JPS63207186A - 可視光領域光素子用材料 - Google Patents
可視光領域光素子用材料Info
- Publication number
- JPS63207186A JPS63207186A JP62039236A JP3923687A JPS63207186A JP S63207186 A JPS63207186 A JP S63207186A JP 62039236 A JP62039236 A JP 62039236A JP 3923687 A JP3923687 A JP 3923687A JP S63207186 A JPS63207186 A JP S63207186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superlattice
- gap
- light region
- transition type
- transition
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、可視光領域において効率の高い光素子用半導
体材料に関するものである。
体材料に関するものである。
これまで、可視光領域の発光素子には、間接遷移型半導
体であるＧａＰに窒素を添加することによってアイソエ
レクトロニックトラップを形成し、これを介した光遷移
が利用されてきた。しかし、この過程においては遷移確
率はレーザ発振を起こし得る程大きくなることはない。
体であるＧａＰに窒素を添加することによってアイソエ
レクトロニックトラップを形成し、これを介した光遷移
が利用されてきた。しかし、この過程においては遷移確
率はレーザ発振を起こし得る程大きくなることはない。
また、過去に、本発明と同種の材料からなる超格子を用
いた半導体装置が出願（特開昭５９−１９７１８７）さ
れている。そこで主張されている超格子構造は、一超格
子周期中に含まれるＧａＰ分子層数をｍ、ＡβＰ分子層
数をｎとしたとき、２≦ｍ≦７ ２≦ｎ≦７ ｎ＋ｍ≦１２ という条件を満足するというものである。
いた半導体装置が出願（特開昭５９−１９７１８７）さ
れている。そこで主張されている超格子構造は、一超格
子周期中に含まれるＧａＰ分子層数をｍ、ＡβＰ分子層
数をｎとしたとき、２≦ｍ≦７ ２≦ｎ≦７ ｎ＋ｍ≦１２ という条件を満足するというものである。
しかしながら、この条件の意義は物理的には明確でなく
、実際に計算した結果、直接遷移型半導体になっていな
いものや、直接遷移型半導体ではあっても光との相互作
用が弱く量子効率の良い材料となりえない構造などを含
んでいることがわかった。特に、実施例として挙げられ
ているｎ＝ｍ＝４という場合の発光効率は後述のように
著しく低い（直接遷移型半導体より３桁程度小）ことが
予測される（第２図参照）。従って、このような条件設
定は材料や素子の作製において参考とすることはできな
い。
、実際に計算した結果、直接遷移型半導体になっていな
いものや、直接遷移型半導体ではあっても光との相互作
用が弱く量子効率の良い材料となりえない構造などを含
んでいることがわかった。特に、実施例として挙げられ
ているｎ＝ｍ＝４という場合の発光効率は後述のように
著しく低い（直接遷移型半導体より３桁程度小）ことが
予測される（第２図参照）。従って、このような条件設
定は材料や素子の作製において参考とすることはできな
い。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、通常のＩ／Ｖ族直接遷移型半導
体より大きな可視光領域のバンドギャップを持ち、かつ
光との相互作用が大きい、従って高効率な光素子を実現
するための半導体材料を提供することにある。
の目的とするところは、通常のＩ／Ｖ族直接遷移型半導
体より大きな可視光領域のバンドギャップを持ち、かつ
光との相互作用が大きい、従って高効率な光素子を実現
するための半導体材料を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、間接遷移型
半導体を超格子構造にすることにより又は間接遷移型半
導体の超格子構造に圧力を印加することにより間接遷移
