JPS63201147A - 液晶性化合物およびそれを含む液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 良亙立１ 本発明は、新規な液晶性化合物およびそれを含有する液
晶組成物に関するもので、更に詳しくは光学活性な２−
メチルペンタノールより誘導されるところの液晶性化合
物およびそれを含有する液晶組成物に関するものである
。

ｌｌ韮ｌ 従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（Ｍ、
５ｃｈａｄｔ　）とダブりニー・ヘルフリッヒ（Ｗ、Ｈ
ｅ１ｆｒｉｃｈ　）著“アプライド・フィジックス・レ
ターズ（“Ａｐｐｌｉｅｄ　ＰｈｙｓＩｃｓ　Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ　”　）第１８％、第４号（Ｉ９７１年２月１５
日発行）、第１２７頁〜１２８頁の“ボルテージ・ディ
ペンダント・オプティカル・アクティビティ−・オブ・
ア・ツィステッド・ネマチック・リキッド・クリスタル
”（Ｖｏｌｔａｇｅ　ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａ
ｌ　　ＡｃｔｉｖＩｔｙ　　ｏｆ　　ａ　　Ｔ＋ｖｉｓ
ｔｅｄ　　ＮｅｍａｔｉｃＬｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａ
ｌ”）に示されたツィステッド・ネマチック（ｔｗｉｓ
ｔｅｄ　ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたものが知られて
いる。このＴＮ液晶は、画素密度を高くしたマトリクス
電極構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生
する問題点があるため、画素数が制限されていた。

また電界応答が遅く視野角特性が悪いためにディスプレ
イとしての用途は限定されていた。

また、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成す
ることが難しい問題点がある。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ１
ａｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇａｒｗａｌｌ）によ
り提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、
米国特許第４３６７９２４号明細書等）、双安定性を有
する液晶としては、一般に、カイラルスメクティックＣ
相（ＳｍＣ”　）またはＨ相（ＳｍＨ”　）を有する強
訊電性液晶が用いられる。

この強誕電性液晶は、自発分極を有するために非常に速
い応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状態
を発現させることができ、さらに視野角特性もすぐれて
いることから大容量大画面のディスプレイ用材料として
の応用が期待されている。

これまで、強読電性を有するカイラルスメクチック液晶
材料としては、ｐ−デシルオキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ）に代表されるシッフ塩基系液晶化合物を含め、いく
つかの化合物が検討されているが、安定性、温度範囲、
スイッチング特性など、実用的には満足できるものとは
言えない。

久ｍ的 本発明は上記の点に鑑みなされたものである。

すなわち、本発明は液晶状態の制御に有用な液晶性化合
物およびこれを含む液晶組成物ならびに該液晶組成物を
使用する液晶素子を提供することを目的とする。

１１立且１ 本発明は、上述の目的を達成するためになされたもので
あり、一般式（Ｉ） す ［ここで、Ｒは炭素数１〜１６のアルキル基またはアル
コキシ基であり、Ｘは一〇−または−ｃｏ−を示す、Ｌ
％ｍは１または２であり、■ ｎは１〜７の整数であり、ＣＩは不斉炭素原子を示す、
］ で表わされる液晶性化合物を提供するものである。

また、本発明は、上記液晶性化合物を少なくともｉ　ｆ
ｆｆｉ類配合成分として含有する液晶組成物ならびに該
液晶組成物を使用する液晶素子をも提供する。

の　　本　・　″ 本発明にしたがい、前記式（Ｉ）で示される液晶性化合
物を製造する方法を説明する。

まず出発原料として、下記一般式（Ｉｆ　）（ここでｎ
は１〜５、Ｃ１は不斉炭素原子を示す、） で表わされる光学活性アルコールを用いる。この式（Ｉ
１）で示される光学活性アルコールは、光学活性な２−
メチルペンタン酸を原料として、下記工程式（Ｉ）およ
び（２）に従フて、あるいは工程式（２）の反応（−Ｃ
Ｈ，−）を繰り返すことによって容易に合成することが
できる。

工程（Ｉ） ＋＋Ｌｔ 工程（２） ！ （工程式中、ｙは１〜５の整数である）（Ｃ）１２）ｙ
ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ 前記一般式（Ｉ１）（すなわち！！−１〜ＩＩ　−３）
に示される光学活性アルコールを用い、次に示す反応工
程式（３）により、一般式（Ｉ）で示される液晶性化合
物を得ることができる。

表１に本発明の一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物の
代表的な例を示す。

表中、相転移温度の欄における記号はそれぞれ以下の相
を示す。

Ｃｒｙｓｔ、　：結晶相、ｃｈ、　：コレステリック相
、Ｉｓｏ　：等労相、　ＳＡ：スメクチックＡ相、Ｓｃ
！：カイラルスメクチックＣ相、 Ｓ３：　ｓＡ、　ｓｃ”以外のスメクチック相（未同定
）。

