことができる。従って、装置の使用目的および焼付パタ
ーンの特性等に応じて最も適切かつ効率の良い使い方が
可能となる。
第１図は、本発明の一実施例に係る焼付露光装置の照明
光学系と制御部の概略図、 第２図は、１０ｎｍ半値巾の分光出力の概念図、第３図
は、 ５ｒ＋ｍ半値巾の分光出力の概念図、第４図は、
１０ｎｍおよび５ｎｍ半値巾の分光出力における光量比
較の概念図である。 １：フォトマスク、 ２：制御部、３：照明光学系
、 ２１：キーボード、２２：メモリ、
２３：ＣＲＴ。 ２４：コンソールＣＰＵ、２５：制御ＣＰＵ。 ２６：駆動回路、 ３に超高圧水銀灯、３２：パ
ラボラミラー、 ３３：反射ミラー、３４：シャープカ
ットフィルタ、 ３５ニバンドパスフィルり（ナローレンジ）、３６：バ
ンドパスフィルタ（ワイドレンジ）、３７：アクチュエ
ータ、３７：検知センサ。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第１図 第２図 １− 万五一 第３図 第４図
光学系と制御部の概略図、 第２図は、１０ｎｍ半値巾の分光出力の概念図、第３図
は、 ５ｒ＋ｍ半値巾の分光出力の概念図、第４図は、
１０ｎｍおよび５ｎｍ半値巾の分光出力における光量比
較の概念図である。 １：フォトマスク、 ２：制御部、３：照明光学系
、 ２１：キーボード、２２：メモリ、
２３：ＣＲＴ。 ２４：コンソールＣＰＵ、２５：制御ＣＰＵ。 ２６：駆動回路、 ３に超高圧水銀灯、３２：パ
ラボラミラー、 ３３：反射ミラー、３４：シャープカ
ットフィルタ、 ３５ニバンドパスフィルり（ナローレンジ）、３６：バ
ンドパスフィルタ（ワイドレンジ）、３７：アクチュエ
ータ、３７：検知センサ。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第１図 第２図 １− 万五一 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、投影光学系と、該投影光学系を介して原版上のパタ
ーンを被露光体上に投影させるための照明光学系と、該
照明光学系内に設けられた、焼付光の波長のバンドパス
巾を変えるための複数個の光学エレメントと、該複数個
の光学エレメントを切換可能とする切換手段とを備える
ことを特徴とする露光装置。 ２、前記光学エレメントが、シャープカットフィルタ、
干渉フィルタまたはバンドパスフィルタの１種または２
種以上の組合せによって、焼付波長のバンドパス巾を決
定するものである特許請求の範囲第１項記載の露光装置
。 ３、前記光学エレメントがシャープカットフィルタ、干
渉フィルタまたはバンドパスフィルタの２種以上の組合
せであって、前記切換手段が一部特性の異なるフィルタ
の切換または前記各種フィルタの組合せの変更によって
バンドパス巾を変えるものである特許請求の範囲第２項
記載の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62015999A JPS63185023A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 露光装置 |
| US07/147,796 US4853756A (en) | 1987-01-28 | 1988-01-25 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62015999A JPS63185023A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185023A true JPS63185023A (ja) | 1988-07-30 |
Family
ID=11904332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62015999A Pending JPS63185023A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4853756A (ja) |
| JP (1) | JPS63185023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012060221A1 (ja) | 2010-11-05 | 2012-05-10 | ダイキン工業株式会社 | 床置き室内機 |
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| JP2699433B2 (ja) * | 1988-08-12 | 1998-01-19 | 株式会社ニコン | 投影型露光装置及び投影露光方法 |
| JP3175180B2 (ja) * | 1990-03-09 | 2001-06-11 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
| US7656504B1 (en) | 1990-08-21 | 2010-02-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with luminous flux distribution |
| US5638211A (en) | 1990-08-21 | 1997-06-10 | Nikon Corporation | Method and apparatus for increasing the resolution power of projection lithography exposure system |
| US5719704A (en) | 1991-09-11 | 1998-02-17 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6252647B1 (en) | 1990-11-15 | 2001-06-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6897942B2 (en) * | 1990-11-15 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
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| US6967710B2 (en) | 1990-11-15 | 2005-11-22 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US6710855B2 (en) * | 1990-11-15 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
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| JP3210123B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-09-17 | キヤノン株式会社 | 結像方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 |
| US5303002A (en) * | 1993-03-31 | 1994-04-12 | Intel Corporation | Method and apparatus for enhancing the focus latitude in lithography |
| JP3303436B2 (ja) * | 1993-05-14 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び半導体素子の製造方法 |
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| JP2009094512A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | 位置合わせ方法及び装置、リソグラフィ装置、計測装置、及びデバイス製造方法 |
| DE102023210777A1 (de) * | 2023-10-31 | 2025-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System zur Führung von Beleuchtungs- und Abbildungslicht von einer Lichtquelle hin zu einem Bildfeld |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4351608A (en) * | 1979-11-13 | 1982-09-28 | Ciba-Geigy Ag | Filter head |
| JPS59160134A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-10 | Canon Inc | 照明光学系 |
| US4653903A (en) * | 1984-01-24 | 1987-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
-
1987
- 1987-01-28 JP JP62015999A patent/JPS63185023A/ja active Pending
-
1988
- 1988-01-25 US US07/147,796 patent/US4853756A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012060221A1 (ja) | 2010-11-05 | 2012-05-10 | ダイキン工業株式会社 | 床置き室内機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4853756A (en) | 1989-08-01 |
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