JPS63204645A - 受光素子およびこの受光素子を内蔵した光電子装置 - Google Patents
受光素子およびこの受光素子を内蔵した光電子装置Info
- Publication number
- JPS63204645A JPS63204645A JP62035535A JP3553587A JPS63204645A JP S63204645 A JPS63204645 A JP S63204645A JP 62035535 A JP62035535 A JP 62035535A JP 3553587 A JP3553587 A JP 3553587A JP S63204645 A JPS63204645 A JP S63204645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- receiving
- light receiving
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は受光素子、特に受光面積の広い受光素子および
この受光素子を組み込んだ光電子装置に関する。
この受光素子を組み込んだ光電子装置に関する。
光通信用半纏体レーザ装置において、発光されるレーザ
光の光出力を検出するデテクタとして、一般に受光素子
が使用されている。たとえば、工業調査会発行「電子材
料Ｊ １９７９年１２月号、昭和５４年１２月１日発行
、Ｐ３５〜Ｐ３９には、ｍ−ｖ族化合物半導体材料で構
成された受光素子について記載されている。また、同文
献には、波長１．０μｍ〜１．６μｍ帯の光を受光する
ものとして、Ｇｅ受光素子があるが、Ｇｅ受光素子は暗
電流が大きく、Ｓｉ受光素子に比較してアバランシェホ
トダイオードの増倍雑音特性が劣る旨記載されている。
光の光出力を検出するデテクタとして、一般に受光素子
が使用されている。たとえば、工業調査会発行「電子材
料Ｊ １９７９年１２月号、昭和５４年１２月１日発行
、Ｐ３５〜Ｐ３９には、ｍ−ｖ族化合物半導体材料で構
成された受光素子について記載されている。また、同文
献には、波長１．０μｍ〜１．６μｍ帯の光を受光する
ものとして、Ｇｅ受光素子があるが、Ｇｅ受光素子は暗
電流が大きく、Ｓｉ受光素子に比較してアバランシェホ
トダイオードの増倍雑音特性が劣る旨記載されている。
また、この文献には、Ｉ ｎＧａＡｓＰ系の受光素子の
暗電流は、バイアス電圧−２ｏｖｆ約３Ｘ１０−’Ａ／
ｃｍ”であり、Ｇｅ−ＡＰＤの暗電流約Ｉ Ｘｌ ０−
’Ａ／ ｃｍ”と比ヘテ１桁以上小さい旨記載されてい
る。
暗電流は、バイアス電圧−２ｏｖｆ約３Ｘ１０−’Ａ／
ｃｍ”であり、Ｇｅ−ＡＰＤの暗電流約Ｉ Ｘｌ ０−
’Ａ／ ｃｍ”と比ヘテ１桁以上小さい旨記載されてい
る。
上述のように、長波長帯受光素子としては、Ｇｅ受光素
子が使用されている。また、Ｇｅ受光素子は、結晶がＧ
ｅのみによる単結晶であることから、結晶欠陥も少なく
、受光面積を大きくできる特長もある。たとえば、Ｇｅ
受光素子にあっては、受光領域（面積）の直径が２〜３
ｍｍにも及ぶ受光素子の量産化も可能である。
子が使用されている。また、Ｇｅ受光素子は、結晶がＧ
ｅのみによる単結晶であることから、結晶欠陥も少なく
、受光面積を大きくできる特長もある。たとえば、Ｇｅ
受光素子にあっては、受光領域（面積）の直径が２〜３
ｍｍにも及ぶ受光素子の量産化も可能である。
これに対して、ｍ−ｖ族化合物半導体を用いた受光素子
、たとえば、ＩｎＧａＡｓＰ系の受光素子の場合は、受
光面積の直径が１ｍｍ程度のものしか量産化できない。
、たとえば、ＩｎＧａＡｓＰ系の受光素子の場合は、受
光面積の直径が１ｍｍ程度のものしか量産化できない。
これは、ＩｎＧａＡｓＰ系の受光素子が数種類の元素を
組み合わせた化合物半導体によるものであり、前記Ｇｅ
受光素子の単一材料を用いた場合の結晶、すなわち、単
結晶に比較して、結晶欠陥が発生し易いことによる。結
晶欠陥が発生し易い材料による受光面積の大きい受光素
子の製造は、歩留り等生産コストを考慮した場合、量産
化は困難となる。
組み合わせた化合物半導体によるものであり、前記Ｇｅ
受光素子の単一材料を用いた場合の結晶、すなわち、単
結晶に比較して、結晶欠陥が発生し易いことによる。結
晶欠陥が発生し易い材料による受光面積の大きい受光素
子の製造は、歩留り等生産コストを考慮した場合、量産
化は困難となる。
本発明の目的は、受光面積の増大を達成できる受光素子
および受光装置を提供することにある。
および受光装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、暗電流の少ないＩ ｎＧａＡｓＰ
受光素子の受光面積の増大を達成することにある。