また、表中絶対配置の欄は、式（Ｉ）における光学活性
体の絶対配置を示しており、（Ｓ）は５ｉｎｉｓｔｅｒ
型、（Ｒ）はＲｅｃｔｕｓ型を表わす。

表１により、一般式（Ｉ）で示される化合物は、Ｒ％１
、ｍ、ｎ％Ｘを選ぶことにより、カイラルスメクチック
Ｃ相の温度領域を低温から高温まで示すことができ、一
般式（Ｉ）の液晶性化合物を！成分として混合させるこ
とにより、液晶組成物の温度範囲、相変化状態を調整す
ることが可能である。

さらに、本発明による式（Ｉ）の液晶性化合物は、これ
まで強誘電性液晶の光学活性基として主に使用されてい
る２−メチルブタノール（通常は、天然のＳ型のみ利用
可）から得られるものと異なり、光学活性体の絶対配置
がＳ型およびＲ型のものを自由に選択できるものである
。これは一般式（Ｉりで表わされる光学活性アルコール
の合成原料である光学活性な２−メチルペンタン酸が、
特願昭６１−６３１１号（昭和６１年里月１７日付け）
の明細書に記載されているように、ラセミ体の２−メチ
ルペンタン酸に光学活性な１−フェニル−２−（ｐ−ト
リル）エチルアミンを作用させ、ジアステレオマー塩で
光学分割する−ことにより、Ｒ型およびＳ型を選択的に
製造可能だからである。このことは、ＳｍＣ”相あるい
はコレステリック相のらせんのねじれ方向が逆となる光
学異性体の両方が自由に得られることを意味し、強誘電
性液晶組成物のＳｍＣ”相あるいはコレステリック相の
らせんピッチを調整するのに有効である。

また、本発明の液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表わされ
る液晶性化合物を少なくとも１種類配合成分として含有
するものである。例えば、この液晶性化合物を下式（Ｉ
）〜（Ｉ４）で示されるような強誘電性液晶と組合わせ
て使用することができる。

このような場合においては、一般式（Ｉ）で示される本
発明の液晶性化合物を、得られる液晶組成物の０．１〜
９９Ｉｉ量％、特に１〜９０重量％となる割合で使用す
ることが好ましい。

背′ −ＣＯＯＣＨｚ　ＣＨＣｔ　Ｈｓ ４．４′−７ゾキシシンナミツクアシツドービス（２−
メチルブチル）エステル４’−（２−フルオロペンチル
オキシ）フェニル−４−オクチルオキシベンゾエート また下式１）〜５）で示されるような、それ自体はカイ
ラルでないスメクチック液晶に配合することにより、強
誘電性液晶として使用可能な組成物が得られる。

この場合、一般式（Ｉ）で示される本発明の液晶性化合
物を、得られる液晶組成物の０．１〜９９重量％、特に
１〜９０重量％で使用することが好ましい。

４．４′−デシルオキシアゾキシベンゼンＣｒｙｓｔ−
４％や迦ｊ−Ｎ−１耳１ｇｏ。

フェニル）ピリミジン Ｃｒｒｓｔ−１？９３ジ、う　５ＩＩｃ　　　４（ジ」
］≧、１　Ｓ−＾　　　　２１Ｂ”ＣＩｓｏ。

２−（４′−オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピ
リミジンＣｒ７ｓｔ、　　　３３二！；、、　　Ｓａｃ
　Ｊど％　　５ＩＡ４　　Ｉｓｏ　。

４′−ペンチルオキシフェニル−４−オクチルオキシベ
ンゾエートＣｒｙｓｔ、　　５８℃　　−一　８４℃　
　−＾　６６℃　　Ｎ　　８５℃　　Ｌｓｏ。

−−一−−り　　　　−−−−−鴨　　　　−ｍ−−り
　　　−一一一−シここで、記号は、それぞれ以下の相
を示す。

Ｃｒｙｓｔ、　　：結晶相、　　　　　　ＳｓＡ　：ス
メクチックＡ相。

５ＩＩＢ：スメクチックＢ相、５ＬＩＣ：スメクチック
Ｃ相、Ｎ　：ネマチック相、　　　　　　Ｉｓｏ、　：
等吉相。

夾ｍ（Ｉ上 υ 下記（Ｉ）　、（２）　、　（３）に示す反応工程によ
り、上記式のＲ（−）　−ｐ−ｎ−デシルオキシ安息香
酸−ｐ’−（２−メチルペンチルオキシ）フェニルエス
テルを製造した。

