JPS63200117A - 多段光アイソレ−タ - Google Patents
多段光アイソレ−タInfo
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- JPS63200117A JPS63200117A JP3416587A JP3416587A JPS63200117A JP S63200117 A JPS63200117 A JP S63200117A JP 3416587 A JP3416587 A JP 3416587A JP 3416587 A JP3416587 A JP 3416587A JP S63200117 A JPS63200117 A JP S63200117A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 20
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 210000003754 fetus Anatomy 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光を一方向に伝搬させる場合に、同じ光路を
逆方向に伝搬する光を制御する機能を有するアイソレー
タに関するものである。
逆方向に伝搬する光を制御する機能を有するアイソレー
タに関するものである。
例えば、光源として半導体レーザの発生した光を光ファ
イバーを介して伝搬させようとする場合、光フアイバー
内部での光の分散、屈折率の部分的不均一、接続部の存
在等によって反射光を生じ、光路を逆方向に伝搬して光
源の半導体レーザーに再び結合することがある。このよ
うな状態では、半導体レーザーの発振が不安定となり発
生光の雑音が増加して好ましくない、そこでこのような
場合、前記反射光を抑制するために光アイソレータを使
用することが有効である。
イバーを介して伝搬させようとする場合、光フアイバー
内部での光の分散、屈折率の部分的不均一、接続部の存
在等によって反射光を生じ、光路を逆方向に伝搬して光
源の半導体レーザーに再び結合することがある。このよ
うな状態では、半導体レーザーの発振が不安定となり発
生光の雑音が増加して好ましくない、そこでこのような
場合、前記反射光を抑制するために光アイソレータを使
用することが有効である。
第1図は従来の光アイソレータの構成例を示したもので
ある。同図においてa点から入射した光はレンズ1で平
行光線に変換されて偏光子P1に入射する。偏光子P1
は入射光から一定方向の偏波光例えば垂直偏波光だけを
選択的に通過させる。偏光子PIの出射光はY I G
(YlLOl、 Fetusを主成分とする酸化物単
結晶)等の単結晶により構成されるファラディ回転素子
3に入射し、偏波方向が45゛回転した出射光を生じる
0通常は、“ファラディ回転素子PRは図のように円筒
形磁石3の中央に置かれ、光路とほぼ平行方向に磁化さ
れている。ファラディ回転素子PRの出射光は検光子P
2に入射するが、検光子P2の偏波方向は垂直方向から
45°傾いている。このため、ファラディ回転素子PR
から入射した光は、検光子P2をそのまま通過して出射
し、レンズ2を経てb点に収束された出力を生じる。従
って、例えばb点に光ファイバーの端部を置けば、a点
すら入射した光を光ファイバーに結合させることができ
る。
ある。同図においてa点から入射した光はレンズ1で平
行光線に変換されて偏光子P1に入射する。偏光子P1
は入射光から一定方向の偏波光例えば垂直偏波光だけを
選択的に通過させる。偏光子PIの出射光はY I G
(YlLOl、 Fetusを主成分とする酸化物単
結晶)等の単結晶により構成されるファラディ回転素子
3に入射し、偏波方向が45゛回転した出射光を生じる
0通常は、“ファラディ回転素子PRは図のように円筒
形磁石3の中央に置かれ、光路とほぼ平行方向に磁化さ
れている。ファラディ回転素子PRの出射光は検光子P
2に入射するが、検光子P2の偏波方向は垂直方向から
45°傾いている。このため、ファラディ回転素子PR
から入射した光は、検光子P2をそのまま通過して出射
し、レンズ2を経てb点に収束された出力を生じる。従
って、例えばb点に光ファイバーの端部を置けば、a点
すら入射した光を光ファイバーに結合させることができ
