JPS632061B2 - - Google Patents
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- JPS632061B2 JPS632061B2 JP55010444A JP1044480A JPS632061B2 JP S632061 B2 JPS632061 B2 JP S632061B2 JP 55010444 A JP55010444 A JP 55010444A JP 1044480 A JP1044480 A JP 1044480A JP S632061 B2 JPS632061 B2 JP S632061B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- coils
- liquid
- measured
- force
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/22—Measuring resistance of fluids
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は液体や固体などの電導度を測定する
ために用いられ、その電導度と対応した電気信号
を取出すための電導度検出器に関する。
ために用いられ、その電導度と対応した電気信号
を取出すための電導度検出器に関する。
従来の電導度測定装置は被測定液内に一対の電
極を入れ、これ等電極間に交流電流を流し、その
電流を測定して被測定液の電導度を求めていた。
このように電極を被測定液に接触して行なうため
電極が被測定液により腐蝕されるおそれがあり、
腐蝕され難い高価な電極を使用する必要があつ
た。この場合の測定電流の大きさは電極の面積に
も比例するため電極が腐蝕されたり、電極が汚れ
たりすると正しい測定結果が得られない。また従
来においては固体の電導度を測定する場合に被測
定体と電極との接触が常に同一条件にならないと
正しい測定ができないが、そのような条件を満足
させることは困難であつた。
極を入れ、これ等電極間に交流電流を流し、その
電流を測定して被測定液の電導度を求めていた。
このように電極を被測定液に接触して行なうため
電極が被測定液により腐蝕されるおそれがあり、
腐蝕され難い高価な電極を使用する必要があつ
た。この場合の測定電流の大きさは電極の面積に
も比例するため電極が腐蝕されたり、電極が汚れ
たりすると正しい測定結果が得られない。また従
来においては固体の電導度を測定する場合に被測
定体と電極との接触が常に同一条件にならないと
正しい測定ができないが、そのような条件を満足
させることは困難であつた。
この発明の目的は被測定液体や被測定固体に対
し被接触でその電導度の測定を可能とし、従つて
正しい測定を容易に行なうことができる電導度検
出器を提供することにある。
し被接触でその電導度の測定を可能とし、従つて
正しい測定を容易に行なうことができる電導度検
出器を提供することにある。
この発明によれば中心が同一線上にあつてその
線に沿つて配された一対のソレノイド状コイルが
設けられる。これらコイルの互いに接近する一端
は互いに接続され、その接続点よりこれらコイル
は同一方向に同一巻数だけ巻かれ、かつ同一形状
とされる。これらコイルの内周面又は外周面に或
いはその両者に近接し、かつその面に沿つて半導
電性膜が配され、その半導電性膜と接続し、その
両端に達して配された裸銅線の一端が接地される
ため、この半導電性膜はコイルより出た磁力線は
通過させるが電気力線は遮断するものである。コ
イルの上記接続点より高電位端子が接続され、コ
イルの各他端より低電位端子が導出される。この
検出器を用いて電導度を測定する場合は上記高電
位端子及び低電位端子間に交流信号源を接続し、
コイルより発生した磁力線のみが被測定液に与え
られるようにされる。被測定液に到達した交流磁
力線により被測定液に渦電流が流れる。この結果
等価的にコイルに抵抗負荷が磁気的に結合し、そ
の抵抗負荷の大きさは被測定液の電導度と対応し
たものになる。よつて上記コイルに流れる電流を
測定することにより電導度を測定することができ
