JPS63200533A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS63200533A JPS63200533A JP3376987A JP3376987A JPS63200533A JP S63200533 A JPS63200533 A JP S63200533A JP 3376987 A JP3376987 A JP 3376987A JP 3376987 A JP3376987 A JP 3376987A JP S63200533 A JPS63200533 A JP S63200533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- informations
- data
- noise
- end point
- treatment section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、装置内に作り出されている「プラズマの状態
」又は「装置の状態」に応じて必要な制御が行なわれる
プラズマ処理装置に関するものである。
」又は「装置の状態」に応じて必要な制御が行なわれる
プラズマ処理装置に関するものである。
(従来の技術とその問題点)
近来の半導体製造用プラズマ処理装置に対する高精度加
工の要求は、 「プラズマ及び装置の状態」をより厳密
に監視、コントロールすることを求めている。即ちそれ
は、装置内に作り出されている「プラズマの状態」又は
「装置の状態」に応じて制御される諸装置が、より正確
により迅速に動作することを要求している。 プラズ
マ処理装置としてドライエツチング装置を例にとれば、
当該制御装置としては、終点検出装置、自動マツチング
装置、自動調圧装置等がある。
工の要求は、 「プラズマ及び装置の状態」をより厳密
に監視、コントロールすることを求めている。即ちそれ
は、装置内に作り出されている「プラズマの状態」又は
「装置の状態」に応じて制御される諸装置が、より正確
により迅速に動作することを要求している。 プラズ
マ処理装置としてドライエツチング装置を例にとれば、
当該制御装置としては、終点検出装置、自動マツチング
装置、自動調圧装置等がある。
例えは、ドライエツチングの終点を自動的に検出する方
法としては、従来、被エツチング膜種やエツチングガス
種に応じて、特定の波長の発光強度を測定して行なう発
光分光法が広く用いられている。
法としては、従来、被エツチング膜種やエツチングガス
種に応じて、特定の波長の発光強度を測定して行なう発
光分光法が広く用いられている。
発光現象に注目し発光強度を測定してエツチングの終点
を判定する方法としては、例えば、特開昭58−215
030号公報に記載のように、エツチング前の発光強度
を記憶しておき、各時刻で発光強度をこれと比較して、
この値か記憶しである初期値に戻ったときを終点とする
方法や、例えば、特開昭58−216423号公報に記
載のように、発光強度の差分、即ち勾配が所定移動平均
値以下となる点を終点とする方式がある。
を判定する方法としては、例えば、特開昭58−215
030号公報に記載のように、エツチング前の発光強度
を記憶しておき、各時刻で発光強度をこれと比較して、
この値か記憶しである初期値に戻ったときを終点とする
方法や、例えば、特開昭58−216423号公報に記
載のように、発光強度の差分、即ち勾配が所定移動平均
値以下となる点を終点とする方式がある。
しかし実際に得られる発光強度の測定データには次の2
つの問題点がある。
つの問題点がある。
問題の1つは、周期のない浮動即ちレベル変動が測定値
に含有されている場合のあることであって、 「プラズ
マの状態」をモニターする場合には、このレベル変動が
容易にエツチング終了時の信号変動量を超過するため、
検出の基準即ち闇値を無意味にしてしまうことである。
に含有されている場合のあることであって、 「プラズ
マの状態」をモニターする場合には、このレベル変動が
容易にエツチング終了時の信号変動量を超過するため、
検出の基準即ち闇値を無意味にしてしまうことである。
例えば、この頃の5i02のコンタクI・ホールをエツ
チングする場合がそれに当たる。この場合のパターンの
開口比は5%以下しかないものもある。そうしたエツチ
ングでは、検出される信号を2万倍程にも増幅しないと
、判定に足る変化が生じないが、そこで生じた検出信号
の変化は、微少の投入パワーの誤差、圧力の誤差、ガス
流量の誤差等で簡単に引き起こされる程度のものである
。
チングする場合がそれに当たる。この場合のパターンの
開口比は5%以下しかないものもある。そうしたエツチ
ングでは、検出される信号を2万倍程にも増幅しないと
、判定に足る変化が生じないが、そこで生じた検出信号
の変化は、微少の投入パワーの誤差、圧力の誤差、ガス
流量の誤差等で簡単に引き起こされる程度のものである
。
また、バッチ式の装置においては、必ずしもフルロード
の状態で稼働させるわけでなく、ダミーウェハーを数枚
入れて稼働させることがしはしばあるが、その時にはダ
ミーウェハーの枚数が変化すると発光強度のレベル変動
が起こる。
の状態で稼働させるわけでなく、ダミーウェハーを数枚
入れて稼働させることがしはしばあるが、その時にはダ
ミーウェハーの枚数が変化すると発光強度のレベル変動
が起こる。
問題点の他の1つは、比較的長周期の雑音成分が測定デ