る。
一方、前述のように光ファイバー等において発生した反
射光はb点からレンズ2を経て偏光子P2(前回は検光
子として作用)に入射し、偏光子P2の偏光方向に一致
した成分光は偏光子P2を通過してファラディ回転素子
3に入射する。ファラディ回転素子PRは、周知のよう
に光の入射方向とファラディ回転素子材料の磁化方向と
の関係により偏光面の回転方向が変わる。この場合の配
置の座標系では入射光の場合と同方向に45゛回転する
ので、(ファラディ回転素子PRの出射光の偏波方向は
検光子Pi(前回は偏光子として作用)の可伝搬方向に
対して垂直になる。このため、ファラディ回転素子PR
からの入射光は検光子Piにおいて阻止されaの側に伝
搬されない、従って、a点に置かれた半導体レーザーに
結合する逆進入光は阻止され、半導体レーザーにおける
S/Nの劣化が防止される。
射光はb点からレンズ2を経て偏光子P2(前回は検光
子として作用)に入射し、偏光子P2の偏光方向に一致
した成分光は偏光子P2を通過してファラディ回転素子
3に入射する。ファラディ回転素子PRは、周知のよう
に光の入射方向とファラディ回転素子材料の磁化方向と
の関係により偏光面の回転方向が変わる。この場合の配
置の座標系では入射光の場合と同方向に45゛回転する
ので、(ファラディ回転素子PRの出射光の偏波方向は
検光子Pi(前回は偏光子として作用)の可伝搬方向に
対して垂直になる。このため、ファラディ回転素子PR
からの入射光は検光子Piにおいて阻止されaの側に伝
搬されない、従って、a点に置かれた半導体レーザーに
結合する逆進入光は阻止され、半導体レーザーにおける
S/Nの劣化が防止される。
第1図に示された光アイソレータにおいて、偏子及び検
光子Pi、 P2には従来ローションプリズムやグラン
トムソンプリズムが使用されている。これらのプリズム
の消光比は約50dBが限度と言われている。また、フ
ァラデイ回転素子として用いられる前述のYIGやCB
I C(GdzOs、Rig’s。
光子Pi、 P2には従来ローションプリズムやグラン
トムソンプリズムが使用されている。これらのプリズム
の消光比は約50dBが限度と言われている。また、フ
ァラデイ回転素子として用いられる前述のYIGやCB
I C(GdzOs、Rig’s。
YtOi+PezQsを主成分とする酸化物単結晶)の
材料の消光比は約40dBと言われている。このような
部品をいくつか組み合わせて構成される光アイソレータ
の逆方向損失は各々の部品の効果が重畳し合い、それほ
ど高くできない、逆方向損失が約30dB以上というの
が一般的な単一光アイソレータの仕様である。
材料の消光比は約40dBと言われている。このような
部品をいくつか組み合わせて構成される光アイソレータ
の逆方向損失は各々の部品の効果が重畳し合い、それほ
ど高くできない、逆方向損失が約30dB以上というの
が一般的な単一光アイソレータの仕様である。
さて、光通信は年々益々光密度、光速度になって行くに
ともない、コヒーレント光通信の研究が各所で盛んに行
われるようになった。この様なコヒーレント光通信には
光アイソレータの逆方向損失が30dBでは不十分であ
り、この倍の60dB以上が要求されると言われる。当
然、第1図の光アイソレータの一段だけの構成では不十
分であり、第2図のように従来の光アイソレータを2段
連結して用いることが考えられる。これにより、原理的
には60dB以上が実現できる。しかし、これをそのま
ま用いたのではレーザーダイオードa側と光ファイバー
への出射側すとの間隔が離れ過ぎて、両者の結合効率を
著しく低下させることになる。
ともない、コヒーレント光通信の研究が各所で盛んに行
われるようになった。この様なコヒーレント光通信には
光アイソレータの逆方向損失が30dBでは不十分であ
り、この倍の60dB以上が要求されると言われる。当
然、第1図の光アイソレータの一段だけの構成では不十
分であり、第2図のように従来の光アイソレータを2段
連結して用いることが考えられる。これにより、原理的
には60dB以上が実現できる。しかし、これをそのま
ま用いたのではレーザーダイオードa側と光ファイバー
への出射側すとの間隔が離れ過ぎて、両者の結合効率を
著しく低下させることになる。
これを避けるために、二つのアイソレータ即ち、二つの