る。なおこのようにコイルを二つ用いることによ
り被測定液の電導度がゼロから直線的に比例した
電流を得ることができること、また電気力線も被
測定液に到達すると正しい測定が困難になること
は後で説明する。
線に沿つて配された一対のソレノイド状コイルが
設けられる。これらコイルの互いに接近する一端
は互いに接続され、その接続点よりこれらコイル
は同一方向に同一巻数だけ巻かれ、かつ同一形状
とされる。これらコイルの内周面又は外周面に或
いはその両者に近接し、かつその面に沿つて半導
電性膜が配され、その半導電性膜と接続し、その
両端に達して配された裸銅線の一端が接地される
ため、この半導電性膜はコイルより出た磁力線は
通過させるが電気力線は遮断するものである。コ
イルの上記接続点より高電位端子が接続され、コ
イルの各他端より低電位端子が導出される。この
検出器を用いて電導度を測定する場合は上記高電
位端子及び低電位端子間に交流信号源を接続し、
コイルより発生した磁力線のみが被測定液に与え
られるようにされる。被測定液に到達した交流磁
力線により被測定液に渦電流が流れる。この結果
等価的にコイルに抵抗負荷が磁気的に結合し、そ
の抵抗負荷の大きさは被測定液の電導度と対応し
たものになる。よつて上記コイルに流れる電流を
測定することにより電導度を測定することができ
る。なおこのようにコイルを二つ用いることによ
り被測定液の電導度がゼロから直線的に比例した
電流を得ることができること、また電気力線も被
測定液に到達すると正しい測定が困難になること
は後で説明する。
以下図面を参照して説明する。第１図において
１１は単層ソレノイド状のコイルを示し、その一
端１２を接地し、他端１３に交流電圧を印加する
と、電気力線１４が第１図Ａに示すように発生
し、また磁力線１５が第１図Ｂに示すよう発生す
る。いまコイル１１内に被測定液を入れて測定す
る場合を考える。高周波磁界により液体のコンダ
クタンスGXを測定するために、コイル１１内の
電気力線１４を完全に遮蔽し、交番磁力線１５に
よりコイル１１内外部の液体内に生ずる渦流損に
基づく損失抵抗を利用する。電気力線１４を遮蔽
するためにはコイル１１に対するボビン１６の周
面に第２図及び第３図に示す如く半導電性薄膜１
７を接着し、ボビン１６の中心線と平行した細い
溝１８を半導電性薄膜１７に少くとも１本形成す
る。その薄膜１７の抵抗値に応じた数の細い裸銅
線１９をボビン１６の中心線と平行に薄膜１７上
に接続し、銅線１９の他端を接地する。半導電性
薄膜１７上に絶縁塗料をぬるか、又は絶縁薄膜を
捲くなどして半導電性薄膜１７より適当な間隙を
もたせて銅線をボビン１６上に捲いてコイル１１
を構成する。
１１は単層ソレノイド状のコイルを示し、その一
端１２を接地し、他端１３に交流電圧を印加する
と、電気力線１４が第１図Ａに示すように発生
し、また磁力線１５が第１図Ｂに示すよう発生す
る。いまコイル１１内に被測定液を入れて測定す
る場合を考える。高周波磁界により液体のコンダ
クタンスGXを測定するために、コイル１１内の
電気力線１４を完全に遮蔽し、交番磁力線１５に
よりコイル１１内外部の液体内に生ずる渦流損に
基づく損失抵抗を利用する。電気力線１４を遮蔽
するためにはコイル１１に対するボビン１６の周
面に第２図及び第３図に示す如く半導電性薄膜１
７を接着し、ボビン１６の中心線と平行した細い
溝１８を半導電性薄膜１７に少くとも１本形成す
る。その薄膜１７の抵抗値に応じた数の細い裸銅
線１９をボビン１６の中心線と平行に薄膜１７上
に接続し、銅線１９の他端を接地する。半導電性
薄膜１７上に絶縁塗料をぬるか、又は絶縁薄膜を
捲くなどして半導電性薄膜１７より適当な間隙を
もたせて銅線をボビン１６上に捲いてコイル１１
を構成する。
このような静電遮蔽を行なうことによりコイル
１１のステツプアツプレシオQ2をあまり低下さ
せることなくコイル１１内部の電気力線１４を完
全に除き、磁力線１５のみを残すことができる。
１１のステツプアツプレシオQ2をあまり低下さ
せることなくコイル１１内部の電気力線１４を完
全に除き、磁力線１５のみを残すことができる。
次にコイル１１の捲き方向であるが、第４図に
示すようにボビン１６の中央より二つのコイル１
１ａ，１１ｂを同一巻き方向に、かつ互いに遠去
かるように巻く、各コイル１１ａ，１１ｂの中央
捲き始めを互いに接続してこれを高電位端子２１
とし各コイル１１ａ，１１ｂの捲き終りを互いに
接続してこれを接地側（低電位）端子２２とす
る。コイル１１ａ，１１ｂは同一巻数であり、か
つ同一形状とされる。
示すようにボビン１６の中央より二つのコイル１
１ａ，１１ｂを同一巻き方向に、かつ互いに遠去
かるように巻く、各コイル１１ａ，１１ｂの中央
捲き始めを互いに接続してこれを高電位端子２１
とし各コイル１１ａ，１１ｂの捲き終りを互いに
接続してこれを接地側（低電位）端子２２とす
る。コイル１１ａ，１１ｂは同一巻数であり、か
つ同一形状とされる。
このような構造のコイル１１ａ，１１ｂに電圧
を加えたときの磁力線１５の分布状況は第５図に
示す。コイル１１ａ，１１ｂ間の相互誘導係数を
Ｍで表わせばコイル１１ａ，１１ｂの作る磁力線
１５は同一方向であるから、コイル１１ａ，１１
ｂの各インダクタンスLa，Lbはその自己インダ
クタンスをL1とすると、 La＝L1＋Ｍ，Lb＝L1＋Ｍ となる。コイル１１ａ，１１ｂの合成インダクタ
ンスLrは １／Lr＝１／La＋１／Lb＝２／L1＋ＭよりLr＝１／２
（L1＋ Ｍ） となる。なお第６図に第４図の構造のコイルにお
いて静電遮蔽なき場合のコイル１１ａ，１１ｂの
電気力線の分布状況を示す。第７図に同一方向に
１本の線を巻き、そのコイル１１の中央点を高電
位端子２１とし、コイル１１の両端を共通にして
接地した構造を示す。この場合コイル１１の中点
より一半部と他半部とにおいて磁力線は反応方向
で互いに打消し合うため、合成インダクタンスは
１／２（Ｌ−Ｍ）となり、磁界による電導度測定用 検出器としては適当でない。
を加えたときの磁力線１５の分布状況は第５図に
示す。コイル１１ａ，１１ｂ間の相互誘導係数を
Ｍで表わせばコイル１１ａ，１１ｂの作る磁力線
１５は同一方向であるから、コイル１１ａ，１１
ｂの各インダクタンスLa，Lbはその自己インダ
クタンスをL1とすると、 La＝L1＋Ｍ，Lb＝L1＋Ｍ となる。コイル１１ａ，１１ｂの合成インダクタ
ンスLrは １／Lr＝１／La＋１／Lb＝２／L1＋ＭよりLr＝１／２
（L1＋ Ｍ） となる。なお第６図に第４図の構造のコイルにお
いて静電遮蔽なき場合のコイル１１ａ，１１ｂの
電気力線の分布状況を示す。第７図に同一方向に
１本の線を巻き、そのコイル１１の中央点を高電
位端子２１とし、コイル１１の両端を共通にして
接地した構造を示す。この場合コイル１１の中点
より一半部と他半部とにおいて磁力線は反応方向
で互いに打消し合うため、合成インダクタンスは
１／２（Ｌ−Ｍ）となり、磁界による電導度測定用 検出器としては適当でない。
一例として端子２１に印加する交流信号の周波
数＝10MHz、L1＝4μH、Q1＝ωL1／r1＝153（r1は コイル１１ａ，１１ｂの各抵抗値）、コイル１１
ａ，１１ｂ間の結合係数Ｋ＝0.225のときＭ＝
0.9μHとなり、Lr＝2.45μH、Qr＝ωL1／r1＋ωM／r1＝ 153＋34＝187となつてＱ値も大きくなり、それだ
け測定感度も上昇する。
数＝10MHz、L1＝4μH、Q1＝ωL1／r1＝153（r1は コイル１１ａ，１１ｂの各抵抗値）、コイル１１
ａ，１１ｂ間の結合係数Ｋ＝0.225のときＭ＝
0.9μHとなり、Lr＝2.45μH、Qr＝ωL1／r1＋ωM／r1＝ 153＋34＝187となつてＱ値も大きくなり、それだ
け測定感度も上昇する。
第１図Ａのコイル１１のボビン内に液体を入れ
た場合、高電位端１３からコイル１１側を見た時
の電気的等価回路は第８図に示す如く液体の等価
並列容量CX及び等価並列抵抗RXの並列回路にコ
イル１１の分布容量Ｃが直列に接続されたものと
なる。よつて電界による損失抵抗をREとすれば RE＝１／ω2C2RX＋（１＋CX／Ｃ）2RX (1) となる。この式(1)において第１項と第２項とが等
しいとき、即ち ω（Ｃ＋CX）RX＝１ (2) の時REは最小になる。なおR1は同調がとられた
コイル１１の等価並列抵抗である。
た場合、高電位端１３からコイル１１側を見た時
