JPS6319939B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、記録担体に関するものである。この
記録担体では、放射反射情報構造に情報が記憶さ
れており、光学的放射ビームによつて読取ること
ができる。記録担体はトラツク状に配置した情報
領域を具えており、これら情報領域は、トラツク
方向において且つトラツク方向に対し横方向にお
いて、中間領域によつて互いに離間されている。
情報領域の表面は第１面に配置されており、中間
領域の表面は第２面に配置されており、第１面と
第２面との間の距離は全記録担体にわたつてほぼ
一定である。

円形デイスク形記録担体の場合、情報トラツク
は多数の同心円トラツクを有することができる
が、共にらせん形トラツクを形成する多数の準円
形隣接トラツクとすることもできる。

米国特許第4041530号明細書は、カラーテレビ
ジヨン・プログラムの記録のための手段としての
記録担体を開示している。情報構造は放射ビーム
で読取られる。この放射ビームは、対物レンズ系
によつて情報領域の大きさのオーダの読取スポツ
トに集束される。対物レンズ系は、情報構造によ
つて反射され変調された読取ビームを、放射感応
検出器上に集中させる。情報構造は、振幅重みつ
き位相構造とみなすことができ、これはこの構造
の読取りの間に、記録担体から到来する読取ビー
ムの種々の部分間の位相差が、瞬時に読取られる
情報構造の部分に従つて変化することを意味す
る。検出器の位置で、種々のビーム部分が互いに
干渉して、検出器によつて受取られる放射の強
度、従つて検出器の出力信号が、瞬時に読取られ
る情報構造の部分に従つて変化する。

検出器の出力信号を最大変調するためには、情
報領域の表面と中間領域の表面との間の距離が、
特定の値を有さなければならない。米国特許第
4041530号明細書によれば、この距離は読取放射
の波長の四分の一である。従つて、情報領域によ
つて反射された読取放射部分が、中間領域によつ
て反射された読取放射部分に対して180゜の位相差
を有することが必要である。この位相差は、情報
構造の表面近辺で測定した位相差である。これ
は、情報領域が垂直壁、換言すれば壁の傾斜角が
0゜であるという絶対的な仮定に基いている。壁の
傾斜角は、これらの壁と記録担体の情報表面に対
する法線との鋭角として定義される。

最近では、情報構造の最適読取りのためには、
情報構造近辺の位相差はそれ程重要ではなくて、
約180゜でなければならない情報構造のいわゆる
“位相深さ”が重要であることが認識されている。
情報構造を読取る際には、この構造は情報領域の
大きさのオーダの読取スポツトで照射され、情報
構造は読取ビームを多数次のスペクトルに分割す
る回折格子とみなすことができる。これら次数の
回折放射はそれぞれ特定の位相および振幅を有す
る。“位相深さ”は、０次スペクトル位相と１次
スペクトル位相との差として定義される。

本発明者は、情報領域と中間領域との間の前記
距離によるのとは別に、位相深さは、 − 情報領域の実効幅すなわちトラツクの実効幅
に対する読取ビームの実効波長 − 読取ビームの偏光状態 − 情報領域の壁の傾斜角 によつて決定されることを認識するに到つた。実
効波長は、情報構造近くであつて放射反射層外
（すなわち情報構造に到達する直前）の波長であ
る。情報構造が透明保護層で覆われている場合に
は、実効波長（λ_eff）は保護層の屈折率によつて
除算した真空中の波長（λ₀）に等しい。情報領域
の実効幅は平均幅であり、すなわち壁が一定の傾
斜を有する場合には、ピツト（pit）の深さの半
分における幅あるいはヒル（hill）の高さの半分
における幅である。

実際には、いわゆる“マスター（master）”に
情報を十分に制御して光学的に記録し、および前
記マスターを再現的に複製するためには、情報領
域の壁は0゜とはかなり異なる傾斜角、特に30゜以
上にするのが好ましいことを確かめた。

傾斜角を約25゜よりも小さくすると、位相深さ
は傾斜角の関数として殆ど変化せず、180゜の位相
深さは、米国特許第4041530号明細書に記載され
ている急峻な壁に対する180゜の位相差にほぼ一致
する。約30゜以上の傾斜角（これら角度は実際に
重要である）に対しては、実効波長が情報領域の
実効幅と同一オーダの大きさであるか、または情
報領域の実効幅よりも小さい場合に、傾斜角の大
きさは、位相深さにかなりの影響をおよぼす。一
般に、情報領域の表面と中間領域の表面との間の
λ₀／４の前記距離は、これら傾斜角に対してもは
や最適ではない。

光学的情報構造を有する記録担体を読取るため
に現在用いられる主な放射源は、真空中で633nm
の波長を有するヘリウム−ネオンガスレーザであ
る。さらに、約780nmから約860nmの範囲の波長
を有するAlGaAs半導体ダイオードレーザは、こ
の読取方法にますます使用されている。

本発明の目的は、情報構造の壁がかなり大きな
傾斜角を有し、実際に最も多く使用されている種
類の放射源によつて最適に読取ることのできる記
録担体を提供することにある。

本発明記録担体は、情報領域の壁と記録担体に
対する法線との間の傾斜角が30゜〜65゜の間の１つ
の値を有し、第１面と第２面との間の幾何学的距
離が0.27λ₀／Ｎと0.427λ₀／Ｎとの間の１つの値
を有し、λ₀が自由空間での光学的放射ビームの波
長、Ｎが第１面と第２面との間に設けた透明媒質
の屈折率であることを特徴とするものである。

本発明は、記録担体のピツト或いはヒル（バン
プ）の壁部が垂直（傾斜角0゜）であると、光学的
に形成された原記録担体であるマスターから母盤
を、次に母盤から成形型を、次に成形型から多数
の記録担体を複製する際のそれぞれの複製物の分
離が困難であり、しかも記録用のレーザビーム内
には強度分布がある為に、小さな傾斜角のマスタ
ーを造るのが困難であり、且つ現像処理の簡単化
の点からもある程度傾斜角があつた方が好ましい
という認識を基に、傾斜角を30゜以上に選択し、
傾斜角を大きくすると、ピツト或いはヒルの第１
面および第２面間の距離をこれに応じて大きくす
る必要があるも、傾斜角をあまりにも大きくする
と、ピツト或いはヒルの長さおよび幅が制限され
ているために、この必要距離がとれなくなり、記
録が無意味になつてしまい、しかも傾斜角をあま
り大きくしすぎると、すなわち65゜以上にすると、
読取られる信号の強度が著しく低下するという欠
点があるという主たる認識を基に成したものであ
る。

このように記録担体の複製を容易にするととも
に読取信号の強度を著しく低下させない傾斜角の
範囲は読取ビームの波長に無関係に成立つもので
ある。

特定実効幅の情報領域を有する前記記録担体
を、実効波長が情報領域の実効幅よりも小さい特
定状態の偏光放射ビームで読取るようにした場合
には、傾斜角の１つの特定値が、165／Ｎナノメータ から270／Ｎナノメータの範囲の幾何学的距離に対す る１つの特定値と関連し、幾何学的距離は傾斜角
が増大するに従つて増大する。この一例は、情報
領域の最大幅が625ナノメータのオーダである情
報構造を読取るためのヘリウム−ネオンレーザで
ある。

633ナノメータのオーダの波長を有する円偏光
放射により読取るようにした本発明記録担体にお
いては、傾斜角を45゜〜50゜のオーダとし、幾何学
的距離を200／Ｎナノメータのオーダとするのが好適 である。

この記録担体の実施例は、また、AlGaAsタイ
プの半導体ダイオードレーザによつて発生される
放射ビームによつて読取るのに特に適している。
情報領域の最大幅に対し625ナノメータのオーダ
の値を選択した場合、実効波長は情報領域の実効
幅よりも大きい。この場合、読取ビームの偏光状
態が位相深さも決定する。しかし、位相深さに対
する傾斜角の影響は小さい。全記録担体領域にわ
たつて傾斜角が一定でれば、傾斜角は約30゜〜60゜
の間の任意の値を有することができる。

傾斜角に対し特定化された値は、情報領域と中
間領域との間の半径方向の遷移部に、すなわちよ
り一般的な表現ではトラツク方向に対し横方向の
遷移部に適用される。トラツク方向における遷移
部の傾斜角は、同一オーダの大きさである。

AlGaAsレーザからの放射による読取りの場合
における幾何学的距離に対し特定化された200／Ｎナ ノメータの値は、この放射が垂直に偏光されるな
らば、すなわち電界ベクトルが情報領域の長さ方
向に対し垂直ならば、最適な値である。しかし、
満足すべき読取りを保持しながら、幾何学的距離
を200／Ｎナノメータと235／Ｎナノメータとの間で変化 させることができる。

以下、本発明を図面に基いて詳細に説明する。

第１図は、記録担体１の情報構造の一部を示
す。情報構造は、トラツク３に沿つて配置した複
数個の情報領域２を具えている。トラツク方向す
なわち接線方向ｔおよび半径方向ｒにおいて、情
報領域２は中間領域４によつて互いに離間されて
いる。トラツク３間の中間領域４は、互いにつな
がつて、連続中間細条５を形成する。トラツク３
内の中間領域４は、中間細条５と一体となつてい
る。情報領域２は、記録担体表面内にプレス成形
したピツトあるいは記録担体表面から突出するヒ
ルを具えることができる。実際には、ピツトの底
部あるいはヒルの頂部と、記録担体の表面との間
の距離は一定であり、記録担体表面の位置におけ
る情報領域２の幅も一定である。この距離および
幅は、構造に記憶された情報とは無関係である。

記録担体によつて保持される情報は、情報領域
の構造の接線方向のみの変化に含まれている。カ
ラーテレビジヨン・プログラムを記録担体に記憶
する場合には、輝度信号を情報領域２の空間周波
数の変化に符合化し、色度および音声信号を情報
領域２の長さの変化に符合化することができる。
情報領域２と中間領域４との特定の組合わせが、
デジタル１および０の特定の組合わせを表わす。

記録担体を、第４図に略図的に示す装置によつ
て読取ることができる。ガスレーザ１０、たとえ
ばヘリウム−ネオンレーザによつて放出される単
色直線偏光ビーム１１を、ミラー１３によつて対
物レンズ系１４に反射させる。放射ビーム１１の
通路に、補助レンズ１２を設ける。この補助レン
ズは、対物レンズ系１４の入射ひとみ一杯に放射
ビーム１１が入射するようにする。このようにし
て、回折が制限された読取スポツトＶが情報構造
上に形成される。情報構造をトラツク３によつて
略図的に示す。従つて、記録担体は半径方向に示
されている。

情報構造を、レーザに面する記録担体の側に設
けることができる。しかし、第４図に示すよう
に、レーザから離れた記録担体の側に設けて、記
録担体の透明基板８を経て読取りを行なうのが好
適である。この利点は、情報構造が指紋、ほこ
り、かき傷に対して保護されることである。

読取ビーム１１は、情報構造によつて反射さ
れ、モータ１５によつて駆動される回転盤１６に
よつて記録担体が回転されるとき、トラツクの情
報領域２と中間領域４の列が読取られるに従つて
読取ビーム１１は変調される。この変調読取ビー
ムは、再び対物レンズ系１４を通過して、ミラー
１３で反射される。変調読取ビームを未変調読取
ビームから分離するためには、放射路が偏光感応
分離プリズム１７とλ₀／４プレート１８とを含む
のが好適である。ここにλ₀は自由空間での読取ビ
ームの波長である。プリズム１７はビーム１１を
λ₀／４プレート１８に透過する。このプレート１
８は、直線偏光放射を、情報構造に入射する円偏
光放射に変換する。反射読取ビームは再びλ₀／４
プレートを通過して、円偏光放射が直線偏光放射
に変換される。この円偏光放射の偏光面はレーザ
１０によつて放射される放射に対して90゜回転し
ている。その結果、２回目の通過の際に、プリズ
ム１７は読取ビームを放射感応検出器１９に反射
する。この検出器の出力端子には、読取られた情
報に従つて変調された電気信号Siが発生する。