ータに含まれている場合があることであり、モニターの
出力データには、数Hz〜0.05Hzの周期の大きい
雑音成分が含まれていることが多く、これを除去するた
めには、サンプリング値を一定時間内で算術平均したり
、サンプリング間隔を10〜20秒位に比較的長くとっ
たりして、雑音の影響を極力少なくする方法を採用せざ
るを得ない。
ータに含まれている場合があることであり、モニターの
出力データには、数Hz〜0.05Hzの周期の大きい
雑音成分が含まれていることが多く、これを除去するた
めには、サンプリング値を一定時間内で算術平均したり
、サンプリング間隔を10〜20秒位に比較的長くとっ
たりして、雑音の影響を極力少なくする方法を採用せざ
るを得ない。
十分に大きい開口比のパターンを扱う従来のエツチング
では、ノイズレベルがエツチング終了時の信号変動量に
較へて充分に小さいため、あまり問題を生ずることはな
かったが、近時は半導体装置の高精細化に伴って、先述
のように開口比が数%という極端に小さい値のパターン
までもエツチングするようになって来ており、この場合
は、ノイズレベルとエツチング終了時の信号変動量かは
〈同程度となっていて、従来の雑音除去の方法では最早
やエツチングの終点の正確な検出は困難になってきた。
では、ノイズレベルがエツチング終了時の信号変動量に
較へて充分に小さいため、あまり問題を生ずることはな
かったが、近時は半導体装置の高精細化に伴って、先述
のように開口比が数%という極端に小さい値のパターン
までもエツチングするようになって来ており、この場合
は、ノイズレベルとエツチング終了時の信号変動量かは
〈同程度となっていて、従来の雑音除去の方法では最早
やエツチングの終点の正確な検出は困難になってきた。
これらの問題は、自動マツチング装置の制御で反射パワ
ーを測定する場合や、自動調圧装置の制御に当たって圧
力計で圧力を測定する場合等、他の現象を検出する際も
同じであって、高精度の制御を実現するためには、ノイ
ズレスの信号を制御装置にフィードバックさせてやる必
要があり、上記問題の解決が強く望まれている。
ーを測定する場合や、自動調圧装置の制御に当たって圧
力計で圧力を測定する場合等、他の現象を検出する際も
同じであって、高精度の制御を実現するためには、ノイ
ズレスの信号を制御装置にフィードバックさせてやる必
要があり、上記問題の解決が強く望まれている。
(発明の目的)
本発明は、上記従来技術における欠点を解決し、ノイズ
の影響を受けることなく、装置内の「プラズマの状態」
または「装置の状態」に基づいて正確に制御を行なうこ
との出来るプラズマ処理装置を提供することを目的とす
る。
の影響を受けることなく、装置内の「プラズマの状態」
または「装置の状態」に基づいて正確に制御を行なうこ
との出来るプラズマ処理装置を提供することを目的とす
る。
(問題点を解決するための手段)
上記の目的を達成するために、本発明は、装置内に作り
出されている「プラズマの状態」、または、装置内の圧
力、装置への投入電力、あるいは反射電力等の「装置の
状態」をサンプリング的にモニターし、モニターした結
果に基づいて必要な制御を行なうようにしたプラズマ処
理装置において、モニターからの出力データ(以下、観
測データと略す)を、そのサンプリング時間間隔と観測
データが含むノイズの周期との両者を勘案した所定個数
(従って、所定区間)に亙って、1次の最小2乗近似処
理を行ない、かつその処理区間は、観測データが新たに
追加されるに従ってその方向に移動させるようにし、か
かる処理で得られるデータを改めて基礎データとして用
いることによって、前記必要な制御を行なうように構成
したものである。
出されている「プラズマの状態」、または、装置内の圧
力、装置への投入電力、あるいは反射電力等の「装置の
状態」をサンプリング的にモニターし、モニターした結
果に基づいて必要な制御を行なうようにしたプラズマ処
理装置において、モニターからの出力データ(以下、観
測データと略す)を、そのサンプリング時間間隔と観測
データが含むノイズの周期との両者を勘案した所定個数
(従って、所定区間)に亙って、1次の最小2乗近似処
理を行ない、かつその処理区間は、観測データが新たに
追加されるに従ってその方向に移動させるようにし、か
かる処理で得られるデータを改めて基礎データとして用
いることによって、前記必要な制御を行なうように構成
したものである。
(作用)
問題解決の為に採用した上記の手段を詳細に説明しつ\
その作用を以下に述べる。
その作用を以下に述べる。
本発明を使う第1の方法を具体的に、第1図の観測デー
タのグラフを使って説明する。
タのグラフを使って説明する。
先ず、一定のサンプリング間隔で(一般には一定でなく
ともよい)連続的にモニターして得られた最初のm個の
観測データp、〜pm (白小丸)を取り上げ、それを
処理区間として、これらを通る1次の最小2乗近似直線
、 1)=a+争t+1〕10000610.0.0.■を
求める。
ともよい)連続的にモニターして得られた最初のm個の
観測データp、〜pm (白小丸)を取り上げ、それを
処理区間として、これらを通る1次の最小2乗近似直線
、 1)=a+争t+1〕10000610.0.0.■を
求める。
次に観測データpm++が入力されると、処理区間をそ
の観測データの方向、即ち一つ右に、移動させてp2〜
p、。、に対して同様の最小2乗近似直線、 p =a2・t +b2............■
