JPS63200075A - 導電性材料のシ−ルド効果測定法及び装置 - Google Patents
導電性材料のシ−ルド効果測定法及び装置Info
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- JPS63200075A JPS63200075A JP3219687A JP3219687A JPS63200075A JP S63200075 A JPS63200075 A JP S63200075A JP 3219687 A JP3219687 A JP 3219687A JP 3219687 A JP3219687 A JP 3219687A JP S63200075 A JPS63200075 A JP S63200075A
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- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は導電性材料の電界波と磁界波に対するシールド
効果を測定するための測定法及び測定測定装置に関する
ものである。
効果を測定するための測定法及び測定測定装置に関する
ものである。
シールドハウジングのシールド効果のN 定11 ニは
MILSTD−285法があり、遠近両電磁界および水
平垂直両帰波について測定を行うものとして知られてい
る。この方法では、定められた基準距離において送受信
アンテナを対向させて基準レベルS0を測定し、次に同
一距離でシールド壁を挾んで測定して測定レベルS、を
求め、56−S□をもってシールド効果とするものであ
る。また平面波法(電波法)と呼ばれるものもあり、こ
れはシーリド室内外の電界強度をそれぞれS、、 S、
とし、50−S、をもってシールド効果とするものであ
る。この他には補助的にスニツファー法、サーチコイル
法、高周波c’r法等がある。スニッファー法はシール
ド壁を100kl[z程度の低周波で励振し、パーアン
テナで壁面を掃引して相対レベルの読みにより漏れを探
す方法である。サーチコイル法はシールド壁に電波を放
射してサーチコイルで壁面からの漏れを探す方法である
。また高周波CT法は大地と絶縁した機器、シールド室
床、グラウンドプレーンなどに一点接地を施し、接地線
に高周波変流器を挿入してシールド効果の変化を知るも
のである。
MILSTD−285法があり、遠近両電磁界および水
平垂直両帰波について測定を行うものとして知られてい
る。この方法では、定められた基準距離において送受信
アンテナを対向させて基準レベルS0を測定し、次に同
一距離でシールド壁を挾んで測定して測定レベルS、を
求め、56−S□をもってシールド効果とするものであ
る。また平面波法(電波法)と呼ばれるものもあり、こ
れはシーリド室内外の電界強度をそれぞれS、、 S、
とし、50−S、をもってシールド効果とするものであ
る。この他には補助的にスニツファー法、サーチコイル
法、高周波c’r法等がある。スニッファー法はシール
ド壁を100kl[z程度の低周波で励振し、パーアン
テナで壁面を掃引して相対レベルの読みにより漏れを探
す方法である。サーチコイル法はシールド壁に電波を放
射してサーチコイルで壁面からの漏れを探す方法である
。また高周波CT法は大地と絶縁した機器、シールド室
床、グラウンドプレーンなどに一点接地を施し、接地線
に高周波変流器を挿入してシールド効果の変化を知るも
のである。
前述の従来技術は、何れもシールドハウジングまたはシ
ールド室自体のシールド効果を測定するための手法であ
り、シールド構造体を構成するための導電性材料の特性
ともいうべき材料自体のシールド効果を評価するための
測定法は未だ確立されていない。
ールド室自体のシールド効果を測定するための手法であ
り、シールド構造体を構成するための導電性材料の特性
ともいうべき材料自体のシールド効果を評価するための
測定法は未だ確立されていない。
材料の特性を測定する場合、通常、測定対象の導電性材
料からテストサンプルをとり、このサンプノ[について
測定を行う。シールド効果の推定に直接的指軒を与える
測定法としては、例えば球形シールド材のシールド効果
を測定する方法が考えられるが、この場合の測定におい
ては、サンプルを例えば球体に成形し、球体内外での電
磁界強度の比較をする必要があり、この場合、球体内で
の電磁波の放射のために、球体内の放射素子への給電を
球体壁を介して行わなければならず、球体壁の給電部が
シールド効果に影響して正確な測定ができないという不
都合がある。
料からテストサンプルをとり、このサンプノ[について
測定を行う。シールド効果の推定に直接的指軒を与える
測定法としては、例えば球形シールド材のシールド効果
を測定する方法が考えられるが、この場合の測定におい
ては、サンプルを例えば球体に成形し、球体内外での電
磁界強度の比較をする必要があり、この場合、球体内で
の電磁波の放射のために、球体内の放射素子への給電を
球体壁を介して行わなければならず、球体壁の給電部が
シールド効果に影響して正確な測定ができないという不
都合がある。
本発明の課題は、前述の不都合に鑑みて、所定形状に成
形されたテストサンプルについて給電部の影響を少なく
シ、実質的に球形シールド材と同等の測定結果を半割体
テストサンプルによって得ることのできる導電性材料の
シールド効果測定方法と装置を提供することにある。
形されたテストサンプルについて給電部の影響を少なく
シ、実質的に球形シールド材と同等の測定結果を半割体
テストサンプルによって得ることのできる導電性材料の
シールド効果測定方法と装置を提供することにある。
本発明の導電性材料のシールド効果測定法では、前述の
課題を達成するために、接地された金属平板の表面に所
定間隔を隔てて一対の微小アンテナ素子を立設しておき
、夫々金属平板の裏面側に影像効果を生じるように、一
方のアンテナ素子の前記金属平板表面近傍の給電点に金
属平板裏面側から給電して金属平板表面側に電界または
磁界彼を放射するとともに、他方のアンテナ素子の金属
平板表面近例の受電点からの受信出力を同様に金属平板
11面側から取出し、更Zこ前記一方のアンテナ素子の
上に被測定射撃の導電性材料製のカップ状半割体からな
るテストサンプルをアンテナ素子の給電点と同心状に被
せて該サンプルの口縁全周で金属平板に接地させ、前記
テストサンプルを配置せずに両アンテナ素子間の空間が
連続した状態での受信出力と、前記テストサンプルを配
置して両アンテナ素子間の空間が前記テストサンプルで
遮断された状態での受信出力との比に基づいてシールド
効果の評価を与えるものである。
課題を達成するために、接地された金属平板の表面に所
定間隔を隔てて一対の微小アンテナ素子を立設しておき
、夫々金属平板の裏面側に影像効果を生じるように、一
方のアンテナ素子の前記金属平板表面近傍の給電点に金
属平板裏面側から給電して金属平板表面側に電界または
磁界彼を放射するとともに、他方のアンテナ素子の金属
平板表面近例の受電点からの受信出力を同様に金属平板
11面側から取出し、更Zこ前記一方のアンテナ素子の
上に被測定射撃の導電性材料製のカップ状半割体からな
るテストサンプルをアンテナ素子の給電点と同心状に被
せて該サンプルの口縁全周で金属平板に接地させ、前記
テストサンプルを配置せずに両アンテナ素子間の空間が
連続した状態での受信出力と、前記テストサンプルを配
置して両アンテナ素子間の空間が前記テストサンプルで
遮断された状態での受信出力との比に基づいてシールド
効果の評価を与えるものである。
好ましくは測定は予め設定した周波数範囲にわたって連
続的に行われ、一つの実施態様では両アンテナ素子に半
ループ状アンテナを用いて磁界シールド効果の測定が行
われ、別の実施態様では両アンテナ素子にモノボール7
ンテナを用いて電界シールド効果の測定が行われる。
続的に行われ、一つの実施態様では両アンテナ素子に半
ループ状アンテナを用いて磁界シールド効果の測定が行
われ、別の実施態様では両アンテナ素子にモノボール7
ンテナを用いて電界シールド効果の測定が行われる。
また本発明の前述測定法を実施するための測定装置は、
被測定対象の導電性材料製のカップ状半割体からなるデ
ス1−サンプルと、 該サンプルの口縁外周形状に合致する開口部を有する金
属平板と、 テストサンプルの口縁内周形状に合致する外形の平らな
上面部を有し該上面部が金属平板表面と面一になるよう
に金属平板裏面側から金属平板に取付けられる金具と、 該金具を着脱可能に金属平板に裏面側から固定するとと
もに固定状態で前記サンプル口縁全周を前記開口部の前
記上面部との隙間に挾持固定可能な連結機構と、 金属平板裏面側に影像効果を生じるように前記金具の上
面部の中央部に立設された第1の微小アンテナ素子と、 同様に金属平板裏面側に影像効果を生じるように前記金
属平板の表面の開口部中心から予め定められた距離だけ
離れた位置に立設された第2の微小アンテナ素子と、 金属平板裏面側から前記金具の第1の微小アンニ↓孕ヱ
、ハ前すコ木ば1砺11庄轟舊lハ込轡占II”古川波
信号を給電するための信号給電手段と、前記第2の微小
アンテナ素子の金属平板表面近傍の受電点から受信出力
を金属平板裏面側において取出すための信号取出手段と
、 信号給電手段に前記高周波信号を供給する信号送出手段
と、 信号取出手段からの受信出力を受け、前記テストサンプ
ルを配置せずに両アシテナ素子間の空間が連続した状態
での受信出力と、前記テストサンプルを配置して両アン
テナ素了間の空間が前記テストサンプルで遮断された状
態での受信出力との比に基づいてシールド効果の評価を
与える分析手段、 とをpi〃えている。
被測定対象の導電性材料製のカップ状半割体からなるデ
ス1−サンプルと、 該サンプルの口縁外周形状に合致する開口部を有する金
属平板と、 テストサンプルの口縁内周形状に合致する外形の平らな
上面部を有し該上面部が金属平板表面と面一になるよう
に金属平板裏面側から金属平板に取付けられる金具と、 該金具を着脱可能に金属平板に裏面側から固定するとと
もに固定状態で前記サンプル口縁全周を前記開口部の前
記上面部との隙間に挾持固定可能な連結機構と、 金属平板裏面側に影像効果を生じるように前記金具の上
面部の中央部に立設された第1の微小アンテナ素子と、 同様に金属平板裏面側に影像効果を生じるように前記金
属平板の表面の開口部中心から予め定められた距離だけ
離れた位置に立設された第2の微小アンテナ素子と、 金属平板裏面側から前記金具の第1の微小アンニ↓孕ヱ
、ハ前すコ木ば1砺11庄轟舊lハ込轡占II”古川波
信号を給電するための信号給電手段と、前記第2の微小
アンテナ素子の金属平板表面近傍の受電点から受信出力
を金属平板裏面側において取出すための信号取出手段と
、 信号給電手段に前記高周波信号を供給する信号送出手段
と、 信号取出手段からの受信出力を受け、前記テストサンプ
ルを配置せずに両アシテナ素子間の空間が連続した状態
での受信出力と、前記テストサンプルを配置して両アン
テナ素了間の空間が前記テストサンプルで遮断された状
態での受信出力との比に基づいてシールド効果の評価を
与える分析手段、 とをpi〃えている。
本発明の好ましい実施態様では、測定すべき導電性材料
のテストサンプルが金属平板表面上で半球形状をなす形
状に成形されており、別の態様ではテストサンプルが金
属平板表向上で立方体の半割形状をなす。
のテストサンプルが金属平板表面上で半球形状をなす形
状に成形されており、別の態様ではテストサンプルが金
属平板表向上で立方体の半割形状をなす。
本発明の装置の一つの実施太陽に従又は、両7ンテナ素
子は半ループ状アンテナであり、別の実施太陽に従えば
両アンテナ素子はモノポールアンテナである。
子は半ループ状アンテナであり、別の実施太陽に従えば
両アンテナ素子はモノポールアンテナである。
導電性材料のシールド構造体のシールド効果を評価する
一方法として、損失性(導電性)媒質でできた球殻を考
え、この中に微小Wa流源Jまたは微小磁流源JffI
が存在するとき、球殻外部の電磁界を求め、球殻が存在
しないときの同じ距離の点における電磁界との比をとっ
てこれをシールド効果の評価値とする。この場合、波源
が微小電流によるときは電界の、微小磁流によるときは
磁界のシールド効果が求められる。これは通常のシール
ド用ハウジングでは回路または部品を立方体形状のカバ
ーで覆うことから、このハウジングを模す一方法として
球形構造を導入したものであり、この構造を採用するこ
とで、実際のシールド効果を成る程度定量的に把握す今
ことができると共に、理論的には厳密解が存在すること
になる。もっとも本発明ではシールドハウジングを球形
のものとして限定的に考えるオ)けではなく、立方体そ
のものであってもよいが、ここでは説明の便宜上、球形
で説明する。
一方法として、損失性(導電性)媒質でできた球殻を考
え、この中に微小Wa流源Jまたは微小磁流源JffI
が存在するとき、球殻外部の電磁界を求め、球殻が存在
しないときの同じ距離の点における電磁界との比をとっ
てこれをシールド効果の評価値とする。この場合、波源
が微小電流によるときは電界の、微小磁流によるときは
磁界のシールド効果が求められる。これは通常のシール
ド用ハウジングでは回路または部品を立方体形状のカバ
ーで覆うことから、このハウジングを模す一方法として
球形構造を導入したものであり、この構造を採用するこ
とで、実際のシールド効果を成る程度定量的に把握す今
ことができると共に、理論的には厳密解が存在すること
になる。もっとも本発明ではシールドハウジングを球形
のものとして限定的に考えるオ)けではなく、立方体そ
のものであってもよいが、ここでは説明の便宜上、球形
で説明する。
本発明では、上記のような球形シールドハウジングを模
すサンプル形状としてその半割体を用い、接地面に対す
る影像効果を利用して、球形サンプルの場合と等価の測
定結果を得ろものである。サンプルに半割体を用いるこ
とで接地面の裏側からサンプル中心の波源にケーブルを
介して給電できるようにし、またサンプル外の受信点か
らの受信出力も接地面裏側からケーブルで取出せるよう
にし、測定に対するアンテナの給電部の影響を影像効果
によって無視できる程度にまで軽減するものである。
すサンプル形状としてその半割体を用い、接地面に対す
る影像効果を利用して、球形サンプルの場合と等価の測
定結果を得ろものである。サンプルに半割体を用いるこ