情報構造を読取スポツトＶで照射する。この読
取スポツトの寸法は、情報領域２の寸法の大きさ
のオーダである。情報構造は、読取ビームを無回
折０次サブビームと、多数の１次サブビームと、
多数の高次スペクトルのサブビームとに分割する
回折格子とみなすことができる。殊にトラツク方
向に回折されるサブビームは読取りに重要であ
り、中でも１次で回折されるサブビームが重要で
ある。対物レンズ系の開口数および読取ビームの
波長は、次のように情報構造に適合させる。すな
わち、高次サブビームの大半が対物レンズ系のひ
とみ外にはずれて検出器に到達しないようにす
る。さらに、高次サブビームの振幅は、０次サブ
ビームおよび１次サブビームの振幅に対して低
い。

第５図は、トラツク方向に回折された１次サブ
ビームの対物レンズ系の射出ひとみの面における
断面を示す。中心が２１の円２０は、射出ひとみ
を示す。この円は、また、０次ビームｂ（０，０）
の断面を与える。中心がそれぞれ２３および２５
の円２２および２４は、１次サブビームｂ（＋１，
０）およびｂ（−１，０）の断面をそれぞれ示す。
矢印２６は、トラツク方向を示す。０次サブビー
ムの中心２１と１次サブビームの中心２３，２５
との間の距離は、λ₀／ｐにより決定される。ここに、 ｐは読取スポツトＶの位置における情報領域２の
空間周期を示す（第１図参照）。

この読取プロセスの説明において、第５図に斜
線で示す領域内で、１次サブビームが０次サブビ
ームと重なり、干渉が発生するものと仮定するこ
とができる。読取スポツトが情報トラツクに対し
て移動すると、１次サブビームの位相が変化す
る。その結果、対物レンズ系の射出ひとみを通過
する全放射の強度が変化する。

読取スポツトの中心が情報領域２の中心と一致
すると、１次サブビームと０次サブビームとの間
に、位相深さと称される特定の位相差Ψが存在す
る。読取スポツトが次の領域に移動すると、サブ
ビームｂ（＋１，０）の位相は2πだけ増大する。
従つて読取ビームが接線方向に移動するとき、前
記１次サブビームの位相は０次サブビームに対し
てωt変化する。ここにωは、情報領域２の空間
周波数により、および読取ビームがトラツク上を
移動する速度によつて決定される角周波数であ
る。０次サブビームｂ（０，０）にそれぞれ対す
るサブビームｂ（＋１，０）およびｂ（−１，０）
の位相φ（＋１，０）およびφ（−１，０）を次の
ように表わすことができる。

φ（＋１，０）＝Ψ＋ωt φ（−１，０）＝Ψ−ωt 第４図に示すように、ここで用いる読取方法に
対しては、対物レンズ系を通過する１次サブビー
ムの部分を、検出器１９で０次サブビームと組合
わせる。この場合、この検出器の時間依存出力信
号を、次のように表わすことができる。

Si＝Ａ（Ψ）・cosΨ・cos（ωt） ここに、Ａ（Ψ）はΨの値が減少すると減少す
る。信号Siの振幅Ａ（Ψ）・cosΨは、Ψ＝πラジ
アンの位相深さに対し最大である。

第４図に示すようなヘリウム−ネオンレーザに
よる読取方法であつて、情報構造が円偏光放射に
よつて照射され、情報領域２の実効幅が実効波長
よりも大きい読取方法に対しては、本願人によつ
て行なわれ実験によつて確かめられた計算から、
位相深さは次のパラメータによつて決定される。

− 読取ビームの自由空間における波長λ₀ − 情報領域２の面と中間領域４の面との間に設
けられ、さらに情報構造を覆う透明媒質の屈折
率Ｎ − これら面間の幾何学的距離、すなわちピツト
構造の場合における幾何学的ピツト深さ − 情報領域２の壁の傾斜角θ たとえばテレビジヨンプログラムを多量に記録
しようとする上述の記録担体に対しては、情報を
明確に記録することができ、記録マスターから多
数の複製物すなわち使用者によつて再生される記
録担体を製造できることが重要である。実際に
は、これらの要求は、情報領域２の壁が0゜からか
なり離れた傾斜角を有する記録担体に結びつく。

刊行物“Applied Optics”vol.17，No.13，
pages2001〜2006の“Laser beam recording of
video master disks”に記載されているように、
サブストレート上に設けたホトレジスト層をレー
ザビームによつて照射することによつて情報を記
録する。この場合、レーザビームの強度は記録す
べき情報に従つて変調される。記録後、ホトレジ
スト層を現像し、ピツト構造またはヒル構造を得
る。次に、ピツトの位置またはヒル間にあるホト
レジストを完全に除去して、ホトレジスト層の厚
さが最終記録担体のピツトの深さまたはヒルの高
さを決定するようにする。

使用される書込ビームの強度分布のために、最
終記録担体はすでに斜めの壁を有している。現像
過程が、また、壁の傾斜角に影響をおよぼす。す
なわち、壁の傾斜角は、現像時間が増大するに従
つて増大する。第６図は、このことをピツト３３
の構造に対して図示する。この図では、マスター
の基板を３０で示し、３１は中間層であり、この
層はホトレジスト層３２のサブストレートへの粘
着を確実ならしめる。点線３４，３５，３６は、
短時間の現像、長時間の現像、さらに長時間の現
像のそれぞれの場合における壁の傾斜角を示す。

記録担体のピツト或いはヒルの壁部が垂直（傾
斜角0゜）であると、光学的に形成された原記録担
体であるマスターから母盤を、次に母壁から成形
型を、次に成形型から多数の記録担体を複製する
際のそれぞれの複製物の分離が困難であり、しか
も記録用のビームには強度分布がある為に現像処
理の点からして小さな傾斜角のマスターを造るの
が困難である。従つて、傾斜角は0゜からはずれた
特定の値を有さなければならず、少なくとも30゜
とするのが良い。また後に説明するように傾斜角
を大きくするにつれて、前記の幾何学的距離を大
きくする必要があるも、傾斜角をあまりにも大き
くすると、ピツト或いはヒルの長さおよび幅が制
限されている為にこの必要距離がとれなくなり、
記録が無意味になつてしまい、また読取られる信
号の強度が著しく低下する。従つて傾斜角は65゜
以下とするのが好ましい。

ヘリウム−ネオンビームまたは匹敵する波長の
ビームによつて読取られるようにし、情報領域２
の実効幅が実効波長よりも大きい記録担体の製造
において、傾斜角が大きいこと（これ自体は望ま
しい）による位相深さへのマイナスの影響は、情
報領域２の表面と中間領域４の表面との間の幾何
学的距離を増大させることによつて、たとえばホ
レジスト層を厚くすることによつて補償される。

第２図は、本発明記録担体の好適な実施例の一
部を、第１図の−′線に沿つた接線方向の断
面によつて示す。第３図は、この記録担体の一部
を、第１図の−′線に沿つた半径方向の断面
によつて示す。読取りの際に、記録担体を下側か
ら照射して、基板８を光学的保護層として用い
る。情報構造を高反射物質たとえば銀またはアル
ミニウムまたはチタニウムの層６で被覆すること
ができる。さらに、保護層７を層６上に堆積させ
ることができる。この保護層は、かき傷のような
機械的損傷に対して情報構造を保護する。

第２図における差込み図は、壁９の傾斜角θを
示している。この傾斜角は、妥協の結果である。
傾斜角が45゜〜50゜のオーダであるときに、書込プ
ロセスおよび複製プロセスが最適に再現しうるこ
とがわかつた。しかし、30゜〜65゜の範囲の傾斜角
でも許容できる結果を得ることができる。

第３図において、情報領域２の実効幅W_effを示
す。平均幅に等しい実効幅は、中間領域４の面内
の幅Ｗによつて決定される。ピツトの傾斜角θお
よび幾何学的深さ（距離）dgは、次式に従う。

W_eff＝Ｗ−dg・tanθ Ｗ＝625nm，θ＝45゜，dg＝135nmの記録担体
の実施例に対しては、W_eff＝490nmとなる。

幅Ｗは全記録担体領域にわたつて同一ではな
く、記録担体の内部領域における幅Ｗは、外部領
域における幅たとえば500nmよりも大きく、たと
えば800nmとすることができる。本願人の出願に
係る特開昭50−34508号公報「記録担体」に記載
されているように、このトラツク幅変化の目的
は、一定寸法の読取スポツトによつて中心のトラ
ツクおよび周辺近辺のトラツクの最適読取を確保
することにある。

傾斜角を0゜とは異ならせる場合に、ヘリウム−
ネオンビームまたはこれに匹敵する波長のビーム
によつて記録担体を満足に読取るためには、ピツ
トの光学的深さ（距離）d₀またはヒルの光学的高
さ（距離）は常にλ₀／４よりも大きくする必要が
あるということを確かめた、一方、以前に提案し
た記録担体に対しては、この深さまたは高さに対
し常にλ₀／４の値が与えられた。

光学的距離d₀の正確な値は、壁の傾斜角θに応
じて影響を受ける位相深さを所望のほぼ180゜に維
持するようにこの傾斜に応じて決定される。第７
図には、傾斜角θの値に対する光学的距離d₀の関
連値を示す。光学的距離d₀に関係した幾何学的距
離dgは、dg＝do／Ｎで与えられる。ここにＮは、
情報領域２がピツトである場合にピツト内の透明
物質、あるいは情報領域がヒルである場合にヒル
間の透明物質の屈折率である。透明保護層を情報
構造上に堆積しない場合、すなわち情報構造が空
気に接する場合にはＮ＝１であり、幾何学的距離
は光学的距離に等しい。

一例として、傾斜角θに対し明記された値に関
連した幾何学的距離は第７図の最右欄に与えられ
ており、これは屈折率が1.5の基板を有する第２
図および第３図に基づく記録担体をλ₀＝633nmの
円偏光ヘリウム−ネオン放射によつて読取る場合
である。傾斜角30゜および65゜はそれぞれ幾何学的
距離114nmおよび180nmに対応する。しかし幾何
学的距離の下限値は110nm位まで変動しても読取
信号を受容しうることを確かめた。

近年、光学的記録担体を読取るための放射源と
して、半導体ダイオードレーザが用いられてい
る。特に、アルミニウムとガリウムとヒ素とを用
い、約780nm〜約860nmの波長を放出するダイオ
ードレーザは、この目的に適している。

第４図において説明したガスレーザの代りに
AlGaAsダイオードレーザを用いると、情報構造
によつて反射される放射がレーザにフイードバツ
クされるのを防止するための手段を必要としな
い。これとは逆に、米国特許第3941945号明細書
に記載されているように、読取りの際にこのフイ
ードバツクを有効に利用することができる。この
ことは、読取装置では第４図のλ₀／４プレート１
８およびプリズム１７のような偏光手段を必要と
しないことを意味する。ダイオードレーザが直線
偏光放射を放出するならば、なんら他の手段を必
要とすることなく、情報構造を直線偏光放射によ
つて照射できる。

長波長のダイオードレーザによつて読取りを行
なう場合、情報領域の幅Ｗが増大するのでなけれ
ば、その実効幅W_effが実効波長λ_effよりも大きく
なければならないという要件はもはや満たされな
い。情報領域の幅を大きくすることは、情報密度
の点からは勧められない。実効波長が実効幅に等
しくなるかまたは実効幅よりも大きくなると、情
報構造の読取りの際に発生する現象をもはやスカ
ラー回折理論では十分に説明することができない
が、ベクトル回折理論を利用することができる。
この場合、位相深さに及ぼす読取ビームの偏光状
態の影響は大きなものとなる。垂直偏光した読取
ビームを用いると、細長ピツトまたは細長いヒル
は、平行偏光したまたは円偏光した読取ビームを
用いるときよりもそれぞれ深くまたは高くなる。
この効果は、λ_eff＜W_effの読取ビームに対しても
有効である。垂直または平行偏光した読取ビーム
は、電界ベクトルすなわちＥベクトルが、ピツト
またはヒルの長さ方向にそれぞれ垂直または平行
な読取ビームを意味するものと理解すべきであ
る。

本願人は、ヘリウム−ネオン放射で読取るよう
にした、200／Ｎnmの幾何学的ピツト深さまたはヒ ル高さを有する記録担体が、垂直偏光した
AlGaAs放射による読取りにも著しく適している
ことを発見している。この場合驚くべきことに、
位相深さに及ぼす傾斜角の影響がかなり小さいこ
とがわかつた。200／Ｎnmの幾何学的ピツト深さに 対し、読取られた信号の質を著しく劣化させるこ
となく、傾斜角を約30゜と約60゜との間の１つの任
意の値に選択することができる。すなわち、実効
波長およびピツトの実効幅を前述した値にした場
合、読取られたビームはこの傾斜角の範囲内の
種々の傾斜角間でほとんど相違することはない。

AlGaAs放射による読取の場合、情報領域の表
面と中間領域の表面との間の幾何学的距離は200／Ｎ nmとするのが最適である。しかし幾何学的距離
をこれより大きくしても、記録担体の満足すべき
読取りが可能である。この距離の上限は、約235／Ｎ nmである。幾何学的距離が上限に近づく記録担
体は必ずしも垂直偏光されたビームによつて読取
る必要はなく、平行偏光された読取ビームまたは
円偏光された読取ビームによつても読取ることが
できる。200／Ｎnm〜235／Ｎnmの幾何学的距離のいか なる値に対しても、傾斜角θの角度は30゜〜60゜の
１つの任意の値を有することができる。

本発明を円形デイスク形記録担体に基いて説明
したが、本発明を、テープ状または円筒状の記録
担体のような他の記録担体にも用いることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、記録担体の情報構造の一部を示す
図、第２図は本発明記録担体の好適な実施例の接
線方向断面の一部を示す図、第３図は、本発明記
録担体の好適な実施例の半径方向断面の一部を示
す図、第４図は、公知の記録担体読取装置を示す
図、第５図は、情報構造の遠視野内の０次サブビ
ームと２つの１次サブビームとの断面を示す図、
第６図は、記録担体の製造の際における傾斜角の
変化を現像時間の関数として示す図、第７図は、
傾斜角のいくつかの値と、第１面と第２面との間
の光学的距離および幾何学的距離の値を表わす表
を示す図である。 １……記録担体、２……情報領域、３……トラ
ツク、４……中間領域、５……中間細条、６……
高反射物質層、７……保護層、８……透明基板、
９……壁、１０……ガスレーザ、１１……単色直
線偏光ビーム、１２……補助レンズ、１３……ミ
ラー、１４……対物レンズ系、１５……モータ、
１７……分離プリズム、１８……プレート、１９
……放射感応検出器、２０……射出ひとみ、３０
……基板、３１……中間層、３２……ホトレジス
ト層、３３……ピツト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 約600〜約900ナノメータの範囲の波長とする
   のが好ましい光学的放射ビームにより読取ること
   のできる放射反射情報構造に情報を記憶した記録
   担体であつて、当該記録担体はトラツク状に設け
   られた情報領域を具え、これら情報領域は、トラ
   ツク方向において且つトラツク方向に対し横方向
   において、中間領域によつて互いに離間され、情
   報領域の表面は第１面に配置され、中間領域の表
   面は第２面に配置され、第１面と第２面との間の
   距離は全記録担体にわたつてほぼ一定となつてい
   る記録担体において、情報領域の壁と記録担体に
   対する法線との間の傾斜角が30゜〜65゜の間の１つ
   の値を有し、第１面と第２面との間の幾何学的距
   離が0.27λ₀／Ｎと0.427λ₀／Ｎとの間の１つの値
   を有し、λ₀が自由空間での光学的放射ビームの波
   長、Ｎが第１面と第２面との間に設けた透明媒質
   の屈折率であることを特徴とする記録担体。 ２ 633ナノメータのオーダの波長を有する円偏
   光放射により、または780ナノメータから860ナノ
   メータの範囲の波長を有し、トラツク方向に垂直
   の偏光方向を有する直線偏光放射によつて読取る
   ようにした特許請求の範囲第１項に記載の記録担
   体において、傾斜角を45゜〜50゜のオーダとし、幾
   何学的距離を200／Ｎナノメータのオーダとしたこと を特徴とする記録担体。 ３ 780ナノメータから860ナノメータの範囲の波
   長を有する円偏光放射によつて読取るようにした
   特許請求の範囲第１項に記載の記録担体におい
   て、傾斜角を45゜〜50゜のオーダとし、幾何学的距
   離が210／Ｎナノメータと225／Ｎナノメータとの間の１ つの値を有することを特徴とする記録担体。 ４ 円形デイスク状タイプの特許請求の範囲第１
   項に記載の記録担体において、周囲から始めて、
   情報領域の幅を徐々に且つ情報とは無関係に増大
   させることを特徴とする記録担体。