（Ｉ）　　Ｒ−（＋）　−２−メチルペンタノールの製
造水素化リチウムアルミニウム１．４９ｇ　（３９，２
ｍＭ）を乾燥エーテル１５＋ａｌ中で懸濁し、Ｒ−（−
）−２−メチルペンタン酸（［α］３００−１４．９°
　（Ｃ−１、ＣＨｓ　０Ｈ）４．５２ｇ（３９，０ｍＭ
）を乾燥エーテル５ＩＩｌｌに溶解した溶液を０℃、２
０分間で滴下した０滴下後、３時間加熱還流した。

反応終了後、０℃で蒸留水７１１１１を加えたのち、６
Ｎ硫酸３０１１１を加えて、未反応の水素化リチウムア
ルミニウムを分解した。水層とエーテル層を分液した後
、水層をエーテルで２回抽出し、このエーテル層を１０
％炭酸カリウム水溶液で洗浄した。硫酸ナトリウムを入
れ、−晩乾燥した。ニーチルを留去し、減圧蒸留で精製
しＲ−（＋）−２−メチルペンタノール３．３９ｇ　（
３３，２ｍＭ）を得た。収率８５．１％、沸点９０℃／
１０７ｔｏｒｒ、［ａｌ　”４＋　１０．７”　　（Ｃ
ｍ　１、エーテル）。

（２）　Ｒ−（−）　−ｐ　−（２−メチルペンチルオ
キシ）フェノールの製造。

上記（Ｉ）　で得られたＲ−（＋）−２−メチルペンタ
ノール１．０２ｇ　（Ｉ０，０ｍＭ）と乾燥とリジン２
．３７ｇ　（３０，０ｍＭ）を入れ、０℃下で１０分間
攪拌した。この溶液にＰ−トルエンスルホニルクロリド
２．１１　ｇ　（Ｉ１，０ｍＭ）を加え、そのまま０℃
下で３時間攪拌した後、室温で３時間攪拌した０反応終
了後、２Ｍ塩酸を加え、塩化メチレンで２回抽出した。

この抽出液を蒸留水で１回洗浄し、この蒸留水を塩化メ
チレンで３回抽出した。これを先に抽出した塩化メチレ
ン溶液に加え、無水硫酸ナトリウムを加えて１晩乾燥し
た。塩化メチレンを留去し、（−）−２−メチルペンチ
ルｐ−トルエンスルホン酸エステル２．４０ｇ　（９，
３８ｍＭ）を得た０収率９３゜８％、［α］　２＠、２
．−２．　２７°　（Ｃ＝１、ＣＨ。

Ｃ１，）。

上記で得た（−）−２−メチルペンチルｐ−トルエンス
ルホン酸エステル２．３０ｇ　（８，９８ｍＭ）とハイ
ドロキノン１．９８ｇ　（Ｉ８，０ｍＭ）に１−ブタノ
ール３＋ｎｌを加えよく攪拌した、この溶液に、あらか
じめ水酸化ナトリウムＱ、５５ｇ　（Ｉ３，８ｍＭ）を
１−ブタノール７■１に溶解させておいた溶液を加え、
６時間加熱還流した０反応終了後、蒸留水を加えエーテ
ルで２回抽出した。この抽出液を蒸留水で１回洗浄し、
この蒸留水をエーテルで１回抽出した。これを先に抽出
したエーテル溶液に加え、無水硫酸ナトリウムを加えて
１晩乾燥した。エーテルを留去し、塩化メチレンを加え
てろ通した。このろ液の溶媒を留去し、塩化メチレンを
展開液としてＴＬＣ（分取薄層クロマトグラフィー）に
より分離し、塩化メチレン：メタノール冨４：１の溶媒
で溶出させＲ−（−）　−ｐ−（２−メチルペンチルオ
キシフェノール０．７８ｇ　（４，０２ｍＭ）を得た。

収率４４．８％、［α］２７・２−４．３３゜（Ｃ＝１
、ＣＨｚＣｌ、）− （：ｌ）　Ｒ−（−）　−ｐ−ｎ−デシルオキシ安息香
酸−ｐ’−（２−メチルペンチルオキシ）フェニルエス
テルの製造。

す ｐ−ｎ−デシルオキシ安息香酸０．９６ｇ（３，４５ｍ
Ｍ）を塩化チオニルフ■ｌと主に、１時間加熱還流した
後、未反応の塩化チオニルを留去して、酸塩化物を得た
。

次にトリエチレンジアミン０．７８ｇ　（６，９６ｍＭ
）を乾燥ベンゼン７１に溶かし、水酸化カリウムを加え
約２時間乾燥させた。この溶液と、上記（２）で得たＲ
　−（−）　−ｐ−（２−メチルペンチルオキシ）フェ
ノール０．６７ｇ　（３，４５ｍＭ）を上記の酸塩化物
中に攪拌下加え、滴下終了後５０℃で１時間加熱した。

これに、６０％水素化ナトリウム０．１４ｇ　（３，５
０ｍＭ）を乾燥ベンゼンで洗ったものを加え、２時間加
熱還流した。

反応終了後、１Ｍ塩酸を加え、ベンゼンで抽出した。こ
のベンゼン溶液に無水硫酸ナトリウムを入れ、１晩乾燥
させた。

ベンゼンを留去し、ベンゼンを展開液として、ＴＬＣで
分離させ、ベンゼンで溶出させＲ−（−）−ｐ−デシル
オキシ安息香酸−ｐ’−（２−メチルペンチルオキシ）
フェニルエステル０．９６ｇ　（２，１１ｍＭ）を得た
。

これをペンタン２ｍｌで再結晶し、ざらにろ液も上記同
様ＴＬＣで分離後、再結晶し、これらを合わせて最終目
的物である（−）−ｐ−デシルオキシ安息香酸−ｐ’−
（２−メチルペンチルオキシ）フェニルエステルｏ、８
７ｇ　（ｔ、　９ｚｍＭ）を得た。収率５５．７％、［
α］２６・’−３，４９゜（Ｃ！１、ＣＨ，ｃｔ２）、
［α］２７・’−５，８４３り ７°　（Ｃ−１、ＣＨｔ　Ｃ１ｚ　）。

下記（Ｉ）　、（２）に示す反応工程により、上記式Ｓ
−（＋）−ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸−ｐ’−（
２−メチルペンチルオキシ）フェニルエステルを製造し
た。

（Ｉ）　Ｓ　−（＋）　−ｐ　−（２−メチルペンチル
オキシフェノール Ｓ−（−）　−２−メチル−ペンタノール１．５３ｇ　
　（Ｉ５，０ｍＭ）（［ａ］　”−９，８゜（ｎｅａｔ
））に乾燥ピリジン３．５４ｇ　（４５，０ｍＭ）を加
え、０℃で１０分間攪拌した。この溶液にＰ−トルエン
スルホニルクロリド３．１５ｇ（Ｉ６，５ｍＭ）を少し
ずつ加え、加え終つた後５〜１０℃で２時間攪拌し、さ
らに２０℃で１時間攪拌した０反応液に２Ｍ−塩酸１２
ｍ１を加え、塩化メチレンで３回抽出した。有機層を水
８ｍｌで洗浄し、この水層を塩化メチレン５ｍｌで２回
抽出した。塩化メチレン層を前記有機層と合わせ、無水
硫酸マグネシウムで乾燥し、塩化メチレンを減圧留去し
てＳ−（＋）−２−メチルベンチルーｐ−トルエンスル
ホン酸エステル３．０８ｇ　（Ｉ２，０ｍＭ）を得た゛
、収率８０．２％、［ａｌ”＋カ １．９’　　（Ｃ−２，０％ＣＨ２Ｃｌ２）。

上記で得たｓ−（＋）−２−メチルベンチルーｐ−トル
エンスルホン酸エステル３．０８ｇ　（Ｉ２，０ｍＭ）
と、ハイドロキノン２．６４ｇ　（２４，０ｍＭ）に１
−ブタノール３．７１を加え、よく攪拌した。この溶液
に、あらかじめ水酸化ナトリウム０．７２ｇ　（Ｉ８，
０ｍＭ）を１−ブタノール１５ｍ１に溶解させた溶液を
加え、６時間加熱還流した０反応液を室温まで冷却した
後、水２５■ｌを加え、エーテルで３回抽出した。有機
層を水２０＋１で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。エーテルを減圧留去し、塩化メチレン５ｍｌ
を加え、不溶固体を炉通し、塩化メチレンを減圧留去し
て粗生成物２．３０ｇを得た。これをＴＬＣで分離し、
Ｓ　−（＋）　−ｐ　−（２−メチルペンチルオキシ）
フェノール１．２４ｇ　（６，３ｍＭ）を得た。収率５
３，２％、［ａｌ”＋５゜１’　　（Ｃ＝２．１、ＣＨ
２Ｃ１２）　−（２）　　Ｓ−（＋）　−ｐ−ｎ−オク
チルオキシ安息香酸−ｐ−（２−メチルペンチルオキシ
）フェニルエステルの製造。