の電気的等価回路は第８図に示す如く液体の等価
並列容量CX及び等価並列抵抗RXの並列回路にコ
イル１１の分布容量Ｃが直列に接続されたものと
なる。よつて電界による損失抵抗をREとすれば RE＝１／ω2C2RX＋（１＋CX／Ｃ）2RX (1) となる。この式(1)において第１項と第２項とが等
しいとき、即ち ω（Ｃ＋CX）RX＝１ (2) の時REは最小になる。なおR1は同調がとられた
コイル１１の等価並列抵抗である。
第１図Ｂに示したコイル１１内に液体を入れ、
交番磁力線１５によりその液体に渦電流が流れる
ことは、第９図に示すようにコイル１１にコイル
LXが結合し、そのコイルLXの両端に液体を流れ
る渦電流に対する抵抗RXが接続されたように電
気的等価回路を書ける。この液体を流れる渦電流
による損失をコイル１１の両端子間に入る抵抗
RMで表わすと第１０図に示すようになる。
交番磁力線１５によりその液体に渦電流が流れる
ことは、第９図に示すようにコイル１１にコイル
LXが結合し、そのコイルLXの両端に液体を流れ
る渦電流に対する抵抗RXが接続されたように電
気的等価回路を書ける。この液体を流れる渦電流
による損失をコイル１１の両端子間に入る抵抗
RMで表わすと第１０図に示すようになる。
コイルLXとコイル１１との間の結合係数をＫ
とするとQX＝ωLX／RXとおき、 rX＝ωL1K2QX０／１＋QX 2・△L1＝K2QX 2L1／１＋QX 2 が得られる。但し△L1は渦電流による一次側コ
イル１１のインダクタンスの微小減少、rXは一次
コイル１１に直列に入る抵抗を表わす。液体の場
合はQX＜１であり又結合係数Ｋ＜１、従つてK2
≪１、QX 2≪１よりrX＝ωL1K2QX、又△L1はL1に
較べて無視できる程度の大きさとなる。rXによる
等価並列抵抗RMは第１０図に示す如く、 RM＝ω2L1 2／rX＝ ω2L1 2／ωL1K2QX＝ωL1／K2QX＝L1／LX RX／K2(3
) となる。(3)式に示すようにRMはRX、つまり液体
の比抵抗ρXに比例し、結合係数Ｋの二乗に逆比例
する。RMを測定することにより液体の比抵抗ρX
又は導電度GXを測定することができる。このよ
うなRMの測定は例えば特公昭54−8114号「低イ
ンピーダンス負荷のインピーダンス微小変動精密
測定装置」に示す装置により測定することができ
る。
とするとQX＝ωLX／RXとおき、 rX＝ωL1K2QX０／１＋QX 2・△L1＝K2QX 2L1／１＋QX 2 が得られる。但し△L1は渦電流による一次側コ
イル１１のインダクタンスの微小減少、rXは一次
コイル１１に直列に入る抵抗を表わす。液体の場
合はQX＜１であり又結合係数Ｋ＜１、従つてK2
≪１、QX 2≪１よりrX＝ωL1K2QX、又△L1はL1に
較べて無視できる程度の大きさとなる。rXによる
等価並列抵抗RMは第１０図に示す如く、 RM＝ω2L1 2／rX＝ ω2L1 2／ωL1K2QX＝ωL1／K2QX＝L1／LX RX／K2(3
) となる。(3)式に示すようにRMはRX、つまり液体
の比抵抗ρXに比例し、結合係数Ｋの二乗に逆比例
する。RMを測定することにより液体の比抵抗ρX
又は導電度GXを測定することができる。このよ
うなRMの測定は例えば特公昭54−8114号「低イ
ンピーダンス負荷のインピーダンス微小変動精密
測定装置」に示す装置により測定することができ
る。
所で第１図Ａに示した構造のコイルに対して静
電遮蔽を行い、そのコイルボビン内に液体を満た
し、液体の電導度GXとRMに対する測定出力との
関係を求めた一例を第１１図に示す。この場合は
GX＝０でも出力が存在し、損失になつており、
かつ感度が悪い。
電遮蔽を行い、そのコイルボビン内に液体を満た
し、液体の電導度GXとRMに対する測定出力との
関係を求めた一例を第１１図に示す。この場合は
GX＝０でも出力が存在し、損失になつており、
かつ感度が悪い。
しかし第４図に示した構造のコイルによる場
合、液体電導度GXと測定出力との関係を同一条
件で測定した結果は第１２図に示すようになり、
電導度GX＝０で出力はゼロとなり、かつGXに対
し出力は直線的に比例している。従つて磁界によ