永久磁石3a、3bを近付けると、対向する磁極面の磁
力性が引き合い、肝心のファラデイ回転素子PR−1,
PR−2に掛かる磁界が弱くなる。接近のさせ方によっ
てはPR−1,PR−2が不飽和状態になり、それぞれ
が光アイソレータとしての単独の性能を維持できなくな
る恐れがある。
永久磁石3a、3bを近付けると、対向する磁極面の磁
力性が引き合い、肝心のファラデイ回転素子PR−1,
PR−2に掛かる磁界が弱くなる。接近のさせ方によっ
てはPR−1,PR−2が不飽和状態になり、それぞれ
が光アイソレータとしての単独の性能を維持できなくな
る恐れがある。
また、入射側と出射側の偏波面が90度回転してしまい
、レーザーダイオードaとファイバーbの各々の光学系
の偏波方向を直交させる配置の必要が生ずる。
、レーザーダイオードaとファイバーbの各々の光学系
の偏波方向を直交させる配置の必要が生ずる。
このように従来の多段光アイソレータは、寸法が大きく
かつ偏波面が90度回転するという不都合を有していた
0本発明の目的は、これらの問題点を解決するための小
型高性能の多段光アイソレータを提供することである。
かつ偏波面が90度回転するという不都合を有していた
0本発明の目的は、これらの問題点を解決するための小
型高性能の多段光アイソレータを提供することである。
即ち、本発明の多段光アイソレータは、ファラディ回転
素子がN個、かつこれらのそれぞれを内包する円筒型磁
石がN個、かつ偏光子、検光子として作用するN+1個
のビームスプリッタ−の間に前記ファラディ回転子が交
互に配されてなる多段光アイソレータにおいて、前記N
個の磁石は軸方向に磁化されており、かつ隣接する磁石
の極性は同極同志が互いに向かい合うように配されてい
ることを特徴としている。
素子がN個、かつこれらのそれぞれを内包する円筒型磁
石がN個、かつ偏光子、検光子として作用するN+1個
のビームスプリッタ−の間に前記ファラディ回転子が交
互に配されてなる多段光アイソレータにおいて、前記N
個の磁石は軸方向に磁化されており、かつ隣接する磁石
の極性は同極同志が互いに向かい合うように配されてい
ることを特徴としている。
本発明の光アイソレータの構造を用いれば、偏波面の回
転しない小型の高性能多段光アイソレータを実現できる
。
転しない小型の高性能多段光アイソレータを実現できる
。
第3図は本発明の2段光アイソレータの一実施例の構成
を示したものである。即ち、厚みLの円筒形磁石3a、
3b’ は互いに磁化方向が逆であり、距離Xだけ離れ
てS極同志が向かい合うようになっている。また、偏光
子、検光子として作用するビーム・スプリッターPI、
P2. P3°は図のように配置される。入射及び出
射側のPI、 P3’ は同じ方向即ち0°方向を向い
ている。二つのファラディ回転素子PR−1,PR−2
″に挟まれた検光子P2は45°の方向を向いている。
を示したものである。即ち、厚みLの円筒形磁石3a、
3b’ は互いに磁化方向が逆であり、距離Xだけ離れ
てS極同志が向かい合うようになっている。また、偏光
子、検光子として作用するビーム・スプリッターPI、
P2. P3°は図のように配置される。入射及び出
射側のPI、 P3’ は同じ方向即ち0°方向を向い
ている。二つのファラディ回転素子PR−1,PR−2
″に挟まれた検光子P2は45°の方向を向いている。
このような構成にすると、a点より入射した光はファラ
ディ回転素子PR−1を通過することにより偏波面が4
5゛回転し、約45°傾いた検光子P2を通過して第2
のファラディ回転素子FR−2°に入る。ここで、PR
−2”が逆方向に磁化されているため通過する光の偏波
面は逆の方向に45゛回転する。即ち、光の偏波面はa
点より入射した最初の光の偏波の方向に戻り、はぼ0°
方向に配置された検光子P3°を通過する。
ディ回転素子PR−1を通過することにより偏波面が4
5゛回転し、約45°傾いた検光子P2を通過して第2
のファラディ回転素子FR−2°に入る。ここで、PR
−2”が逆方向に磁化されているため通過する光の偏波
面は逆の方向に45゛回転する。即ち、光の偏波面はa
点より入射した最初の光の偏波の方向に戻り、はぼ0°
方向に配置された検光子P3°を通過する。
この方向が光アイソレータの順方向である0本発明の実
施例では、光が順方向を通過する際、偏波面を変えるこ
