JPS631862B2 - - Google Patents
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- JPS631862B2 JPS631862B2 JP57097902A JP9790282A JPS631862B2 JP S631862 B2 JPS631862 B2 JP S631862B2 JP 57097902 A JP57097902 A JP 57097902A JP 9790282 A JP9790282 A JP 9790282A JP S631862 B2 JPS631862 B2 JP S631862B2
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- cerebrospinal fluid
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Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61M—DEVICES FOR INTRODUCING MEDIA INTO, OR ONTO, THE BODY; DEVICES FOR TRANSDUCING BODY MEDIA OR FOR TAKING MEDIA FROM THE BODY; DEVICES FOR PRODUCING OR ENDING SLEEP OR STUPOR
- A61M25/00—Catheters; Hollow probes
- A61M25/0009—Making of catheters or other medical or surgical tubes
- A61M25/0015—Making lateral openings in a catheter tube, e.g. holes, slits, ports, piercings of guidewire ports; Methods for processing the holes, e.g. smoothing the edges
-
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- A61M27/00—Drainage appliance for wounds or the like, i.e. wound drains, implanted drains
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/31—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for cutting or drilling
-
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- A61M27/00—Drainage appliance for wounds or the like, i.e. wound drains, implanted drains
- A61M27/002—Implant devices for drainage of body fluids from one part of the body to another
- A61M27/006—Cerebrospinal drainage; Accessories therefor, e.g. valves
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は脳脊髄液の圧力を軽減することによ
り水頭症の状態を制御するに用いられる脳室用カ
テーテルの形状をなした脳脊髄液分流装置に関す
る。さらに、この発明は上述のカテーテルの製造
法および脳室から身体の他部へ脳液を分流させる
方法に関する。
り水頭症の状態を制御するに用いられる脳室用カ
テーテルの形状をなした脳脊髄液分流装置に関す
る。さらに、この発明は上述のカテーテルの製造
法および脳室から身体の他部へ脳液を分流させる
方法に関する。
脳脊髄液の流路障害又はくも膜絨毛を介して脳
の静脈血への不適切な吸収は水頭症の原因とな
る。そのための外科療法は脳脊髄液の圧溶調整の
