JPS63191004A - 微小寸法計測方法 - Google Patents
微小寸法計測方法Info
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- JPS63191004A JPS63191004A JP2298287A JP2298287A JPS63191004A JP S63191004 A JPS63191004 A JP S63191004A JP 2298287 A JP2298287 A JP 2298287A JP 2298287 A JP2298287 A JP 2298287A JP S63191004 A JPS63191004 A JP S63191004A
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はサブミクロン領域の微小寸法の計測方法に関す
る。
る。
近年の精密加工技術の進歩に伴い被加工物のマイクロ化
が進み、集積回路、磁気ヘッド等の分野においても微細
加工される寸法は1ミクロンメートル(μm)以下のオ
ーダーに達し、それに伴って1μm以下の微小寸法の高
精度計測の必要性が高まってきている。
が進み、集積回路、磁気ヘッド等の分野においても微細
加工される寸法は1ミクロンメートル(μm)以下のオ
ーダーに達し、それに伴って1μm以下の微小寸法の高
精度計測の必要性が高まってきている。
測定すべき微小な寸法部を照明して顕微鏡で高倍率に拡
大し、拡大像をTVカメラで受光して寸法を測定する方
法が多く用いられている。これはTVカメラによりて発
せられる受光された像のビデオ信号を予め設定されたス
ライスレベルの値で2値化して、2値化された信号の立
ち下がりと立置 ちギがり間にふくまれる画素のピッチを計数して寸法を
求めるものである。
大し、拡大像をTVカメラで受光して寸法を測定する方
法が多く用いられている。これはTVカメラによりて発
せられる受光された像のビデオ信号を予め設定されたス
ライスレベルの値で2値化して、2値化された信号の立
ち下がりと立置 ちギがり間にふくまれる画素のピッチを計数して寸法を
求めるものである。
前述したTVカメラを用いた測定法では安定した2値化
処理を行なうために、明暗のS/N比の良いビデオ信号
が得られてスライスレベルの値が安定していることが必
至である。
処理を行なうために、明暗のS/N比の良いビデオ信号
が得られてスライスレベルの値が安定していることが必
至である。
被測定物の寸法を測定すべき部分の凸部あるいは凹部の
エッヂ部と基材部との光学的コントラスト比が悪い場合
は、2値化のためのスライスレベル値が不安定となり測
定精度が低下する。
エッヂ部と基材部との光学的コントラスト比が悪い場合
は、2値化のためのスライスレベル値が不安定となり測
定精度が低下する。
また、被測定物の寸法が照明光のスポット径に対して微
小になるに従って微小寸法部から反射される反射光量が
減少するため、単一のスライスレベル値を設定して2値
化処理していたのでは実際の寸法と2値化された寸法が
もはや対応しな(なって高精度な寸法計測を行なうこと
はできな(なって(る。
小になるに従って微小寸法部から反射される反射光量が
減少するため、単一のスライスレベル値を設定して2値
化処理していたのでは実際の寸法と2値化された寸法が
もはや対応しな(なって高精度な寸法計測を行なうこと
はできな(なって(る。
本発明は上述した従来の計測法の問題点を解消させて特
に1ミクロンメートルよりも小さい寸法を高精度、高安
定に計測することが可能な寸法計測方法を提供すること
を目的とする。
に1ミクロンメートルよりも小さい寸法を高精度、高安
定に計測することが可能な寸法計測方法を提供すること
を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために本発明は次のような方法か
ら成る。
ら成る。
レーザ光源から放射されるレーザ光を2本の接近した2
ビーム光に分離せしめ、該2ビーム光を構成する各々の
ビームの強度のピーク間距離を予め定められた距離に設
定せしめて対物レンズにより微小なスポット径に集光し
