JPS63185476A - 表面の酸化防止方法 - Google Patents
表面の酸化防止方法Info
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- JPS63185476A JPS63185476A JP62017632A JP1763287A JPS63185476A JP S63185476 A JPS63185476 A JP S63185476A JP 62017632 A JP62017632 A JP 62017632A JP 1763287 A JP1763287 A JP 1763287A JP S63185476 A JPS63185476 A JP S63185476A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は表面に酸化反応が進行する金属等の基板の表面
酸化反応の進行防止法に関するものである。
酸化反応の進行防止法に関するものである。
従来の技術
金属を空気中や水中に放置しておくと、空気中では０２
と水中ではＨ２Ｏと反応して、表面に自然酸化が生じ表
面が金属酸化物となる。そしてこの反応は進行して金属
酸化物の形成は所定の厚さに達する。また、この自然酸
化はシリコン基板等の半導体基板表面にも生じ、５ｉＯ
７が形成される。このような酸化が進行すると、酸化の
進行につれ基板の反射率の次第に低下する。したがって
、反射率の高い金属等の基板を、各種光学機器の反射体
等に使用する場合、完全に酸化が進行した基板は反射率
が大きく低下するため、十分な反射体としての性能が発
揮されず極めて不都合となる。そこで、従来このような
酸化を防止する方法としては金属等の酸化が生じやすい
表面にグリス等の酸化防止剤を塗布する方法があるが、
その場合、光吸収が生じて反射性能が低下するとともに
、密着度の信頼性が低い等の原因により使用する雰囲気
たとえばクリーンな空間に悪影響を及ぼす危険性がある
。
と水中ではＨ２Ｏと反応して、表面に自然酸化が生じ表
面が金属酸化物となる。そしてこの反応は進行して金属
酸化物の形成は所定の厚さに達する。また、この自然酸
化はシリコン基板等の半導体基板表面にも生じ、５ｉＯ
７が形成される。このような酸化が進行すると、酸化の
進行につれ基板の反射率の次第に低下する。したがって
、反射率の高い金属等の基板を、各種光学機器の反射体
等に使用する場合、完全に酸化が進行した基板は反射率
が大きく低下するため、十分な反射体としての性能が発
揮されず極めて不都合となる。そこで、従来このような
酸化を防止する方法としては金属等の酸化が生じやすい
表面にグリス等の酸化防止剤を塗布する方法があるが、
その場合、光吸収が生じて反射性能が低下するとともに
、密着度の信頼性が低い等の原因により使用する雰囲気
たとえばクリーンな空間に悪影響を及ぼす危険性がある
。
従来の例を第３図、第４図に示す。例えば、アルミ７の
ような反射率のよい基板を反射板とじて利用する場合、
第３図に示したような金属酸化物８が発生したり、第４
図に示すグリス９を塗布する方法ではグリスによる光吸
収が生じ、反射率が減少しその用途上問題となる。そこ
で、金属酸化物の発生した基板を再生しようとすると、
従来の方法では研削などの物理的な加工（例えば鏡面加
工）をしなければならなかった。
ような反射率のよい基板を反射板とじて利用する場合、
第３図に示したような金属酸化物８が発生したり、第４
図に示すグリス９を塗布する方法ではグリスによる光吸
収が生じ、反射率が減少しその用途上問題となる。そこ
で、金属酸化物の発生した基板を再生しようとすると、
従来の方法では研削などの物理的な加工（例えば鏡面加
工）をしなければならなかった。
発明が解決しようとする問題点
以上のように金属類を放置しておくと自然に金属酸化物
が発生する。一方、グリス等を塗布することでこれは防
止できるが基板を反射板として使用するにあたって光の
反射率の低下その他汚染等を引き起こす。従って光学測
定等に使用するとその測定値の信頼性を落とすことにな
るという問題点があった。
が発生する。一方、グリス等を塗布することでこれは防
止できるが基板を反射板として使用するにあたって光の
反射率の低下その他汚染等を引き起こす。従って光学測
定等に使用するとその測定値の信頼性を落とすことにな
るという問題点があった。
また、金属酸化物が発生した基板の鏡面加工のような再
生処理は、労力１時間を要するなどの問題の極めて多い
ものである。
生処理は、労力１時間を要するなどの問題の極めて多い
ものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、金属等の酸化される表面が露出している基板
に対してＬＢ（ラングミュア・プロジエクト）法または
吸着法等によって緻密で均一厚さの酸化防止用の超薄膜
を形成するものである。なお、超薄膜であれば、薄膜材
料による吸収もほとんど無視できる。
に対してＬＢ（ラングミュア・プロジエクト）法または
吸着法等によって緻密で均一厚さの酸化防止用の超薄膜
を形成するものである。なお、超薄膜であれば、薄膜材
料による吸収もほとんど無視できる。
作用
本発明を用いれば、たとえば金属面が露出している基板
にＬＢ法または吸着法によって薄膜を形成したり、ある
いはその薄膜に対してエネルギー線を照射し重合膜を形
成することにより反射率を低下させることなく金属表面
の酸化反応の進行の防止効果が発揮できる。
にＬＢ法または吸着法によって薄膜を形成したり、ある
いはその薄膜に対してエネルギー線を照射し重合膜を形
成することにより反射率を低下させることなく金属表面
の酸化反応の進行の防止効果が発揮できる。
実施例
以下、本発明の酸化防止膜の一実施例を第１図を用いて
説明する。１は五ｅ等の金属又はシリコン等の反射率の
高い材料からなる基板でこの基板１０表面には空気にふ
れることにより、薄いナチュラルオキサイドたとえばム
ｅ２０３又は５ｉｎ２が生じる。このナチュラルオキサ
イドは薄い状態ではほとんど反射率の低下はなく基板１
は良好な反射体として使用できる。こうした基板１表面
は親水性であり、基板１上へ、化学吸着法によりシラ／
界面活性剤、例えば、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＪ）ｎ４ｉｃ（
７ｇ（ｎは整数で１０〜２ｏが良い、なお（Ｈ２＝ＣＨ
−はＣＨ＝ＣＨ−でも良い）を用い基板表面で吸着及膜
２を第１図ａのごとく形成する。例えば、２．０Ｘ１０
−５〜５．０×１０−２Ｍ０１／ｌの濃度で溶した８０
％ｎ−へキサン、１２％西塩化炭素、８％クロロホルム
溶液中に基板１を浸漬し、基板１を形成する。４はビニ
ル基である。この構造の詳細を第１図すに示す。
説明する。１は五ｅ等の金属又はシリコン等の反射率の
高い材料からなる基板でこの基板１０表面には空気にふ
れることにより、薄いナチュラルオキサイドたとえばム
ｅ２０３又は５ｉｎ２が生じる。このナチュラルオキサ
イドは薄い状態ではほとんど反射率の低下はなく基板１
は良好な反射体として使用できる。こうした基板１表面
は親水性であり、基板１上へ、化学吸着法によりシラ／
界面活性剤、例えば、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＪ）ｎ４ｉｃ（
７ｇ（ｎは整数で１０〜２ｏが良い、なお（Ｈ２＝ＣＨ
−はＣＨ＝ＣＨ−でも良い）を用い基板表面で吸着及膜
２を第１図ａのごとく形成する。例えば、２．０Ｘ１０
−５〜５．０×１０−２Ｍ０１／ｌの濃度で溶した８０
％ｎ−へキサン、１２％西塩化炭素、８％クロロホルム
溶液中に基板１を浸漬し、基板１を形成する。４はビニ
ル基である。この構造の詳細を第１図すに示す。
このように単分子膜２を形成すると、その後醸化反応の
進行は停止し、表面の薄いナチュラルオキサイドの厚み
は増加せず、良好な反射性能を維持できる。
進行は停止し、表面の薄いナチュラルオキサイドの厚み
は増加せず、良好な反射性能を維持できる。
上記処理による単分子膜形成後の反射率に対する処理前
の反射率変化の評価結果を次表に示す。
の反射率変化の評価結果を次表に示す。
反射率変化
表よシ単分子膜の形成によって、酸化反応の防止による
反射率の低下防止の効果が極めて大きいことが確認でき
た。したがって、こうして表面処理を行った基板１は高
い反射性能を維持でき、各種光学機器の反射板として好
適である。さらに、半導体製造等においては、クリ−ル
ーム内に光学機器が設置されるがこの場合でも本発明に
より作成された反射体は汚染等の不要な心配も生じるこ
とがなく極めて好都合である。
反射率の低下防止の効果が極めて大きいことが確認でき
た。したがって、こうして表面処理を行った基板１は高
い反射性能を維持でき、各種光学機器の反射板として好
適である。さらに、半導体製造等においては、クリ−ル
ーム内に光学機器が設置されるがこの場合でも本発明に
より作成された反射体は汚染等の不要な心配も生じるこ
とがなく極めて好都合である。
次に本発明の第２の実施例を第２図に示す。この例では
前記の要領で形成した単分子膜２のシラン界面活性剤の
ビニル基４は、第１図すに示すごとく基板表面に並んで
成膜され、しかもＸ線や電子ビーム照射により、まわり
のビニル基間で重合反応が生じるので、次に第２図ａに
示すようにＸ線や電子ビーム等のエネルギー線６を全面
に照射する。すると、第１図ｄに示すようにＸ線や電子
ビーム照射された部分は重合反応６を生じ、この部分の
ビニル基の二重結合は互いに結合し合い、より強固な薄
膜を形成することができる。
前記の要領で形成した単分子膜２のシラン界面活性剤の
ビニル基４は、第１図すに示すごとく基板表面に並んで
成膜され、しかもＸ線や電子ビーム照射により、まわり
のビニル基間で重合反応が生じるので、次に第２図ａに
示すようにＸ線や電子ビーム等のエネルギー線６を全面
に照射する。すると、第１図ｄに示すようにＸ線や電子
ビーム照射された部分は重合反応６を生じ、この部分の