０Ｃ１２ ｎ−Ｃａ）（４００Ｈ−−→ｎ　ＣａＨ＋ｔＯ（ＦＯＣ
Ｉｐ−オクチルオキシ安息香酸５００ｍｇ（２，０ｍＭ
）と塩化チオニル４ｍｌを１時間加熱還流した後、過剰
の塩化チオニルを減圧下で留去した。生成した酸塩化物
の中にトリエチレンジアミン４４８Ｂ（４，０ｍＭ）　
　　と　　（＋）　　−ｐ−（２−メチルペンチルオキ
シ）フェノール４６６膳ｇ（２゜４ｍＭ）を乾燥ベンゼ
ン４ｍｌに溶解したものを加え、５０℃で１時間加温攪
拌した６反応液を室温まで冷却した後、水素化ナトリウ
ム５８−ｇ（２゜４ｍＭ）を乾燥ベンゼン１＋＊ｌに懸
濁したものを加え、５０℃で３０分加温攪拌した後に２
時間加熱還流した０反応液を室温まで冷却し、ＩＭ−塩
酸５．０■ｌを滴下し、続いて水５．０■１を加えた。

有機層を分離し、水層をベンゼンで抽出した０次いでベ
ンゼン層を前記有機層と合わせ、ＩＭ−炭酸ナトリウム
水溶液で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
ベンゼンを留去して粗生成物０．８４ｇを得た。これを
ＴＬＣで精製して（＋）−ｐ−オクチルオキシ安息香酸
−ｐ−（２−メチルペンチルオキシ）フェニルエステル
０゜５４ｇ　（Ｉ，２７ｍＭ）を得た。さらにこれをヘ
キサンで洗浄し、Ｓ−（＋）−ｐ−オクチルオキシ安息
香酸−ｐ’−（２−メチルペンチルオキシ）フェニルエ
ステル０．３４ｇ　（０，８０ｍＭ）を得た。収率４０
．０％、［α］２０＋３．９°　（Ｃ＝　２、　ＣＨ２
Ｃ１２）− リ 下記（Ｉ）　、　（２）　、　（３）に示す反応工程に
より、上記式のＲ−（−）−ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安
息香酸−ｐ’−（４−メチルへブチルオキシ）フェニル
エステルを製造した。

（Ｉ）　　Ｒ（＋）　−４−メチルヘプタツールの製造
Ｒ−（＋）−２−メチルペンタノール２．５６ｇ　（２
５，１ｍＭ）を乾燥ピリジン５．９５ｇ（７５，３ｍＭ
）と共に、０℃で１０分間攪拌した後、Ｐ−トルエンス
ルホニルクロリド５．２８ｇ　（２７，６ｍＭ）を滴下
した。０℃で３時間攪拌した後、室温で３時間攪拌した
。

反応終了後、２Ｎ塩酸を加え、塩化メチレンで２回抽出
した。

この塩化メチレン層を蒸留水で１回洗浄し、この蒸留水
を塩化メチレンで３回抽出し、先に抽出した塩化メチレ
ン溶液に加えた。硫酸ナトリウムを入れて一晩乾燥した
。塩化メチレンを留去し、Ｐ−１−ルエンスルホン酸−
２−メチルペンチル６．０３ｇ　（２３，６ｍＭ）を得
た。収率９３゜８％、［α］　２７．２−２．２６°　
（Ｃ＝１、ＣＨ。

ｃ　１２　）　− 次に、蒸留したエタノール１１．２１１１（Ｉ９５ｍＭ
）中に金属ナトリウム０．６０ｇ　（２６，１ｍＭ）を
加え、適度に加熱して金属ナトリウムを溶解した。これ
に、マロン酸ジエチル４．８３ｇ（３０，２＋ｗｌ）を
滴下し、続いて上記で得たｐ　−トルエンスルホン酸−
２−メチルペンチル５．９３ｇ　（２３，２ｍＭ）を滴
下し、９０℃で２４４時間加熱還流た０反応終了後、エ
タノールを留去し、エーテルで３回抽出した。エーテル
を留去し、２−メチルペンチルマロン酸ジエチルエステ
ルを得た。

水酸化カリウム４．２０ｇ　（７５，０ｍＭ）を、蒸留
水２．１１、メタノール２．１■ｌに溶解し、先に調製
した、２−メチルペンチルマロン酸ジエチルエステルを
滴下し、滴下後６時間加熱還流した。

反応終了後、蒸留水６ｍｌを加え、メタノールを留去し
、６Ｎ＠酸１０１を加えて、１２０℃で６時間加熱した
。

反応終了後、水層と有機層を分液した後、有機層に４Ｎ
ＮａＯＨを加えてアルカリ性にし、エーテルで１回洗浄
した。この水層に、濃塩酸を加えて酸性にし、エーテル
で３回抽出した。硫酸ナトリウムを入れて一晩乾燥した
。エーテルを留去し、減圧蒸留で精製し、Ｒ−（−）−
４−メチルヘプタン酸１．５７ｇ　（Ｉ０，９ｍＭ）を
得た。収率４７．０％、沸点８５℃／　３　ｔｏｒｒ。

［ａｌ”・’−ｏ、９７°　（Ｃ−１、ＭｅＯＨ）。

水素化リチウムアルミニウム０．３９ｇ　（Ｉ０，３ｍ
Ｍ）を乾燥エーテル５ｍｌ中で懸濁し、Ｒ−（−）−４
−メチルへブタン酸１．４７ｇ　（Ｉ０，２ｍＭ）を乾
燥エーテル２ｍｌに溶解した溶液を０℃、約１５分間で
滴下した０滴下後、３時間加熱還流した。

反応終了後、０℃で蒸留水２ｇ＋１を加えたのち、６Ｎ
硫酸１０ｍ１を加えて未反応の水素化リチウムを分解し
た。水層とエーテル層を分液した後、水層をエーテルで
２回抽出し、このエーテル層を１０％炭酸カリウム水溶
液で洗浄した。硫酸ナトリウムを入れ、−晩乾燥した。

エーテルを留去し、減圧蒸留で精製し、Ｒ−（＋）　−
４−メチルヘプタツール０．９９ｇ　（７，６２ｍＭ）
を得た。収率７４．７％、沸点９５℃／　７５　ｔｏｒ
ｒ。

［α］３２・０±０°　（Ｃ＝０．５、Ｅｔ、Ｏ）。

（２）Ｒ−（−）−ｐ−（４−メチルへブチルオキシ）
フェノールの製造 Ｒ−４−メチルヘプタツール０．６５ｇ　（５゜０ｍＭ
）（［Ｑ］　”＋０．４９″″（ｎｅａｔ））に乾燥ピ
リジン１．１８８　（ｔ！５．０ｍＭ）を加え、０℃で
１０分間攪拌した。この溶液にｐ−トルエンスルホニル
クロリド１．０５ｇ　（５，５ｍＭ）を少しずつ加え、
加え終わった後５〜１０℃で２時間攪拌し、さらに２５
℃で１時間攪拌した０反応液に２Ｍ−塩酸４ｍｌを加え
、塩化メチレンで３回抽出した。有機層を水５■ｌで洗
浄し、この水層を塩化メチレンで２回抽出した。塩化メ
チレン層を前記有機層と合わせ、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、塩化メチレンを減圧留去して（−）−４−メ
チルへブチル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル１．４
２ｇ　（５，０ｍＭ）を得た。収率１００％、［α１２
２−１．ｇ°　（Ｃ＝２、ＣＨ２Ｃｌ。

）。

得られた（−）−４−メチルへブチル−ｐ−トルエンス
ルホン酸エステル１．４２ｇ　（５，０ｍＭ）とハイド
ロキノン１．１０ｇ　（Ｉ０，０ｍＭ）に１−ブタノー
ル１．５ｍｌを加え、よく攪拌した。この溶液にあらか
じめ水酸化ナトリウム０．３ｇ　（７，５ｍＭ）を１−
ブタノール６ｍｌに溶解させた溶液を加え、６時間加熱
還流した０反応液を室温まで冷却した後、水１０１を加
え、エーテルで３回抽出した。有機層を水１０＋ａｌで
洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテ
ルを減圧留去し、塩化メチレン５ｍｌを加え、不溶固体
を炉通し、塩化メチレンを減圧留去して粗生成物１．２
９ｇを得た。これをＴＬＣで分離しく−）”ｐ−（４−
メチルへブチルオキシ）フェノール０．６４ｇ　（２，
８８ｍＭ）を得た。収率５７．６％、［α］　’、２−
１．ｇ°　（Ｃ−２，０、ＣＨ＊　　Ｃ１ｉ　　）− （３）　　Ｒ−（−）　−ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息
香酸−ｐ’−（４−メチルへブチルオキシ）フェニルエ
ステルの製造。

υ ｐ−ドデシルオキシ安息香酸０．７４ｇ　（２゜４ｍＭ
）と、塩化チオニル４．８ｍｌを１時間加熱還流した後
、過剰の塩化チオニルを減圧下で留去した。生成した酸
塩化物の中にトリエチレンジアミン０．５４ｇ　（４，
８ｍＭ）と（−）−ｐ−（４−メチルへブチルオキシ）
フェノール０．８４ｇ　（２，９ｍＭ）を乾燥ベンゼン
１１に溶解したものを加え、５０１１：１時間加温攪拌
した０反応液を室温まで冷却した後、水素化ナトリウム
７０１ｇ（２，９ｍＭ）を乾燥ベンゼン１ｍｌに懸濁し
たものを加え、５０℃で３０分加温攪拌した後に２時間
加熱還流した０反応液を室温まで冷却し、ＩＭ−塩酸６
ｍｌを滴下し、続いて水６１を加えた。

有機層を分離し、水層をベンゼンで抽出した１次いでベ
ンゼン層を前記有機層と合わせ、ＩＭ−炭酸ナトリウム
水溶液で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
ベンゼンを留去して粗生成物１．２９ｇを得た。これを
シリカゲルカラムにより分離精製してＲ−（−）−ｐ−
ドデシルオキシ安息香酸−ｐ−（４−メチルへブチルオ
キシ）フェニルエステル０．９８ｇ　（Ｉ，９ｍＭ）を
得た。さらにこれをイソプロピルエーテル１１より再結
晶して精製物０．７２ｇ　（Ｉ，４１ｍＭ）を得た。収
率５８．７％、［α］♂−０，９°　（Ｃ！２、ＣＨ２
Ｃ１ｘ　）　− 下記（Ｉ）　、　（２）に示す反応工程により、上記式
ノｓ　−（＋）　−ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸−
Ｐ’−（４−メチルへブチルオキシ）フェニルエステル
を製造した。

（Ｉ）ｓ−（＋）−’ｐ−（４−メチルへブチルオキシ
）フェノールの製造。

Ｓ−（−）−４−メチルヘプタツール０．８２ｇ　（６
，３１ｍＭ）　　（［ａｌ　２６’±０１　（Ｃ−１、
Ｅｔ、Ｏ））と乾燥ピリジン１．５０ｇ（Ｉ９，０ｍＭ
）を入れ、０℃下で１０分間攪拌した。この溶液に、ｐ
−トルエンスルホニルクロリド１．３３ｇ　（６，９６
ｍＭ）を加え、そのまま０℃下で３時間攪拌した後、室
温で３時間攪拌した０反応終了後、２Ｍ塩酸を加え、塩
化メチレンで２回抽出した。この抽出液を蒸留水で１回
洗浄し、この蒸留水を塩化メチレンで３回抽出した。こ
れを先に抽出した塩化メチレン溶液に加え、無水硫酸ナ
トリウムを加えて１晩乾燥した。

塩化メチレンを留去し、（＋）−４−メチルヘプチルＰ
−トルエンスルホン酸エステル１．３２ｇ　（４，６５
ｍＭ）を得た。収率７３．７％。

［α］２６・’＋１．４７’″　（Ｃ諺１、ＣＨ２Ｃ１
２）。

（＋）−４−メチルへブチルＰ−トルエンスルホン酸エ
ステル１．２２ｇ　（４，３０ｍＭ）とハイドロキノン
０．９５ｇ　（８，６４ｍＭ）に、１−ブタノール１．
５ｍｌを加え、よ（攪拌した。この溶液に、あらかじめ
水酸化ナトリウム０．２７ｇ　（６，７５ｍＭ）を１−
ブタノール６ｍｌに溶解した溶液を加え、６時間加熱還
流した０反応終了後、蒸留水を加えエーテルで２回抽出
した。この抽出液を蒸留水で１回洗浄し、この蒸留水を
エーテルで１回抽出した。これを先に抽出したエーテル
溶液に加え、無水硫酸ナトリウムを加えて１晩乾燥した
。エーテルを留去し、塩化メチレンを加えて濾過した。

このψ液の溶媒を留去し、塩化メチレンを展開液として
ＴＬＣで分離し、塩化メチレン：メタノール−４：１の
溶媒で溶出させ、Ｓ−（＋）　−ｐ−（４−メチルへブ
チルオキシ）フェノール０．５３ｇ　（２，３９ｍＭ）
を得た。

収率５５．６％、［α］　”６＋１．９０’　　（Ｃ−
１、ＣＨ２ａｔ２）。

（２）Ｓ−（＋）−ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸−
ｐ’−（４−メチルへブチルオキシ）フェニルエステル
の製造。

ｐ−オクチルオキシ安息香酸ｏ、４９ｇ　（Ｉ゜９６ｍ
Ｍ）を塩化チオニル３．５ｍｌと共に１時間加熱還流し
た後、未反応の塩化チオニル、を留去して酸塩化物を得
た。

次に、トリエチレンジアミン０．４４ｇ　（３゜ｔａ　
３ｍＭ）を乾燥ベンゼン３．５ｍｌに溶かし、水酸化カ
リウムを加え、約２時間乾燥させた。この溶液と、Ｓ　
−（＋）　−ｐ　−（４−メチルへブチルオキシ）フェ
ノール０．４３ｇ　（Ｉ，９４ｍＭ）を、上記の酸塩化
物中に攪拌下で滴下し、滴下終了後５０℃で１時間加熱
した。これに６０％水素化ナトリウム０．０８ｇ　（２
，ＯＯｍＭ）を乾燥ベンゼンで洗ったものを加え、２時
間加熱還流した。

反応終了後、１Ｍ塩酸を加え、ベンゼンで抽出した。こ
のベンゼン溶液に無水硫酸ナトリウムを入れ、１晩乾燥
させた。

ベンゼンを留去し、ベンゼンを展開液としてＴＬＣで分
離し、ベンゼンで溶出させ（＋）　−ｐ−オクチルオキ
シ安息香酸−ｐ’−（４−メチルへブチルオキシ）フェ
ニルエステル０．６１ｇ（Ｉ，３４ｍＭ）を得た。収率
６８．４％。

［α］２１・’＋０．６９°　（Ｃ詭　１、　ｃ　Ｈ，
ｃｔ。

）、　［ａ］　　””＋２．　３７　°　（Ｃ−１、Ｃ
ＨｔＪＳ Ｃ１ｉ　　）− これをペンタン２１で再結晶し、さらにｐ液も上記間１
ＴＬＣで分離後、再結晶し、これらを合わせて最終目的
物であるＳ−（＋）−ｐ−オクチルオキシ安息香酸−ｐ
−（４−メチルへブチルオキシ）フェニルエステル０．
４０ｇ　（０，８８ｍＭ）を得た。収率４５．４％　［
ａ　］　３２−４　＋□、７１′″　（Ｃ鱈１％ＣＨ，
ＣＩ、）、［α］２＠・６＋３．０３°　（Ｃ！１、Ｃ
Ｈ２Ｃ１２）−ＩＬＩ≧ユニ 実施例１〜４で用いたｐ−アルコキシ安息香酸、ｐ−置
換フェノールに代えて、それぞれ前記表１に示す、Ｒ１
２を与えるカルボン酸、ｍ１ｎ、Ｘを与えるカルボン酸
、ｍ、ｎ％Ｘを与えるｐ−置換フェノールを用いた以外
は、実施例１〜４と同様にして、それぞれ前記表１に示
すような本発明の液晶性化合物を得た。

生成物の比旋光度および相転移温度特性データを、併せ
て前記表１に示す。

去ｉｆｌユ」１ 実施例１で製造した液晶性化合物［Ｒ−（−）−ｐ−ｎ
−デシルオキシ安息香酸−ｐ−（２−メチルペンチルオ
キシ）フェニルエステル］を配合成分とする下記液晶組
成物を調製した。

得られた液晶組成物は冷却過程で４０℃から２２℃まで
ＳｍＣ”相を示した。

叉１」１Ｌユ 電極としてＩ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｌｎ　０ｘｉ
ｄｅ）Ｉｌｉを覆うポリイミド被膜にラビング処理を施
した一対の電極基板間に、上記実施例１１で調製した液
晶組成物を挟持し、液晶層厚を２μｍとした液晶素子を
作成したところ、均一なモノドメインのＳｍＣ宜相が得
られた。３０℃にて駆動電圧±１５ｖ１パルス巾３００
μｓｅｃで駆動したところ、コントラスト１５で良好な
スイッチング状態が得られた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［ここで、Ｒは炭素数１〜１６のアルキル基またはアル
   コキシ基であり、Ｘは−Ｏ−または▲数式、化学式、表
   等があります▼を示す。ｌ、ｍは１または２であり、ｎ
   は１〜７の整数であり、Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す。 ］ で表わされる液晶性化合物。 ２、特許請求の範囲第１項記載の（ I ）式において、
   光学活性体の絶対配置がＲ型であることを特徴とする液
   晶性化合物。 ３、特許請求の範囲第１項記載の（ I ）式において、
   光学活性体の絶対配置がＳ型であることを特徴とする液
   晶性化合物。 ４、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［ここで、Ｒは炭素数１〜１６のアルキル基またはアル
   コキシ基であり、Ｘは−Ｏ−または▲数式、化学式、表
   等があります▼を示す。ｌ、ｍは１または２であり、ｎ
   は１〜７の整数であり、Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す。 ］ で表わされる液晶性化合物を少なくとも１種類含有する
   ことを特徴とする液晶組成物。 ５、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［ここで、Ｒは炭素数１〜１６のアルキル基またはアル
   コキシ基であり、Ｘは−Ｏ−または▲数式、化学式、表
   等があります▼を示す。ｌ、ｍは１または２であり、ｎ
   は１〜７の整数であり、Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す。 ］ で表わされる液晶性化合物を少なくとも１種類含有する
   液晶組成物を使用することを特徴とする液晶素子。