JPS63199419A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPS63199419A JPS63199419A JP62031621A JP3162187A JPS63199419A JP S63199419 A JPS63199419 A JP S63199419A JP 62031621 A JP62031621 A JP 62031621A JP 3162187 A JP3162187 A JP 3162187A JP S63199419 A JPS63199419 A JP S63199419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- optical system
- closed space
- pressure change
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は結像位置および倍率等の光学特性を高精度に維
持し得る投影露光装置に関する。
持し得る投影露光装置に関する。
［従来技術］
従来、縮小投影型露光装置（以下ステッパと呼ぶ）は近
年超ＬＳＩの生産現場に多く導入され大きな成果をもた
らしているが、その重要な性能の１つに重ね合わせマツ
チング精度が上げられる。
年超ＬＳＩの生産現場に多く導入され大きな成果をもた
らしているが、その重要な性能の１つに重ね合わせマツ
チング精度が上げられる。
このマツチング精度に影響を与える要素の中でも重要な
ものに投影光学系の倍率やピント誤差がある。超ＬＳＩ
に用いられるパターンの大きさは年々微細化の傾向を強
め、それに伴ないこれらの誤差をより減少させ、マツチ
ング精度をより一層向上させることが望まれている。
ものに投影光学系の倍率やピント誤差がある。超ＬＳＩ
に用いられるパターンの大きさは年々微細化の傾向を強
め、それに伴ないこれらの誤差をより減少させ、マツチ
ング精度をより一層向上させることが望まれている。
現在、投影光学系の倍率やピントは装置の設置時に調整
することにより倍率誤差が一応は無視できる程度にはな
っている。しかし、この種の露光装置では、回路パター
ンをウェハ上のフォトレジストに転写するために強力な
エネルギをもった露光光を使用するため、投影レンズ内
の雰囲気温度が上昇する。したがって、レンズ温度およ
びレンズ雰囲気温度の上昇により、レンズのインデック
ス変化、面変化等が現われ結果的に投影レンズの光学特
性（倍率誤差やピント変化）に影響を与えることになる
。そこで、従来よりこのような投影レンズを用いる場合
、外雰囲気温度を検出し結像性能の変化を予測・補正す
る手段が用いられている。
することにより倍率誤差が一応は無視できる程度にはな
っている。しかし、この種の露光装置では、回路パター
ンをウェハ上のフォトレジストに転写するために強力な
エネルギをもった露光光を使用するため、投影レンズ内
の雰囲気温度が上昇する。したがって、レンズ温度およ
びレンズ雰囲気温度の上昇により、レンズのインデック
ス変化、面変化等が現われ結果的に投影レンズの光学特
性（倍率誤差やピント変化）に影響を与えることになる
。そこで、従来よりこのような投影レンズを用いる場合
、外雰囲気温度を検出し結像性能の変化を予測・補正す
る手段が用いられている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、このような手段によれば、上記したレン
ズおよびレンズ雰囲気温度の上昇に伴う結像特性の変化
には十分に対応することができない。
ズおよびレンズ雰囲気温度の上昇に伴う結像特性の変化
には十分に対応することができない。
この問題を解決すべくレンズ鏡筒から温度センサを直接
投影レンズ内に挿入することも考えられるが、センサを
有効光路内に設置できないため実際の温度上昇がつかみ
きれないこと、またセンサを小型化する必要性があるた
め温度感度が不十分であること等の問題がある。
投影レンズ内に挿入することも考えられるが、センサを
有効光路内に設置できないため実際の温度上昇がつかみ
きれないこと、またセンサを小型化する必要性があるた
め温度感度が不十分であること等の問題がある。
その他、レンズ鏡筒に圧力ゲージを取り付け、密閉され
た投影レンズ内の温度変化に伴う圧力変化を計測するこ
とも考えられるが、投影レンズ内の微小な圧力変動には
通常のゲージでは到底追従できないのが現状である。
た投影レンズ内の温度変化に伴う圧力変化を計測するこ
とも考えられるが、投影レンズ内の微小な圧力変動には
通常のゲージでは到底追従できないのが現状である。
また、特許出願例としては、空調された空気を投影光学
系中に循環させて各レンズを温調することにより所定の
光学特性の安定化を図った出願（特開昭６０−７９３５
７号公報、特開昭６０−７９３５８号公報）がある。し
かし、この手段だと、装置の大型化、循環気体のゆらぎ
等による結像特性の不安定化、露光開始時の投影光学系
の急速な立上がりには追従できないこと等の問題点があ
る。
系中に循環させて各レンズを温調することにより所定の
光学特性の安定化を図った出願（特開昭６０−７９３５
７号公報、特開昭６０−７９３５８号公報）がある。し
かし、この手段だと、装置の大型化、循環気体のゆらぎ
等による結像特性の不安定化、露光開始時の投影光学系
の急速な立上がりには追従できないこと等の問題点があ
る。
本発明の目的は、このような問題点に鑑み、投影露光装
置において、温調機搭載などの装置の大型化を伴わない
簡便な手段により、投影光学系内の温度上昇に伴う結像
特性の変化を高精度で予測・′検出し補正して結像特性
を高精度に安定化させることにある。
置において、温調機搭載などの装置の大型化を伴わない
簡便な手段により、投影光学系内の温度上昇に伴う結像
特性の変化を高精度で予測・′検出し補正して結像特性
を高精度に安定化させることにある。
［問題点を解決するための手段および作用］上記目的を
達成するため本発明では、フォーカス制御手段を有する
投影露光装置において、投影光学系の光学素子間の少な
くとも一部を密閉空間とし、露光光エネルギの累積等に
伴う投影光学系内の温度変化を該密閉空間内の圧力の変
化としてとらえ、この圧力変化から投影光学系内の温度
変化に伴うピント変化や結像位置変化等の結像特性の変
化を予測し、これに基づきフォーカス機構の補正を行な
うことで常に均一な結像状態を維持するようにしている
。
達成するため本発明では、フォーカス制御手段を有する
投影露光装置において、投影光学系の光学素子間の少な
くとも一部を密閉空間とし、露光光エネルギの累積等に
伴う投影光学系内の温度変化を該密閉空間内の圧力の変
化としてとらえ、この圧力変化から投影光学系内の温度
変化に伴うピント変化や結像位置変化等の結像特性の変
化を予測し、これに基づきフォーカス機構の補正を行な
うことで常に均一な結像状態を維持するようにしている
。
上記圧力変化は、例えば、上記密閉空間とその外部との
境界の一部を圧力差に敏感に感応する薄膜て形成し、該
密閉空間内の圧力変化を該薄膜の変位量として計測し、
この変位量を圧力に変換することにより検出することが
できる。
境界の一部を圧力差に敏感に感応する薄膜て形成し、該
密閉空間内の圧力変化を該薄膜の変位量として計測し、
この変位量を圧力に変換することにより検出することが
できる。
このような本発明によれば、投影光学系およびその雰囲
気の温度上昇を温調機を使用して強制的に温度下降させ
る方式と異なり、温度上昇に伴う結像性能変化を圧力変
化に基づいて予測・補正する方式なので、光学素子雰囲
気温度を下げさせる温調機等は必要とせず装置の設置ス
ペースも全く変化しない。
気の温度上昇を温調機を使用して強制的に温度下降させ
る方式と異なり、温度上昇に伴う結像性能変化を圧力変
化に基づいて予測・補正する方式なので、光学素子雰囲
気温度を下げさせる温調機等は必要とせず装置の設置ス
ペースも全く変化しない。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る投影露光装置を示す。
同図において、１はレチクル、２はレチクル１のパター
ンを転写するために必要な照明装置、３は複数個の光学
素子（レンズ）を有する投影レンズ（光学系）、４は投
影レンズ３を介してレチクル１のパターンの縮小同型パ
ターンが焼き付けられるウェハ、５はウェハ４を真空吸
着するチャック、６はウェハ４を上下、θおよびＸＹ方
向に移動させることができるＸＹθＺステージである。
ンを転写するために必要な照明装置、３は複数個の光学
素子（レンズ）を有する投影レンズ（光学系）、４は投
影レンズ３を介してレチクル１のパターンの縮小同型パ
ターンが焼き付けられるウェハ、５はウェハ４を真空吸
着するチャック、６はウェハ４を上下、θおよびＸＹ方
向に移動させることができるＸＹθＺステージである。
投影光学系３は所定の空気間隔をおいて配した複数個の
光学素子Ｌ１〜Ｌ５から構成されている。７はそのうち
の光学素子Ｌ１を固定するレンズホルダ、８は光学素子
Ｌ１を上下駆動させるために必要なピエゾ素子、９は投
影レンズ３に対するレンズホルダ７の上下位置検出セン
サ、１０゜１２、１４．１６は各光学素子Ｌ１〜Ｌ５間
の空気間隔、１１．１３．１５．１７は各空気間隔１０
．１２，１４．１６を通気させるために必要な通気孔、
１８は投影レンズ３、ウェハ４、ＸＹθＺステージ６等
の雰囲気温度を一定に保つための恒温チャンバ、１９は
レンズ鏡筒の一部に鏡筒内を密閉するように取り付けら
れている薄膜、２０は投影レンズ３内の温度上昇に伴う
圧力変化により変形する薄膜１の変形量を検出する静電
容量センサ、２１は薄膜１へ通じる通気孔、２２はＣＰ
Ｕ、２３は温度モニタ、２４は温風機、２５は圧力モニ
タ、２６はピエゾドライバである。
光学素子Ｌ１〜Ｌ５から構成されている。７はそのうち
の光学素子Ｌ１を固定するレンズホルダ、８は光学素子
Ｌ１を上下駆動させるために必要なピエゾ素子、９は投
影レンズ３に対するレンズホルダ７の上下位置検出セン
サ、１０゜１２、１４．１６は各光学素子Ｌ１〜Ｌ５間
の空気間隔、１１．１３．１５．１７は各空気間隔１０
．１２，１４．１６を通気させるために必要な通気孔、
１８は投影レンズ３、ウェハ４、ＸＹθＺステージ６等
の雰囲気温度を一定に保つための恒温チャンバ、１９は
レンズ鏡筒の一部に鏡筒内を密閉するように取り付けら
れている薄膜、２０は投影レンズ３内の温度上昇に伴う
圧力変化により変形する薄膜１の変形量を検出する静電
容量センサ、２１は薄膜１へ通じる通気孔、２２はＣＰ
Ｕ、２３は温度モニタ、２４は温風機、２５は圧力モニ
タ、２６はピエゾドライバである。
この構成において、露光されるウェハ４は、チャック５
により真空吸着され、ＸＹθ２ステージ６によって最良
ピント位置および最適露光位置へ運ばれる。露光に際し
ては、投影レンズ３回りやＸＹθＺステージ６回りの温
度環境を安定させるため、ＣＰ Ｕ ２２は常に温度モ
ニタ２３により温度変動を読み取り、最適な温度にする
指令値を温風機２４に送信する。また、大気圧の変動に
対しては、圧力モニタ２５で外界の圧力（大気圧）を検
出し変動があればピエゾドライバ２６を介しピエゾ素子
８を駆動させ光学素子Ｌ１を上下させて最適結像特性に
する。それらが全てスタンバイされた状態でレチクル１
上に構成されているパターンは照明装置２の露光光によ
り投影レンズ３を介してウェハ４に結像投影される。こ
のとき、通気孔２１以外の通気孔！１．１３．１５．１
７は封止されており、また、通気孔２１は薄膜１９とつ
ながっている。
により真空吸着され、ＸＹθ２ステージ６によって最良
ピント位置および最適露光位置へ運ばれる。露光に際し
ては、投影レンズ３回りやＸＹθＺステージ６回りの温
度環境を安定させるため、ＣＰ Ｕ ２２は常に温度モ
ニタ２３により温度変動を読み取り、最適な温度にする
指令値を温風機２４に送信する。また、大気圧の変動に
対しては、圧力モニタ２５で外界の圧力（大気圧）を検
出し変動があればピエゾドライバ２６を介しピエゾ素子
８を駆動させ光学素子Ｌ１を上下させて最適結像特性に
する。それらが全てスタンバイされた状態でレチクル１
上に構成されているパターンは照明装置２の露光光によ
り投影レンズ３を介してウェハ４に結像投影される。こ
のとき、通気孔２１以外の通気孔！１．１３．１５．１
７は封止されており、また、通気孔２１は薄膜１９とつ
ながっている。
第２図は光学系３の密閉空間内の圧力を検出する部分の
説明図である。
説明図である。
露光光による温度上昇に伴い投影レンズ３内の密閉空間
の圧力が上昇すると、薄膜１９が同図の如く押し広げら
れる。この押し広げ量（変化量）を静電容量センサ２０
で検出して圧力に変換することにより密閉空間の圧力変
化が求められる。
の圧力が上昇すると、薄膜１９が同図の如く押し広げら
れる。この押し広げ量（変化量）を静電容量センサ２０
で検出して圧力に変換することにより密閉空間の圧力変
化が求められる。
次に、この圧力変化に基づき投影倍率および結像面位置
の変化量を求めてこれらを補正する方法を述べる。
の変化量を求めてこれらを補正する方法を述べる。
光学系３の投影倍率Ｍと結像面位置Ｆは次の因子の関数
となる。
となる。
Ｍ＝ｆ （Ｐ、、Ｔ、、Ｔａ、Ｐ、、Ｘ）・・・・・・
（１） ）−＝ｇ （Ｐａ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｐｅ、Ｘ）・・・・・
・（２） Ｐａ ：投影レンズ３回りの雰囲気圧、Ｔ、 ・投影
レンズ３回りの雰囲気温度、Ｔｏ ＝投影レンズ３内温
度、 Ｐ８ 二段形。レンズ３内圧力、 Ｘ：光学素子Ｌ１〜Ｌ２間距離 ここて、初期設定時からの各因子の変化量を、ΔＰ２．
ΔＴａ、ΔＴ８．ΔＰａ、ΔＸとすると、投影倍率変化
量ΔＭ、結像面位置変化量ΔＦは各因子変化量が充分小
さいとき、その２次より高次の項が無視でき ΔＭ−Ａ、Δｐａ＋ Ａ２ΔＴａ＋Ａ３Δｐａ＋ Ａ４
Δ７．＋ Ａ５ΔＸ・・・・・・（３） ΔＦ−Ｂ、ΔＰａ＋Ｂ２ΔＴａ＋Ｂ３ΔＰ、＋ Ｂ４Δ
Ｔ、＋ Ｂ５ΔＸ・・・・・・（４） Ａ、〜Ａ５． ａｔ〜Ｂ５：実験または理論上より求め
る定数 となる。また、投影レンズ３（の密閉室）内の圧力ｐＨ
はその体積■６が一定だと考えると、次のように表わす
ことができる。
（１） ）−＝ｇ （Ｐａ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｐｅ、Ｘ）・・・・・
・（２） Ｐａ ：投影レンズ３回りの雰囲気圧、Ｔ、 ・投影
レンズ３回りの雰囲気温度、Ｔｏ ＝投影レンズ３内温
度、 Ｐ８ 二段形。レンズ３内圧力、 Ｘ：光学素子Ｌ１〜Ｌ２間距離 ここて、初期設定時からの各因子の変化量を、ΔＰ２．
ΔＴａ、ΔＴ８．ΔＰａ、ΔＸとすると、投影倍率変化
量ΔＭ、結像面位置変化量ΔＦは各因子変化量が充分小
さいとき、その２次より高次の項が無視でき ΔＭ−Ａ、Δｐａ＋ Ａ２ΔＴａ＋Ａ３Δｐａ＋ Ａ４
Δ７．＋ Ａ５ΔＸ・・・・・・（３） ΔＦ−Ｂ、ΔＰａ＋Ｂ２ΔＴａ＋Ｂ３ΔＰ、＋ Ｂ４Δ
Ｔ、＋ Ｂ５ΔＸ・・・・・・（４） Ａ、〜Ａ５． ａｔ〜Ｂ５：実験または理論上より求め
る定数 となる。また、投影レンズ３（の密閉室）内の圧力ｐＨ
はその体積■６が一定だと考えると、次のように表わす
ことができる。
Ｐ、＝ｈ （Ｔ、、Ｖ。）・・・・・（５）Δｐａ＝ｃ
、ΔＴａ ・・・・・・（６）Ｃ１：実
験または理論より求める定数 このΔＰａはまた、薄膜１９の変化量ΔＳに比例しΔＳ
は大気圧から投影レンズ３の内圧を引いたものであるこ
とから、比例定数なＫとして次のように表すことができ
る。
、ΔＴａ ・・・・・・（６）Ｃ１：実
験または理論より求める定数 このΔＰａはまた、薄膜１９の変化量ΔＳに比例しΔＳ
は大気圧から投影レンズ３の内圧を引いたものであるこ
とから、比例定数なＫとして次のように表すことができ
る。
ΔＰａ＝にΔＳ＝Ｋ （Ｐ、−Ｐ、 ）−・・・・（７
）さらに、式（δ） 、 （７）より ΔＴ、＝Ｋ （Ｐ、−Ｐ−）／Ｃ＋ ・・・・・・（
８）と表わすことができ、投影レンズ３内の温度変化量
ΔＴ、は投影レンズ３回りの雰囲気圧Ｐ８と投影レンズ
３の内圧ｐＨから求めることが可能である。したがって
、ΔＭ＝Ｏに保つためには、ΔＸ−一（八、ΔＰ、十
八２ΔＴｌｌ＋ Ａ３ΔＰａ＋ Ａ４ΔＴ−）／Ａｓ
ｍ−（１１１，Δ Ｐａ十 Ａ２ΔＴｌｌ＋（八ｓ ＋
Ａ ４） Ｋ Ｐ ａ−（八。＋Ａ４／Ｃ＋）ＫｐＨ
）／八。
）さらに、式（δ） 、 （７）より ΔＴ、＝Ｋ （Ｐ、−Ｐ−）／Ｃ＋ ・・・・・・（
８）と表わすことができ、投影レンズ３内の温度変化量
ΔＴ、は投影レンズ３回りの雰囲気圧Ｐ８と投影レンズ
３の内圧ｐＨから求めることが可能である。したがって
、ΔＭ＝Ｏに保つためには、ΔＸ−一（八、ΔＰ、十
八２ΔＴｌｌ＋ Ａ３ΔＰａ＋ Ａ４ΔＴ−）／Ａｓ
ｍ−（１１１，Δ Ｐａ十 Ａ２ΔＴｌｌ＋（八ｓ ＋
Ａ ４） Ｋ Ｐ ａ−（八。＋Ａ４／Ｃ＋）ＫｐＨ
）／八。
・・・・・・（９）
であればよいので、ピエゾ素子８を駆動させ光学素子Ｌ
１〜Ｌ２の距離をこのΔχ分分化化せれば良い。
１〜Ｌ２の距離をこのΔχ分分化化せれば良い。
またこのとき、ΔＦは式（４）と式（８） 、 （９）
よりΔＦ−（Ｂｌ−ＢＳＡＩ／Ａ５）Δｐａ＋ （Ｂ
２−１ｔ５Ａ２／Δ５）ΔＴａ” （Ｂ３”Ｂ４／Ｃ＋
−Ａｓ８ｓ／Ａｓ−ＡＪｓ／Ａ５）［’ａ−（Ｂ３”Ｂ
４＋８５Ａ３”Ｂ５Ａ４／ＡｇＣ＋’）ＫｐＨ・・・・
・・（１０） となるので、ＸＹθＺステージ６によりこのΔＦ分ウェ
ハ４を上下動させれば良い。
よりΔＦ−（Ｂｌ−ＢＳＡＩ／Ａ５）Δｐａ＋ （Ｂ
２−１ｔ５Ａ２／Δ５）ΔＴａ” （Ｂ３”Ｂ４／Ｃ＋
−Ａｓ８ｓ／Ａｓ−ＡＪｓ／Ａ５）［’ａ−（Ｂ３”Ｂ
４＋８５Ａ３”Ｂ５Ａ４／ＡｇＣ＋’）ＫｐＨ・・・・
・・（１０） となるので、ＸＹθＺステージ６によりこのΔＦ分ウェ
ハ４を上下動させれば良い。
以上の方法により露光時の投影光学系３回りの圧力変化
、温度変化および露光光エネルギ吸収に伴う投影レンズ
内圧力変化（温度変化）に起因する投影倍率の変化およ
びピント変化を補正することができる。
、温度変化および露光光エネルギ吸収に伴う投影レンズ
内圧力変化（温度変化）に起因する投影倍率の変化およ
びピント変化を補正することができる。
［実施例の変形例］
第３図は、静電容量センサ２０の代りに、半導体のピエ
ゾ抵抗効果を利用した圧力の検出方法を示す。この方法
による圧力の計測は、ピエゾ抵抗圧力５Ｗ２７に内蔵さ
れているセンサチップが投影レンズ３の密閉空間内の圧
力変化に応じて抵抗変化（歪抵抗）することを利用した
もので、上述実施例に比べ、代用測定していムいこと、
圧力５Ｗ２７自身も非常にコンパクトである等の利点が
ある。
ゾ抵抗効果を利用した圧力の検出方法を示す。この方法
による圧力の計測は、ピエゾ抵抗圧力５Ｗ２７に内蔵さ
れているセンサチップが投影レンズ３の密閉空間内の圧
力変化に応じて抵抗変化（歪抵抗）することを利用した
もので、上述実施例に比べ、代用測定していムいこと、
圧力５Ｗ２７自身も非常にコンパクトである等の利点が
ある。
また、上述においては、投影レンズ３の密閉空間内の気
体として空気を用いているが、この代わりに窒素やヘリ
ウム等を用いてもよい。
体として空気を用いているが、この代わりに窒素やヘリ
ウム等を用いてもよい。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、露光光エネルギが
吸収される等により投影倍率や結像面位置などの光学特
性に与えられる影響を、小型で簡便な手段により容易に
かつ精度良く予測・検出して結像特性を高精度に補正・
維持することができる。
吸収される等により投影倍率や結像面位置などの光学特
性に与えられる影響を、小型で簡便な手段により容易に
かつ精度良く予測・検出して結像特性を高精度に補正・
維持することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る光学系の説明図、
第２図は、第１図の装置の光学系圧力検出機を、示すブ
ロック図、 第３図は、第１図の実施例の変形例に係る圧力検出手段
を示すブロック図である。 １ニレチクル、２：照明装置、 ３：投影レンズ、４：ウェハ、 ５：チャック、６：ＸＹθＺステージ、７：レンズホル
ダ、８．ピエゾ素子、 ９：うず電流検出計、 １０、１２．１４． ｌｌｉ：空気間隔、１１、１３．
１５．１７：通気孔、 １８：チャンバ、１９：薄膜、 ２０：静電容量センサ、２１：薄膜部通気孔、２２：Ｃ
ＰＵ、２３：温度モニタ、２４：温風機、２５：圧力モ
ニタ、２６：ピエゾドライバ、２７：ピエゾ抵抗圧力Ｓ
Ｗ。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 維 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第３図
ロック図、 第３図は、第１図の実施例の変形例に係る圧力検出手段
を示すブロック図である。 １ニレチクル、２：照明装置、 ３：投影レンズ、４：ウェハ、 ５：チャック、６：ＸＹθＺステージ、７：レンズホル
ダ、８．ピエゾ素子、 ９：うず電流検出計、 １０、１２．１４． ｌｌｉ：空気間隔、１１、１３．
１５．１７：通気孔、 １８：チャンバ、１９：薄膜、 ２０：静電容量センサ、２１：薄膜部通気孔、２２：Ｃ
ＰＵ、２３：温度モニタ、２４：温風機、２５：圧力モ
ニタ、２６：ピエゾドライバ、２７：ピエゾ抵抗圧力Ｓ
Ｗ。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 維 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、原板のパターンを照射する照明手段と、該照明手段
により照射された該パターンを被露光物上に投影する投
影光学系と、該投影光学系を介して該被露光物上の感光
面に該パターンを結像させる際の結像特性を調整するた
めのフォーカス機構と、該投影光学系の光学素子間の少
なくとも１ケ所に設けられた密閉空間と、該密閉空間の
圧力変化を計測する圧力変化計測手段と、該圧力変化計
測手段の出力に基づき上記フォーカス機構を自動制御す
る制御手段とを具備することを特徴とする投影露光装置
。 ２、前記フォーカス機構が、前記光学素子を移動する手
段および前記被露光物を移動する手段を含む特許請求の
範囲第１項記載の投影露光装置。 ３、前記圧力変化計測手段が、前記密閉空間とその外部
との境界の一部として設けた薄膜および該薄膜の変位量
を計測する手段を有するものである特許請求の範囲第１
項記載の投影露光装置。 ４、前記圧力変化計測手段が、前記密閉空間の圧力変化
に応じて抵抗変化するピエゾ抵抗圧力スイッチを有する
特許請求の範囲第１項記載の投影露光装置。 ５、前記密閉空間に存在する気体が、空気、窒素または
ヘリウムのいずれかである特許請求の範囲第１項記載の
投影露光装置。 ６、前記制御手段が、前記圧力変化計測手段の出力に基
づき前記投影光学系の温度変化を算出して所定の結像特
性を維持すべく前記フォーカス機構を制御するものであ
る特許請求の範囲第１項記載の投影露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62031621A JPS63199419A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 投影露光装置 |
| US07/155,277 US4825247A (en) | 1987-02-16 | 1988-02-12 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62031621A JPS63199419A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63199419A true JPS63199419A (ja) | 1988-08-17 |
Family
ID=12336287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62031621A Pending JPS63199419A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63199419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014745A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Canon Inc | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2012195584A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-11 | Asml Netherlands Bv | 投影システム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS60136746A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS63179517A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Nikon Corp | 投影光学装置及び該装置を用いた露光方法 |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP62031621A patent/JPS63199419A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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