て寸法が測定される被測定物面上に照射せしめ、前記集
光された2ビーム光を前記被測定物面上を走査させて各
走査状態毎に直流レベルの反射光強度を検出し、走査し
て得られた反射光強度パターン及び該反射光強度パター
ンの予め定められた場所の強度レベルの値から寸法を計
測する。
ビーム光に分離せしめ、該2ビーム光を構成する各々の
ビームの強度のピーク間距離を予め定められた距離に設
定せしめて対物レンズにより微小なスポット径に集光し
て寸法が測定される被測定物面上に照射せしめ、前記集
光された2ビーム光を前記被測定物面上を走査させて各
走査状態毎に直流レベルの反射光強度を検出し、走査し
て得られた反射光強度パターン及び該反射光強度パター
ンの予め定められた場所の強度レベルの値から寸法を計
測する。
以上の方法によって寸法を計測するとき、接近した距離
に分離され、ガウス強度分布を有する2ビーム光を、微
小スポット径に集光して、被測定物面上に照射して走査
したとき、被測定物の基材部と、寸法測定部との間に反
射状態の差異が存在すれば、その差異に応じたガウス分
布が、積分された形の反射光強度パターンが得られ、か
つ被測定物の寸法に依存して、反射光強度パターンの強
度レベルが変化するため、反射光強度パターンな解析す
ることによりて、寸法を求めることができる。
に分離され、ガウス強度分布を有する2ビーム光を、微
小スポット径に集光して、被測定物面上に照射して走査
したとき、被測定物の基材部と、寸法測定部との間に反
射状態の差異が存在すれば、その差異に応じたガウス分
布が、積分された形の反射光強度パターンが得られ、か
つ被測定物の寸法に依存して、反射光強度パターンの強
度レベルが変化するため、反射光強度パターンな解析す
ることによりて、寸法を求めることができる。
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図は本発明の寸法計測に用いるレーザ光の光強度分
布を示す図で、第1図(イ)は単一ビームの光強度分布
図、第1図(ロ)は2ビーム光の光強度分布図である。
布を示す図で、第1図(イ)は単一ビームの光強度分布
図、第1図(ロ)は2ビーム光の光強度分布図である。
一般にレーザ光源から放射されるレーザ光の光強度分布
はガウス分布をしている。
はガウス分布をしている。
第1図(イ)においてガウス強度分布レーザ光10の強
度最大点11のレーザ光強度をI。とじたとき、Ioの
値の13.5%の強度点12の範囲をガウス分布のレー
ザ光の直径としている。
度最大点11のレーザ光強度をI。とじたとき、Ioの
値の13.5%の強度点12の範囲をガウス分布のレー
ザ光の直径としている。
ガウス強度分布レーザ光10の中心点である強度最大点
11を原点にとり、ビーム径の半径をWとしたとき、原
点から距離rの点のレーザ光強度工は I = I。exp (−2r / W ) −
■で表わされる。
11を原点にとり、ビーム径の半径をWとしたとき、原
点から距離rの点のレーザ光強度工は I = I。exp (−2r / W ) −
■で表わされる。
第1図(ロ)は第1図(イ)で示した単一のガウス分布
光を2つ組み合わせた2ビーム光の光強度分布図で、各
々の単一の第1のレーザビーム16及び第2のレーザビ
ーム14のビーム直径をそれぞれDとしたとき、各々の
ビームの第1の強度最大点160及び第2の強度最大点
1400間のピーク間距離CWを測定しようとする被測
定物の寸法に応じた値に設定する。第1図(ロ)ではC
W=0.8Dである。この望ましいピーク間距離CWの
設定については後述する。
光を2つ組み合わせた2ビーム光の光強度分布図で、各
々の単一の第1のレーザビーム16及び第2のレーザビ
ーム14のビーム直径をそれぞれDとしたとき、各々の
ビームの第1の強度最大点160及び第2の強度最大点
1400間のピーク間距離CWを測定しようとする被測
定物の寸法に応じた値に設定する。第1図(ロ)ではC
W=0.8Dである。この望ましいピーク間距離CWの
設定については後述する。
このようにして設定された2ビーム光15を寸法計測用
のプローブ光として寸法が測定される被測定物面上に照
射する。