る液体電導度測定用コイルとして第４図に示した
構造のものが優れていることが理解される。第１
２図は第１１図における測定と同一条件である
が、コイルに静電遮蔽を行わなかつた場合の実験
結果である。この場合は電界による損失抵抗RE
と磁界による損失抗RMとが抵抗R2に並列にはい
り、液体のρX（１／GX）と出力との関係は極めて
複雑になり、つまり測定出力と電導度GXとが１
対に対応しなくなり、静電遮蔽を行わないとGX
の測定はできないことが理解される。
合、液体電導度GXと測定出力との関係を同一条
件で測定した結果は第１２図に示すようになり、
電導度GX＝０で出力はゼロとなり、かつGXに対
し出力は直線的に比例している。従つて磁界によ
る液体電導度測定用コイルとして第４図に示した
構造のものが優れていることが理解される。第１
２図は第１１図における測定と同一条件である
が、コイルに静電遮蔽を行わなかつた場合の実験
結果である。この場合は電界による損失抵抗RE
と磁界による損失抗RMとが抵抗R2に並列にはい
り、液体のρX（１／GX）と出力との関係は極めて
複雑になり、つまり測定出力と電導度GXとが１
対に対応しなくなり、静電遮蔽を行わないとGX
の測定はできないことが理解される。
ボビン１６としては測定交流信号としてＭHz程
度の周波数のものを用いるため、石英、バイコー
ルなどの良質ガラス管が好ましい。コイル１１と
半導電性薄膜１７との間には0.5〜1.0mm程度の距
離を設けて、交流信号が乳遊容量を通じて半導電
性薄膜１７に流れ、損失が大きくならないように
することが好ましい。半導電性薄膜１７としては
例えばカーボン膜を用いることができる。
度の周波数のものを用いるため、石英、バイコー
ルなどの良質ガラス管が好ましい。コイル１１と
半導電性薄膜１７との間には0.5〜1.0mm程度の距
離を設けて、交流信号が乳遊容量を通じて半導電
性薄膜１７に流れ、損失が大きくならないように
することが好ましい。半導電性薄膜１７としては
例えばカーボン膜を用いることができる。
先の説明ではボビン１６内に被測定液を満たし
て測定する場合の検出器を示したが、コイル１１
の外側に被測定液を配してもよい。例えば第１４
図に示すようにボビン１６上にコイル１１ａ，１
１ｂが第４図に示したように巻かれ、そのコイル
１１ａ，１１ｂ上に絶縁スペーサ２５を介して半
導電性薄膜１７が配される。これら全体は下端が
塞さがれた例えばガラスの筒体２６内に収容さ
れ、その筒体２６が容器２７内の被測定液２８内
に入れられる。コイル１１ａ，１１ｂからの磁力
線のみが被測定液２８内に入るようにされる。こ
の場合ボビン１６の内側にも被測定液２８を入れ
てもよく、その場合はボビン１６の内側も電気力
線が入らないようにコイル１１ａ，１１ｂの内周
面にも半導電性薄膜が配される。
て測定する場合の検出器を示したが、コイル１１
の外側に被測定液を配してもよい。例えば第１４
図に示すようにボビン１６上にコイル１１ａ，１
１ｂが第４図に示したように巻かれ、そのコイル
１１ａ，１１ｂ上に絶縁スペーサ２５を介して半
導電性薄膜１７が配される。これら全体は下端が
塞さがれた例えばガラスの筒体２６内に収容さ
れ、その筒体２６が容器２７内の被測定液２８内
に入れられる。コイル１１ａ，１１ｂからの磁力
線のみが被測定液２８内に入るようにされる。こ
の場合ボビン１６の内側にも被測定液２８を入れ
てもよく、その場合はボビン１６の内側も電気力
線が入らないようにコイル１１ａ，１１ｂの内周
面にも半導電性薄膜が配される。
以上述べたようにこの発明の電導度検出器によ
れば、コイル１１ａ，１１ｂを被測定液と非接触
で測定することができ、コイルの腐蝕や電極の汚
れの問題を生じない。また電導度GXがゼロで出
力がゼロとなり、かつ電導度と出力との関係が直
線的であり、また感度も高いものが得られる。こ
の検出器は液体のみならず固体の電導度の測定を
非接触で行うことができ、正確な測定が可能とな
る。
れば、コイル１１ａ，１１ｂを被測定液と非接触
で測定することができ、コイルの腐蝕や電極の汚
れの問題を生じない。また電導度GXがゼロで出
力がゼロとなり、かつ電導度と出力との関係が直
線的であり、また感度も高いものが得られる。こ