となく、極めて低い挿入損失で通過させることができる
。このことは従来のように光アイソレータの存在を考慮
した45°もしくは90゜の偏波面の傾いた光学系を予
め設計する必要がなく極めて好都合である。また、S極
同志を接近させたことにより、1段の光アイソレータの
場合よりファラディ回転素子に印加される磁界は強くな
るという効果もある。
施例では、光が順方向を通過する際、偏波面を変えるこ
となく、極めて低い挿入損失で通過させることができる
。このことは従来のように光アイソレータの存在を考慮
した45°もしくは90゜の偏波面の傾いた光学系を予
め設計する必要がなく極めて好都合である。また、S極
同志を接近させたことにより、1段の光アイソレータの
場合よりファラディ回転素子に印加される磁界は強くな
るという効果もある。
一方、b点から入射した光はPR−2’により逆方向に
45゛させられ、検光子P2の通過方向とは直交する。
45゛させられ、検光子P2の通過方向とは直交する。
ここで先ず30dBの逆方向損失が確保される。次に検
光子P2を漏れた光は順方向に45゜回転させられ、検
光子P1とは直交し、更に30dB減衰する。合計60
dBの減衰量が得られることになる。このように逆方向
損失の加算のされ方は従来技術の場合となんら変化はな
い。
光子P2を漏れた光は順方向に45゜回転させられ、検
光子P1とは直交し、更に30dB減衰する。合計60
dBの減衰量が得られることになる。このように逆方向
損失の加算のされ方は従来技術の場合となんら変化はな
い。
第4図は、磁界が強化される効果を利用した本発明のも
う一つの実施例を示したものである。即ち、二つの磁石
の距離XはOであり、密着している。但し、この構成を
可能にするためには、中央の検光子P2はできるだけ薄
いもの例えば膜状の物である必要がある。勿論、従来構
造のような場合も密着させることは可能であるが、密着
部分の磁荷が相殺しあい見掛は上は消えてなくなる。こ
のため、単に長い磁石を用いたことと等価になり、ファ
ラディ回転素子PR−1,PR−2に印加される磁界は
極めて弱くなる。
う一つの実施例を示したものである。即ち、二つの磁石
の距離XはOであり、密着している。但し、この構成を
可能にするためには、中央の検光子P2はできるだけ薄
いもの例えば膜状の物である必要がある。勿論、従来構
造のような場合も密着させることは可能であるが、密着
部分の磁荷が相殺しあい見掛は上は消えてなくなる。こ
のため、単に長い磁石を用いたことと等価になり、ファ
ラディ回転素子PR−1,PR−2に印加される磁界は
極めて弱くなる。
第5図が、このような関係を明らかにするために数値計
算した結果である。グラフの縦軸は二つの磁石の中央の
点0.0°の磁界強度を、横軸は二つの磁石の距離を磁
石の内径で正規化してx/Diで示す、0及びO゛点の
磁界強度は磁石の配置が対称であるので同じである。従
来技術のようにS極とN極が対向する場合には両者の方
向は同じであ葛が、本発明のように同極同志が対向する
場合には方向が反対となる。計算の条件としては、Do
/Di=2.L/Di=1とした。直線ハは二つの磁
石の距離が十分離れたときの中心の磁界強度、即ち単一
磁石の場合の磁界限度である。曲線イは従来技術の場合
であり、二つの磁石が近付くにつれて次第に磁界強度が
弱(なることが分かる。これに対して、本発明に実施例
の場合には曲線口のように二つの磁石が近付くにつれて
次第に磁界強度は強くなる。特に効果が顕著に現れるX
=0のところで比較すると、イと口では約2倍近く磁界
強度に差が現れる。従って、もし単一磁石のハの磁界強
度を飽和磁界のぎりぎりに設計している場合には、従来
技術の2段光アイソレータは結果としてその性能を維持
できなくなることは明白である0本発明の場合には逆に
磁界強度が強くなるので、この点では更に限界設計に挑
めることになる。
算した結果である。グラフの縦軸は二つの磁石の中央の
点0.0°の磁界強度を、横軸は二つの磁石の距離を磁
石の内径で正規化してx/Diで示す、0及びO゛点の
磁界強度は磁石の配置が対称であるので同じである。従
来技術のようにS極とN極が対向する場合には両者の方
向は同じであ葛が、本発明のように同極同志が対向する
場合には方向が反対となる。計算の条件としては、Do
/Di=2.L/Di=1とした。直線ハは二つの磁
石の距離が十分離れたときの中心の磁界強度、即ち単一
磁石の場合の磁界限度である。曲線イは従来技術の場合
であり、二つの磁石が近付くにつれて次第に磁界強度が
弱(なることが分かる。これに対して、本発明に実施例
の場合には曲線口のように二つの磁石が近付くにつれて
次第に磁界強度は強くなる。特に効果が顕著に現れるX
=0のところで比較すると、イと口では約2倍近く磁界
強度に差が現れる。従って、もし単一磁石のハの磁界強
度を飽和磁界のぎりぎりに設計している場合には、従来
技術の2段光アイソレータは結果としてその性能を維持
できなくなることは明白である0本発明の場合には逆に
磁界強度が強くなるので、この点では更に限界設計に挑
めることになる。
第6図は、前述の効果を更に分かりやすくするために、
x/Di=0.0.4.Doの場合に付いて中心軸上の
磁界分布を計算した結果を示す。図は左側の磁石の中心
近傍の結果のみを示す、計算の条件は第5図と同じであ
る。磁界強度がマイナスということは方向が反対方向で
あることを意味する。(a)は従来技術を、(b)は本
発明の場合を示す。
x/Di=0.0.4.Doの場合に付いて中心軸上の
磁界分布を計算した結果を示す。図は左側の磁石の中心
近傍の結果のみを示す、計算の条件は第5図と同じであ
る。磁界強度がマイナスということは方向が反対方向で
あることを意味する。(a)は従来技術を、(b)は本
発明の場合を示す。
従来技術の場合には、全体として磁界強度が低下して行
くが、密着した場合の密着部分の磁界は逆に強くなる部
分も僅かではあるが存在する。また本発明の場合にも、
密着させた場合の密着部分では逆に磁界強度が逆に弱く
なる部分が僅かではあるが存在する。しかし、この部分
は全体からみると僅かであり、本来フプラディ回転素子
をこの部分まで伸ばして使うことはないのでこの部分の
効果は本発明の効果を論する場合問題ではない。どちら
かというと、本発明の場合、完全に密着させるよりは、
x/Di=0.4程度少し離して使用した方がこの部分
を避けることがきると言える。
くが、密着した場合の密着部分の磁界は逆に強くなる部
分も僅かではあるが存在する。また本発明の場合にも、
密着させた場合の密着部分では逆に磁界強度が逆に弱く
なる部分が僅かではあるが存在する。しかし、この部分
は全体からみると僅かであり、本来フプラディ回転素子
をこの部分まで伸ばして使うことはないのでこの部分の
効果は本発明の効果を論する場合問題ではない。どちら
かというと、本発明の場合、完全に密着させるよりは、
x/Di=0.4程度少し離して使用した方がこの部分
を避けることがきると言える。
第7図は本発明の他の多段光アイソレータの実施例を示
す図である。この場合は3段の光アイソレータの場合で
ある。この図から分かるように、円筒形の磁石が3個並
べられており、隣接する二つに磁石同志は、S極同志、
N極同志と同極が向かい合っている。この配置では3つ
のファラディ回転素子のうちPR−2’を除< FR−
1,PR−3は同じ方向に磁化されている。検光子P4
はP2と同じく45゜傾いている。この場合は本発明の
一つ効果である偏波面の保存の効果は実現できないが、
中心部分の磁界強度の強調効果は確保できる。また、3
段にすることにより、逆方向損失も90dB以上は確保
できる。本発明の隣接磁石同志の磁極を同極にするやり
方では、4段光アイソレータにすれば再び偏波面保存の
効果を確保できることはこれまでの説明の延長で明らか
であろう。
す図である。この場合は3段の光アイソレータの場合で
ある。この図から分かるように、円筒形の磁石が3個並
べられており、隣接する二つに磁石同志は、S極同志、
N極同志と同極が向かい合っている。この配置では3つ
のファラディ回転素子のうちPR−2’を除< FR−
1,PR−3は同じ方向に磁化されている。検光子P4
はP2と同じく45゜傾いている。この場合は本発明の
一つ効果である偏波面の保存の効果は実現できないが、
中心部分の磁界強度の強調効果は確保できる。また、3
段にすることにより、逆方向損失も90dB以上は確保
できる。本発明の隣接磁石同志の磁極を同極にするやり
方では、4段光アイソレータにすれば再び偏波面保存の
効果を確保できることはこれまでの説明の延長で明らか
であろう。