のプローブ光として寸法が測定される被測定物面上に照
射する。
第2図に第1図(ロ)に述べた2ビーム光15の発生の
方法の実施例を示す。
方法の実施例を示す。
20は音響光学素子(以下にAOと略す)、21はAO
20に入射されろ入射レーザ光、22及び26はA02
0によって発せられる2ビーム光のそれぞれのビーム光
、24は対物レンズ、25は交流発振器、26は音響光
学素子ドライバ−(AOドライバー)である。
20に入射されろ入射レーザ光、22及び26はA02
0によって発せられる2ビーム光のそれぞれのビーム光
、24は対物レンズ、25は交流発振器、26は音響光
学素子ドライバ−(AOドライバー)である。
27は直流電圧源でAO20の光偏向動作を制御するた
めのものである。A020は光と超音波の相互作用によ
り光の変調を行なうもので光偏向、光強度変調、光周波
数シフト等の動作を行なわせることができる。
めのものである。A020は光と超音波の相互作用によ
り光の変調を行なうもので光偏向、光強度変調、光周波
数シフト等の動作を行なわせることができる。
交流発振器25によりfmなる周波数を有する交流信号
をAOドライバー26に印加する。AOドライバー26
の構成は各種の構成例が考えられるが、例えばf、なる
周波数の高周波信号発生源が内蔵されて、2つの周波数
成分子m及びfaの信号をAM変調させればf a +
f mの2周波数成分のAO駆動信号がAOドライバ
ー26により作成できる。
をAOドライバー26に印加する。AOドライバー26
の構成は各種の構成例が考えられるが、例えばf、なる
周波数の高周波信号発生源が内蔵されて、2つの周波数
成分子m及びfaの信号をAM変調させればf a +
f mの2周波数成分のAO駆動信号がAOドライバ
ー26により作成できる。
この2周波数成分の信号を超音波トランスデユーサ−に
より超音波に変換してA020内部に伝播させると、超
音波進行波の疎密波がA020を構成する媒質の光弾性
効果により媒質中に屈折率の周期的変動を生じさせて光
に対する回折格子として作用する。
より超音波に変換してA020内部に伝播させると、超
音波進行波の疎密波がA020を構成する媒質の光弾性
効果により媒質中に屈折率の周期的変動を生じさせて光
に対する回折格子として作用する。
入射レーザ光21がブラック角度θdでAO20に入射
されると回折により1次回折光の中の+1次回折光22
であるビーム光22と同じ(−1次回折光であるビーム
光26が発生する。
されると回折により1次回折光の中の+1次回折光22
であるビーム光22と同じ(−1次回折光であるビーム
光26が発生する。
このときの2ビーム光22及び26は光周波数シフトを
受け、入射レーザ光210周波数なf。
受け、入射レーザ光210周波数なf。
とするとビーム光22の光波はf o + f −+
f m 。
f m 。
ビーム光26の光波はfo−1−fa−frnなる周波
数を有する。
数を有する。
また、2ビーム光22及び26の間のなす角度θmは
θm=λ−2fm/V、 ■で与えられ
る。ここでλは光波長 V 、はAO媒質中を伝播する
超音波進行波の速度、fmは前述した交流の周波数であ
る。
る。ここでλは光波長 V 、はAO媒質中を伝播する
超音波進行波の速度、fmは前述した交流の周波数であ
る。
従って2ビーム光22及び26の間のなす角度θmはf
mなる周波数によってリニアーに変化する。
mなる周波数によってリニアーに変化する。
前述したAO20の動作についてはオプトロニクス誌1
982年8月号に詳述されている。
982年8月号に詳述されている。
24は対物レンズで2ビーム光22及び26を微小スポ
ット径に集光する。
ット径に集光する。
このとき2ビーム光の間のピーク間距離CWは対物レン
ズ24の集魚距離及び前述の角度θmによって定めるこ
とができ、光学系が決まれば前述した如く交流発振器2
50周波数制御で容易に可変することができる。
ズ24の集魚距離及び前述の角度θmによって定めるこ
とができ、光学系が決まれば前述した如く交流発振器2
50周波数制御で容易に可変することができる。
なお、前述した光周波数シフトされた2ビーム光22.
26を干渉させて、干渉信号の交流成分を検出すると光
ヘテロダイン干渉となる。
26を干渉させて、干渉信号の交流成分を検出すると光
ヘテロダイン干渉となる。
第3図に2ビーム光を寸法を測定する被測定物面上に照
射して2ビーム光を走査するときの状態図を示す。
射して2ビーム光を走査するときの状態図を示す。
60は寸法が測定されるべき寸法測定部で、その寸法を
Gとする。61は基材部である。例えば硼気ヘッドの場
合は寸法測定部60がギャップ部、基材部61がトラッ
ク部に相当する。
Gとする。61は基材部である。例えば硼気ヘッドの場
合は寸法測定部60がギャップ部、基材部61がトラッ
ク部に相当する。
本発明の微小寸法計測方法は寸法測定部600基材部6
1に対する段差りが照射する2ビーム光15の集魚深度
範囲内にあり、寸法測定部60と基材部610間に反射
率の差異があり、2ビーム光15のビーム径よりも寸法
測定部600寸法Gが小さいときに特に有効である。
1に対する段差りが照射する2ビーム光15の集魚深度
範囲内にあり、寸法測定部60と基材部610間に反射
率の差異があり、2ビーム光15のビーム径よりも寸法
測定部600寸法Gが小さいときに特に有効である。
第3図ビ)は2ビーム光15が寸法測定部60の左側に
あり走査開始前の状態、第3図(ロ)は2ビーム光15
が寸法測定部60にかかっている場合、第3図(ハ)は
2ビーム光15が寸法測定部60の右側にあって走査が
終了した場合で2ビーム光15は(イ)→(ロ)→(ハ
)と走査される。
あり走査開始前の状態、第3図(ロ)は2ビーム光15
が寸法測定部60にかかっている場合、第3図(ハ)は
2ビーム光15が寸法測定部60の右側にあって走査が
終了した場合で2ビーム光15は(イ)→(ロ)→(ハ
)と走査される。
なお、2ビーム光の走査は各種の方法で実現できる。第
2図で説明したA020の光偏向を用いれば電気的制御
で容易に2ビーム光15の走査ができる。
2図で説明したA020の光偏向を用いれば電気的制御
で容易に2ビーム光15の走査ができる。
AOドライバー26で高周波信号の周波数f。
を発する場合に、周波数f、を可変とすれば、周波数帯
域に応じて2ビーム光22.26を偏向させることが可
能である。
域に応じて2ビーム光22.26を偏向させることが可
能である。
また、電磁ミラー駆動で走査させてもよ(、更に被測定
物を移動ステージ上に乗せて移動ステージで被測定物を
移動させてもよい。
物を移動ステージ上に乗せて移動ステージで被測定物を
移動させてもよい。
このようにして2ビーム光15が被測定物上を走査され
るときの反射光を検出する。
るときの反射光を検出する。
2ビーム光15の光走査はステップ状、あるいは連続的
に行なわせることができるが、走査の各状態毎に反射光
を検出して、第3図(イ)→(ロ)→(ハ)の走査の範
囲で反射光強度パターンのデータを取り込む。
に行なわせることができるが、走査の各状態毎に反射光
を検出して、第3図(イ)→(ロ)→(ハ)の走査の範
囲で反射光強度パターンのデータを取り込む。
なお、反射光の検出は直流レベルの強度を検出する。2
ビーム光を構成する各々のレーザビーム16.14(第
1図図示)の振幅をA1.A2とするとき、強度は各々
A、、A、 となるから、2ビーム光の直流レベルの
強度はA、+A、 となる。
ビーム光を構成する各々のレーザビーム16.14(第
1図図示)の振幅をA1.A2とするとき、強度は各々
A、、A、 となるから、2ビーム光の直流レベルの
強度はA、+A、 となる。
2ビーム光の走査を行なうと寸法測定部60と基材部6
1とで反射光強度に差異が生じるため、ガウス分布が積
分された形の反射光強度パターンを解析して寸法測定部
600寸法Gを計測する。
1とで反射光強度に差異が生じるため、ガウス分布が積
分された形の反射光強度パターンを解析して寸法測定部
600寸法Gを計測する。
第4図に第3図に示した2ビーム光15を走査したとき
の反射光強度パターンの第1の計算例を示す。2ビーム
光の振幅はA、=A、とした。
の反射光強度パターンの第1の計算例を示す。2ビーム
光の振幅はA、=A、とした。
