JPS63190352A - 半導体ウェハ検査方法 - Google Patents
半導体ウェハ検査方法Info
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- JPS63190352A JPS63190352A JP2306187A JP2306187A JPS63190352A JP S63190352 A JPS63190352 A JP S63190352A JP 2306187 A JP2306187 A JP 2306187A JP 2306187 A JP2306187 A JP 2306187A JP S63190352 A JPS63190352 A JP S63190352A
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- JP
- Japan
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- image
- fourier transformation
- foreign matter
- wafer
- semiconductor wafer
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95623—Inspecting patterns on the surface of objects using a spatial filtering method
Landscapes
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ウェハ上の異物の検査装置に関するも
のである。
のである。
従来の技術
従来、この種の検査には次の２つの方法がとられていた
。まず、一つはパターンのないウェハを′用い、反射率
の変化により異物を検出するタイプのダスト検査機によ
る方法であり、もう一つは、何らかのパターンを持った
ウェハを用い、光学顕微鏡による目視による方法である
。
。まず、一つはパターンのないウェハを′用い、反射率
の変化により異物を検出するタイプのダスト検査機によ
る方法であり、もう一つは、何らかのパターンを持った
ウェハを用い、光学顕微鏡による目視による方法である
。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の方法では次の問題があった。
各プロセスで付着するウェハ上の異物の組成を各種分析
装置を用い分析する場合等において、その異物の位置を
正確に知っておく必要がある。そのため、ウェハに何ら
かのパターンを形成することにより異物の位置を知る方
法がとられる。しかし、ウェハにパターンを形成した場
合、従来のダスト検査機ではパターンの影響により異物
を正確に検出することができなくなる。そこで光学顕微
鏡による目視検査がなされるが、多大な時間を要するた
め、サンプル数を増すことができないという問題があっ
た。
装置を用い分析する場合等において、その異物の位置を
正確に知っておく必要がある。そのため、ウェハに何ら
かのパターンを形成することにより異物の位置を知る方
法がとられる。しかし、ウェハにパターンを形成した場
合、従来のダスト検査機ではパターンの影響により異物
を正確に検出することができなくなる。そこで光学顕微
鏡による目視検査がなされるが、多大な時間を要するた
め、サンプル数を増すことができないという問題があっ
た。
問題点を解決するための手段
そこで本発明は、周期的なパターンを持ったテスト用半
導体ウェハを用い、その顕微鏡像のフーリエ変換像に生
じる周期的パターンに対応するスポットをマスクにより
除去した後に逆フーリエ変換を行ない、周期的なパター
ンを除去した逆フーリエ変換像をもとに、ウェハ上の異
物の有無を判断するものである。
導体ウェハを用い、その顕微鏡像のフーリエ変換像に生
じる周期的パターンに対応するスポットをマスクにより
除去した後に逆フーリエ変換を行ない、周期的なパター
ンを除去した逆フーリエ変換像をもとに、ウェハ上の異
物の有無を判断するものである。
作用
この方式により半導体ウェハ上の異物のみ像コントラス
トを持たすことができる。
トを持たすことができる。
実施例
次に本発明の一実施例を図面を参照して説明する。本実
施例では光学顕微鏡像を計算機に入力し、その後の処理
は計算機内で行なっている。第１図のように、異物ｌの
像と共に方形の周期的なパターン像２をもつ光学顕微鏡
像を計算機に入力する。第２図以降はこの像の処理過程
を示したものである。第２図は第１図示像のフーリエ変
換像、第３図は第２図中の周期的スポット像をマスクに
より除去した像である。そして、第４図は逆フーリエ変
換像である。異物がある時のみ、逆フーリエ変換像にコ
ントランストが生じる。このコントラストを検出するこ
とにより異物の有無が判断できる。
施例では光学顕微鏡像を計算機に入力し、その後の処理
は計算機内で行なっている。第１図のように、異物ｌの
像と共に方形の周期的なパターン像２をもつ光学顕微鏡
像を計算機に入力する。第２図以降はこの像の処理過程
を示したものである。第２図は第１図示像のフーリエ変
換像、第３図は第２図中の周期的スポット像をマスクに
より除去した像である。そして、第４図は逆フーリエ変
換像である。異物がある時のみ、逆フーリエ変換像にコ
ントランストが生じる。このコントラストを検出するこ
とにより異物の有無が判断できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば半導体ウェハ上の異物の位
置を自動的に求めることができる。
置を自動的に求めることができる。
第１図〜第４図は本発明の一実施例による像処理過程の
模式図である。 １・・・・・・半導体ウェハ上の異物像、２・・・・・
・周期的パターン。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名区
区 −囚 憾 嫉
模式図である。 １・・・・・・半導体ウェハ上の異物像、２・・・・・
・周期的パターン。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名区
区 −囚 憾 嫉
Claims (1)
- 周期的なパターンを持った半導体ウェハの光学顕微鏡像
をフーリエ変換し、そのフーリエ変換像に生じる周期的
パターンに対応するスポットをマスクにより除去した後
に逆フーリエ変換を行なった像をもとにウェハ上の異物
の有無を判断可能にする機能をそなえた半導体ウェハ検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2306187A JPS63190352A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 半導体ウェハ検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2306187A JPS63190352A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 半導体ウェハ検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190352A true JPS63190352A (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=12099908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2306187A Pending JPS63190352A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 半導体ウェハ検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63190352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06347415A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Nec Corp | パーティクル検査装置およびその検査方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49135581A (ja) * | 1973-04-28 | 1974-12-27 |
-
1987
- 1987-02-02 JP JP2306187A patent/JPS63190352A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49135581A (ja) * | 1973-04-28 | 1974-12-27 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06347415A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Nec Corp | パーティクル検査装置およびその検査方法 |
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