受光素子の受光面積の増大を達成することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明の受光素子は、ＩｎＧａＡｓＰ系の材
料によって構成されているとともに、その主面に相互に
近接して電気的に独立した複数の受光領域を有する構造
となっている。また、この受光素子は、パッケージに組
み込まれた際、各受光領域の一方の電極は相互に独立し
たリードに電気的に接続されている。
料によって構成されているとともに、その主面に相互に
近接して電気的に独立した複数の受光領域を有する構造
となっている。また、この受光素子は、パッケージに組
み込まれた際、各受光領域の一方の電極は相互に独立し
たリードに電気的に接続されている。
上記した手段によれば、本発明の受光素子は、複数の独
立した受光領域を有することから、各受光領域を光検出
に用いれば、全体の受光面積は増大するため、受光面積
の広い受光素子となる。また、この受光素子は、受光領
域が相互に独立していることから、単結晶に比較して結
晶欠陥が生じ易い化合物半導体結晶を用いて製造した場
合、結晶欠陥が発生しても、これら結晶欠陥が受光領域
等アクティブ領域から外れる率も高いこと、各受光領域
は小面積である故に熱歪等で劣化し難いこと等によって
、歩留りの向上が達成できる。さらに、この受光素子は
ＩｎＧａＡｓＰ系によって向上されていることから、Ｇ
ｅ受光素子に比較して暗電流の発生が低く、雑音特性の
高い受光素子となる。
立した受光領域を有することから、各受光領域を光検出
に用いれば、全体の受光面積は増大するため、受光面積
の広い受光素子となる。また、この受光素子は、受光領
域が相互に独立していることから、単結晶に比較して結
晶欠陥が生じ易い化合物半導体結晶を用いて製造した場
合、結晶欠陥が発生しても、これら結晶欠陥が受光領域
等アクティブ領域から外れる率も高いこと、各受光領域
は小面積である故に熱歪等で劣化し難いこと等によって
、歩留りの向上が達成できる。さらに、この受光素子は
ＩｎＧａＡｓＰ系によって向上されていることから、Ｇ
ｅ受光素子に比較して暗電流の発生が低く、雑音特性の
高い受光素子となる。
第１図は本発明の一実施例による受光素子を示す模式的
平面図、第２図は同じく受光素子を組み込んだ光電子装
置の要部を示す断面図である゛。
平面図、第２図は同じく受光素子を組み込んだ光電子装
置の要部を示す断面図である゛。
この実施例の受光素子は、第１図の模式図で示されるよ
うな構造となっている。すなわち、第１図は本発明に係
わる受光素子１の図である。すなわち、受光素子１はＩ
ｎＧａＡｓＰ系の材料によって構成されているとともに
、矩形状となっている。その主面には、それぞれハツチ
ングで示されるように、複数の受光領域２が配設されて
いる。
うな構造となっている。すなわち、第１図は本発明に係
わる受光素子１の図である。すなわち、受光素子１はＩ
ｎＧａＡｓＰ系の材料によって構成されているとともに
、矩形状となっている。その主面には、それぞれハツチ
ングで示されるように、複数の受光領域２が配設されて
いる。
これら受光領域２は、円を１２等分した略扇状の形状と
なっている。また、各受光領域２の周縁にはそれぞれ電
気的に独立した電極（上部電極）３が設けられている。
なっている。また、各受光領域２の周縁にはそれぞれ電
気的に独立した電極（上部電極）３が設けられている。
これら上部電極３は受光領域２の外側に迄延在し、ワイ
ヤを接続するに充分な広さのポンディングパッド４を構
成している。また、隣接する受光領域２は区割線５で示
されるように、電気的に絶縁されている。また、受光素
子１の裏面には各受光領域２の共通の電極となる共通電
極が設けられている。この受光素子１は、後述するよう
に、パッケージに内蔵される場合は、前記共通電極面を
介してパンケージのステム等に固定される。
ヤを接続するに充分な広さのポンディングパッド４を構
成している。また、隣接する受光領域２は区割線５で示
されるように、電気的に絶縁されている。また、受光素
子１の裏面には各受光領域２の共通の電極となる共通電
極が設けられている。この受光素子１は、後述するよう
に、パッケージに内蔵される場合は、前記共通電極面を
介してパンケージのステム等に固定される。
このような受光素子１は、複数の受光領域２を相互に近
接して主面に有しているため、各受光領域２全体を一群
の受光面として使用することができる。したがって、Ｇ
ｅに比較して結晶欠陥が生じ易いＩｎＧａＡｓＰの場合
でも、総体的に受光面積の増大を図ることができる。こ
の結果、暗電流が発生し難いＩｎＧａＡｓＰによって受
光素子を構成することができるため、雑音特性が優れた
受光面積を得ることができる。さらに、この受光素子は
、主面に設ける受光領域２は面積が小さいことから、そ
の製造時に熱を受けても歪等の劣化が生じ難い。すなわ
ち、受光領域２の面積が大きくなる程、拡散等の熱によ
って受光領域の劣化が生じ易い。したがって、受光面積
の小さい本発明による受光領域２は熱による劣化が生じ
難い。また、前記受光領域２は小面積で、各受光領域２
間には、結晶欠陥が存在しても特性に影響を受けない領
域が存在していることから、受光素子１の製造時結晶欠
陥が生じても、結晶欠陥が前記受光領域２のようなアク
ティブ領域を外れる率も高く、上記の熱による劣化も少
ないことと相俟って、製造歩留りが向上する。
接して主面に有しているため、各受光領域２全体を一群
の受光面として使用することができる。したがって、Ｇ
ｅに比較して結晶欠陥が生じ易いＩｎＧａＡｓＰの場合
でも、総体的に受光面積の増大を図ることができる。こ
の結果、暗電流が発生し難いＩｎＧａＡｓＰによって受
光素子を構成することができるため、雑音特性が優れた
受光面積を得ることができる。さらに、この受光素子は
、主面に設ける受光領域２は面積が小さいことから、そ
の製造時に熱を受けても歪等の劣化が生じ難い。すなわ
ち、受光領域２の面積が大きくなる程、拡散等の熱によ
って受光領域の劣化が生じ易い。したがって、受光面積
の小さい本発明による受光領域２は熱による劣化が生じ
難い。また、前記受光領域２は小面積で、各受光領域２
間には、結晶欠陥が存在しても特性に影響を受けない領
域が存在していることから、受光素子１の製造時結晶欠
陥が生じても、結晶欠陥が前記受光領域２のようなアク
ティブ領域を外れる率も高く、上記の熱による劣化も少
ないことと相俟って、製造歩留りが向上する。
つぎに、第２図を参照しながら、受光素子ｌの構造およ
び受光素子１を組み込んだ光電子装置について説明する
。
び受光素子１を組み込んだ光電子装置について説明する
。
この実施例では、単に光、たとえば、１．０〜１．６μ
ｍ帯の長波長光を検出する構造の光電子装置の例につい
て説明する。
ｍ帯の長波長光を検出する構造の光電子装置の例につい
て説明する。
光電子装置は、第２図に示されるように、金属板からな
るステム６と、このステム６の主面にソルダー７を介し
て固定される受光素子１と、この受光素子１の周囲に位
置しかつ前記ステム６に絶縁体８を介して貫通状態で絶
縁的に取り付けられる複数のリード９等と、これらリー
ド９の先端および受光素子１等を被うようにステム６の
主面に気密的に取り付けられたキャップ１０とからなっ
ている。また、前記キャップ１０はその天井部に設けた
開口部、すなわち、窓１１を塞ぐように、透明なガラス
板１２が、固定材１３を介して気密的に取り付けられて
いる。なお、前記ステム６は受光素子１の下部の電極と
電気的に接続されることから、ステム６の下面には図示
しない１本のリードが機械的かつ電気的に接続されてい
る。
るステム６と、このステム６の主面にソルダー７を介し
て固定される受光素子１と、この受光素子１の周囲に位
置しかつ前記ステム６に絶縁体８を介して貫通状態で絶
縁的に取り付けられる複数のリード９等と、これらリー
ド９の先端および受光素子１等を被うようにステム６の
主面に気密的に取り付けられたキャップ１０とからなっ
ている。また、前記キャップ１０はその天井部に設けた
開口部、すなわち、窓１１を塞ぐように、透明なガラス
板１２が、固定材１３を介して気密的に取り付けられて
いる。なお、前記ステム６は受光素子１の下部の電極と
電気的に接続されることから、ステム６の下面には図示
しない１本のリードが機械的かつ電気的に接続されてい
る。
つぎに、前記ステムｌの主面に固定された受光素子６に
ついて説明する。
ついて説明する。
受光素子１は、ｎ十形のＩｎＰ基板１４上に順次ｎ形の
ＩｎＧａＡｓＰ層１５．ｎ形のＩｎＰ層１６を有すると
ともに、前記ＩｎＰ層」６の表層部に、ｐ十形のＩｎＰ
層１７を有し、このＩｎＰ層１７とＩｎＰ層１６との界
面にｐｎ接合を構成し、受光領域２を形成している。前
記ＩｎＰ層１７は、第１図に示されるように、円を１２
等分した状態で円の中心を中心として放射状に１２個配
設されている。また、各受光領域２の表面には酸化膜か
らなる反射防止膜１８が設けられている。
ＩｎＧａＡｓＰ層１５．ｎ形のＩｎＰ層１６を有すると
ともに、前記ＩｎＰ層」６の表層部に、ｐ十形のＩｎＰ
層１７を有し、このＩｎＰ層１７とＩｎＰ層１６との界
面にｐｎ接合を構成し、受光領域２を形成している。前
記ＩｎＰ層１７は、第１図に示されるように、円を１２
等分した状態で円の中心を中心として放射状に１２個配
設されている。また、各受光領域２の表面には酸化膜か
らなる反射防止膜１８が設けられている。
また、受光素子１の主面には絶縁膜からなるパッシベー
ション膜１９が設けられている。さらに、各受光領域２
には、受光領域２のＩｎＰＪＩｉ１７に電気的に接続さ
れる電極（上部電極）３が設けられている。この上部電
極３は受光領域２の周囲近傍に沿うように枠状となると
ともに、一群の受光領域２からなる円の外側に迄延在し
、ポンディングパッド４を構成している。これら各ポン
ディングパッド４は、ワイヤ２０を介して前記ステム６
に絶縁的に取り付けられたリード９の上端に電気的に接
続している。また、受光素子１の下面には電極２１が設
けられている。受光素子ｌはこの電極２１面が、ソルダ
ー７を介してステム６の主面に機械的かつ電気的に接続
されている。したがって、前記受光素子ｌの下部電極２
１は、ステム６と同電極となるとともに、このステム６
に電気的に接続された図示しない共通リードと電気的に
接続される。
ション膜１９が設けられている。さらに、各受光領域２
には、受光領域２のＩｎＰＪＩｉ１７に電気的に接続さ
れる電極（上部電極）３が設けられている。この上部電
極３は受光領域２の周囲近傍に沿うように枠状となると
ともに、一群の受光領域２からなる円の外側に迄延在し
、ポンディングパッド４を構成している。これら各ポン
ディングパッド４は、ワイヤ２０を介して前記ステム６
に絶縁的に取り付けられたリード９の上端に電気的に接
続している。また、受光素子１の下面には電極２１が設
けられている。受光素子ｌはこの電極２１面が、ソルダ
ー７を介してステム６の主面に機械的かつ電気的に接続
されている。したがって、前記受光素子ｌの下部電極２
１は、ステム６と同電極となるとともに、このステム６
に電気的に接続された図示しない共通リードと電気的に
接続される。
このような光電子装置にあっては、ステム６とキャップ
１０とからなるパッケージの外から送り込まれる光２２
、すなわち、窓１１のガラス板１２を透過した光２２を
、受光素子１の各受光領域２で受光し、電気エネルギー
として共通リードと各リード９間に取り出すようになっ
ている。この光電子装置にあっては、受光部は多数の受
光領域２の集合体となっていることから、大面積となり
、広い面積の光を受光することができる。したがって、
各リードを直列に接続すれば、大面積を有する受光素子
と同様の働きをするようになる。また、リードを並列に
取り出せば、各受光領域２を相互に独立させることがで
き、■乃至数個の受光検出に使用している場合、これら
使用に供している一群の受光領域２が損傷した際、残り
の受光領域２を使用に切り換えることができるという使
い方もある。
１０とからなるパッケージの外から送り込まれる光２２
、すなわち、窓１１のガラス板１２を透過した光２２を
、受光素子１の各受光領域２で受光し、電気エネルギー
として共通リードと各リード９間に取り出すようになっ
ている。この光電子装置にあっては、受光部は多数の受
光領域２の集合体となっていることから、大面積となり
、広い面積の光を受光することができる。したがって、
各リードを直列に接続すれば、大面積を有する受光素子
と同様の働きをするようになる。また、リードを並列に
取り出せば、各受光領域２を相互に独立させることがで
き、■乃至数個の受光検出に使用している場合、これら
使用に供している一群の受光領域２が損傷した際、残り
の受光領域２を使用に切り換えることができるという使
い方もある。
また、この光電子装置にあっては、受光素子１は暗電流
が生じ難いＩｎＧａＡｓＰ系の材質で形成されているこ
とから雑音特性等の特性が向上する。
が生じ難いＩｎＧａＡｓＰ系の材質で形成されているこ
とから雑音特性等の特性が向上する。
さらに、受光素子１について言えば、前述のように、受
光領域２は小さくかつ分散しているため、材料に結晶欠
陥が生じることがあっても、その欠陥部が受光領域２内
に現れる確率は少なくなり、歩留りが向上する。また、
受光領域２は小さいことから、製造時拡散等熱を受けた
場合でも、面積が小さい故に劣化することはなく歩留り
が向上する。
光領域２は小さくかつ分散しているため、材料に結晶欠
陥が生じることがあっても、その欠陥部が受光領域２内
に現れる確率は少なくなり、歩留りが向上する。また、
受光領域２は小さいことから、製造時拡散等熱を受けた
場合でも、面積が小さい故に劣化することはなく歩留り
が向上する。
このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。
る。
（１）本発明の受光素子は、暗電流の発生の少ないＩｎ
ＱａＡ３ｐ系の材料で構成されていることから、雑音特
性等の特性が優れた長波長用受光素子を得ることができ
るという効果が得られる。
ＱａＡ３ｐ系の材料で構成されていることから、雑音特
性等の特性が優れた長波長用受光素子を得ることができ
るという効果が得られる。
（２）本発明の受光素子は、複数の受光領域を近接配置
していることから、これら複数の受光領域を直列に使用
することによって、実質的に受光面積の増大を達成する
ことができるという効果が得られる。
していることから、これら複数の受光領域を直列に使用
することによって、実質的に受光面積の増大を達成する
ことができるという効果が得られる。
（釦上記（１）および（２）により、本発明によれば、
受光面積の大きいＩ ｎＧａＡｓＰ受光素子を得ること
ができるという効果が得られる。
受光面積の大きいＩ ｎＧａＡｓＰ受光素子を得ること
ができるという効果が得られる。
（４）上記（２）により、本発明の受光素子は、相互に
独立した受光領域を複数有する構造となっていることか
ら、それぞれの受光領域を独立して使用するようにすれ
ば、適宜必要な受光領域を選択的に使用できる光電子装
置を得ることができるという効果が得られる。
独立した受光領域を複数有する構造となっていることか
ら、それぞれの受光領域を独立して使用するようにすれ
ば、適宜必要な受光領域を選択的に使用できる光電子装
置を得ることができるという効果が得られる。
（５）本発明の受光素子にあっては、受光体は小面積の
受光領域の一群となっていることから、全体で大面積の
受光面積を有するようになっても、受光領域が小さくか
つ点在しているため、その製造時、受光領域が熱影響に
よって劣化するようなこともなく、結晶欠陥が発生して
も、これら結晶欠陥が受光領域に現れる確率は、単一の
大面積の受光面を有する受光素子に比較して少なくなる
ため、歩留りの向上が達成できるという効果が得られる
。
受光領域の一群となっていることから、全体で大面積の
受光面積を有するようになっても、受光領域が小さくか
つ点在しているため、その製造時、受光領域が熱影響に
よって劣化するようなこともなく、結晶欠陥が発生して
も、これら結晶欠陥が受光領域に現れる確率は、単一の
大面積の受光面を有する受光素子に比較して少なくなる
ため、歩留りの向上が達成できるという効果が得られる
。
（６）上記（５）により、本発明によって受光素子の製
造コスト低減が達成できるという効果が得られる。
造コスト低減が達成できるという効果が得られる。
（７）上記（１）〜（６）により、本発明によれば、特
性が優れた受光素子および光電子装置を安価に提供する
ことができるという相乗効果が得られる。
性が優れた受光素子および光電子装置を安価に提供する
ことができるという相乗効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、第３図に示さ
れるように、受光素子１における受光領域２は、円形で
あっても前記実施例同様な効果が得られる。また、特に
図示はしないが、受光素子ｌの上部電極３を受光素子１
の主面で相互に接続するパターンとし、受光素子自体で
各受光領域２の直列化を図り、大面積の受光素子として
もよい。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、第３図に示さ
れるように、受光素子１における受光領域２は、円形で
あっても前記実施例同様な効果が得られる。また、特に
図示はしないが、受光素子ｌの上部電極３を受光素子１
の主面で相互に接続するパターンとし、受光素子自体で
各受光領域２の直列化を図り、大面積の受光素子として
もよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＩｎＧａＡｓＰ系の
受光素子およびこの受光素子を組み込んだ光電子装置に
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、た
とえば、Ｇｅ受光素子、Ｓｔ受光素子等他の材料による
受光素子の製造技術などに適用できる。
をその背景となった利用分野であるＩｎＧａＡｓＰ系の
受光素子およびこの受光素子を組み込んだ光電子装置に
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、た
とえば、Ｇｅ受光素子、Ｓｔ受光素子等他の材料による
受光素子の製造技術などに適用できる。
本発明は少なくとも受光素子について適用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明の受光素子は、Ｇｅ受光素子に比較して暗電流の
発生が低いＩｎＧａＡｓＰ系の材料によって構成されて
いるとともに、その主面に相互に近接して電気的に独立
した複数の受光領域を有する構造となっている。したが
って、各受光領域を直列状態で光検出に用いれば、全体
の受光面積は増大するため、受光面積の広い暗電流の発
生が低い特性の優れた受光素子となる。また、この受光
素子は、受光領域が相互に独立していることから、単結
晶に比較して結晶欠陥が生じ易い化合物半導体結晶を用
いて製造した場合、結晶欠陥が発生しても、これら結晶
欠陥が受光領域等アクティブ領域から外れる率も高いこ
と、各受光領域は小面積である故に熱歪等で劣化し難い
こと等によって、歩留りの向上が達成できる。
発生が低いＩｎＧａＡｓＰ系の材料によって構成されて
いるとともに、その主面に相互に近接して電気的に独立
した複数の受光領域を有する構造となっている。したが
って、各受光領域を直列状態で光検出に用いれば、全体
の受光面積は増大するため、受光面積の広い暗電流の発
生が低い特性の優れた受光素子となる。また、この受光
素子は、受光領域が相互に独立していることから、単結
晶に比較して結晶欠陥が生じ易い化合物半導体結晶を用
いて製造した場合、結晶欠陥が発生しても、これら結晶
欠陥が受光領域等アクティブ領域から外れる率も高いこ
と、各受光領域は小面積である故に熱歪等で劣化し難い
こと等によって、歩留りの向上が達成できる。
第１図は本発明の一実施例による受光素子を示す模式的
平面図、 第２図は同じく受光素子を組み込んだ光電子装置の要部
を示す断面図、 第３図は本発明の他の実施例による受光素子の模式的平
面図である。 １・・・受光素子、２・・・受光領域、３・・・電極（
上部電極）、４・・・ポンディングパッド、５・・・区
割線、６・・・ステム、７・・・ソルダー、８・・・絶
縁体、９・・・リード、１０・・・キャップ、１１・・
・窓、１２・・・ガラス板、Ｉ３・・・固定材、１４・
・・ＩｎＰ基板、１５−ＩｎＧａＡｓＰ層、１６・・・
ＩｎＰ層、１７・・・ＩｎＰ層、１８・・・反射防止膜
、１９・・・パッシベーション膜、２０・・・ワイヤ、
２１・・・電極、２２・・・光。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
平面図、 第２図は同じく受光素子を組み込んだ光電子装置の要部
を示す断面図、 第３図は本発明の他の実施例による受光素子の模式的平
面図である。 １・・・受光素子、２・・・受光領域、３・・・電極（
上部電極）、４・・・ポンディングパッド、５・・・区
割線、６・・・ステム、７・・・ソルダー、８・・・絶
縁体、９・・・リード、１０・・・キャップ、１１・・
・窓、１２・・・ガラス板、Ｉ３・・・固定材、１４・
・・ＩｎＰ基板、１５−ＩｎＧａＡｓＰ層、１６・・・
ＩｎＰ層、１７・・・ＩｎＰ層、１８・・・反射防止膜
、１９・・・パッシベーション膜、２０・・・ワイヤ、
２１・・・電極、２２・・・光。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、主面に受光領域を有するモノリシックな受光素子で
あって、前記受光素子はその主面に複数の受光領域を有
することを特徴とする受光素子。 ２、前記複数の受光領域は相互に電気的に独立している
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の受光素子
。 ３、パッケージと、このパッケージ内に内蔵された受光
素子と、を有する光電子装置であって、前記受光素子に
は相互に独立した複数の受光領域が設けられていること
を特徴とする光電子装置。 ４、前記各受光領域の一方の電極は、パッケージに絶縁
的に取り付けられた各リードに電気的に接続されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の光電子装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62035535A JPS63204645A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 受光素子およびこの受光素子を内蔵した光電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62035535A JPS63204645A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 受光素子およびこの受光素子を内蔵した光電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204645A true JPS63204645A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12444427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62035535A Pending JPS63204645A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 受光素子およびこの受光素子を内蔵した光電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204645A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01150371A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光素子 |
| JP2008512870A (ja) * | 2004-09-09 | 2008-04-24 | ザ・ボーイング・カンパニー | 多数の電圧デバイスの実現を有する多接合レーザ光検出器 |
| US7479999B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-01-20 | National Institute Of Information And Communications Technology | Photodetection device and method |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP62035535A patent/JPS63204645A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01150371A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光素子 |
| US7479999B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-01-20 | National Institute Of Information And Communications Technology | Photodetection device and method |
| JP2008512870A (ja) * | 2004-09-09 | 2008-04-24 | ザ・ボーイング・カンパニー | 多数の電圧デバイスの実現を有する多接合レーザ光検出器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5040039A (en) | Semiconductor photodetector device | |
| JP7582780B2 (ja) | 光検出装置 | |
| CN113167637A (zh) | 光检测装置 | |
| JPH04111479A (ja) | 受光素子 | |
| JP4767684B2 (ja) | モニター用のフォトダイオードと一体型の発光ダイオードパッケージ | |
| JPH05110048A (ja) | 光−電子集積回路 | |
| JPS63204645A (ja) | 受光素子およびこの受光素子を内蔵した光電子装置 | |
| JP3768099B2 (ja) | 受光素子及びそれを備える光半導体装置 | |
| JP5503380B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| US20030173569A1 (en) | Receiving optics and photosemiconductor device having the same | |
| US6989522B2 (en) | Light-receiving module and light-receiving device having malfunction preventing structure | |
| JPS6195580A (ja) | 受光素子およびこの受光素子を内臓した光電子装置 | |
| JP2773930B2 (ja) | 光検知装置 | |
| JP2002319669A (ja) | 裏面入射型ホトダイオード及びホトダイオードアレイ | |
| CN117352503A (zh) | Led光电耦合器件及其制造方法及led光电耦合器件封装结构 | |
| JP3427125B2 (ja) | 光学レンズ機能付き半導体デバイス | |
| JP2675574B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2022130298A (ja) | 光学素子及び光学式濃度測定装置 | |
| JP2011249616A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP3497977B2 (ja) | 受光素子およびこれを用いた光結合装置 | |
| JPH09223816A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH1117211A (ja) | 半導体面型受光素子及び装置 | |
| JP3026396B2 (ja) | 光結合型半導体装置 | |
| CN117542906A (zh) | 一种光敏元件及其制造方法、光敏探测器 | |
| JPS62232958A (ja) | 半導体撮像素子 |