第4図の横軸は2ビーム光を走査した距離である走査量
、たて軸は反射光強度比(至)である。
、たて軸は反射光強度比(至)である。
第3図(イ)及び(ハ)の状態を強度比100%として
いる。基材部31に対する寸法測定部600反射率が0
.5、単一のガウスビーム光の直径を1としたとき、2
ビーム光の強度のピーク間距離CWを0.8Dとして計
算した。41は寸法Gがガウスビ 、−ム径りの直径の
30%、42は同じく50%、46は同じく70%、4
4は同じく90%、45は同じく100%の場合である
。
いる。基材部31に対する寸法測定部600反射率が0
.5、単一のガウスビーム光の直径を1としたとき、2
ビーム光の強度のピーク間距離CWを0.8Dとして計
算した。41は寸法Gがガウスビ 、−ム径りの直径の
30%、42は同じく50%、46は同じく70%、4
4は同じく90%、45は同じく100%の場合である
。
この第4図のグラフから明らかな様に、2ビーム光15
のビーム形状が決まれば、寸法Gの大きさに依存して反
射光強度パターンが一義的に決まる。
のビーム形状が決まれば、寸法Gの大きさに依存して反
射光強度パターンが一義的に決まる。
寸法測定部600寸法Gが小さいと反射光強度の変化は
小さくてW型のパターンを示し、寸法Gが大きくなるに
従って反射光強度の変化が太き(なってU型のパターン
あるいはV型のパターンを示す。
小さくてW型のパターンを示し、寸法Gが大きくなるに
従って反射光強度の変化が太き(なってU型のパターン
あるいはV型のパターンを示す。
このように寸法Gの大きさによって反射光強度パターン
及び反射光強度の極小点46あるいは極大点470強度
レベルが変化する。
及び反射光強度の極小点46あるいは極大点470強度
レベルが変化する。
第5図に第4図で示した計算例の場合の、反射光強度の
極小点あるいは極大点の強度レベルの寸法Gによる変化
の計算例を示す。
極小点あるいは極大点の強度レベルの寸法Gによる変化
の計算例を示す。
グラフの横軸は寸法の相対値、たて軸は最大の強度に対
する強度比である。ここでグラフのたて軸の強度比は2
ビーム光15が基材部61にあるときの反射光強度を基
準としている。
する強度比である。ここでグラフのたて軸の強度比は2
ビーム光15が基材部61にあるときの反射光強度を基
準としている。
第5図で51の曲線は極大部の強度比、520曲線は極
小部の強度比である。560点線で示した曲線は反射光
強度パターンがVWになりて極小部と極大部が一致して
変化する場合である。
小部の強度比である。560点線で示した曲線は反射光
強度パターンがVWになりて極小部と極大部が一致して
変化する場合である。
第5図に示した極小・極大の強度比のデータを基準デー
タとしておき、測定値の極小・極大データと比較すれば
寸法Gが容易に決定される。
タとしておき、測定値の極小・極大データと比較すれば
寸法Gが容易に決定される。
第4図、第5図に示した結果はある特定(CW=0、8
D )の2ビーム光の形状に対応するものである。
D )の2ビーム光の形状に対応するものである。
比較のために第6図に第2の計算例を示す。
第6図は2ビーム光の強度ピーク間距離CWがガウス強
度分布レーザ光10の直径と等しい場合で、同じく寸法
測定部300反射率が基材部61の反射率の50%とし
ての計算例である。曲線61は寸法測定部600幅がガ
ウスビーム直径りの30%の場合、曲線62は50%、
曲線66は70%、曲線64は90%、曲線65は10
0%の場合である。
度分布レーザ光10の直径と等しい場合で、同じく寸法
測定部300反射率が基材部61の反射率の50%とし
ての計算例である。曲線61は寸法測定部600幅がガ
ウスビーム直径りの30%の場合、曲線62は50%、
曲線66は70%、曲線64は90%、曲線65は10
0%の場合である。
第4図で示したようなW型のパターンが得られるのは同
様であるが、一般には前述の極小部・極大部の強度比は
異なる。
様であるが、一般には前述の極小部・極大部の強度比は
異なる。
従って計測しようとする寸法に応じた2ビ一ム光150
強度形状、特にガウスビーム直径りとピーク間距離CW
を設定することが重要であるが、例えば第5図に示した
反射光強度パターンの極小部、あるいは極大部の強度比
の寸法Gに対する変化率が大きく、はぼIJ =アーに
変化するような状態に2ビーム光15の形状を定めれば
よい。
強度形状、特にガウスビーム直径りとピーク間距離CW
を設定することが重要であるが、例えば第5図に示した
反射光強度パターンの極小部、あるいは極大部の強度比
の寸法Gに対する変化率が大きく、はぼIJ =アーに
変化するような状態に2ビーム光15の形状を定めれば
よい。
また、前述した反射光強度パターンは基材部61に対す
る寸法測定部60の反射率によって変化する。
る寸法測定部60の反射率によって変化する。
従って、まず2ビーム光15のスポット径よりも大きい
反射面を有し、同じ材質を用いた基準試料を準備してお
いて、基材部31、寸法測定部60と同じ材質での反射
率を予め計測しておいて基材部61に対する寸法測定部
600反射率を決定しておくと、第5図に示した反射光
強度パターンの極小部、極大部の強度情報から寸法への
変換係数を容易に決定することが可能である。
反射面を有し、同じ材質を用いた基準試料を準備してお
いて、基材部31、寸法測定部60と同じ材質での反射
率を予め計測しておいて基材部61に対する寸法測定部
600反射率を決定しておくと、第5図に示した反射光
強度パターンの極小部、極大部の強度情報から寸法への
変換係数を容易に決定することが可能である。
このとき2ビーム光の形状が既知の場合は寸法Gを直に
決定することができるが、2ビーム光の形状が未知の場
合は他の手段で予め基準とする試料の寸法を計測してお
き、その寸法値から逆算して2ビーム光15の形状を決
定すれば前述したような通常の計測が行なわれる。
決定することができるが、2ビーム光の形状が未知の場
合は他の手段で予め基準とする試料の寸法を計測してお
き、その寸法値から逆算して2ビーム光15の形状を決
定すれば前述したような通常の計測が行なわれる。
反射光強度パターンの解析は強度レベルについて述べた
が、他にもパターンの変化が始まる場所の解析、W型あ
るいはU型、V型曲線の変化率(微分係数)等の解析を
行なうこともできる。
が、他にもパターンの変化が始まる場所の解析、W型あ
るいはU型、V型曲線の変化率(微分係数)等の解析を
行なうこともできる。
レーザ光は非常に空間的コヒーレンシーが高く集光性に
すぐれているため、ガウスビーム径は1μm程度まで集
光することができるため、前述の計算結果から明らかな
ように本発明の方法を用いれば0.1μm程度までの微
小な領域の寸法計測が可能である。
すぐれているため、ガウスビーム径は1μm程度まで集
光することができるため、前述の計算結果から明らかな
ように本発明の方法を用いれば0.1μm程度までの微
小な領域の寸法計測が可能である。
以上の説明で明らかな如く、集光性が良くて安定した光
強度分布を有するレーザ光を用いて、2ビーム光の重ね
合わせの度合いを調整し、被測定物の種類、寸法によっ
て固有に発生する反射光強度パターンの解析によって高
安定、高精度の寸法計測が可能となる。
強度分布を有するレーザ光を用いて、2ビーム光の重ね
合わせの度合いを調整し、被測定物の種類、寸法によっ
て固有に発生する反射光強度パターンの解析によって高
安定、高精度の寸法計測が可能となる。
第1図乃至第6図は本発明に係わる実施例であり、第1
図(イ)はレーザ光のガウス強度分布図、第1図(ロ)
は2ビーム光の強度分布図、第2図は音響光学素子を用
いた2ビーム光の発生を説明するブロック図、第3図(
イ)、(ロ)、(ハ)は被測定物面上で2ビーム光を走
査させる状態の説明図、第4図は2ビーム光を走査させ
たときの反射光強度・くターンの第1の計算例を示すグ
ラフ、第5図は第4図で示した第1の計算例から強度レ
ベルの変化を計算した強度比−寸法グラフ、第6図は2
ビーム光を走査させたときの反射光強度パターンの第2
の計算例を示すグラフである。 10・・・・・・ガウスビーム光、 15・・・・・・2ビーム光、 20・・・・・・音響光学素子、 25・・・・・・交流発振器、 60・・・・・・寸法測定部、 61・・・・・・基材部。 第 1 図 (/i) (ロ) 距離(r) 第 3 図 第5(
図(イ)はレーザ光のガウス強度分布図、第1図(ロ)
は2ビーム光の強度分布図、第2図は音響光学素子を用
いた2ビーム光の発生を説明するブロック図、第3図(
イ)、(ロ)、(ハ)は被測定物面上で2ビーム光を走
査させる状態の説明図、第4図は2ビーム光を走査させ
たときの反射光強度・くターンの第1の計算例を示すグ
ラフ、第5図は第4図で示した第1の計算例から強度レ
ベルの変化を計算した強度比−寸法グラフ、第6図は2
ビーム光を走査させたときの反射光強度パターンの第2
の計算例を示すグラフである。 10・・・・・・ガウスビーム光、 15・・・・・・2ビーム光、 20・・・・・・音響光学素子、 25・・・・・・交流発振器、 60・・・・・・寸法測定部、 61・・・・・・基材部。 第 1 図 (/i) (ロ) 距離(r) 第 3 図 第5(
Claims (1)
- レーザ光源から放射されたレーザ光を2本の接近した2
ビーム光に分離せしめ、該2ビーム光を構成する各々の
ビームの強度のピーク間距離を予め定められた距離に設
定せしめて対物レンズにより微小なスポット径に集光し
て寸法が測定される被測定物上に照射せしめ、該集光さ
れた2ビーム光を前記被測定物面上を走査せしめ各走査
状態毎に直流レベルの反射光強度を検出し、前記2ビー
ム光を走査して得られた反射光強度パターン及び該反射
光強度パターンの予め定められた場所の強度レベルから
寸法を計測することを特徴とする微小寸法計測方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2298287A JPS63191004A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 微小寸法計測方法 |
| US07/436,923 US4994990A (en) | 1987-02-03 | 1989-11-06 | Micro-dimensional measurement apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2298287A JPS63191004A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 微小寸法計測方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63191004A true JPS63191004A (ja) | 1988-08-08 |
Family
ID=12097754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2298287A Pending JPS63191004A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 微小寸法計測方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63191004A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223587A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-09-05 | Dai Ichi Seiyaku Co Ltd | カルバペネム誘導体 |
-
1987
- 1987-02-03 JP JP2298287A patent/JPS63191004A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223587A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-09-05 | Dai Ichi Seiyaku Co Ltd | カルバペネム誘導体 |
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