JPS63198380A - チツプキヤリア型光半導体装置 - Google Patents
チツプキヤリア型光半導体装置Info
- Publication number
- JPS63198380A JPS63198380A JP62032018A JP3201887A JPS63198380A JP S63198380 A JPS63198380 A JP S63198380A JP 62032018 A JP62032018 A JP 62032018A JP 3201887 A JP3201887 A JP 3201887A JP S63198380 A JPS63198380 A JP S63198380A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- semiconductor device
- carrier type
- optical semiconductor
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、光通信や光計計測に用いられるチップキャ
リア型光半導体装置に係り、特にそのパッケージ構造に
関するものである。
リア型光半導体装置に係り、特にそのパッケージ構造に
関するものである。
第４図は従来のチップキャリア型光半導体受光装置を示
す斜視図である。この図において、１はキャリア本体、
２はこのキャリア本体１の直交する２表面（上面及び正
面）にＡｕメッキ等により任意のパターン形状をもって
施されたメタライズ端子、３はこのメタライズ端子２の
一部分にダイボンドされた半導体受光素子（Ｐ ｈｏｔ
ｏ Ｄ １ｏｄｅ ：ＰＤ）、４は前記メタライズ端
子２とＰＤ３を電気的に接続する金属ワイヤ、例えばＡ
ｕワイヤである。
す斜視図である。この図において、１はキャリア本体、
２はこのキャリア本体１の直交する２表面（上面及び正
面）にＡｕメッキ等により任意のパターン形状をもって
施されたメタライズ端子、３はこのメタライズ端子２の
一部分にダイボンドされた半導体受光素子（Ｐ ｈｏｔ
ｏ Ｄ １ｏｄｅ ：ＰＤ）、４は前記メタライズ端
子２とＰＤ３を電気的に接続する金属ワイヤ、例えばＡ
ｕワイヤである。
次に動作について説明する。チップキャリア型光半導体
装置は、光ファイバ等と光軸合わせをした後に、ＰＤ３
の駆動回路等の周辺機器を有する装置と接続可能なパッ
ケージ内部に実装されるか、あるいは装置内部に直接実
装される。メタライズ端子２は他の外部端子と接続され
、ここからＰＤ３へ逆バイアスが印加される。ＰＤ３は
光ファイバ等からの光を受け、これを電流に変換し、メ
タライズ端子２を通して外部へ送り出す。
装置は、光ファイバ等と光軸合わせをした後に、ＰＤ３
の駆動回路等の周辺機器を有する装置と接続可能なパッ
ケージ内部に実装されるか、あるいは装置内部に直接実
装される。メタライズ端子２は他の外部端子と接続され
、ここからＰＤ３へ逆バイアスが印加される。ＰＤ３は
光ファイバ等からの光を受け、これを電流に変換し、メ
タライズ端子２を通して外部へ送り出す。
チップキャリア型光半導体装置は、その小型でシンプル
な形状から、ＰＤモジュール等の光伝送システムや光計
測システムの軽量、コンパクト化に非常に有利である。
な形状から、ＰＤモジュール等の光伝送システムや光計
測システムの軽量、コンパクト化に非常に有利である。
（発明が解決しようとする問題点）
従来のチップキャリア型光半導体装置は、以上のように
構成されているので、′非常に小型であるうえに、ＰＤ
３．Ａｕワイヤ４がむき出しになっているために、その
組立、検査、保管、運搬等における取り扱いが非常に困
難であり、落下１回転によりＰＤ３やＡｕワイヤ４が損
傷し易く、あるいは保管、梱包等に特別な手段を要する
などの問題点があった。
構成されているので、′非常に小型であるうえに、ＰＤ
３．Ａｕワイヤ４がむき出しになっているために、その
組立、検査、保管、運搬等における取り扱いが非常に困
難であり、落下１回転によりＰＤ３やＡｕワイヤ４が損
傷し易く、あるいは保管、梱包等に特別な手段を要する
などの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、組立、検査、運搬等における取り扱いを容
易にし、この際の光半導体素子および金属ワイヤの損傷
を防ぐことのできるチップキャリア型光半導体装置を得
ることを目的とする。
れたもので、組立、検査、運搬等における取り扱いを容
易にし、この際の光半導体素子および金属ワイヤの損傷
を防ぐことのできるチップキャリア型光半導体装置を得
ることを目的とする。
この発明に係るチップキャリア型光半導体装置は、キャ
リア本体の光半導体素子および金属ワイヤがマウントさ
れている面の所要箇所に、金属ワイヤの頂点よりも高い
高さを有する突起部を設けたものである。
リア本体の光半導体素子および金属ワイヤがマウントさ
れている面の所要箇所に、金属ワイヤの頂点よりも高い
高さを有する突起部を設けたものである。
この発明においては、キャリア本体に設けた突起部が光
半導体素子、金属ワイヤを保護することにより、落下２
回転等による損傷を防ぎ、その取り扱いを容易にすると
ともに′、保管、梱包等に特別な手段を必要としない。
半導体素子、金属ワイヤを保護することにより、落下２
回転等による損傷を防ぎ、その取り扱いを容易にすると
ともに′、保管、梱包等に特別な手段を必要としない。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示すチップキャリア型光
半導体装置の斜視図である。なお、この実施例では、チ
ップキャリア型光半導体装置として半導体受光素子（Ｐ
Ｄ）３を用いたチップキャリア型ＰＤについて説明する
。
半導体装置の斜視図である。なお、この実施例では、チ
ップキャリア型光半導体装置として半導体受光素子（Ｐ
Ｄ）３を用いたチップキャリア型ＰＤについて説明する
。
第１図において、第４図と同一符号は同一構成部分を示
し、５は前記キャリア本体１のＰＤ３およびＡｕワイヤ
４がマウントされている面の所要箇所、例えば第１図の
実施例ではキャリア本体１の両サイドにＰＤ３およびＡ
ｕワイヤ４を取り囲むように、ＰＤ３およびＡｕワイヤ
４を保護するために設けられた突起部であり、この突起
部５はＡｕワイヤ４の頂点より高い高さに形成されてい
る。
し、５は前記キャリア本体１のＰＤ３およびＡｕワイヤ
４がマウントされている面の所要箇所、例えば第１図の
実施例ではキャリア本体１の両サイドにＰＤ３およびＡ
ｕワイヤ４を取り囲むように、ＰＤ３およびＡｕワイヤ
４を保護するために設けられた突起部であり、この突起
部５はＡｕワイヤ４の頂点より高い高さに形成されてい
る。
このように、ＰＤ３およびＡｕワイヤ４を取り囲むよう
にして、それらより高さの高い突起部５を設けたことに
より、チップキャリア型光半導体装置の組立、検査、運
搬時における落下１回転等によるＰＤ３．Ａｕワイヤ４
の損傷を防ぐことができ、取り扱いが容易になる。また
、保管、梱包等の手段においても、特別な容器を用意す
る必要がなく、その取り扱いが容易になる。
にして、それらより高さの高い突起部５を設けたことに
より、チップキャリア型光半導体装置の組立、検査、運
搬時における落下１回転等によるＰＤ３．Ａｕワイヤ４
の損傷を防ぐことができ、取り扱いが容易になる。また
、保管、梱包等の手段においても、特別な容器を用意す
る必要がなく、その取り扱いが容易になる。
なお、上記実施例では、キャリア本体１のＰＤ３がマウ
ントされている面の両サイドに２つの突起部５を設けた
ものを示したが、第２図に示すように、ＰＤ３を取り囲
むようなコ字形の一つの突起部５でもよく、あるいは第
３図に示すように、キャリア本体１の一方のサイドに１
つの突起部５を設け、この突起部５の高さを、突起部５
と他方のサイドとを結ぶ直線がＡｕワイヤ４の頂点より
高い位置にあるように形成してもよい。
ントされている面の両サイドに２つの突起部５を設けた
ものを示したが、第２図に示すように、ＰＤ３を取り囲
むようなコ字形の一つの突起部５でもよく、あるいは第
３図に示すように、キャリア本体１の一方のサイドに１
つの突起部５を設け、この突起部５の高さを、突起部５
と他方のサイドとを結ぶ直線がＡｕワイヤ４の頂点より
高い位置にあるように形成してもよい。
また、上記実施例では光半導体素子として受光素子（Ｐ
Ｄ）を用いたチップキャリア型ＰＤの場合について説明
したが、光半導体素子として発光素子（半導体レーザ：
ＬＤ、半導体発光ダイオード： ＬＥＤ）を用いたチ
ップキャリア型ＬＤあるいはチップキャリア型ＬＥＤで
あってもよく、さらに受光素子と増幅素子（ＦＥＴ）を
同時に塔載したチップキャリア型ＰＩＮ−ＦＥＴであっ
ても上記実施例と同様の効果を奏することはいうまでも
ない。
Ｄ）を用いたチップキャリア型ＰＤの場合について説明
したが、光半導体素子として発光素子（半導体レーザ：
ＬＤ、半導体発光ダイオード： ＬＥＤ）を用いたチ
ップキャリア型ＬＤあるいはチップキャリア型ＬＥＤで
あってもよく、さらに受光素子と増幅素子（ＦＥＴ）を
同時に塔載したチップキャリア型ＰＩＮ−ＦＥＴであっ
ても上記実施例と同様の効果を奏することはいうまでも
ない。
以上説明したようにこの発明は、チップキャリア型光半
導体装置のキャリア本体の光半導体素子がマウントされ
た面の所要箇所に、光半導体素子とメタライズ端子との
間に接続された金属ワイヤの頂点よりも高い高さを有す
る突起部を設けたので、この装置の取り扱い時に光半導
体素子や金属ワイヤが保護され、取り扱いが容易となり
、落下１回転等による損傷を防ぐことができる。
導体装置のキャリア本体の光半導体素子がマウントされ
た面の所要箇所に、光半導体素子とメタライズ端子との
間に接続された金属ワイヤの頂点よりも高い高さを有す
る突起部を設けたので、この装置の取り扱い時に光半導
体素子や金属ワイヤが保護され、取り扱いが容易となり
、落下１回転等による損傷を防ぐことができる。
第１図はこの発明の一実施例を示すチップキャリア型Ｐ
Ｄの斜視図、第２図、第３図はこの発明の他の実施例を
それぞれ示すチップキャリア型ＰＤの斜視図、第４図は
従来のチップキャリア型ＰＤを示す斜視図である。 図において、１はキャリア本体、２はメタライズ端子、
３はＰＤ、４はＡｕワイヤ、５は突起部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （ほか２名）第２図
Ｄの斜視図、第２図、第３図はこの発明の他の実施例を
それぞれ示すチップキャリア型ＰＤの斜視図、第４図は
従来のチップキャリア型ＰＤを示す斜視図である。 図において、１はキャリア本体、２はメタライズ端子、
３はＰＤ、４はＡｕワイヤ、５は突起部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （ほか２名）第２図
Claims (1)
- 光半導体素子と、メタライズ端子を備えたキャリア本体
と、前記光半導体素子とメタライズ端子を電気的に接続
する金属ワイヤとから構成されるチップキャリア型光半
導体装置において、前記キャリア本体の前記光半導体素
子がマウントされている面の所要箇所に、前記金属ワイ
ヤの頂点よりも高い高さを有する突起部を設けたことを
特徴とするチップキャリア型光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032018A JPS63198380A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | チツプキヤリア型光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032018A JPS63198380A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | チツプキヤリア型光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63198380A true JPS63198380A (ja) | 1988-08-17 |
Family
ID=12347120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62032018A Pending JPS63198380A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | チツプキヤリア型光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63198380A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04352368A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Nec Corp | 光電気変換素子キャリア |
| JP2003197929A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | 受光素子キャリアおよび光受信装置 |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP62032018A patent/JPS63198380A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04352368A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Nec Corp | 光電気変換素子キャリア |
| JP2003197929A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | 受光素子キャリアおよび光受信装置 |
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