の検出器は液体のみならず固体の電導度の測定を
非接触で行うことができ、正確な測定が可能とな
る。
なお被測定液の電導度が大きく、つまり高抵抗
の場合は先に示した(1)式において（１＋CX／Ｃ）2RX ≫１／ω2C2RXの領域であるから、RE≒（１＋CX／Ｃ）2 RXよりREを測定することにより液体のρX又GXを
測定することができる。つまり電気力線を被測定
液へ与え、その時のコイルの抵抗変化REを測定
してGXを測定することができる。このように電
界を利用する場合は電界と磁界との両方が液体に
作用するのでRE≪RMになるようなコイルを用い
ればよい。一例を挙げれば測定周波数18MHzの場
合、磁界によるRM測定に際してはL1＝1.5μH、
電界によるRM測定にはL1＝60〜80μH程度のもの
を用いれば(3)式より明らかな如くRMは非常に高
い値になりRE≪RMの条件が満足される。つまり
そのような二つのコイルを並列的に用いればρX＝
１Ω−cmからρX＝107Ω−cmの広い領域に渉つて
電導度を非接触で測定することができる。
の場合は先に示した(1)式において（１＋CX／Ｃ）2RX ≫１／ω2C2RXの領域であるから、RE≒（１＋CX／Ｃ）2 RXよりREを測定することにより液体のρX又GXを
測定することができる。つまり電気力線を被測定
液へ与え、その時のコイルの抵抗変化REを測定
してGXを測定することができる。このように電
界を利用する場合は電界と磁界との両方が液体に
作用するのでRE≪RMになるようなコイルを用い
ればよい。一例を挙げれば測定周波数18MHzの場
合、磁界によるRM測定に際してはL1＝1.5μH、
電界によるRM測定にはL1＝60〜80μH程度のもの
を用いれば(3)式より明らかな如くRMは非常に高
い値になりRE≪RMの条件が満足される。つまり
そのような二つのコイルを並列的に用いればρX＝
１Ω−cmからρX＝107Ω−cmの広い領域に渉つて
電導度を非接触で測定することができる。
第１図はコイルと発生電気力線及び発生磁力線
との関係を示す図、第２図はボビンに半導電性薄
膜を配した状態を示す正面図、第３図はその側面
図、第４図はこの発明による電導度検出器に用い
られるコイルの巻形式を示す図、第５図は第４図
のコイルと発生磁力線との関係を示す図、第６図
は第４図のコイルと発生電気力線との関係を示す
図、第７図は単一コイルの中点と両端との間に交
流信号を与えた場合のコイルと発生磁力線との関
係を示す図、第８図は第１図のコイルよりの電気
力線を液体へ与えた場合のコイル端子間の電気的
等価回路図、第９図は第１図のコイルよりの磁力
線を液体へ与えた場合のコイル端子間の電気的等
価回路図、第１０図は第９図の回路を書き替えた
図、第１１図は静電遮蔽付き単一コイルを用いて
測定した出力と液体コンダクタンスとの関係を示
す図、第１２図は第４図に示した巻形式の静電遮
蔽したコイルを用いて測定した出力と液体コンダ
クタンスとの関係を示す図、第１３図は第４図に
示した巻形式で静電遮蔽をしないコイルを用いて
測定した出力と液体コンダクタンスとの関係を示
す図、第１４図はコイルの外側に磁力線を出して
液体電導度を測定する場合の検出器の一例を示す
断面図である。 １１ａ，１１ｂ：コイル、１６：ボビン、１
７：半導電性膜、２１：高電位端子、２２：低電
位端子、２５：絶縁スペーサ。
との関係を示す図、第２図はボビンに半導電性薄
膜を配した状態を示す正面図、第３図はその側面
図、第４図はこの発明による電導度検出器に用い
られるコイルの巻形式を示す図、第５図は第４図
のコイルと発生磁力線との関係を示す図、第６図
は第４図のコイルと発生電気力線との関係を示す
図、第７図は単一コイルの中点と両端との間に交
流信号を与えた場合のコイルと発生磁力線との関
係を示す図、第８図は第１図のコイルよりの電気
力線を液体へ与えた場合のコイル端子間の電気的
等価回路図、第９図は第１図のコイルよりの磁力
線を液体へ与えた場合のコイル端子間の電気的等
価回路図、第１０図は第９図の回路を書き替えた
図、第１１図は静電遮蔽付き単一コイルを用いて
測定した出力と液体コンダクタンスとの関係を示
す図、第１２図は第４図に示した巻形式の静電遮