ための分流を必要とする。すなわち、一般に、有
孔シリコーンゴムカテーテルを脳の側脳室の一つ
に設定し、その有孔先端を前方角近傍に位置させ
る。そして、脳脊髄液は圧力調整バルブを通り、
ついで通常は右心房又は腹腔に分流される。この
分流は脳室カテーテルの入口孔が詰ると機能しな
くなる。又、バルブの不適当な動作により脳室が
つぶれ、排水過剰となる分流が不適切なものとな
る。
の静脈血への不適切な吸収は水頭症の原因とな
る。そのための外科療法は脳脊髄液の圧溶調整の
ための分流を必要とする。すなわち、一般に、有
孔シリコーンゴムカテーテルを脳の側脳室の一つ
に設定し、その有孔先端を前方角近傍に位置させ
る。そして、脳脊髄液は圧力調整バルブを通り、
ついで通常は右心房又は腹腔に分流される。この
分流は脳室カテーテルの入口孔が詰ると機能しな
くなる。又、バルブの不適当な動作により脳室が
つぶれ、排水過剰となる分流が不適切なものとな
る。
従来の形態の脳室カテーテルは脈絡叢の内殖に
よる詰お、カテーテル孔上の脳室崩壊による詰
り、又は血液、細胞、フイブリン等の残屑等によ
る詰りが頻繁に生ずる欠点があつた。さらにこの
ようなカテーテル入口の詰りのため、外科的に修
正を繰返す必要があるなどの問題があつた。
よる詰お、カテーテル孔上の脳室崩壊による詰
り、又は血液、細胞、フイブリン等の残屑等によ
る詰りが頻繁に生ずる欠点があつた。さらにこの
ようなカテーテル入口の詰りのため、外科的に修
正を繰返す必要があるなどの問題があつた。
そのため、カテーテル入口を複雑な機構により
覆う方法などの提案がなされているが、上述の詰
りを改善し得るに至つていない。
覆う方法などの提案がなされているが、上述の詰
りを改善し得るに至つていない。
米国特許No.4182343には２重管からなる脳室排
液チユーブが開示されている。外側ゴムチユーブ
は一端が閉塞され、他端が開口している。この外
側チユーブの内側にはこれより短い内側チユーブ
が内在している。この内側チユーブの一端は外側
チユーブ閉塞端の内壁に固定され、他端は開口し
ている。この内側チユーブは外側チユーブ内壁に
必ずしも固着される必要はない。外側チユーブお
よび内側チユーブはそれぞれ、側面に複数の透孔
が設けられている。外側チユーブ側面の透孔は内
側チユーブ側面の透孔と一致しないようになつて
いる。
液チユーブが開示されている。外側ゴムチユーブ
は一端が閉塞され、他端が開口している。この外
側チユーブの内側にはこれより短い内側チユーブ
が内在している。この内側チユーブの一端は外側
チユーブ閉塞端の内壁に固定され、他端は開口し
ている。この内側チユーブは外側チユーブ内壁に
必ずしも固着される必要はない。外側チユーブお
よび内側チユーブはそれぞれ、側面に複数の透孔
が設けられている。外側チユーブ側面の透孔は内
側チユーブ側面の透孔と一致しないようになつて
いる。
米国特許No.3595241にはチユーブ内に棒体を設
け、この棒体がチユーブの基端が突き出るように
配置された外科用チユーブが開示されている。こ
のカテーテルにおいて、ルーメンがチユーブ全長
に亘つて保護され、チユーブを挿入したのちにチ
ユーブ内の液流を妨げるような血餅その他の浸入
を防止している。
け、この棒体がチユーブの基端が突き出るように
配置された外科用チユーブが開示されている。こ
のカテーテルにおいて、ルーメンがチユーブ全長
に亘つて保護され、チユーブを挿入したのちにチ
ユーブ内の液流を妨げるような血餅その他の浸入
を防止している。
米国特許No.3753439およびNo.3823782には外科用
排液機構の種々のタイプのものが開示されている
が、これらはチユーブ壁に比較的大きい孔を設
け、これにパツド又はネツトを利用して詰りの原
因となる固形物が入るのを防止している。しか
し、いずれも脳に挿入するのに好適なカテーテル
を開示していない。
排液機構の種々のタイプのものが開示されている
が、これらはチユーブ壁に比較的大きい孔を設
け、これにパツド又はネツトを利用して詰りの原
因となる固形物が入るのを防止している。しか
し、いずれも脳に挿入するのに好適なカテーテル
を開示していない。
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであ
つて、多数の細管からなることを特徴とする脳室
用カテーテルを提供するものである。これらの各
細管は入口端が大きく開口するとともに、その側
面にも多数の微細孔を有ることを特徴とする。
つて、多数の細管からなることを特徴とする脳室
用カテーテルを提供するものである。これらの各
細管は入口端が大きく開口するとともに、その側
面にも多数の微細孔を有ることを特徴とする。
これらの細管の孔はイオンビームスパツタエツ
チング法により穿設されたもので、電鋳金属メツ
シからなるマスクを通して放射されるイオンビー
ムによつてエツチングされるもので約14μｍ〜
150μｍの径の孔が形成される。
チング法により穿設されたもので、電鋳金属メツ
シからなるマスクを通して放射されるイオンビー
ムによつてエツチングされるもので約14μｍ〜
150μｍの径の孔が形成される。
側面にこのような多数の孔を設けたフルオロポ
リマー製細管を多数、ヒドラ状に分配することに
より新規なカテーテルが形成されたのである。こ
のような構造によつて脳室から身体の特定部位へ
の脳脊髄液の分流が信頼性良くおこなわれること
になる。
リマー製細管を多数、ヒドラ状に分配することに
より新規なカテーテルが形成されたのである。こ
のような構造によつて脳室から身体の特定部位へ
の脳脊髄液の分流が信頼性良くおこなわれること
になる。
以下、この発明を図示の実施例を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明に係わる脳室カテーテル１０を
示している。各カテーテル１０は複数の柔軟な細
管１２からなつている。これら細管１２の束はチ
ユーブ状シース１４によつて被覆され、該シース
１４は通常のバルブ付き分流システムに接続され
ている。
示している。各カテーテル１０は複数の柔軟な細
管１２からなつている。これら細管１２の束はチ
ユーブ状シース１４によつて被覆され、該シース
１４は通常のバルブ付き分流システムに接続され
ている。
これら細管１２はフルオロポリマーからつくら
れ数、直径、肉厚、長さ、材質について適宜変え
ることができる。この細管１２に適したフルオロ
ポリマーの例としてはポリテトラフルオロエチレ
ンおよびフルオロエチレンプロピレンである。人
体の生存細胞はこれらの物質に接着しないから、
固着の問題は生じない。
れ数、直径、肉厚、長さ、材質について適宜変え
ることができる。この細管１２に適したフルオロ
ポリマーの例としてはポリテトラフルオロエチレ
ンおよびフルオロエチレンプロピレンである。人
体の生存細胞はこれらの物質に接着しないから、
固着の問題は生じない。
各細管１２は入口端１６を有し、この入口端１
６には第４，５図に示す如く横面に比較的長く沿
つて設けられたイオンビームスパツタリングによ
る細孔１８よりも大きい径の孔が設けられてい
る。この入口端１６はある場合には閉塞されてい
てもよい。
６には第４，５図に示す如く横面に比較的長く沿
つて設けられたイオンビームスパツタリングによ
る細孔１８よりも大きい径の孔が設けられてい
る。この入口端１６はある場合には閉塞されてい
てもよい。
チユーブ状シース１４は好ましくはシリコーン
ゴムの小径管からなり、浸透を最小限にし、汚染
の危険を減少させるようにしている。たとえば、
外径約0.015ｍのシリコーンチユーブが好適であ
る。フルオロカーボン束からシリコーンゴムチユ
ーブへの変遷は外形的に種々変化させることがで
きる。
ゴムの小径管からなり、浸透を最小限にし、汚染
の危険を減少させるようにしている。たとえば、
外径約0.015ｍのシリコーンチユーブが好適であ
る。フルオロカーボン束からシリコーンゴムチユ
ーブへの変遷は外形的に種々変化させることがで
きる。
細孔１２の所定区域に第２図に示すように適当
な発生源２２からイオンビーム２０を照射し穿孔
する。イオンビーム２０は300eV〜500eVの間で
所定の露光により細管１２を十分に穿孔し得る密
度とする。
な発生源２２からイオンビーム２０を照射し穿孔
する。イオンビーム２０は300eV〜500eVの間で
所定の露光により細管１２を十分に穿孔し得る密
度とする。
エレクトロン放射イオン源２２からアルゴンイ
オンビームを照射することもでき、そのようなイ
オン源は“Advances in Electronics and
Electron Physics”Vol.36、第365〜373頁に記載
されている。
オンビームを照射することもでき、そのようなイ
オン源は“Advances in Electronics and
Electron Physics”Vol.36、第365〜373頁に記載
されている。
ビーム抽出は凹面２グリツドイオン光学システ
ムによつておこなうことができる。このようなシ
ステムはAIAA紙No.76−1017“30cm径アルゴンイ
オン源”に記載されている。イオンビームの中性
化はイオン源２２を収容する真空装置の壁面のイ
オン放射によつて解放された２次的エレクトロン
によつて達成できる。この真空装置はバツクスパ
ツタされた物質がイオンビームエツチングされる
物質の汚染をできるだけ、もたらすことない程度
の十分な大きさとする。この真空装置はイオン源
２２の操作時において通常、４×10-5torrの圧力
に維持されている。
ムによつておこなうことができる。このようなシ
ステムはAIAA紙No.76−1017“30cm径アルゴンイ
オン源”に記載されている。イオンビームの中性
化はイオン源２２を収容する真空装置の壁面のイ
オン放射によつて解放された２次的エレクトロン
によつて達成できる。この真空装置はバツクスパ
ツタされた物質がイオンビームエツチングされる
物質の汚染をできるだけ、もたらすことない程度
の十分な大きさとする。この真空装置はイオン源
２２の操作時において通常、４×10-5torrの圧力
に維持されている。
細孔１２は筒状マンドレル２４の外周面の周り
に設置され、イオン源２２より外流の垂直軸の周
りに回転される。適当な障壁２６をイオン源２２
とマンドレル２４との間にマンドレルに近ずけて
配置する。イオンビーム２０は公知の如く障壁２
６を通過する。
に設置され、イオン源２２より外流の垂直軸の周
りに回転される。適当な障壁２６をイオン源２２
とマンドレル２４との間にマンドレルに近ずけて
配置する。イオンビーム２０は公知の如く障壁２
６を通過する。
極めて細かいメツシユの電鋳スクリーン２８を
第３図に示す如くマンドレル２４上の細管１２の
最外周部縁部の周りに緊張させて保持する。つい
で、第４図に示す如く、スクリーン２８を通つた
ビーム２０によるアルゴンイオンにより孔１８の
パターンが形成される。この電鋳金属メツシユス
クリーン２８はマスクとして機能し細管１２の側
面に所望の形状の孔を形成させる。これらの孔１
８は約20〜150μｍの直径の微細孔である。第３
図にイオンビーム２０の一部が障壁２６を通過す
る状態が示されている。このビーム２０は全巾に
亘つて実質的に密度が均一となつている。
第３図に示す如くマンドレル２４上の細管１２の
最外周部縁部の周りに緊張させて保持する。つい
で、第４図に示す如く、スクリーン２８を通つた
ビーム２０によるアルゴンイオンにより孔１８の
パターンが形成される。この電鋳金属メツシユス
クリーン２８はマスクとして機能し細管１２の側
面に所望の形状の孔を形成させる。これらの孔１
８は約20〜150μｍの直径の微細孔である。第３
図にイオンビーム２０の一部が障壁２６を通過す
る状態が示されている。このビーム２０は全巾に
亘つて実質的に密度が均一となつている。
脳室カテーテルの細管１２をスパツタエツチン
グを用いて穿孔する場合は孔の密度を従来の場合
と比較して数十倍、増加させることが可能とな
る。たとえば、細管１cmの長さの範囲に20μｍの
孔を約1100個設けることができる。
グを用いて穿孔する場合は孔の密度を従来の場合
と比較して数十倍、増加させることが可能とな
る。たとえば、細管１cmの長さの範囲に20μｍの
孔を約1100個設けることができる。
カテーテル１０は直径約0.44mmの細管１２の束
からなつている。したがつて、この結果、得られ
る多数の細孔のため、液流を妨害するような残
渣、細胞組織が分流路に引き込まれ捕捉される可
能性を著しく減少させることができる。
からなつている。したがつて、この結果、得られ
る多数の細孔のため、液流を妨害するような残
渣、細胞組織が分流路に引き込まれ捕捉される可
能性を著しく減少させることができる。
カテーテル１０は脳脊髄液を側脳室の一つから
従来の弁付き分流システムを介して、心ぞう又は
腹膜腔へ排出させるのに用いることができる。こ
のカテーテル１０は第６図の如く側方脳室３０か
ら脳脊髄液を個々の細管１２を用いて直接分流さ
せるのに用いることもできる。この側方脳室は第
４の脳室３４の上に位置する第３の脳室と実質的
に並設されている。細管１２はこの側脳室から柔
膜を通つてくも膜下空間３８へ延びる。この空間
３８は柔膜３６とくも膜４０との間に存在する。
このくも膜４０は硬膜４２の内側に位置してい
る。細管１２の入口端１６はヒドラ状に側脳室３
０内へ延出している。同様に、細管１２の最外側
又は排出端はヒドラ状にくも膜下空間３８内に延
びている。
従来の弁付き分流システムを介して、心ぞう又は
腹膜腔へ排出させるのに用いることができる。こ
のカテーテル１０は第６図の如く側方脳室３０か
ら脳脊髄液を個々の細管１２を用いて直接分流さ
せるのに用いることもできる。この側方脳室は第
４の脳室３４の上に位置する第３の脳室と実質的
に並設されている。細管１２はこの側脳室から柔
膜を通つてくも膜下空間３８へ延びる。この空間
３８は柔膜３６とくも膜４０との間に存在する。
このくも膜４０は硬膜４２の内側に位置してい
る。細管１２の入口端１６はヒドラ状に側脳室３
０内へ延出している。同様に、細管１２の最外側
又は排出端はヒドラ状にくも膜下空間３８内に延
びている。
第６図に示すようなカテーテル１０の配置は特
別の圧力調整バルブを必要としない。そのような
バルブは従来のカテーテルにおいて、脳脊髄液を
心ぞう又は腹膜腔へ戻すために用いられている。
又、このような方法により、脳脊髄液をくも膜下
空間３８内での通常の吸収の場所へ戻すことがで
きる。
別の圧力調整バルブを必要としない。そのような
バルブは従来のカテーテルにおいて、脳脊髄液を
心ぞう又は腹膜腔へ戻すために用いられている。
又、このような方法により、脳脊髄液をくも膜下
空間３８内での通常の吸収の場所へ戻すことがで
きる。
上述の如き多数の入口孔１８は残屑、細胞組織
による分流の詰りを防止させ、これと、細管のフ
ルオロポリマーの材質との組合せにより細胞組織
の機械的付着を防止させ、必要な場合、修正を容
易にする。又、この孔１８の小さな径のため、脳
室の局部的崩壊による脳脊髄液の流路封閉の可能
性を減少させることができる。
による分流の詰りを防止させ、これと、細管のフ
ルオロポリマーの材質との組合せにより細胞組織
の機械的付着を防止させ、必要な場合、修正を容
易にする。又、この孔１８の小さな径のため、脳
室の局部的崩壊による脳脊髄液の流路封閉の可能
性を減少させることができる。
なお、スパツタマスクメツシユ２８の材質、形
状を上述の例以外に変えること、これにより細管
１２の孔１８の位置、形状を変えることもでき
る。また、上記例では細管１２をマンドレル２４
の上にほぼ平行に並列させたものについて述べた
が、その他、細管１２をら旋状にマンドレル２４
上に巻きつけてもよい。さらに第３図に示す細管
１２はねじつた状態にしてイオンスパツタリング
をおこなつてもよい。そして穿孔後に、このねじ
りを除けば、孔が細管１２の壁面の周りにら旋状
に形成される。
状を上述の例以外に変えること、これにより細管
１２の孔１８の位置、形状を変えることもでき
る。また、上記例では細管１２をマンドレル２４
の上にほぼ平行に並列させたものについて述べた
が、その他、細管１２をら旋状にマンドレル２４
上に巻きつけてもよい。さらに第３図に示す細管
１２はねじつた状態にしてイオンスパツタリング
をおこなつてもよい。そして穿孔後に、このねじ
りを除けば、孔が細管１２の壁面の周りにら旋状
に形成される。
第１図は本発明に係わる脳室カテーテルの拡大
斜視図、第２図は第１図のカテーテルの細管壁に
細孔を穿孔させる装置の概略図、第３図は第２図
の３−３線に沿う断面図、第４図は穿孔された細
管の外面の図面、第５図はスパツタリングにより
穿孔された細管の断面を示す図面、第６図は本発
明に係わる細管を用いて側脳室からくも膜下空間
に脳脊髄液を直接分流させる態様を示す模式図で
ある。 １０……脳室カテーテル、１２……細管、１４
……チユーブ状シース、１６……入口端、１８…
…細孔、２０……イオンビーム、２２……イオン
発生源、２４……マンドレル、２６……障壁、２
８……電鋳スクリーン、３８……くも膜下空間、
４０……くも膜、４２……硬膜。
斜視図、第２図は第１図のカテーテルの細管壁に
細孔を穿孔させる装置の概略図、第３図は第２図
の３−３線に沿う断面図、第４図は穿孔された細
管の外面の図面、第５図はスパツタリングにより
穿孔された細管の断面を示す図面、第６図は本発
明に係わる細管を用いて側脳室からくも膜下空間
に脳脊髄液を直接分流させる態様を示す模式図で
ある。 １０……脳室カテーテル、１２……細管、１４
……チユーブ状シース、１６……入口端、１８…
…細孔、２０……イオンビーム、２２……イオン
発生源、２４……マンドレル、２６……障壁、２
８……電鋳スクリーン、３８……くも膜下空間、
４０……くも膜、４２……硬膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 過度の脳脊髄液圧力を軽減することにより水
頭症の状態を制御するために用いられる脳室カテ
ーテルであつて、 脳室から人体の特定部位へ脳脊髄液を導くため
の複数本の細管であつて、各細管がその少なくと
も一端近傍壁部に複数の細孔を有するとともに、
該一端に上記細孔よりも実質的に大きい径の開口
部を有するものと；これら複数本の細管を各細管
の細孔穿設部が露出するようにして囲繞するチユ
ーブ状シースとを具備してなる脳室カテーテル。 ２ 細管がフルオロポリマーからなる特許請求の
範囲第１項記載のカテーテル。 ３ フルオロポリマーがポリテトラフルオロエチ
レン又はフルオロエチレンプロピレンからなる特
許請求の範囲第２項記載のカテーテル。 ４ チユーブ状シースがシリコーンゴムからなる
特許請求の範囲第１項記載のカテーテル。 ５ チユーブ状シースが0.015ｍの内径を有する
特許請求の範囲第４項記載のカテーテル。 ６ 細管の内径が0.44mmである特許請求の範囲第
５項記載のカテーテル。 ７ 細孔の直径が14〜150μｍの範囲である特許
請求の範囲第６項記載のカテーテル。 ８ 過度の脳脊髄液圧力を軽減することにより水
頭症の状態を制御するために用いられる脳室カテ
ーテルの製造方法であつて、複数の細管を複数の
細孔を有するマスクで囲う工程と、この囲われた
細管を真空環境内に配置する工程と、イオンビー
ムを該マスクに露出させ、該細管に細孔を形成さ
せる工程とを具備してなる製造方法。 ９ 上記穿孔細管をさらにチユーブシースにて包
む工程を具備する特許請求の範囲第８項記載の製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/272,407 US4377169A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Ion beam sputter-etched ventricular catheter for hydrocephalus shunt |
| US272407 | 1981-06-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5849158A JPS5849158A (ja) | 1983-03-23 |
| JPS631862B2 true JPS631862B2 (ja) | 1988-01-14 |
Family
ID=23039666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57097902A Granted JPS5849158A (ja) | 1981-06-10 | 1982-06-09 | 脳室カテ−テルおよびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4377169A (ja) |
| EP (1) | EP0066685B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5849158A (ja) |
| CA (1) | CA1174137A (ja) |
| DE (1) | DE3274192D1 (ja) |
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