型半導体を直接遷移型半導体に転移させるようにしたも
のである。
半導体を超格子構造にすることにより又は間接遷移型半
導体の超格子構造に圧力を印加することにより間接遷移
型半導体を直接遷移型半導体に転移させるようにしたも
のである。
本発明に係わる可視光領域光素子用材料においては、遷
移確率が増強される。
移確率が増強される。
間接遷移型半導体が光遷移を起こすためには、フォノン
散乱などによる運動量供給が不可欠である。このため、
間接遷移過程は二次の過程で表わされ、その遷移確率は
通常小さな値を示す。一般に、ＩＩ［／Ｖ族半導体にお
いて、可視光領域の光のエネルギーに対応するバンドギ
ャップを有する材料は間接遷移型半導体である。従って
、これまで可視光領域の発光素子には間接遷移型半導体
であるＧａＰに窒素を添加することによってアイソエレ
クトロニックトラップを形成し、これを介した光遷移が
利用されてきた。しかし、この過程においては遷移確率
はレーザ発振を起こし得る程大きくなることはない。
散乱などによる運動量供給が不可欠である。このため、
間接遷移過程は二次の過程で表わされ、その遷移確率は
通常小さな値を示す。一般に、ＩＩ［／Ｖ族半導体にお
いて、可視光領域の光のエネルギーに対応するバンドギ
ャップを有する材料は間接遷移型半導体である。従って
、これまで可視光領域の発光素子には間接遷移型半導体
であるＧａＰに窒素を添加することによってアイソエレ
クトロニックトラップを形成し、これを介した光遷移が
利用されてきた。しかし、この過程においては遷移確率
はレーザ発振を起こし得る程大きくなることはない。
本発明は、可視光領域光素子用材料において、間接遷移
型半導体に対して超格子構造を導入したり、圧力を印加
したりすることにより、間接遷移型半導体を直接遷移型
半導体に転移させ、これにより遷移確率を増強するもの
である。
型半導体に対して超格子構造を導入したり、圧力を印加
したりすることにより、間接遷移型半導体を直接遷移型
半導体に転移させ、これにより遷移確率を増強するもの
である。
まず、間接遷移型半導体に対して超格子構造を導入する
場合について説明する。超格子構造の形成は、共に間接
遷移型半導体であるＧａＰとＡＲＰを（００１）方向に
成長させることにより行なう。
場合について説明する。超格子構造の形成は、共に間接
遷移型半導体であるＧａＰとＡＲＰを（００１）方向に
成長させることにより行なう。
すなわち、ＧａＰ／Ａｊ２Ｐ（００１）超格子の形成で
ある。ここで、これらの材料は共にＸ点に伝導帯の底を
持ち、バンドギャップはそれぞれ２６３５および２．５
０ｅＶである。また、これらの材料は非常に近い格子定
数を有しており、はとんど格子整合した超格子の作製が
可能である。
ある。ここで、これらの材料は共にＸ点に伝導帯の底を
持ち、バンドギャップはそれぞれ２６３５および２．５
０ｅＶである。また、これらの材料は非常に近い格子定
数を有しており、はとんど格子整合した超格子の作製が
可能である。
超格子等の構造の導入に基づく間接遷移／直接遷移間の
移転はバンドフォルディング効果およびバンドミキシン
グ効果によっておこされるが、従来の提案（前記特開昭
５９−１９７１８７）は、このうちバンドミキシング効
果を全く無視しており、物理的には無意味な描像の下で
行なわれてきた。本発明は実際の理論計算に基づき全プ
リルアンゾーンにおけるバンド構造を確認した上での提
案である。
移転はバンドフォルディング効果およびバンドミキシン
グ効果によっておこされるが、従来の提案（前記特開昭
５９−１９７１８７）は、このうちバンドミキシング効
果を全く無視しており、物理的には無意味な描像の下で
行なわれてきた。本発明は実際の理論計算に基づき全プ
リルアンゾーンにおけるバンド構造を確認した上での提
案である。
超格子の解析の前提条件を次に示す。
■ 伝導帯再現の精度を向上させるため、通常のＳＰ”
基底に励起Ｓ状態Ｓ″′を加えた５ｐ３ｓ”強結合法を
用いた。このことは、例えば「フォーグル、ヒャルマル
ソンおよびダウ著、物理化学固体誌、４４巻、３６５頁
、 １９８３Ｊ （Ｐ、Ｖｏｇｌ、１１．ｔｌｊａｒｍ
ａｒｓｏｎ＆Ｊ、Ｄ、Ｄｏｗ、 Ｊ、Ｐｈｙｓ、Ｃｈｅ
ｍ、５ｏｌｉｄｓ、 ４４． ｐ、３６５．１９８３）
に記載されている。
基底に励起Ｓ状態Ｓ″′を加えた５ｐ３ｓ”強結合法を
用いた。このことは、例えば「フォーグル、ヒャルマル
ソンおよびダウ著、物理化学固体誌、４４巻、３６５頁
、 １９８３Ｊ （Ｐ、Ｖｏｇｌ、１１．ｔｌｊａｒｍ
ａｒｓｏｎ＆Ｊ、Ｄ、Ｄｏｗ、 Ｊ、Ｐｈｙｓ、Ｃｈｅ
ｍ、５ｏｌｉｄｓ、 ４４． ｐ、３６５．１９８３）
に記載されている。
■ 従来の解析の精度を上げる目的で、第２近接相互作
用まで考慮した。
用まで考慮した。
すなわち、超格子の解析は各分子層（陽イオンと陰イオ
ンの対の層、 ｃａｔｉｏｎ−ａｎｉｏｎ−ｐａｉｒ）
に対応する二次元波動函数を基底として、 １ψ〉＝Σｒ（（２）１φ（ｍ）〉＋Σｆ （ｎ） ｌ
φ（ｎ）〉・・・・（１）明細書の浄Ｗ（内容に変更な
し Ｈ＝ 吐 も ｑ 口二ン ぞく−シく暮ｋ （町 （＋１ （ なる波動函数を用いて次式（２）のハミルトニアン（Ｈ
ａｍｉｌｔｏｎｉａｎ） Ｈを対角化することに相当す
る。ハミルトニアンのマトリクスエレメントは、（３）
〜（７）式に示す５×５のサブマトリクスを含んでいる
。
ンの対の層、 ｃａｔｉｏｎ−ａｎｉｏｎ−ｐａｉｒ）
に対応する二次元波動函数を基底として、 １ψ〉＝Σｒ（（２）１φ（ｍ）〉＋Σｆ （ｎ） ｌ
φ（ｎ）〉・・・・（１）明細書の浄Ｗ（内容に変更な
し Ｈ＝ 吐 も ｑ 口二ン ぞく−シく暮ｋ （町 （＋１ （ なる波動函数を用いて次式（２）のハミルトニアン（Ｈ
ａｍｉｌｔｏｎｉａｎ） Ｈを対角化することに相当す
る。ハミルトニアンのマトリクスエレメントは、（３）
〜（７）式に示す５×５のサブマトリクスを含んでいる
。
（５）式は分子層内第２近接相互作用を表わし、（６）
式、（７）式は第１近接相互作用、（８）式は分子層間
第２近接相互作用を表わす。
式、（７）式は第１近接相互作用、（８）式は分子層間
第２近接相互作用を表わす。
解析結果として、第１図に、この超格子の構造変化によ
る間接遷移／直接遷移間の転移のようすを示す。第１図
では、ｍ＋ｎ≦１０（ｍ：ＧａＰ分子層数、ｎ：Ａｊ２
Ｐ分子層数）の範囲のすべての組合せのうちで直接遷移
型半導体になっている構造を○で示しである。従って、
第１図の○で示された構造の超格子だけが光素子（特に
発光素子）用材料として有効である。しかし、直接遷移
型半導体になっていることはこの材料が有効であるため
の必要条件にすぎず、加えてこの材料と光との相互作用
の大きさを評価しなければならない。
る間接遷移／直接遷移間の転移のようすを示す。第１図
では、ｍ＋ｎ≦１０（ｍ：ＧａＰ分子層数、ｎ：Ａｊ２
Ｐ分子層数）の範囲のすべての組合せのうちで直接遷移
型半導体になっている構造を○で示しである。従って、
第１図の○で示された構造の超格子だけが光素子（特に
発光素子）用材料として有効である。しかし、直接遷移
型半導体になっていることはこの材料が有効であるため
の必要条件にすぎず、加えてこの材料と光との相互作用
の大きさを評価しなければならない。
第２図に、物質と光との相互作用の大きさを表わすパラ
メータである振動子強度ｆの超格子構造依存性を示す。
メータである振動子強度ｆの超格子構造依存性を示す。
第２図において、横軸は超格子の周期ｍ十ｎ （原子層
）を示し、縦軸は振動子強度ｆを示し、点線Ｓはバルク
のＧａＰのｒｌｓＶ〜ｒｌｃの振動子強度ｆを示す。ま
た、○、・はｍ＋ｎ＝奇数の場合、△、ムはｍ＋ｎ−偶
数の場合を示し、○、△は、ｍ＋ｎ＝Ｎのとき、ｍ、ｎ
のすべての組合せのうち最大の振動子強度ｆを与える組
合せの値を示す。・、ムは、同様に、最小の振動子強度
ｆを与える組合せの値を示す。第２図から、ｍ、ｎがそ
れぞれ奇数でかつｍ＋ｎが小さい程、振動子強度ｆが大
きく、従って、光との相互作用が大きく光素子用材料と
して有効であることがわかる。
）を示し、縦軸は振動子強度ｆを示し、点線Ｓはバルク
のＧａＰのｒｌｓＶ〜ｒｌｃの振動子強度ｆを示す。ま
た、○、・はｍ＋ｎ＝奇数の場合、△、ムはｍ＋ｎ−偶
数の場合を示し、○、△は、ｍ＋ｎ＝Ｎのとき、ｍ、ｎ
のすべての組合せのうち最大の振動子強度ｆを与える組