また、本発明の実施例では偏光子、検光子としてそれぞ
れ一つで代表させたが、消光比を改善するためにこれら
を複数用いても本発明の効果は同じであることは本技術
に関する専門家にとっては明らかなことである。
れ一つで代表させたが、消光比を改善するためにこれら
を複数用いても本発明の効果は同じであることは本技術
に関する専門家にとっては明らかなことである。
更に、本発明の実施例を拡張すれば、任意の数のN段の
光アイソレータを実現できることは明白であろう。これ
に用いられる偏光子及び検光子の回転角も、光の入射方
向からみて1番目のものを0°とすれば、偶数番目は4
5°及び奇数番目は0°になる。この設定角度の精度は
多段式の場合それほど厳密ではなく、それぞれ±5°の
範囲に入っていれば充分に実用可能である。
光アイソレータを実現できることは明白であろう。これ
に用いられる偏光子及び検光子の回転角も、光の入射方
向からみて1番目のものを0°とすれば、偶数番目は4
5°及び奇数番目は0°になる。この設定角度の精度は
多段式の場合それほど厳密ではなく、それぞれ±5°の
範囲に入っていれば充分に実用可能である。
本発明の構造を用いれば、光アイソレータの性能を損な
うことなく複数の磁石を狭い空間に集めることができ、
コヒーレント光通信に不可欠な小型で高逆方向損失を有
する多段光アイソレータを実現できる。
うことなく複数の磁石を狭い空間に集めることができ、
コヒーレント光通信に不可欠な小型で高逆方向損失を有
する多段光アイソレータを実現できる。
第1図、第2図は従来技術を説明する光アイソレータの
断面図、第3図、第4図、第7図は本発明の実施例の光
アイソレータの断面図、第5図、第61!lは本発明の
磁界強度の強化効果を説明するスプリッター(偏光子、
検光子) 、PR,PR−1゜PR’42. PR−2
°、 PR−3;ファラディ回転素子、3゜3a、3b
、3b’+ 3c;円筒形磁石。 第1rl!J 第2図 第3図 第4図 第5図 第7図 第6 <a>
断面図、第3図、第4図、第7図は本発明の実施例の光
アイソレータの断面図、第5図、第61!lは本発明の
磁界強度の強化効果を説明するスプリッター(偏光子、
検光子) 、PR,PR−1゜PR’42. PR−2
°、 PR−3;ファラディ回転素子、3゜3a、3b
、3b’+ 3c;円筒形磁石。 第1rl!J 第2図 第3図 第4図 第5図 第7図 第6 <a>
Claims (5)
- (1)ファラディ回転素子がN個、かつこれらのそれぞ
れを内包する円筒型磁石がN個、かつ偏光子、検光子と
して作用するN+1個のビームスプリッターの間に前記
ファラディ回転素子が交互に配されてなる多段光アイソ
レータにおいて、前記N個の磁石は軸方向に磁化されて
おり、かつ隣接する磁石は、その極性の同極同志が互い
に向かい合うように配されていることを特徴とする多段
光アイソレータ。 - (2)特許請求の範囲の第1項の光アイソレータにおい
て、前記N+1個のビームスプリッターのうち光の入射
方向から数えて1番目のビームスプリッターの偏向方向
の角度が約0度とすると、偶数番目のビームスプリッタ
ーの偏向方向の角度は45±5度、1番目を含む奇数番
目の角度は0±5度の範囲内にそれぞれある多段光アイ
ソレータ。 - (3)前記N+1個の偏光子及び検光子がそれぞれ複数
の偏光子、検光子からなることを特徴とする特許請求の
範囲の第1項の多段光アイソレータ。 - (4)前記ファラディ回転素子が、Y_2O_3、Fe
_2O_3を主成分とする酸化物単結晶からなることを
特徴とする特許請求の範囲の第1項の多段光アイソレー
タ。 - (5)前記ファラディ回転素子が、Gd_2O_3、B
i_2O_3、Y_2O_3、Fe_2O_3を主成分
とする酸化物単結晶からなることを特徴とする特許請求
の範囲の第1項の多段光アイソレータ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3416587A JPS63200117A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 多段光アイソレ−タ |
| EP88102242A EP0279412B1 (en) | 1987-02-17 | 1988-02-16 | Optical isolator |
| DE88102242T DE3884421T2 (de) | 1987-02-17 | 1988-02-16 | Optischer Isolator. |
| US07/156,845 US4865429A (en) | 1987-02-17 | 1988-02-17 | Apparatus for suppressing backward propagation along an optical path, comprising magnetic configurations that improve the Faraday effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3416587A JPS63200117A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 多段光アイソレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200117A true JPS63200117A (ja) | 1988-08-18 |
Family
ID=12406597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3416587A Pending JPS63200117A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 多段光アイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63200117A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02257041A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-17 | Yokogawa Electric Corp | 光反射率測定器 |
| EP0364968A3 (en) * | 1988-10-18 | 1990-10-31 | Hitachi Metals, Ltd. | Optical isolator |
| JPH02272419A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Hitachi Metals Ltd | 小型2段光アイソレータ |
| JP2004361757A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Nec Tokin Corp | 光アイソレータ |
| JP2007248779A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Murata Mfg Co Ltd | 光アイソレータ |
| JP2012068598A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Fdk Corp | ファラデー回転子、および光アイソレーター |
| CN101546051B (zh) | 2008-03-24 | 2013-01-16 | 住友金属矿山株式会社 | 法拉第旋转器 |
| JP2022041328A (ja) * | 2020-09-01 | 2022-03-11 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | 偏光依存型光アイソレータ |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP3416587A patent/JPS63200117A/ja active Pending
Cited By (8)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2022041328A (ja) * | 2020-09-01 | 2022-03-11 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | 偏光依存型光アイソレータ |
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