蔽したコイルを用いて測定した出力と液体コンダ
クタンスとの関係を示す図、第１３図は第４図に
示した巻形式で静電遮蔽をしないコイルを用いて
測定した出力と液体コンダクタンスとの関係を示
す図、第１４図はコイルの外側に磁力線を出して
液体電導度を測定する場合の検出器の一例を示す
断面図である。 １１ａ，１１ｂ：コイル、１６：ボビン、１
７：半導電性膜、２１：高電位端子、２２：低電
位端子、２５：絶縁スペーサ。
Claims (1)
- １ 同一直線上に沿つて配列され、互いに接近す
る一端が互いに接続され、その接続端より同一方
向に巻かれ、かつ同一形状同一巻線数の上記直線
をほゞ中心とするソレノイド状の第１及び第２コ
イルと、これら第１及び第２コイルの接続点より
導出された高電位端子と、上記第１及び第２のコ
イルの他端より導出された低電位端子と、上記第
１及び第２コイルの内周面及び外周面の少くとも
一方に接近してこれに沿つて設けられ、第１コイ
ル第２コイルの両端間に達する少くとも１本の溝
を有し、これらコイルより発生する磁力線は通過
させるが電気力線を遮断する半導電性膜と、その
半導電性膜と接続し、その両端に達して配され、
接地された裸銅線とを具備する電導度検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044480A JPS56107169A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Electroconductivity detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044480A JPS56107169A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Electroconductivity detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56107169A JPS56107169A (en) | 1981-08-25 |
| JPS632061B2 true JPS632061B2 (ja) | 1988-01-16 |
Family
ID=11750315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1044480A Granted JPS56107169A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Electroconductivity detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56107169A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH032707U (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-11 | ||
| JP3499315B2 (ja) * | 1994-12-29 | 2004-02-23 | アジレント・テクノロジー株式会社 | 電磁誘導式プローブの補正方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1491207A (en) * | 1973-11-12 | 1977-11-09 | Atomic Energy Authority Uk | Sensors for monitoring the electrical conductivity of electrically conductive fluids |
-
1980
- 1980-01-31 JP JP1044480A patent/JPS56107169A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56107169A (en) | 1981-08-25 |
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