を求める。この操作を繰り返して最小2乗近似直線 ■
、■・・・を求める。
の観測データの方向、即ち一つ右に、移動させてp2〜
p、。、に対して同様の最小2乗近似直線、 p =a2・t +b2............■
を求める。この操作を繰り返して最小2乗近似直線 ■
、■・・・を求める。
そして、これら各直線をそれぞれの処理区間で切り取っ
て得た各線分の中心点の値、qIIQ21q3・・・(
黒小丸)を、その各連続した観測データ(白小丸)に対
応する各基礎データ値として改めて採用する。そのよう
にして得られる基礎データ(黒小丸)の連なりは、明ら
かに観測データ(白小丸)の連なりに比べてノイズの影
響の少ないデータとなっている。
て得た各線分の中心点の値、qIIQ21q3・・・(
黒小丸)を、その各連続した観測データ(白小丸)に対
応する各基礎データ値として改めて採用する。そのよう
にして得られる基礎データ(黒小丸)の連なりは、明ら
かに観測データ(白小丸)の連なりに比べてノイズの影
響の少ないデータとなっている。
明らかに有害とみられる大きい振幅を持つ周期的ノイズ
があるとき、そののうち最長周期を有するノイズよりも
更に長い時間区間を処理区間として、上記の操作を施す
ときは、耐ノイズ性の極めて大きい基礎データが得られ
る。
があるとき、そののうち最長周期を有するノイズよりも
更に長い時間区間を処理区間として、上記の操作を施す
ときは、耐ノイズ性の極めて大きい基礎データが得られ
る。
観測データが周期性の無いレベル変動を含まないか、含
んでいても変動量が無視できる程度の大きさでしかない
場合は、上記の方法で得た基礎データに注目するだけで
、エツチング終点の判定は十分に可能であるが、そうで
ない場合は、考えを変えて更に次のような、本発明を使
う第2の方法で指標となるデータを求めなければならな
い。
んでいても変動量が無視できる程度の大きさでしかない
場合は、上記の方法で得た基礎データに注目するだけで
、エツチング終点の判定は十分に可能であるが、そうで
ない場合は、考えを変えて更に次のような、本発明を使
う第2の方法で指標となるデータを求めなければならな
い。
即ち、この第2の方法では、上記のようにして求めた各
最小2乗近似直線の式の変数tの係数であるa、、 a
2+ a3・・・・が、各最終観測データ点の「後方の
1次微分値」に相当しており、これもまた変化の傾向を
現していることに注目して、その1直の変動によって判
定を行なうのである。
最小2乗近似直線の式の変数tの係数であるa、、 a
2+ a3・・・・が、各最終観測データ点の「後方の
1次微分値」に相当しており、これもまた変化の傾向を
現していることに注目して、その1直の変動によって判
定を行なうのである。
また必要な場合は、更にこの1次微分値の差分を逐次算
出して2次微分値を求め、その値をプロットして連ね、
その変化を見ることで判定を行なうものである。
出して2次微分値を求め、その値をプロットして連ね、
その変化を見ることで判定を行なうものである。
これらの2次の微分値を求める際に、直前の値との差分
な逐次とるよりは、むしろ、幾つか間を置いて一定個数
だけ前のプロット値との差分をとることによってノイズ
の影響を更に小さくした判定用データが得られる。
な逐次とるよりは、むしろ、幾つか間を置いて一定個数
だけ前のプロット値との差分をとることによってノイズ
の影響を更に小さくした判定用データが得られる。
(実施例)
以下本発明を、実施例によって詳細に説明する。
ただし、実施例においては、ドライエツチング装置の終
点検出装置に限定して説明を進める。
点検出装置に限定して説明を進める。
第2図は、本発明を平行平板型ドライエツチング装置に
適用した実施例の装置の要部の原理的説明図である。1
はエツチングチャンバー、2はカソード、3はウェハー
、4はカス導入管、5は高周波電源、6はガラス窓、7
は干渉フィルター、8は光電変換器、9はアナログアン
プ、10はA/D変換器、100はモニター、11はマ
イクロコンピュータ−である。
適用した実施例の装置の要部の原理的説明図である。1
はエツチングチャンバー、2はカソード、3はウェハー
、4はカス導入管、5は高周波電源、6はガラス窓、7
は干渉フィルター、8は光電変換器、9はアナログアン
プ、10はA/D変換器、100はモニター、11はマ
イクロコンピュータ−である。
これを動作するには、カソード2上にウェハー3を載置
し、図示しない排気系により所定の真空度まで排気し、
ガス導入管ルによりエツチングガス導入を開始した後、
高周波電源5によりカソード4に高周波パワーを印加す
ることにより放電を発生させる。
し、図示しない排気系により所定の真空度まで排気し、
ガス導入管ルによりエツチングガス導入を開始した後、
高周波電源5によりカソード4に高周波パワーを印加す
ることにより放電を発生させる。
プラズマからの発光は、ガラス窓6からモニタlO−
、00に入る。即ち、干渉フィルター7を通り、光電変
換器8に取り込まれ、ここで電気信号に変換された信号
は、A/Dコンバータ10でディジタルデータに変換さ
れて出力データ(観測データ)となり、等時間間隔でマ
イクロコンピュータ、1に取り込まれて演算処理が行な
われる。
換器8に取り込まれ、ここで電気信号に変換された信号
は、A/Dコンバータ10でディジタルデータに変換さ
れて出力データ(観測データ)となり、等時間間隔でマ
イクロコンピュータ、1に取り込まれて演算処理が行な
われる。
先ずレベル変動が全く無いか、または非常に小さい第4
図の場合をとりあげてエツチングの終点検出方法につい
て述へる。この場合は曲線りが観測されるデータである
が図に見るように1秒程度の周期の雑音を含む。
図の場合をとりあげてエツチングの終点検出方法につい
て述へる。この場合は曲線りが観測されるデータである
が図に見るように1秒程度の周期の雑音を含む。
この図の区画Fの部分を拡大図示したのが第1図である
と考え、第1図に戻って説明すると、すでに述べたよう
に、まず、データに含まれる雑音の周期が1秒であるこ
とを考慮して処理区間を6秒とし、観測データのサンプ
リングの時間間隔を1.5秒と定める。従って、1組の
観測データの個数は5である。
と考え、第1図に戻って説明すると、すでに述べたよう
に、まず、データに含まれる雑音の周期が1秒であるこ
とを考慮して処理区間を6秒とし、観測データのサンプ
リングの時間間隔を1.5秒と定める。従って、1組の
観測データの個数は5である。
そして5個の観測データp、〜p5を通る1次の最小2
乗近似直線■(1) = a 、・t+b、)を求める
。 (この演算処理によって求められる七の1次項の係
数a、は、その処理区間の最終観測データ点p5に対す
る近似後方1次微分値となっている。)次いで1.5秒
後に新たな観測データp6が一つ追加されると、マイク
ロコンピュータ−は近似処理区間全体を1.5秒だけ右
方向に移動させる。
乗近似直線■(1) = a 、・t+b、)を求める
。 (この演算処理によって求められる七の1次項の係
数a、は、その処理区間の最終観測データ点p5に対す
る近似後方1次微分値となっている。)次いで1.5秒
後に新たな観測データp6が一つ追加されると、マイク
ロコンピュータ−は近似処理区間全体を1.5秒だけ右
方向に移動させる。
そして新たな処理区間で、観測データp2〜p6に対し
て上述と同様な演算処理を行ない、1次の最小2乗近似
直線■(p=a2・t+b2)を求める。
て上述と同様な演算処理を行ない、1次の最小2乗近似
直線■(p=a2・t+b2)を求める。
以下、このような演算処理を繰り返して■、■・・・を
求めてゆく。
求めてゆく。
そして、これらの近似直線をそれぞれの6秒の処理区間
で切り取って得た各線分の中心点の値、Qll q21
q3・・・を求め、これを連続した観測データI)+
+ p2+ 1)3・・・に対応する基礎データ値とし
て改めて採用する。
で切り取って得た各線分の中心点の値、Qll q21
q3・・・を求め、これを連続した観測データI)+
+ p2+ 1)3・・・に対応する基礎データ値とし
て改めて採用する。
そのようにして得られた点の連なりを描いたのが第4図
の曲線Eである。
の曲線Eである。
この場合は曲線Eが大きく低下する点、即ちE2=12
− 双点がエツチング終点として判定される。
− 双点がエツチング終点として判定される。
以上のようにするときは、エツチング終了に伴う信号変
化量とノイズの大きさとがほぼ同程度であるにもかかわ
らず、エツチング終点の十分に判定可能な曲線Eが得ら
れている。
化量とノイズの大きさとがほぼ同程度であるにもかかわ
らず、エツチング終点の十分に判定可能な曲線Eが得ら
れている。
次に、観測データが周期性の無い大きいレベル変動を含
む場合は、上述の方法は無力であるため、次記のような
演算処理によって指標となるデータを求めることになる
。
む場合は、上述の方法は無力であるため、次記のような
演算処理によって指標となるデータを求めることになる
。
このときの観測データ即ち測定された発光強度をそのま
一グラフに描いてみると第3図の曲線Iのようになる。
一グラフに描いてみると第3図の曲線Iのようになる。
点I2がエツチングの終点で、その後のエツチングでは
点線のように進行する。
点線のように進行する。
この場合は無周期のレベル変動があるため、曲線■がI
’、Iゝ′のように昇降するので、エツチング終点I2
の把握が困難である。
’、Iゝ′のように昇降するので、エツチング終点I2
の把握が困難である。
この場合、実施例の装置はつぎのように動作する。 即
ち、 先ず、サンプリング間隔を一定にして連続して人力され
た最初のm個(さきは5個であったが、−膜化している
)のデータp、〜p□について、これらを通る1次の最
小2乗近似直線 1)=a+・を十す、 により alを求め、次にデ
ータp、、、+、が人力されると、92〜9m+1に対
して同様の最小2乗近似直線 1) =a2・t +
b2を求めてa2を得る。この操作を繰り返して、rが
n−m+1 (n ;データの総数)になるまで次々
と a、を求めろ。求めたa、を第3図に併記してみた
のが曲線Aである。これではまだエツチング終点は判然
としない。 そのため、更に続いて、サンプリング間
隔とノイズの周期とを勘案して定めた所定個数だけ前の
a、との差分を逐次算出する。即ち、データの2次微分
値(1次の係数について云えば1次微分値)を逐次求め
る。そしてこれを第3図に併記すると、曲線Bが得られ
る。
ち、 先ず、サンプリング間隔を一定にして連続して人力され
た最初のm個(さきは5個であったが、−膜化している
)のデータp、〜p□について、これらを通る1次の最
小2乗近似直線 1)=a+・を十す、 により alを求め、次にデ
ータp、、、+、が人力されると、92〜9m+1に対
して同様の最小2乗近似直線 1) =a2・t +
b2を求めてa2を得る。この操作を繰り返して、rが
n−m+1 (n ;データの総数)になるまで次々
と a、を求めろ。求めたa、を第3図に併記してみた
のが曲線Aである。これではまだエツチング終点は判然
としない。 そのため、更に続いて、サンプリング間
隔とノイズの周期とを勘案して定めた所定個数だけ前の
a、との差分を逐次算出する。即ち、データの2次微分
値(1次の係数について云えば1次微分値)を逐次求め
る。そしてこれを第3図に併記すると、曲線Bが得られ
る。
発明者等の実験によれば、曲線Bはエツチングの終点検
出に極めて有用であり、曲線Bが負側に大きく振られた
後、上昇に転じて最初にX軸を横切る点B2が、エツチ
ングの終点とよく一致することが明らかになった。
出に極めて有用であり、曲線Bが負側に大きく振られた
後、上昇に転じて最初にX軸を横切る点B2が、エツチ
ングの終点とよく一致することが明らかになった。
曲線Bに続く点線の曲線は、終点に達した後も、高周波
電力の印加を止めないでエツチングを続行した場合の推
移を示す。
電力の印加を止めないでエツチングを続行した場合の推
移を示す。
ところで、第3図に併記した曲線4は、誤差が比較的小
さいとされている中心差分を逐次算出してプロットした
1次微分曲線であるが、雑音の影響が非常に大きく現れ
ており、これでは更に差分をとって2次微分曲線を作っ
てみても判断曲線として役に立たないことが容易に想像
できる。
さいとされている中心差分を逐次算出してプロットした
1次微分曲線であるが、雑音の影響が非常に大きく現れ
ており、これでは更に差分をとって2次微分曲線を作っ
てみても判断曲線として役に立たないことが容易に想像
できる。
以上、本発明をドライエツチング装置の終点検出装置に
限定して説明をしてきたが、この、観測データに最小2
乗法を適用して基礎データを作出し、フィードバック用
データ等を製作する方法が、装置内に作り出されている
「プラズマの状態」又は「装置の状態」に応じて制御さ
れる諸装置、自動マツチング装置、自動調圧装置等に極
めて大きい利用価値を持つことは、説明を要せず明らか
である。
限定して説明をしてきたが、この、観測データに最小2
乗法を適用して基礎データを作出し、フィードバック用
データ等を製作する方法が、装置内に作り出されている
「プラズマの状態」又は「装置の状態」に応じて制御さ
れる諸装置、自動マツチング装置、自動調圧装置等に極
めて大きい利用価値を持つことは、説明を要せず明らか
である。
更にまた上記実施例同様に、プラズマCVD。
スパッタリング装置等のプラズマ処理装置の各制御装置
に対しても本発明は明らかに適用可能である。
に対しても本発明は明らかに適用可能である。
(発明の効果)
本発明によって、ノイズの影響を受けることなく、装置
内に作り出されている「プラズマの状態」又は「装置の
状態」に応じてプラズマ処理装置を制御することが可能
となる。
内に作り出されている「プラズマの状態」又は「装置の
状態」に応じてプラズマ処理装置を制御することが可能
となる。
第1図;本発明の観測データ近似法の説明図。
第2図:本発明を平板平行型ドライエツチング装置に適
用した場合の、要部構成の原理的説明図。 第3図;本発明をドライエツチング装置の終点検出装置
に適用した場合の発光強度及びその処理データの出力例
。 第4図;本発明をドライエツチング装置の終点=15− 検出装置に適用した場合の発光強度及びその近似データ
の出力例。 1;エツチングチャンバー、 2:カソード、3;ウ
ェハー、 4;ガス導入管、5;高周波電源、
6;ガラス窓、7;干渉フィルター、 8;光電
変換器、9;アナログアンプ、10;A/D変換器11
;マイクロコンピュータ、1 00;モニター。
用した場合の、要部構成の原理的説明図。 第3図;本発明をドライエツチング装置の終点検出装置
に適用した場合の発光強度及びその処理データの出力例
。 第4図;本発明をドライエツチング装置の終点=15− 検出装置に適用した場合の発光強度及びその近似データ
の出力例。 1;エツチングチャンバー、 2:カソード、3;ウ
ェハー、 4;ガス導入管、5;高周波電源、
6;ガラス窓、7;干渉フィルター、 8;光電
変換器、9;アナログアンプ、10;A/D変換器11
;マイクロコンピュータ、1 00;モニター。
Claims (1)
- (1)装置内に作り出されている「プラズマの状態」、
または、装置内の圧力、装置への投入電力、あるいは反
射電力等の「装置の状態」をサンプリング的にモニター
し、モニターした結果に基づいて必要な制御を行なうよ
うにしたプラズマ処理装置において、 該モニターからの出力データを、そのサンプリング時間
間隔と該出力データが含むノイズの周期との両者を勘案
した所定個数(従って、所定処理区間長)に亙って、1
次の最小2乗近似処理を行ない、かつその処理区間は、
該出力データが新たに追加されるに従って移動させるよ
うにし、かかる処理で得られるデータを改めて基礎デー
タとして用いることによって、該必要な制御を行なうよ
うに構成したことを特徴とするプラズマ処理装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3376987A JPH0773105B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3376987A JPH0773105B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200533A true JPS63200533A (ja) | 1988-08-18 |
| JPH0773105B2 JPH0773105B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=12395655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3376987A Expired - Lifetime JPH0773105B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773105B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330287A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-12-13 | At & T Corp | アクティブ・ニューラル・ネットワークによるプラズマ・エッチング・プロセスの終点の決定 |
| WO2002077589A3 (en) * | 2001-03-23 | 2002-11-14 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares |
| US6596551B1 (en) | 1998-12-01 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Etching end point judging method, etching end point judging device, and insulating film etching method using these methods |
| US6890771B2 (en) | 2001-11-29 | 2005-05-10 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method using spectroscopic processing unit |
| US6903826B2 (en) | 2001-09-06 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for determining endpoint of semiconductor element fabricating process |
| US6961131B2 (en) | 2000-06-20 | 2005-11-01 | Opnext Japan, Inc. | Film thickness measuring method of member to be processed using emission spectroscopy and processing method of the member using the measuring method |
| US6972848B2 (en) | 2003-03-04 | 2005-12-06 | Hitach High-Technologies Corporation | Semiconductor fabricating apparatus with function of determining etching processing state |
| JP2007524963A (ja) * | 2003-06-19 | 2007-08-30 | プラスマ コントロール システムズ エルエルシー | プラズマ生成装置及び方法並びに可変デューティサイクルの高周波駆動回路 |
| US8088247B2 (en) | 2006-02-27 | 2012-01-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
| KR20150010627A (ko) | 2013-07-18 | 2015-01-28 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 운전 방법 |
| US11569135B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-01-31 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method and wavelength selection method used in plasma processing |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP3376987A patent/JPH0773105B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330287A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-12-13 | At & T Corp | アクティブ・ニューラル・ネットワークによるプラズマ・エッチング・プロセスの終点の決定 |
| US6596551B1 (en) | 1998-12-01 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Etching end point judging method, etching end point judging device, and insulating film etching method using these methods |
| US6961131B2 (en) | 2000-06-20 | 2005-11-01 | Opnext Japan, Inc. | Film thickness measuring method of member to be processed using emission spectroscopy and processing method of the member using the measuring method |
| US7411684B2 (en) | 2000-06-20 | 2008-08-12 | Hitachi, Ltd. | Film thickness measuring method of member to be processed using emission spectroscopy and processing method of the member using the measuring method |
| US7230720B2 (en) | 2000-06-20 | 2007-06-12 | Hitachi, Ltd. | Film thickness measuring method of member to be processed using emission spectroscopy and processing method of the member using the measuring method |
| US7297287B2 (en) | 2001-03-23 | 2007-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares |
| WO2002077589A3 (en) * | 2001-03-23 | 2002-11-14 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares |
| US6903826B2 (en) | 2001-09-06 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for determining endpoint of semiconductor element fabricating process |
| US7009715B2 (en) | 2001-09-06 | 2006-03-07 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for determining endpoint of semiconductor element fabricating process and method and apparatus for processing member to be processed |
| US7126697B2 (en) | 2001-09-06 | 2006-10-24 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for determining endpoint of semiconductor element fabricating process |
| US6890771B2 (en) | 2001-11-29 | 2005-05-10 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method using spectroscopic processing unit |
| US7259866B2 (en) | 2003-03-04 | 2007-08-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor fabricating apparatus with function of determining etching processing state |
| US6972848B2 (en) | 2003-03-04 | 2005-12-06 | Hitach High-Technologies Corporation | Semiconductor fabricating apparatus with function of determining etching processing state |
| US8071397B2 (en) | 2003-03-04 | 2011-12-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor fabricating apparatus with function of determining etching processing state |
| JP2007524963A (ja) * | 2003-06-19 | 2007-08-30 | プラスマ コントロール システムズ エルエルシー | プラズマ生成装置及び方法並びに可変デューティサイクルの高周波駆動回路 |