とで接地面の裏側からサンプル中心の波源にケーブルを
介して給電できるようにし、またサンプル外の受信点か
らの受信出力も接地面裏側からケーブルで取出せるよう
にし、測定に対するアンテナの給電部の影響を影像効果
によって無視できる程度にまで軽減するものである。
本発明の特徴と利点をさらに明確にするため、本発明の
好適な実施例を図面と共に説明すれば以下の通りである
。
好適な実施例を図面と共に説明すれば以下の通りである
。
第1図に磁界シールド効果を測定するための本発明の実
施例装置の要部の構成を、また第2図に電界シールド効
果を測定するための本発明の実施例装置の要部の構成を
示す。第3図は測定系のブロック図である。
施例装置の要部の構成を、また第2図に電界シールド効
果を測定するための本発明の実施例装置の要部の構成を
示す。第3図は測定系のブロック図である。
第1,2図において、1は測定対象の導電性材料を成形
して1りたカップ状半割体の形状をもっテストサンプル
であり、金属平板2の円形開口部3にその口縁てはまり
込んで金属平板表面上に前記開口ぼと同径の外径の半球
殻を形成している。4は金具であり、金属平板2の裏面
に固定設置されたソケット5にねじ込まれて開口部3に
取り付けられ、サンプル1の口縁フランジ部6をその周
囲肩部で金属平板裏面に圧着すると共に上面部7が固定
状態で金属平板2の表面と面一になるように形成されて
いる。この場合、前記上回部7の外径はサンプル1の内
径と合致する寸法にされており、金属平板2の開口部3
との間にサンプル口縁を挟持するようにしである。尚、
金属平板2とサンプル1及び金具4を電気的に確実に接
触鎖せるために、サンプル1の口縁フランジ部6の表裏
面に導電材製網状パラキノ具を介防するのがよい一金具
4の上面部7の中心には、磁界シールド効!1!測定用
に第1図のような半ループアンテナ8a。
して1りたカップ状半割体の形状をもっテストサンプル
であり、金属平板2の円形開口部3にその口縁てはまり
込んで金属平板表面上に前記開口ぼと同径の外径の半球
殻を形成している。4は金具であり、金属平板2の裏面
に固定設置されたソケット5にねじ込まれて開口部3に
取り付けられ、サンプル1の口縁フランジ部6をその周
囲肩部で金属平板裏面に圧着すると共に上面部7が固定
状態で金属平板2の表面と面一になるように形成されて
いる。この場合、前記上回部7の外径はサンプル1の内
径と合致する寸法にされており、金属平板2の開口部3
との間にサンプル口縁を挟持するようにしである。尚、
金属平板2とサンプル1及び金具4を電気的に確実に接
触鎖せるために、サンプル1の口縁フランジ部6の表裏
面に導電材製網状パラキノ具を介防するのがよい一金具
4の上面部7の中心には、磁界シールド効!1!測定用
に第1図のような半ループアンテナ8a。
または電界シールド効果測定用に第2図のようなモノポ
ールアンテナ9aが立設されており、また金属平板2の
表面上にも、対応するように第1図に示した半ループア
ンテナ8bまたは第2図に示したモノポールアンテナ9
bが立設されている。
ールアンテナ9aが立設されており、また金属平板2の
表面上にも、対応するように第1図に示した半ループア
ンテナ8bまたは第2図に示したモノポールアンテナ9
bが立設されている。
サンプル内外のアンテナ素子間の間隔寸法は、間隔があ
まり狭いと外側のアンテナ素子とサンプルとの間の相互
誘導作用が生じるので、これが生じない範囲でしかも受
信出力レベルが測定周波数範囲内で充分な受信感度レベ
ルとなるよう設定する。
まり狭いと外側のアンテナ素子とサンプルとの間の相互
誘導作用が生じるので、これが生じない範囲でしかも受
信出力レベルが測定周波数範囲内で充分な受信感度レベ
ルとなるよう設定する。
これらアンテナ素子の給電点はいずれも金属平板表面レ
ベルにあり、これら給電点には金属平板裏面側からコネ
クタIon、b、lla、bが接続されている。金具4
内のコネクタ10a、11aは、ケーブルを介して送ら
れてくる第3図のパワーアンケ21で増幅された送受信
機セット22からの測定用高周波信号をアンテナ10a
、11゜に給電する。第3図では第1,2図の系を測定
チャンバ20として示しである。受信側のアンテナ8b
、9bからの受信出力はコネクタ10b、11bを介し
てケーブルにより第3図の信号分析装置23に送られ、
ここでシールド効果の評価計算に利用される。測定結果
は記録装置24によって記録される。
ベルにあり、これら給電点には金属平板裏面側からコネ
クタIon、b、lla、bが接続されている。金具4
内のコネクタ10a、11aは、ケーブルを介して送ら
れてくる第3図のパワーアンケ21で増幅された送受信
機セット22からの測定用高周波信号をアンテナ10a
、11゜に給電する。第3図では第1,2図の系を測定
チャンバ20として示しである。受信側のアンテナ8b
、9bからの受信出力はコネクタ10b、11bを介し
てケーブルにより第3図の信号分析装置23に送られ、
ここでシールド効果の評価計算に利用される。測定結果
は記録装置24によって記録される。
ここで分析装置23によるシールド効果の評価計算は、
例えば次のようにして行えばよい。
例えば次のようにして行えばよい。
−mにアンテナから放射される電磁界を求めるに?よ、
例えば良く知られたストラットンのri磁理論(J、人
、5tratton +Electromagnet
ic Theory−McGrow 1lill 1
941)に記述されているベクトル波動関数を用いて、
対象系に適合した座標における波動方程式の一般解に、
そこに存在する媒質でのfaal界の不連続性を満足す
る境界条件を導入して求められる。ここでは極座標での
波動方程式に電磁界の境界面での接線成分が等しいとい
う境界条件をあてはめることにより、任意の座標点での
電磁界強度が求められる。
例えば良く知られたストラットンのri磁理論(J、人
、5tratton +Electromagnet
ic Theory−McGrow 1lill 1
941)に記述されているベクトル波動関数を用いて、
対象系に適合した座標における波動方程式の一般解に、
そこに存在する媒質でのfaal界の不連続性を満足す
る境界条件を導入して求められる。ここでは極座標での
波動方程式に電磁界の境界面での接線成分が等しいとい
う境界条件をあてはめることにより、任意の座標点での
電磁界強度が求められる。
この発明では、前述のように金属平板2の表面が接地面
を与え、この接地面を境にして表面側のサシプルおよび
両アンテナ素子を含む半割形の系が影像効果によって裏
面側にも現れることになるので、半割形サンプルを球形
サンプルと看なして扱うことができる。従って前述の電
磁界強度の計算を、球殻として測定対象の導電性材料を
あてはめた場合と、導電率が零、比誘電率ε7=1.比
透磁率μm−1,即ち自由空間とした場合とについて行
って、両m磁界強度の比をとってシールド効果の評gF
Jt1とする。
を与え、この接地面を境にして表面側のサシプルおよび
両アンテナ素子を含む半割形の系が影像効果によって裏
面側にも現れることになるので、半割形サンプルを球形
サンプルと看なして扱うことができる。従って前述の電
磁界強度の計算を、球殻として測定対象の導電性材料を
あてはめた場合と、導電率が零、比誘電率ε7=1.比
透磁率μm−1,即ち自由空間とした場合とについて行
って、両m磁界強度の比をとってシールド効果の評gF
Jt1とする。
即ち磁界シールド効果S bは、サンプルがない場合の
磁界強度H0とサンプルが介在する場合の磁界強度■1
゜とから、 S h−201ag1.) (t−t I / II
o)で求められる。また同様に電界シールド効果SL、
は、サンプルがない場合の磁界強度H、とサンプルが介
在する場合の磁界強度H0とから、S 、= 20 l
oguo (E t / E o)で求められる。
磁界強度H0とサンプルが介在する場合の磁界強度■1
゜とから、 S h−201ag1.) (t−t I / II
o)で求められる。また同様に電界シールド効果SL、
は、サンプルがない場合の磁界強度H、とサンプルが介
在する場合の磁界強度H0とから、S 、= 20 l
oguo (E t / E o)で求められる。
尚、本発明においてサンプルの寸法やアンテナ素子の寸
法は、測定する周波数の範囲内において各アンテナ素子
が微小アンテナと看なせ、共振状態が生じることなく、
アンテナ間の伝送特性ができる限り広いダイナミックレ
ンジを確保できるように決定されるのが望ましい。
法は、測定する周波数の範囲内において各アンテナ素子
が微小アンテナと看なせ、共振状態が生じることなく、
アンテナ間の伝送特性ができる限り広いダイナミックレ
ンジを確保できるように決定されるのが望ましい。
第4および5図に、3IIIm厚のプラスチック試料に
導電ペーストを塗布した内径50−の半球状サンプルに
ついて測定を行った結果を示す。図中の実線は計算値で
あるが、測定値との比較でも良い一致が見られる。
導電ペーストを塗布した内径50−の半球状サンプルに
ついて測定を行った結果を示す。図中の実線は計算値で
あるが、測定値との比較でも良い一致が見られる。
以上に述べたよう1こ、本発明によれば、導電性材料の
サンプル形状を半割体とすると共に、接地面に対する影
像効果を利用して測定を行うので、アンテナ素子へのケ
ーブル接続が通常の手法によって容易に行え、給電部の
影響が測定結果に現れにくいという利点を有するので、
各種導電性材料のシールド効果の評価手法として汎用性
に富んだ測定法と装置を提供できるものである。
サンプル形状を半割体とすると共に、接地面に対する影
像効果を利用して測定を行うので、アンテナ素子へのケ
ーブル接続が通常の手法によって容易に行え、給電部の
影響が測定結果に現れにくいという利点を有するので、
各種導電性材料のシールド効果の評価手法として汎用性
に富んだ測定法と装置を提供できるものである。
第1図は磁界シールド効果を測定するための本発明の実
施例装置の要部の構成を示す断面図、第2図は電界シー
ルド効果を測定するための本発明の実施例装置の要部の
構成を示す断面図、第3図は測定系のブロック図、第4
図と第5図は本発明の方法と装置による測定結果の一例
を示す線図である。 図において同一符号は同一または相当部分を示し、lは
テストサンプル、2は金属平板、3は開口部、4は金具
、5はソケッ1−16はフラシジ部、7は上面部、8a
、8bは半ループアンテナ、9a、9bばモノポールア
ンテナ、10a、bおよびlla、bはコネクタ、20
は測定チャンバ、21はパワーアンプ、22は送受信機
セット、23は分析装置、24は記録装置を示す。
施例装置の要部の構成を示す断面図、第2図は電界シー
ルド効果を測定するための本発明の実施例装置の要部の
構成を示す断面図、第3図は測定系のブロック図、第4
図と第5図は本発明の方法と装置による測定結果の一例
を示す線図である。 図において同一符号は同一または相当部分を示し、lは
テストサンプル、2は金属平板、3は開口部、4は金具
、5はソケッ1−16はフラシジ部、7は上面部、8a
、8bは半ループアンテナ、9a、9bばモノポールア
ンテナ、10a、bおよびlla、bはコネクタ、20
は測定チャンバ、21はパワーアンプ、22は送受信機
セット、23は分析装置、24は記録装置を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、接地された金属平板の表面に所定間隔を隔てて一対
の微小アンテナ素子を立設しておき、夫々金属平板の裏
面側に影像効果を生じるように、一方のアンテナ素子の
前記金属平板表面近傍の給電点に金属平板裏面側から給
電して金属平板表面側に電界または磁界波を放射すると
ともに、他方のアンテナ素子の金属平板表面近傍の受電
点からの受信出力を同様に金属平板裏面側から取出し、
更に前記一方のアンテナ素子の上に被測定対象の導電性
材料製のカップ状半割体からなるテストサンプルをアン
テナ素子の給電点と同心状に被せて該サンプルの口縁全
周で金属平板に接地させ、前記テストサンプルを配置せ
ずに両アンテナ素子間の空間が連続した状態での受信出
力と、前記テストサンプルを配置して両アンテナ素子間
の空間が前記テストサンプルで遮断された状態での受信
出力との比に基づいてシールド効果の評価を与えること
を特徴とする導電性材料のシールド効果測定法。 2、予め設定した周波数範囲にわたって連続的に測定す
る特許請求の範囲第1項に記載の測定法。 3、両アンテナ素子に半ループ状アンテナを用いて磁界
シールド効果の測定を行う特許請求の範囲第1項に記載
の測定法。 4、両アンテナ素子にモノポールアンテナを用いて電界
シールド効果の測定を行う特許請求の範囲第1項に記載
の測定法。 5、被測定対象の導電性材料製のカップ状半割体からな
るテストサンプルと、 該サンプルの口縁外周形状に合致する開口部を有する金
属平板と、 テストサンプルの口縁内周形状に合致する外形の平らな
上面部を有し該上面部が金属平板表面と面一になるよう
に金属平板裏面側から金属平板に取付けられる金具と、 該金具を着脱可能に金属平板に裏面側から固定するとと
もに固定状態で前記サンプル口縁全周を前記開口部の前
記上面部との隙間に挾持固定可能な連結機構と、 金属平板裏面側に影像効果を生じるように前記金具の上
面部の中央部に立設された第1の微小アンテナ素子と、 同様に金属平板裏面側に影像効果を生じるように前記金
属平板の表面の開口部中心から予め定められた距離だけ
離れた位置に立設された第2の微小アンテナ素子と、 金属平板裏面側から前記金具の第1の微小アンテナ素子
の前記金属平板表面近傍の給電点に高周波信号を給電す
るための信号給電手段と、 前記第2の微小アンテナ素子の金属平板表面近傍の受電
点から受信出力を金属平板裏面側において取出すための
信号取出手段と、 信号給電手段に前記高周波信号を供給する信号送出手段
と、 信号取出手段からの受信出力を受け、前記テストサンプ
ルを配置せずに両アンテナ素子間の空間が連続した状態
での受信出力と、前記テストサンプルを配置して両アン
テナ素子間の空間が前記テストサンプルで遮断された状
態での受信出力との比に基づいてシールド効果の評価を
与える分析手段、 とを備えたことを特徴とする導電性材料のシールド効果
測定装置。 6、テストサンプルが金属平板表面上で半球形状をなす
ことを特徴とする特許請求の範囲第5項に記載の測定装
置。 7、テストサンプルが金属平板表面上で立方体の半割形
状をなすことを特徴とする特許請求の範囲第5項に記載
の測定装置。 8、両アンテナ素子が半ループ状アンテナであることを
特徴とする特許請求の範囲第5項に記載の測定装置。 9、両アンテナ素子がモノポールアンテナであることを
特徴とする特許請求の範囲第5項に記載の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3219687A JPS63200075A (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 導電性材料のシ−ルド効果測定法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3219687A JPS63200075A (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 導電性材料のシ−ルド効果測定法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200075A true JPS63200075A (ja) | 1988-08-18 |
| JPH0573180B2 JPH0573180B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=12352151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3219687A Granted JPS63200075A (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 導電性材料のシ−ルド効果測定法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63200075A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047297A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-02-16 | Ntt Docomo Inc | 比吸収率測定装置 |
| WO2014125563A1 (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-21 | 三菱電機株式会社 | 部分放電センサー評価方法及び部分放電センサー評価装置 |
-
1987
- 1987-02-14 JP JP3219687A patent/JPS63200075A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047297A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-02-16 | Ntt Docomo Inc | 比吸収率測定装置 |
| WO2014125563A1 (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-21 | 三菱電機株式会社 | 部分放電センサー評価方法及び部分放電センサー評価装置 |
| GB2524686A (en) * | 2013-02-12 | 2015-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Partial discharge sensor evaluation method and partial discharge sensor evaluation device |
| GB2524686B (en) * | 2013-02-12 | 2017-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | Partial discharge sensor evaluation method and partial discharge sensor evaluation apparatus |
| US10215794B2 (en) | 2013-02-12 | 2019-02-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Partial discharge sensor evaluation method and partial discharge sensor evaluation device apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0573180B2 (ja) | 1993-10-13 |
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