JPS63190246A - 希ガス放電ランプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は照射する方向の輝度を高めた希ガス放電ランプ
に関する。

（従来の技術） 従来、液晶のバックライト用元源として、一般照明用け
い元ラングが使用されていたが、け＾光ランプは、点灯
中に水銀蒸気が励起シれることにより紫外線を放出し、
この紫外線によってけい光体を発光させるものであるた
め、低温雰囲気で使用すると水銀蒸気圧が低く、したが
って光出力、輝度が低下する不具合がある。

これに対し希ガス放電ランプは、両端に電極を封装した
発光管の内面にけい光体被膜を形成し、この発元冒内に
キセノンなどの希ガスを封入したものであり１点灯中に
キセノンの発する紫外線によルけい光体を発光きせるも
のであるため、周囲の温度条件に影響されることなく光
出力および輝度を一定に保ち得る利点がある。

したがって、車両などの計器盤のように、冷雰囲気で使
用される液晶のバックライトとして好適する。

しかしながらこの種の希ガス放電ランプは、電極の寿命
を長くするため発光管内に封入する希ガスの封入圧力’
ｅ　５０　Ｔ’ｏｒｒ以上に高くしており。

したがって始動電圧が亮くなる欠点がある。

始動電圧を引き下げるため、発光管の外面に近接導体全
添設させる手段が提案されており、このものは近接導体
が始動補助電極となるので始動が容易となり、かつ始動
電圧が低くてすむ利点がある。

（発明が解決しようとする問題点） 一方、この種の希ガス放電ランプは、上記のように希ガ
スの封入圧力を高くしであるため、点灯中にアークが絞
られて細くなる傾向がある。

このような細いアークに対し、上記発光管の外面に近接
導体全添設したものでは、上記アークが近接導体に引き
寄せられて発光管中心から偏心してしまう。このためア
ークが近づいた側面のけい光体が強く発光し、したがっ
て発光管の周方向では発光強度にばらつきが生じること
が判った。

前述したバックライト光源では、液晶に向かう光量の多
いことが望ましいが、このような照射方向に対して発光
管の反対側の側面に近接４体を設けると、上記液晶に向
かう方向とは反対側の面の輝度が普くなって、発光の有
効利用ができず、液晶の輝度が低下する不具合がある。

本発明においては、有効に利用しようとする方向の光量
、つまり照射方向の輝度を高めることができる希ガス放
電ランプを提供しようとするものである。

［発明の構成コ （問題点を解決するだめの手段） 本発明においては、照射方向側の発光管外面に、非、４
元性の近接導体を設けたことを特徴とする。

（作用） 本発明によると、点灯中に細く絞られたアークが、照射
方向に設けた近接導体に引かれるので、照射方向に位置
するけい光体を強く発光させ、したがって照射方向の輝
度を高めることができる。

しかも近接導体は、非遮光性であるので照射方向の光を
遮光もしくは減光することがなく、したがって有効に利
用とする方向の光量が増す。

（実施例） 以下本発明について、第１図および第２図に示す一実施
例にもとづき説明する。

図において１はガラスチューブよりなる発光管であり、
たとえば管径１２ｍ、長さ１５０ｍ程度の細長い直管形
をなしている。

発光管１の両端には、電極２．２が封装されている。電
極２．２は、導電性帯板を円筒形に曲成した冷陰極電極
である。発光管１の内面には、けい光体被膜３が＠着さ
れている。また発光管１内には希ガスとして、たとえば
ペニンガス、具体例としてネオン９８％、キセノン２％
よりなる混合ガスが１５０Ｔｏｒｒ封入されている。

このようなランプでは、その照射方向、すなわち矢印方
向に向かう上記発光管１の外面に近接導体４が添設され
ている。近接導体４は、酸化スズの４電透明膜もしくは
酸化インジウムの導電透明膜よりなる。

なお、酸化スズの４電透明膜または酸化インジウムの導
電透明膜を作るには、発光管チューブを５００℃前後に
加熱し、その前面にＳ　ｎ　Ｃ１２溶剤またはＩｎＣｔ
５溶剤を噴霧することにより作ることができる。

また近接導体４の添設領域は、第２図に示すように照射
方向に向かう片面、つ１す１８０°の領域内でよい。

このような構成の希ガス放電ラングにおいては、両電極
２，２間に交流、直流もしくは高周波電圧全印加し、近
接導体４を一万の電極２と同電位に接続すると、近接導
体４が始動補助電極となってアーク放ｔｉ誘起し、した
がって容易に始動する。

しかも希ガスとして始動性に優れたペニングガスを使用
しているので、始′ＰｉＪ電圧が低くてすむ。

ランプ点灯中、アークによって希ガスが励起され、この
希ガスは紫外１＝ＩＪ　？放出し、この紫外？、ＩＩｌ
はけい光体３を発光させる。

この場合、希ガスの封入圧力ば１５０　Ｔｏ、ｒと高圧
力となっているので、周囲温度の変化による圧力変動は
少く、よって光効率の温度変化による変動は少く、また
電極２，２の蒸発なども少い。

そして点灯中に細く絞られたアーク（Ａで示す）が近接
導体４に引き寄せられても、近接導体４が照射方向側の
側面に密着して設けられていることから、発光管１にお
ける上記照射方向に位置するけい光体３を強く発光させ
ることになり、よって照射方向の発光強度が大きくなっ
て輝度が増す。

しかも近接導体４は４電透明膜であるから照射方向の光
を遮えぎることはなく、減光することも少ない。

よって照射方向に向かう光量が多くなり、輝度の上昇が
可能になる。

このため、上記照射方向に液晶などを設置した場合、液
晶の輝度が上昇する。

上記管径１２瓢、長さ１５０籠、Ｎｅ　９８％、Ｘｓ　
２％の希ガス放電ランプの場合、矢印で示す照射方向の
輝度は約７０００　Ｃｄ　７ｍ　　であることが確めら
れた。これに対し近接導体を使用しない同定格のランプ
では、矢印方向の輝度は約４０００Ｃｄ／ｍ２であり、
箇た矢印方向とは反対面に金属テープよりなる遮光性の
近接導体を設けたランプの矢印方向における輝度は約２
０００Ｃｄ／ｍ　　であった。

上記実施例では直管形の希ガス放電ランプについて説明
したが、本発明はこれに限らず、たとえば第３図に示す
ような環形希ガス放電ランプであってもよい。このラン
プは環形発光管３０の一側面に透明４１１Ｌ性の近接導
体３１を形成し、矢印方向に元金照射するものである。

また、非遮光性近接導体としては、透明導電膜のほかに
、細いワイヤよりなる導電線を発光管に添って配置して
もよい。

発光管内に封入される希ガスは従来と同様にキセノンガ
スであってもよいが、前述した実施例のようにネオンと
キセノンのイニングガスであれば始動電圧が低くな゛る
ので一層望ましい。イニングガスとしては、ネオンおよ
びヘリウムまたはこの混合ガスを主体とし、この主体ガ
スにアルゴン、クリプトン、キセノンの少なくとも１種
よりなる添加ガスを小量添加したものであってもよい。

さらにまた、電極は冷陰極タイプに限らず熱陰極タイプ
であっても実施可能である。

［発明の効果コ 以上説明した通り本発明によると、点灯中に細く絞られ
るアークが照射方向に設置された近接導体に引き寄せら
れて照射方向のけい光体を強く発光させ、したがって照
射方向の光出力が増大する。しかも近接導体は非遮光性
であるから、照射方向、つまり有効に利用しようとする
方向の輝度が高くなる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の一実施例を示し、第１図
は斜視図、第２図は断面図、第３図は本発明の他の実施
例を示す斜視図である。 １・・・発光管、２・・・電極、３・・・けい光体被膜
、４・・・近接導体。 第２図 第３図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）両端に電極を封装した発光管の内面にけい光体被
   膜を形成するとともに、この発光管の内部に希ガスを５
   ０Ｔｏｒｒ以上の封入圧力で封入した希ガス放電ランプ
   において、 上記ランプから出る光を有効に利用する方向の上記発光
   管の前面に非遮光性の近接導体を密着して添設したこと
   を特徴とする希ガス放電ランプ。
2. （２）上記非遮光性近接導体は透明導電膜であることを
   特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の希ガス放電
   ランプ。
3. （３）上記希ガスは、ヘリウムまたはネオンもしくはこ
   れらの混合ガスを主体とし、この主体ガスにアルゴン、
   クリプトン、キセノンの少なくとも１種からなる添加ガ
   スを小量混合したペニングガスであることを特徴とする
   特許請求の範囲第（１）項または第（２）項記載の希ガ
   ス放電ランプ。