| US8088247B2 (en) | 2006-02-27 | 2012-01-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
| US20120101621A1 (en) * | 2006-02-27 | 2012-04-26 | Tatehito Usui | Plasma Processing Apparatus |
| US8747608B2 (en) | 2006-02-27 | 2014-06-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
| KR20150010627A (ko) | 2013-07-18 | 2015-01-28 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 운전 방법 |
| US9767997B2 (en) | 2013-07-18 | 2017-09-19 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and operational method thereof |
| US11424110B2 (en) | 2013-07-18 | 2022-08-23 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and operational method thereof |
| US11569135B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-01-31 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method and wavelength selection method used in plasma processing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0773105B2 (ja) | 1995-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6297064B1 (en) | End point detecting method for semiconductor plasma processing | |
| JP4833687B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| CN101990704B (zh) | 用于归一化光学发射光谱的方法和装置 | |
| JPS63200533A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2008218898A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH04229620A (ja) | 多チャンネル・プラズマ放電終点検出システム及び方法 | |
| US4383431A (en) | Auto-zero system for pressure transducers | |
| JPS6153728A (ja) | エツチング終点判定方法 | |
| JP2018091836A (ja) | 半導体処理システム内の光信号の校正のためのシステムおよび方法 | |
| KR101656745B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 운전 방법 | |
| TW201438094A (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
| JP6804694B1 (ja) | エッチング処理装置、エッチング処理方法および検出器 | |
| JP5411215B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63244847A (ja) | ドライエッチング終点検出方法 | |
| JP4943716B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR101843443B1 (ko) | 플라즈마 설비 및 그의 관리방법 | |
| CN117173059B (zh) | 用于近红外水分仪的异常点和噪声剔除方法及装置 | |
| CN117434026A (zh) | 分析装置、分析方法及计算机可读的存储介质 | |
| JP4572536B2 (ja) | サンプリング式測定装置 | |
| CN117009740A (zh) | 一种布里渊传感高精度数据解调方法 | |
| JP2005214932A5 (ja) | ||
| CN116625577B (zh) | 一种压力传感器自动校零方法及系统 | |
| JP2569758B2 (ja) | 濁度計の校正方法 | |
| JP2701548B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06124923A (ja) | プラズマアッシング装置におけるレジストアッシング終点検出方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |