JPS6320025B2 - - Google Patents
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- JPS6320025B2 JPS6320025B2 JP57138564A JP13856482A JPS6320025B2 JP S6320025 B2 JPS6320025 B2 JP S6320025B2 JP 57138564 A JP57138564 A JP 57138564A JP 13856482 A JP13856482 A JP 13856482A JP S6320025 B2 JPS6320025 B2 JP S6320025B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal
- solar cell
- cell according
- base electrode
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- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は太陽電池に関するものであり、特に光
入射側の電極の構造及びその形成方法を改良した
太陽電池に関する。
入射側の電極の構造及びその形成方法を改良した
太陽電池に関する。
（発明の技術的背景及び問題点）
太陽電池の光入射側面の電極形成方法として
は、アルミニウム、銀、チタン、ニツケル等の金
属を全面に蒸着して表側電極を微細なくし形、網
目状、格子状等にフオトエツチングする第１の方
法と、ニツケルや銀めつきによる第２の方法及び
銀やアルミニウムを成分としたペーストを印刷し
た後に焼成する第３の方法が最も一般的に知られ
かつ実用化されている。第１の方法は微細なパタ
ーンの形成が容易であり拡散接合が浅い場合に直
列抵抗を下げて光電変換効率を向上させるのに有
効である反面、膜厚を厚くする為には推積速度が
おそいことから非常に時間がかかる欠点があつ
た。第２の方法は装置、操作が比較的簡単である
反面、膜の密着性を良くする為には基板表面を粗
くする必要があり、この為に機械研磨法を用いる
と加工歪が残り、性能を低下させ、またアルカリ
等による異方性エツチングによればエツチピツト
による整然とした面が形成されるものの、接合形
成や電極形成、レジスト塗布、パネルへの装着時
に繊細な表面を傷つけない為に極めて慎重なハン
ドリングが要求された。第３の印刷法はスクリー
ンのマスクを通して直接的に電極が形成される
が、その後に高温焼成プロセスが必要なことと、
充分な導電性を確保する為にはかなりの厚さにし
なければならず微細なパターンの形成が難しかつ
た。
は、アルミニウム、銀、チタン、ニツケル等の金
属を全面に蒸着して表側電極を微細なくし形、網
目状、格子状等にフオトエツチングする第１の方
法と、ニツケルや銀めつきによる第２の方法及び
銀やアルミニウムを成分としたペーストを印刷し
た後に焼成する第３の方法が最も一般的に知られ
かつ実用化されている。第１の方法は微細なパタ
ーンの形成が容易であり拡散接合が浅い場合に直
列抵抗を下げて光電変換効率を向上させるのに有
効である反面、膜厚を厚くする為には推積速度が
おそいことから非常に時間がかかる欠点があつ
た。第２の方法は装置、操作が比較的簡単である
反面、膜の密着性を良くする為には基板表面を粗
くする必要があり、この為に機械研磨法を用いる
と加工歪が残り、性能を低下させ、またアルカリ
等による異方性エツチングによればエツチピツト
による整然とした面が形成されるものの、接合形
成や電極形成、レジスト塗布、パネルへの装着時
に繊細な表面を傷つけない為に極めて慎重なハン
ドリングが要求された。第３の印刷法はスクリー
ンのマスクを通して直接的に電極が形成される
が、その後に高温焼成プロセスが必要なことと、
充分な導電性を確保する為にはかなりの厚さにし
なければならず微細なパターンの形成が難しかつ
た。
発明者等は太陽電池の電気特性をさらに改善す
べく従来の方法で得られる電極構造やＰ−ｎ接合
面の状態をミクロに分析し、電気特性との関係を
調査する中で、最近研究が進んでいる高効率太陽
電池の実用化の為には電極の材料及び性状につい
て特別の工夫が必要であることを見出した。即ち
高い効率を得る為にはまず、短波長の光に対する
感度向上の目的から拡散層を浅くすることが必要
となる。このような浅い接合に対して、通常の電
極金属は、熱処理や経時変化により接合をつきぬ
ける現象が起こることがあつた。この為にシリコ
ンと電極主構成金属間に、拡散や空気中の水や酸
素との反応から電極や接合を防御する為の中間層
が必要となつてきており、チタン、パラジウム又
はチタン、白金の２層を蒸着法、又はスパツタ法
で形成している。このような下地電極はメツキ法
によるニツケルや印刷法でも試みられるが、接合
深さが0.5μｍ以下となる最近の高効率太陽電池に
は不適当なことがわかつた。即ち接合深さ0.2μｍ
〜0.3μｍに対し実用的に利用できる下地電極は以
上に述べた蒸着やスパツタ法による複層のものの
みであることがわかつた。続いて、拡散層が浅い
時には表面の横方向への電気抵抗が高くなり直列
抵抗成分の影響により効率を低下させる問題があ
つた。そこでこの対策としてまず、電極の構造を
極めて多数の微細な格子状の集合としたいわゆる
微細電極を用いる。以上は下地電極にフオトエツ
チングプロセスを用いた微細加工技術を適用する
ことにより容易にできる。更に、直列抵抗を下げ
る為には電極自体の抵抗を下げなければならな
い。この為には電極の厚さを厚くしてやる必要が
ある。ところが蒸着やスパツタリング法で下地電
極上に更に電気良導体を厚く積層させることは、
微細加工技術的に難しく、又、時間がかかり生産
コスト的に問題であつた。
べく従来の方法で得られる電極構造やＰ−ｎ接合
面の状態をミクロに分析し、電気特性との関係を
調査する中で、最近研究が進んでいる高効率太陽
電池の実用化の為には電極の材料及び性状につい
て特別の工夫が必要であることを見出した。即ち
高い効率を得る為にはまず、短波長の光に対する
感度向上の目的から拡散層を浅くすることが必要
となる。このような浅い接合に対して、通常の電
極金属は、熱処理や経時変化により接合をつきぬ
ける現象が起こることがあつた。この為にシリコ
ンと電極主構成金属間に、拡散や空気中の水や酸
素との反応から電極や接合を防御する為の中間層
が必要となつてきており、チタン、パラジウム又
はチタン、白金の２層を蒸着法、又はスパツタ法
で形成している。このような下地電極はメツキ法
によるニツケルや印刷法でも試みられるが、接合
深さが0.5μｍ以下となる最近の高効率太陽電池に
は不適当なことがわかつた。即ち接合深さ0.2μｍ
〜0.3μｍに対し実用的に利用できる下地電極は以
上に述べた蒸着やスパツタ法による複層のものの
みであることがわかつた。続いて、拡散層が浅い
時には表面の横方向への電気抵抗が高くなり直列
抵抗成分の影響により効率を低下させる問題があ
つた。そこでこの対策としてまず、電極の構造を
極めて多数の微細な格子状の集合としたいわゆる
微細電極を用いる。以上は下地電極にフオトエツ
チングプロセスを用いた微細加工技術を適用する
ことにより容易にできる。更に、直列抵抗を下げ
る為には電極自体の抵抗を下げなければならな
い。この為には電極の厚さを厚くしてやる必要が
ある。ところが蒸着やスパツタリング法で下地電
極上に更に電気良導体を厚く積層させることは、
微細加工技術的に難しく、又、時間がかかり生産
コスト的に問題であつた。
そこで我々は下地電極は蒸着、スパツタリング
法で形成して、この後、めつき法により電気良導
体を積層形成する方法を特願昭56−183750中に示
した。この中では下地電極上に、電気メツキ法
による銀、電気メツキ法による銅を形成する例
を示した。その後、更に実験を追加した結果太陽
電池の効率を更に向上させるべく接合深さを最適
化し、電極を数10μ以下に微細化したところ下地
電極上に電気めつきにより金属層を形成した場
合、内部応力の為に電極が剥離し易くなる傾向を
見出した。特に電極抵抗を下げるべくめつき層を
厚くするとこれが顕著となる。一方、電気的現象
によらない、化学的な原理に基づく無電解めつき
法でもめつき層の形成が可能である。下地電極上
に無電解めつき層を形成したところ、無電解めつ
き特有の表面に凸凹を発生するいわゆるアンカー
効果の為に極めて強い付着力が得られた。しかし
ながら形成できる厚さに限度がある為に充分な抵
抗の低下がみられなかつた。
法で形成して、この後、めつき法により電気良導
体を積層形成する方法を特願昭56−183750中に示
した。この中では下地電極上に、電気メツキ法
による銀、電気メツキ法による銅を形成する例
を示した。その後、更に実験を追加した結果太陽
電池の効率を更に向上させるべく接合深さを最適
化し、電極を数10μ以下に微細化したところ下地
電極上に電気めつきにより金属層を形成した場
合、内部応力の為に電極が剥離し易くなる傾向を
見出した。特に電極抵抗を下げるべくめつき層を
厚くするとこれが顕著となる。一方、電気的現象
によらない、化学的な原理に基づく無電解めつき
法でもめつき層の形成が可能である。下地電極上
に無電解めつき層を形成したところ、無電解めつ
き特有の表面に凸凹を発生するいわゆるアンカー
効果の為に極めて強い付着力が得られた。しかし
ながら形成できる厚さに限度がある為に充分な抵
抗の低下がみられなかつた。
以上の基礎実験の結果、両めつき法の長所を組
み合せ、更に下地電極を特別に吟味することによ
り著しく特性、信頼性を改善できることが予想で
きた。
み合せ、更に下地電極を特別に吟味することによ
り著しく特性、信頼性を改善できることが予想で
きた。
更に密着性の改善された点に注目して調べたと
ころ次の様な知見を得た。即ち、電気めつき層の
結晶粒径は無電めつき層の結晶粒径に比べ大き
い。このことはシリコン下地との密着性が無電め
つきの方が優れていることに一致し、前記アンカ
ー効果を生む表面の微細な凸凹がこれに原因して
いると判断される。
ころ次の様な知見を得た。即ち、電気めつき層の
結晶粒径は無電めつき層の結晶粒径に比べ大き
い。このことはシリコン下地との密着性が無電め
つきの方が優れていることに一致し、前記アンカ
ー効果を生む表面の微細な凸凹がこれに原因して
いると判断される。
一方電気電導性を考慮すると電極材料の結晶粒
径は大きい方がより好ましい。
径は大きい方がより好ましい。
発明者らは以上の知見に基き、さらに改良され
た太陽電池及びその製造方法を開発すべく、実験
調査を行なつて本発明を完成した。
た太陽電池及びその製造方法を開発すべく、実験
調査を行なつて本発明を完成した。
（本発明の目的）
すなわち本発明は基板との密着性が高く、電気
特性の優れた微細電極を有する太陽電池を提供す
ることを目的とする。
特性の優れた微細電極を有する太陽電池を提供す
ることを目的とする。
（発明の概要）
すなわち本発明は接合を有する半導体基板の表
面に、チタン及び白金、又はチタン及びパラジウ
ムでなる下地電極と、この下地電極上に形成され
る電気良導体とを備える太陽電池において、電気
良導体は結晶粒径が小さい金属でなり下地電極に
接して形成される第１層と、この第１層の金属の
結晶粒径より大きい結晶粒径の金属でなり第１層
の上に形成される第２層とを有することを特徴と
する太陽電池である。
面に、チタン及び白金、又はチタン及びパラジウ
ムでなる下地電極と、この下地電極上に形成され
る電気良導体とを備える太陽電池において、電気
良導体は結晶粒径が小さい金属でなり下地電極に
接して形成される第１層と、この第１層の金属の
結晶粒径より大きい結晶粒径の金属でなり第１層
の上に形成される第２層とを有することを特徴と
する太陽電池である。
（発明の実施例）
以下、本発明の実施例を第３図により詳しく説
明する。
明する。
第３図は方位（100）、厚さ250μｍ比抵抗10Ω・
cmのシリコン単結晶を用いて形成した太陽電池の
部分断面図である。まず、Ｐ型CZシリコン半導
体基板２１に900℃でPocl3を用いてリンを10分間
デボジツトした後、15分間窒素ガス中でシンター
する。このとき表面濃度２×1020cm-2、接合深さ
0.2μｍのN+層２２が形成された。その後、表面
の酸化膜と裏面の拡散層を除去し、アルミペース
トＡ−3484（エンゲルハート社型名）を裏面全面
にスクリーン印刷法により形成する。印刷スクリ
ーンには200メツシユのステンレススクリーンを
用いた。続いて大気中850℃で20秒間焼成すると
裏面側のシリコン表層部分が合金化しP+層２３
を形成することができる。塩酸と弗酸より成る混
合エツチング液により合金化に寄与せず余つた過
剰のアルミペーストの焼結成分を除去しP+層２
３を露出させる。続いて真空蒸着法によりチタン
膜２４を400Å、パラジウム膜２５を200Å、基板
温度250℃にて前記P+層２３上に裏面側下地電極
２６として形成する。
cmのシリコン単結晶を用いて形成した太陽電池の
部分断面図である。まず、Ｐ型CZシリコン半導
体基板２１に900℃でPocl3を用いてリンを10分間
デボジツトした後、15分間窒素ガス中でシンター
する。このとき表面濃度２×1020cm-2、接合深さ
0.2μｍのN+層２２が形成された。その後、表面
の酸化膜と裏面の拡散層を除去し、アルミペース
トＡ−3484（エンゲルハート社型名）を裏面全面
にスクリーン印刷法により形成する。印刷スクリ
ーンには200メツシユのステンレススクリーンを
用いた。続いて大気中850℃で20秒間焼成すると
裏面側のシリコン表層部分が合金化しP+層２３
を形成することができる。塩酸と弗酸より成る混
合エツチング液により合金化に寄与せず余つた過
剰のアルミペーストの焼結成分を除去しP+層２
３を露出させる。続いて真空蒸着法によりチタン
膜２４を400Å、パラジウム膜２５を200Å、基板
温度250℃にて前記P+層２３上に裏面側下地電極
２６として形成する。
次に表側全面に反射防止膜３３としてプラズマ
CVD法により窒化シリコン膜を700Å形成する。
平行平板、容量結合型の装置にウエハーを入れ基
板温度を300℃にしてベルジアーにアンモニアガ
ス、シランガスの反応ガスとキヤリアガスである
窒素ガスを導入し、50KHzの高周波パワーを
500W投入してデボジシヨンした。この結果、反
射率の低い均一な膜を得た。次にOFPR800（東京
応化、商品型名）ポジ型感光樹脂を3000rpmでス
ピンコートする。その後80℃に保持したクリーン
オーブン中で30分のプリベークを行う。次にグリ
ツド幅10μｍの微細電極パターンを超高圧水銀灯
を使用したコンタクト露光法で10ｍＪ／cm2の条件
で露光し、専用現像液NMD−３（東京応化、商
品型名）により現像する、リンスは水洗により行
い、140℃、30分のポストベークを行う。この結
果、表面電極形状に対応するパターンの開口を
OFPR−800層に形成する。そしてこの開口を通
じ緩衝粘酸（弗酸：弗化アンモニウム：水＝１：
３：４）で窒化シリコンをエツチングし電極パタ
ーン形状に基板を露出させる。ひき続き、真空蒸
着法により全面に導電性被膜としてチタン膜２７
400Å、パラジウム膜２８200Åを基板温度を140
℃に保持しながら形成し、表面側下地電極２９と
する。その後レジスト層をアセトンにより除去す
る。
CVD法により窒化シリコン膜を700Å形成する。
平行平板、容量結合型の装置にウエハーを入れ基
板温度を300℃にしてベルジアーにアンモニアガ
ス、シランガスの反応ガスとキヤリアガスである
窒素ガスを導入し、50KHzの高周波パワーを
500W投入してデボジシヨンした。この結果、反
射率の低い均一な膜を得た。次にOFPR800（東京
応化、商品型名）ポジ型感光樹脂を3000rpmでス
ピンコートする。その後80℃に保持したクリーン
オーブン中で30分のプリベークを行う。次にグリ
ツド幅10μｍの微細電極パターンを超高圧水銀灯
を使用したコンタクト露光法で10ｍＪ／cm2の条件
で露光し、専用現像液NMD−３（東京応化、商
品型名）により現像する、リンスは水洗により行
い、140℃、30分のポストベークを行う。この結
果、表面電極形状に対応するパターンの開口を
OFPR−800層に形成する。そしてこの開口を通
じ緩衝粘酸（弗酸：弗化アンモニウム：水＝１：
３：４）で窒化シリコンをエツチングし電極パタ
ーン形状に基板を露出させる。ひき続き、真空蒸
着法により全面に導電性被膜としてチタン膜２７
400Å、パラジウム膜２８200Åを基板温度を140
℃に保持しながら形成し、表面側下地電極２９と
する。その後レジスト層をアセトンにより除去す
る。
次に無電解メツキ法により表面及び裏面のパラ
ジウム上に0.5μｍの無電解銅層を無電解めつき金
属第１層３０としてメツキする。メツキ液は硫酸
銅、酒石酸カリウムナトリウム、水酸化ナトリウ
ムを成分とし、ホルマリンを少量添加したフエー
リング液を用いて約0.5μ形成する。続いて硫酸
銅、硫酸、塩素イオン（塩酸）を各々200ｇ／、
50ｇ／、50ｍｇ／含むめつき液中25℃で、電
流密度１Ａ／ｄm2で通電を20分間行い、前記無電
解銅上に電気めつき金属第２層３１を5μｍ形成
する。このように同一の銅成分でも第１層の結晶
粒径を小さく、第２層の結晶粒径を大きくするこ
とにより密着性の良いかつ良導電性の電極が形成
できる。この場合窒化シリコンはメツキマスク効
果を有するのでめつきマスクの形成工程は不要と
なる。本例では電気メツキに無電メツキと同一の
銅を用いたが銀等無電メツキ、電気メツキが異種
金属より成つていても同一の効果が期待できるも
のである。更に電極表面を安定化する為に、硫酸
ニツケル30ｇ／、クエン酸ナトリウム10ｇ／
、コハク酸ナトリウム20ｇ／、酢酸ナトリウ
ム20ｇ／、ジエチルボラザン３ml／、メタノ
ール50ml／に微量の安定剤を混ぜPHを６〜７、
液温を65℃として作つためつき液により無電解ニ
ツケルメツキ層を無電解めつき金属第３層３２と
して0.5μｍ形成する。この結果極めて導電性の高
い、密着性の優れた電極が得られた。一部断面を
電子顕微鏡で観察すると下地電極と接する無電解
めつき層は極めて小さく約1.0〜0.05μｍ程度の結
晶粒の集合体であり、上層部の電気めつき層の結
晶粒径の約10分の一と小さく、密着性を良くして
いるものと判断できた。従来の電気めつき層のみ
のものでは30μｍ線幅の微細加工に於て、電極の
剥離が起こり工程中の不良が30〜50％もあつた
が、本発明の構造及び方法では不良率0.5％以下
であつた。また、直列抵抗値を測定したところ、
従来の無電解めつきのみの方法の0.08Ωに比べて
本発明では0.009Ωと一桁も良くなり、従来の電
気めつきのみのものに比べても下地との密着性が
上つたことにより２倍近く良くなつた。直列抵抗
の減少は変換効率の向上をもたらすことが約さ
れ、リード線を結線した上で特性を評価した。
ジウム上に0.5μｍの無電解銅層を無電解めつき金
属第１層３０としてメツキする。メツキ液は硫酸
銅、酒石酸カリウムナトリウム、水酸化ナトリウ
ムを成分とし、ホルマリンを少量添加したフエー
リング液を用いて約0.5μ形成する。続いて硫酸
銅、硫酸、塩素イオン（塩酸）を各々200ｇ／、
50ｇ／、50ｍｇ／含むめつき液中25℃で、電
流密度１Ａ／ｄm2で通電を20分間行い、前記無電
解銅上に電気めつき金属第２層３１を5μｍ形成
する。このように同一の銅成分でも第１層の結晶
粒径を小さく、第２層の結晶粒径を大きくするこ
とにより密着性の良いかつ良導電性の電極が形成
できる。この場合窒化シリコンはメツキマスク効
果を有するのでめつきマスクの形成工程は不要と
なる。本例では電気メツキに無電メツキと同一の
銅を用いたが銀等無電メツキ、電気メツキが異種
金属より成つていても同一の効果が期待できるも
のである。更に電極表面を安定化する為に、硫酸
ニツケル30ｇ／、クエン酸ナトリウム10ｇ／
、コハク酸ナトリウム20ｇ／、酢酸ナトリウ
ム20ｇ／、ジエチルボラザン３ml／、メタノ
ール50ml／に微量の安定剤を混ぜPHを６〜７、
液温を65℃として作つためつき液により無電解ニ
ツケルメツキ層を無電解めつき金属第３層３２と
して0.5μｍ形成する。この結果極めて導電性の高
い、密着性の優れた電極が得られた。一部断面を
電子顕微鏡で観察すると下地電極と接する無電解
めつき層は極めて小さく約1.0〜0.05μｍ程度の結
晶粒の集合体であり、上層部の電気めつき層の結
晶粒径の約10分の一と小さく、密着性を良くして
いるものと判断できた。従来の電気めつき層のみ
のものでは30μｍ線幅の微細加工に於て、電極の
剥離が起こり工程中の不良が30〜50％もあつた
が、本発明の構造及び方法では不良率0.5％以下
であつた。また、直列抵抗値を測定したところ、
従来の無電解めつきのみの方法の0.08Ωに比べて
本発明では0.009Ωと一桁も良くなり、従来の電
気めつきのみのものに比べても下地との密着性が
上つたことにより２倍近く良くなつた。直列抵抗
の減少は変換効率の向上をもたらすことが約さ
れ、リード線を結線した上で特性を評価した。
ソーラーシユミレーターにより、AM1100ｍ
Ｗ／cm2の偽似太陽光を照射して評価すると変換効
率が14.9％となり、従来の電気めつき層のみのも
のや無電解めつき層のものよりも１割程度の向上
がみられた。
Ｗ／cm2の偽似太陽光を照射して評価すると変換効
率が14.9％となり、従来の電気めつき層のみのも
のや無電解めつき層のものよりも１割程度の向上
がみられた。
以上、本発明によれば密着性、導電性、微細加
工性に優れ、かつ高効率化の為の浅い接合にも耐
えられる電極を有する信頼性の高い太陽電池を歩
留り良く製造することが可能となつた。
工性に優れ、かつ高効率化の為の浅い接合にも耐
えられる電極を有する信頼性の高い太陽電池を歩
留り良く製造することが可能となつた。
第１図は本発明に関する太陽電池の概略断面図
である。 ２１……半導体基板、２２……N+層、２３…
…P+層、２４，２７……チタン膜、２５，２８
……パラジウム膜、２６，２９……下地電極、３
０……無電解めつき金属第１層、３１……電気め
つき金属第２層、３２……無電解めつき金属第３
層、３３……反射防止膜。
である。 ２１……半導体基板、２２……N+層、２３…
…P+層、２４，２７……チタン膜、２５，２８
……パラジウム膜、２６，２９……下地電極、３
０……無電解めつき金属第１層、３１……電気め
つき金属第２層、３２……無電解めつき金属第３
層、３３……反射防止膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 接合を有する半導体基板の表面に、チタン及
び白金、又はチタン及びパラジウムでなる下地電
極と、この下地電極上に形成される電気良導体と
を備える太陽電池において、電気良導体は結晶粒
径が小さい金属でなり下地電極に接して形成され
る第１層と、この第１層の金属の結晶粒径より大
きい結晶粒径の金属でなり第１層の上に形成され
る第２層とを有することを特徴とする太陽電池。 ２ 第１層の金属が無電解めつき金属でなり、第
２層の金属が電気めつき金属でなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の太陽電池。 ３ 第２層の金属はこの上に更に無電解メツキ金
属でなる第３層を設けていることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の太陽電池。 ４ 第１層及び第２層の金属の主成分は銀又は銅
よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
及び第２項記載の太陽電池。 ５ 第３層の金属の主成分はニツケルであること
を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の太陽電
池。 ６ 半導体基板表面の下地電極及び電気良導体が
形成されていない部分の少なくとも一部に反射防
止膜が形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の太陽電池。 ７ 反射防止膜がめつきマスクを兼ねる材料より
なることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載
の太陽電池。 ８ 反射防止膜が窒化シリコン膜でなることを特
徴とする特許請求の範囲第６項及び第７項記載の
太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57138564A JPS5929474A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57138564A JPS5929474A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5929474A JPS5929474A (ja) | 1984-02-16 |
| JPS6320025B2 true JPS6320025B2 (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=15225085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57138564A Granted JPS5929474A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929474A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254971A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| GB2188774B (en) * | 1986-04-02 | 1990-10-31 | Westinghouse Electric Corp | Method of forming a conductive pattern on a semiconductor surface |
| JP2002305311A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-10-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
| KR101133028B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2012-04-04 | 에스에스씨피 주식회사 | 태양 전지용 전극의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 태양 전지용 기판 및 태양 전지 |
| US9293624B2 (en) * | 2012-12-10 | 2016-03-22 | Sunpower Corporation | Methods for electroless plating of a solar cell metallization layer |
| MY175806A (en) * | 2013-03-15 | 2020-07-09 | Sunpower Corp | Conductivity enhancement of solar cells |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5419690A (en) * | 1977-07-15 | 1979-02-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Electrode of semiconductor devices |
-
1982
- 1982-08-11 JP JP57138564A patent/JPS5929474A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5929474A (ja) | 1984-02-16 |
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