ビニル基の二重結合は互いに結合し合い、より強固な薄
膜を形成することができる。
の信置化の生じやすい金属等の基板にも適用できること
は当然である。
は当然である。
水性である場合には、ラングミュア・ブロジェット膜を
形成して、基板表面に全面親水性基を並べるか、０２
プラズマ処理等で基板表面を親水化しておく方法を用い
ることもできる。なお、ラングミュア・ブロジェット膜
では密着力は劣るが、基板表面の物質が撥水性の場合に
も、累積を撥水面が基板側になったところで止めれば、
表面を完全に親水性化することが可能である。
形成して、基板表面に全面親水性基を並べるか、０２
プラズマ処理等で基板表面を親水化しておく方法を用い
ることもできる。なお、ラングミュア・ブロジェット膜
では密着力は劣るが、基板表面の物質が撥水性の場合に
も、累積を撥水面が基板側になったところで止めれば、
表面を完全に親水性化することが可能である。
また、０２ プラズマ処理を行った場合には、基板表面
が酸化され、親水性を示すようになる。
が酸化され、親水性を示すようになる。
上記２つの実施例においては、感応性薄膜として、シリ
コン界面活性剤を吸着反応させる方法を示したが、あら
かじめ、−〇／を−ＯＨに置換した試薬（ＣＨ２＝ｃｕ
−（ＣＨ２）ｎ−８ｉ（ＯＨ）、等）やＷ−）リコセン
酸（ＯＨ２＝ＯＨ−（（ｊＨ２）２ｏＣＯＯＨ）や、Ｗ
−へブタデセン酸（Ｃ１２＝Ｑ）ｉ−（ＣＨ２）、４Ｃ
ＯＯＨ）や、アセチレン誘導体（ＯＨ三〇−（ＣＨ２）
ｎＣＯＯＨ）等、あるいは前記化合物のＨの一部がＦに
置換えされたもので両親媒性のバランスの取れた試薬を
用い、ラングミュア・ブロジェット法による感応性薄膜
の形成も可能である。
コン界面活性剤を吸着反応させる方法を示したが、あら
かじめ、−〇／を−ＯＨに置換した試薬（ＣＨ２＝ｃｕ
−（ＣＨ２）ｎ−８ｉ（ＯＨ）、等）やＷ−）リコセン
酸（ＯＨ２＝ＯＨ−（（ｊＨ２）２ｏＣＯＯＨ）や、Ｗ
−へブタデセン酸（Ｃ１２＝Ｑ）ｉ−（ＣＨ２）、４Ｃ
ＯＯＨ）や、アセチレン誘導体（ＯＨ三〇−（ＣＨ２）
ｎＣＯＯＨ）等、あるいは前記化合物のＨの一部がＦに
置換えされたもので両親媒性のバランスの取れた試薬を
用い、ラングミュア・ブロジェット法による感応性薄膜
の形成も可能である。
なお、前述の実施例では、−８ｉＣ１，と−ＯＨの界面
反応を例に示したが、同様な反応機構を示す物質であれ
ば、これらに限定されるものではない。また、本発明は
光反射面取外にも酸化反応の進行を防止することの必要
な用途に広く用いることができる。
反応を例に示したが、同様な反応機構を示す物質であれ
ば、これらに限定されるものではない。また、本発明は
光反射面取外にも酸化反応の進行を防止することの必要
な用途に広く用いることができる。
発明の効果
以上のような本発明によれば、金属等の酸化されやすい
表面が露出している基板でも、金属酸化物の発生あるい
は、酸化の進行を容易に防止でき、ミラー等では物理的
加工のような再生処理は不必要で永久的な使用が可能と
なるという効果があり、反射体等に格別である。なお、
前記薄膜材料にＦを含む試薬を加えれば、さらに耐候性
が強化される効果がある。また、この方法は超薄膜材料
の屈折率を選ぶことによシ、反射率の調節を行うことも
可能となる。
表面が露出している基板でも、金属酸化物の発生あるい
は、酸化の進行を容易に防止でき、ミラー等では物理的
加工のような再生処理は不必要で永久的な使用が可能と
なるという効果があり、反射体等に格別である。なお、
前記薄膜材料にＦを含む試薬を加えれば、さらに耐候性
が強化される効果がある。また、この方法は超薄膜材料
の屈折率を選ぶことによシ、反射率の調節を行うことも
可能となる。
第１図ｄは本発明の一実施例における金属表面の酸化防
止法を説明するための酸化防止膜を設けた基板の断面図
、第１図すは同基板を分子レベルで模式的に示す分子構
造図、第２図ａは本発明の他の実施例の酸化防止膜を形
成する基板の断面図、第２図すは同基板表面の分子構造
図、第３図、第４図は従来の金属表面の酸化防止法を説
明するた、めの基板の断面図である。 １・・・・・・Ｓｉ基板、２・・・・・・単分子膜、３
・・・・・・Ｓｉ結合、４・・・・・・ビニル基、６・
・・・・・電子ビーム、６・・・・・・重合反応。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
止法を説明するための酸化防止膜を設けた基板の断面図
、第１図すは同基板を分子レベルで模式的に示す分子構
造図、第２図ａは本発明の他の実施例の酸化防止膜を形
成する基板の断面図、第２図すは同基板表面の分子構造
図、第３図、第４図は従来の金属表面の酸化防止法を説
明するた、めの基板の断面図である。 １・・・・・・Ｓｉ基板、２・・・・・・単分子膜、３
・・・・・・Ｓｉ結合、４・・・・・・ビニル基、６・
・・・・・電子ビーム、６・・・・・・重合反応。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）基板表面にラングミュア・ブロジェット法または
吸着法によって超薄膜を形成することにより酸化反応の
進行を防止することを特徴とした表面の酸化防止方法。 - （２）基板表面にラングミュア・ブロジェット法または
吸着法によって感応性超薄膜を形成し、前記感応性薄膜
の全面にエネルギー線を照射して重合膜とすることによ
り、前記基板表面への酸化反応の進行を防止することを
特徴とした表面の酸化防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62017632A JPH0653249B2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 表面の酸化防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62017632A JPH0653249B2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 表面の酸化防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185476A true JPS63185476A (ja) | 1988-08-01 |
| JPH0653249B2 JPH0653249B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=11949239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62017632A Expired - Fee Related JPH0653249B2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 表面の酸化防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653249B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008191528A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Stanley Electric Co Ltd | 反射膜およびその作製方法および照明装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8970034B2 (en) * | 2012-05-09 | 2015-03-03 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor assemblies and structures |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153124A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 塗膜形成方法 |
| JPS61164677A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-25 | Teijin Ltd | シリコ−ン系超薄膜の製造方法 |
| JPS62572A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-06 | Seizo Miyata | フッ素系有機薄膜の製造法 |
-
1987
- 1987-01-28 JP JP62017632A patent/JPH0653249B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153124A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 塗膜形成方法 |
| JPS61164677A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-25 | Teijin Ltd | シリコ−ン系超薄膜の製造方法 |
| JPS62572A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-06 | Seizo Miyata | フッ素系有機薄膜の製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008191528A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Stanley Electric Co Ltd | 反射膜およびその作製方法および照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0653249B2 (ja) | 1994-07-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |