JPS6319977B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6319977B2 JPS6319977B2 JP53088761A JP8876178A JPS6319977B2 JP S6319977 B2 JPS6319977 B2 JP S6319977B2 JP 53088761 A JP53088761 A JP 53088761A JP 8876178 A JP8876178 A JP 8876178A JP S6319977 B2 JPS6319977 B2 JP S6319977B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- layer
- discharge
- porous
- porous dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は表示装置に関し、特に放電による発
光を表示に利用するAC型放電表示装置に関する。
光を表示に利用するAC型放電表示装置に関する。
従来この種のAC型放電表示装置として、第１
図に示すごとき構造が用いられている。第２図は
第１図の封着部を拡大して模式的に説明する図で
ある。（以下図中共通部分は同一数字を付す。）図
において、絶縁基板１は、例えばソーダ板ガラス
からなり導電体層２はAgペースト等をスクリー
ン印刷で所定のパターンに印刷した後焼成して作
られる。所定のパターンを得る為にはスクリーン
印刷等による他、蒸着、スパツタ等を用い得る。
誘電体層３は低融点ガラスを５〜20μｍの厚さに
形成したものである。４はアルミナ微粉末を主成
分とし低融点ガラス、黒色金属酸化物を含んだポ
ーラスな層で表示の形状を限定し、かつ適当な放
電ギヤツプを得る様な厚さ（通常このギヤツプは
0.05〜0.25mmとなる様に選ぶ）に選び形成されて
いる。表示の形状の限定は、セグメントを組み合
せて表示する方法ではセグメントにあたる部分以
外にこのポーラスな多孔誘電体層を設けて放電空
間（セル）を作る。一方導電体層２が多数の平行
導電体を形づくりこれを互に直交するように配置
して導電体層の交点部を放電空間（セル）として
これを表示に利用するいわゆるマトリツクス型に
おいては、セルにあたる部分のみを除く、または
導電体を直角に横切つて多数の平行溝（チヤンネ
ル）を作る、あるいは導電体と平行に多数のチヤ
ンネルを作るように多孔誘電体層を形成する。５
は無機誘電体層であり、この層は封着時の熱によ
り分解し非常にポーラスなマグネシアの層とな
る。６は放電空間で気密封着後真空排気しNeガ
ス等が充填される。７は低融点ガラスで絶縁基板
１同志を気密封着する。この７は高Pbガラスの
フリツト粉末をビークルに懸濁して所定の位置に
塗布したものでこれを所定の温度に保つことによ
り気密封着構造が得られるものである。
図に示すごとき構造が用いられている。第２図は
第１図の封着部を拡大して模式的に説明する図で
ある。（以下図中共通部分は同一数字を付す。）図
において、絶縁基板１は、例えばソーダ板ガラス
からなり導電体層２はAgペースト等をスクリー
ン印刷で所定のパターンに印刷した後焼成して作
られる。所定のパターンを得る為にはスクリーン
印刷等による他、蒸着、スパツタ等を用い得る。
誘電体層３は低融点ガラスを５〜20μｍの厚さに
形成したものである。４はアルミナ微粉末を主成
分とし低融点ガラス、黒色金属酸化物を含んだポ
ーラスな層で表示の形状を限定し、かつ適当な放
電ギヤツプを得る様な厚さ（通常このギヤツプは
0.05〜0.25mmとなる様に選ぶ）に選び形成されて
いる。表示の形状の限定は、セグメントを組み合
せて表示する方法ではセグメントにあたる部分以
外にこのポーラスな多孔誘電体層を設けて放電空
間（セル）を作る。一方導電体層２が多数の平行
導電体を形づくりこれを互に直交するように配置
して導電体層の交点部を放電空間（セル）として
これを表示に利用するいわゆるマトリツクス型に
おいては、セルにあたる部分のみを除く、または
導電体を直角に横切つて多数の平行溝（チヤンネ
ル）を作る、あるいは導電体と平行に多数のチヤ
ンネルを作るように多孔誘電体層を形成する。５
は無機誘電体層であり、この層は封着時の熱によ
り分解し非常にポーラスなマグネシアの層とな
る。６は放電空間で気密封着後真空排気しNeガ
ス等が充填される。７は低融点ガラスで絶縁基板
１同志を気密封着する。この７は高Pbガラスの
フリツト粉末をビークルに懸濁して所定の位置に
塗布したものでこれを所定の温度に保つことによ
り気密封着構造が得られるものである。
しかし、以上説明したように従来の構造のガス
放電表示装置に於ては、放電の起り始める電圧
（放電開始電圧）が場所によつて違い、例えば第
３図に示すように、30V程度の差が往々にして起
り、駆動上問題が大きかつた。第３図で８０は表
示面を示す。
放電表示装置に於ては、放電の起り始める電圧
（放電開始電圧）が場所によつて違い、例えば第
３図に示すように、30V程度の差が往々にして起
り、駆動上問題が大きかつた。第３図で８０は表
示面を示す。
この放電開始電圧の場所的な差は主として次の
２点により起ると考えられる。即ち、(イ)放電ギヤ
ツプに差がある。(ロ)第１、第２図に示すポーラス
なマグネシア層の表面の汚れ方に差がある。
２点により起ると考えられる。即ち、(イ)放電ギヤ
ツプに差がある。(ロ)第１、第２図に示すポーラス
なマグネシア層の表面の汚れ方に差がある。
放電ギヤツプは周知の通り、平等電界に於ける
火花電圧が気圧Ｐとギヤツプｌの積Ｐ・ｌの関数
となるというPaschen法則に従う。現在表示に利
用されるガス放電のような空間電荷が支配する放
電域に於てもこのPaschenの法則は成り立ち、こ
れから放電ギヤツプの差は放電開始電圧の差を生
ずる事が理解出来る。次にポーラスなマグネシア
層の汚れは主として、封着時に用いたフリツトを
懸濁させるビークル中の有機物が、第２図に示す
ように多孔誘電体層及び無機誘電体層を通してパ
ネル内へ浸透し、封着時に焼却されずにカーボン
として残つたものと考えられる。即ち多孔誘電体
層及び無機誘電体層を通して無機誘電体層中にも
浸透したビークルは空気の少い間隙中で封着時に
CO2として焼き飛ぶことなくスス状のカーボンと
して残りこれが放電開始電圧に著しい影響を及ぼ
すのである。本発明の目的は表示板全面にわたつ
て放電開始電圧が均一なガス放電表示板を提供す
ることにある。
火花電圧が気圧Ｐとギヤツプｌの積Ｐ・ｌの関数
となるというPaschen法則に従う。現在表示に利
用されるガス放電のような空間電荷が支配する放
電域に於てもこのPaschenの法則は成り立ち、こ
れから放電ギヤツプの差は放電開始電圧の差を生
ずる事が理解出来る。次にポーラスなマグネシア
層の汚れは主として、封着時に用いたフリツトを
懸濁させるビークル中の有機物が、第２図に示す
ように多孔誘電体層及び無機誘電体層を通してパ
ネル内へ浸透し、封着時に焼却されずにカーボン
として残つたものと考えられる。即ち多孔誘電体
層及び無機誘電体層を通して無機誘電体層中にも
浸透したビークルは空気の少い間隙中で封着時に
CO2として焼き飛ぶことなくスス状のカーボンと
して残りこれが放電開始電圧に著しい影響を及ぼ
すのである。本発明の目的は表示板全面にわたつ
て放電開始電圧が均一なガス放電表示板を提供す
ることにある。
本発明によれば、ポーラスな多孔誘電体層の外
縁部で絶縁基板縁に沿つた部分に少くとも１条の
独立した溝を形成し多孔誘電体層のない部分を設
け、かつ無機誘電体層をその溝より内側に設けた
ことを特徴とするガス放電表示板を得ることが出
来る。
縁部で絶縁基板縁に沿つた部分に少くとも１条の
独立した溝を形成し多孔誘電体層のない部分を設
け、かつ無機誘電体層をその溝より内側に設けた
ことを特徴とするガス放電表示板を得ることが出
来る。
とくに本発明によれば少くとも一方が透明な１
対の絶縁基板のそれぞれの一表面上に複数個の導
電体層を形成し、該導電体層の表面を誘電体層で
被覆し、さらに少くとも一方の前記誘電体層上に
ポーラスな多孔誘電体層を前記導電体層に対応し
た複数の穴または溝を有する如くに形成し、さら
に少くとも前記一方の誘電体層表面に、気密封着
時に熱分解によりポーラスなマグネシア層となる
無機誘電体層を設け、しかる後前記導電体層が前
記各孔または各溝において互にその一部が対向す
るようにかつ適度な放電空間を保つ如くに組合せ
気密封着し、該放電空間に放電可能なガスを封入
してなるガス放電表示装置において、前記ポーラ
スな多孔誘電体層の外縁部で前記絶縁基板縁に沿
つた部分に少くとも１条の独立した溝を形成し多
孔誘電体層のない部分を設けかつ前記無機誘電体
層を前記溝の内側に設けたことを特徴とするガス
放電表示装置が得られる。
対の絶縁基板のそれぞれの一表面上に複数個の導
電体層を形成し、該導電体層の表面を誘電体層で
被覆し、さらに少くとも一方の前記誘電体層上に
ポーラスな多孔誘電体層を前記導電体層に対応し
た複数の穴または溝を有する如くに形成し、さら
に少くとも前記一方の誘電体層表面に、気密封着
時に熱分解によりポーラスなマグネシア層となる
無機誘電体層を設け、しかる後前記導電体層が前
記各孔または各溝において互にその一部が対向す
るようにかつ適度な放電空間を保つ如くに組合せ
気密封着し、該放電空間に放電可能なガスを封入
してなるガス放電表示装置において、前記ポーラ
スな多孔誘電体層の外縁部で前記絶縁基板縁に沿
つた部分に少くとも１条の独立した溝を形成し多
孔誘電体層のない部分を設けかつ前記無機誘電体
層を前記溝の内側に設けたことを特徴とするガス
放電表示装置が得られる。
以下本発明の一実施例を示した図面を参照して
本発明を詳細に説明する。
本発明を詳細に説明する。
第４図はポーラスなマグネシア層表面の汚れを
防ぐための実施例である。第４図に示す様に本発
明の実施例においてはポーラスな多孔誘電体層４
の外縁部に溝８を備え、かつ無機誘電体層５を溝
８の内側に設け、溝８の空間により多孔誘電体層
４及び無機誘電体層５と低融点ガラス（フリツ
ト）７とを空間的に分離する構造をとつている。
したがつて低融点ガラス７は溝８により多孔誘電
体層４と無機誘電体層５と空間的に分離された多
孔誘電体層４′及び誘電体層３及び導電体層２及
び絶縁基板１と接することになる。かくなる場
合、封着時に用いたフリツトを懸濁させるビーク
ル中の有機物は多孔誘電体層４′に浸透するのみ
にとどまり、溝８による空間を以つて表示面を形
成する多孔誘電体層４と無機誘電体層５への浸透
を阻止することが出来る。したがつて封着焼成時
において前述のポーラスなマグネシア層の汚れの
発生を無からしめることが出来、汚れの差による
放電開始電圧のばらつきが少いガス放電表示板を
得た。
防ぐための実施例である。第４図に示す様に本発
明の実施例においてはポーラスな多孔誘電体層４
の外縁部に溝８を備え、かつ無機誘電体層５を溝
８の内側に設け、溝８の空間により多孔誘電体層
４及び無機誘電体層５と低融点ガラス（フリツ
ト）７とを空間的に分離する構造をとつている。
したがつて低融点ガラス７は溝８により多孔誘電
体層４と無機誘電体層５と空間的に分離された多
孔誘電体層４′及び誘電体層３及び導電体層２及
び絶縁基板１と接することになる。かくなる場
合、封着時に用いたフリツトを懸濁させるビーク
ル中の有機物は多孔誘電体層４′に浸透するのみ
にとどまり、溝８による空間を以つて表示面を形
成する多孔誘電体層４と無機誘電体層５への浸透
を阻止することが出来る。したがつて封着焼成時
において前述のポーラスなマグネシア層の汚れの
発生を無からしめることが出来、汚れの差による
放電開始電圧のばらつきが少いガス放電表示板を
得た。
第５図は放電ギヤツプの均一化のための実施例
である。第５図の実施例は第１図の実施例におい
て多孔誘電体層４の外縁部に多条（本例では３
条）の溝８を備えた構造をとつている。此の様な
構造を必要とする理由を第６図により説明する。
多孔誘電体層４は厚膜プリント技術により形成さ
れるがそのプリント幅とプリント膜厚との関係は
第６図に示される。メツシユ＃200の印刷条件の
とき膜厚はプリント巾に比例して増加し、プリン
ト巾２mmを頂点に再び減少し５mm以上になるとほ
とんど膜厚の変化がなくなる。即ち、プリント巾
５mm以上の多孔誘電体層を形成すれば均一な厚さ
を得られる。しかし現実にはこの様な条件下のみ
での多孔誘電体層形成は能わざることである。特
に前述のチヤンネル構造においては巾0.5mmの放
電空間を0.2mmの間隔で形成する必要も生ずる。
この様な場合第１図の構造では表示板内部と外縁
部とで放電ギヤツプに差が生ずるのは当然のこと
である。第５図は此の欠点を除去せんが為に多孔
誘電体層４の外縁部に多条の溝８を設け、表示部
の誘電体巾ｄと外縁部の誘電体巾d′とを同一にせ
しめた構造を有している。此様な構造により表示
板全面に渡つて放電ギヤツプの均一化が図られ、
放電開始電圧のばらつきの少いガス放電表示板が
得られる。又第５図の実施例が第４図の実施例の
効果を同時に有していることは明らかである。
である。第５図の実施例は第１図の実施例におい
て多孔誘電体層４の外縁部に多条（本例では３
条）の溝８を備えた構造をとつている。此の様な
構造を必要とする理由を第６図により説明する。
多孔誘電体層４は厚膜プリント技術により形成さ
れるがそのプリント幅とプリント膜厚との関係は
第６図に示される。メツシユ＃200の印刷条件の
とき膜厚はプリント巾に比例して増加し、プリン
ト巾２mmを頂点に再び減少し５mm以上になるとほ
とんど膜厚の変化がなくなる。即ち、プリント巾
５mm以上の多孔誘電体層を形成すれば均一な厚さ
を得られる。しかし現実にはこの様な条件下のみ
での多孔誘電体層形成は能わざることである。特
に前述のチヤンネル構造においては巾0.5mmの放
電空間を0.2mmの間隔で形成する必要も生ずる。
この様な場合第１図の構造では表示板内部と外縁
部とで放電ギヤツプに差が生ずるのは当然のこと
である。第５図は此の欠点を除去せんが為に多孔
誘電体層４の外縁部に多条の溝８を設け、表示部
の誘電体巾ｄと外縁部の誘電体巾d′とを同一にせ
しめた構造を有している。此様な構造により表示
板全面に渡つて放電ギヤツプの均一化が図られ、
放電開始電圧のばらつきの少いガス放電表示板が
得られる。又第５図の実施例が第４図の実施例の
効果を同時に有していることは明らかである。
以上の構成をとれば放電ギヤツプの均一化が達
成されるばかりでなくポーラスなマグネシア層表
面の汚れが除去され、放電開始電圧が均一とな
る。本実施例の結果として、表示部面積100×250
mm2外部寸法140×270mm2の大型ガス放電表示板にお
いて放電開始電圧の差が10V以下という値を得て
いる。
成されるばかりでなくポーラスなマグネシア層表
面の汚れが除去され、放電開始電圧が均一とな
る。本実施例の結果として、表示部面積100×250
mm2外部寸法140×270mm2の大型ガス放電表示板にお
いて放電開始電圧の差が10V以下という値を得て
いる。
第１図は従来の構造のガス放電表示板断面図、
第２図は第１図の封着部の拡大図、第３図は放電
開始電圧の分布を示す表示面図、第４図、第５図
は本発明の実施例の構造を示す断面図、第６図は
第５図の効果を説明するためのグラフである。
第２図は第１図の封着部の拡大図、第３図は放電
開始電圧の分布を示す表示面図、第４図、第５図
は本発明の実施例の構造を示す断面図、第６図は
第５図の効果を説明するためのグラフである。
Claims (1)
- １ 絶縁基板１と、該基板の表面に設けられた導
電体層２と、該導電体層の表面に設けられた第１
の誘電体層３とを有し、該第１の誘電体層には放
電領域６を規定するポーラスな誘電体層４とポー
ラスなマグネシア層５とを有するガス放電表示装
置において、前記ポーラスな誘電体層の外縁部よ
り内側に前記第１の誘電体層に達し、かつ周囲が
前記ポーラスな誘電体層で囲まれる溝８を形成し
たことを特徴とするガス放電表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8876178A JPS5516346A (en) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | Gas discharge indicator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8876178A JPS5516346A (en) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | Gas discharge indicator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5516346A JPS5516346A (en) | 1980-02-05 |
| JPS6319977B2 true JPS6319977B2 (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=13951852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8876178A Granted JPS5516346A (en) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | Gas discharge indicator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5516346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0184879U (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-06 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2180522B1 (ja) * | 1972-04-19 | 1974-07-26 | Thomson Csf | |
| JPS5622289Y2 (ja) * | 1972-10-18 | 1981-05-26 | ||
| JPS52155464U (ja) * | 1976-05-19 | 1977-11-25 |
-
1978
- 1978-07-19 JP JP8876178A patent/JPS5516346A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0184879U (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5516346A (en) | 1980-02-05 |
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