合せの値を示す。・、ムは、同様に、最小の振動子強度
ｆを与える組合せの値を示す。第２図から、ｍ、ｎがそ
れぞれ奇数でかつｍ＋ｎが小さい程、振動子強度ｆが大
きく、従って、光との相互作用が大きく光素子用材料と
して有効であることがわかる。
次に、これらの超格子のバンドギャップの構造依存性を
第３図に示す。第３図において、横軸は一超格子周期中
に含まれるＡβＰ原子層の数ｎを示し、縦軸はバンドギ
ャップを示す。また、○はｍ ＋ ｎ ＝ ４の場合、
ムはｍ＋ｎ＝ｓの場合、×はｍ＋ｎ＝１Ｑの場合、Δは
ｍ＋ｎ＝２０の場合、Ｏはｍ＋ｎ＝３０の場合を示す。
第３図に示す。第３図において、横軸は一超格子周期中
に含まれるＡβＰ原子層の数ｎを示し、縦軸はバンドギ
ャップを示す。また、○はｍ ＋ ｎ ＝ ４の場合、
ムはｍ＋ｎ＝ｓの場合、×はｍ＋ｎ＝１Ｑの場合、Δは
ｍ＋ｎ＝２０の場合、Ｏはｍ＋ｎ＝３０の場合を示す。
第３図から、Ｇａ Ｐ ／ Ａ Ｉ Ｐ超格子のバンド
ギャップはＧａＰのバンドギャップ２．３５ｅＶとＡｊ
２Ｐのバンドギヤ・ツブ２．５０の間にあり、おおよそ
緑色領域に属することがわかる。結局、上の事柄から、
（ｍ、ｎ）が（ＬＬ）、（１、３Ｌ（Ｌ５Ｌ（３，３）
、（５，１）、（Ｌ７）、（３，５）、（５，３Ｌ（７
，１）という構造のＧ ａ Ｐ ／ Ａ ｊ２ Ｐ （
００１）超格子が可視光領域光素子用材料として有効で
ある。
ギャップはＧａＰのバンドギャップ２．３５ｅＶとＡｊ
２Ｐのバンドギヤ・ツブ２．５０の間にあり、おおよそ
緑色領域に属することがわかる。結局、上の事柄から、
（ｍ、ｎ）が（ＬＬ）、（１、３Ｌ（Ｌ５Ｌ（３，３）
、（５，１）、（Ｌ７）、（３，５）、（５，３Ｌ（７
，１）という構造のＧ ａ Ｐ ／ Ａ ｊ２ Ｐ （
００１）超格子が可視光領域光素子用材料として有効で
ある。
次に、間接遷移型半導体の超格子構造に圧力を加えて直
接遷移型半導体に転移させる場合について説明する。半
導体に圧力を加えたときバンド構造は変化するが、その
変化の仕方はプリルアンゾーンの位置に依存する。特に
、超格子のように、それ自体が異方性を持っている場合
、印加する圧力の方向によってハンド構造をある程度人
為的に変化させることができる。
接遷移型半導体に転移させる場合について説明する。半
導体に圧力を加えたときバンド構造は変化するが、その
変化の仕方はプリルアンゾーンの位置に依存する。特に
、超格子のように、それ自体が異方性を持っている場合
、印加する圧力の方向によってハンド構造をある程度人
為的に変化させることができる。
第４図〜第６図に、ＧａＰ／ＡｆｆｉＰ（００１）超格
子に、超格子軸方向、静水的又は超格子面内方向にｌ
Ｑ ｋ ｂ ａ ｒの圧力を印加したときの間接遷移／
直接遷移間の転移の様子を示す。第４図〜第６図におい
て、○は直接遷移型の構造を示し、◎は、第１図と第４
図〜第６図の比較から明らかなように、圧力印加により
間接遷移型から直接遷移型に転移する構造を示す。また
、◎は、−１格子周期中に含まれる（ＧａＰ分子層数、
Ａ／！Ｐ分子層数）の組合せとして、ｍ、ｎが奇数で、
かつｍ＋ｎ＜１２であり、超格子面内に平行な方向又は
静水的に圧力を印加した場合の構造を示す。
子に、超格子軸方向、静水的又は超格子面内方向にｌ
Ｑ ｋ ｂ ａ ｒの圧力を印加したときの間接遷移／
直接遷移間の転移の様子を示す。第４図〜第６図におい
て、○は直接遷移型の構造を示し、◎は、第１図と第４
図〜第６図の比較から明らかなように、圧力印加により
間接遷移型から直接遷移型に転移する構造を示す。また
、◎は、−１格子周期中に含まれる（ＧａＰ分子層数、
Ａ／！Ｐ分子層数）の組合せとして、ｍ、ｎが奇数で、
かつｍ＋ｎ＜１２であり、超格子面内に平行な方向又は
静水的に圧力を印加した場合の構造を示す。
第４図〜第６図から、超格子軸方向に圧力を印加した場
合は間接遷移型になるものが多く、静水的又は超格子面
内方向に圧力を印加した場合には直接遷移型になるもの
が多くなることがわかる。
合は間接遷移型になるものが多く、静水的又は超格子面
内方向に圧力を印加した場合には直接遷移型になるもの
が多くなることがわかる。
このように、Ｇａ Ｐ／ＡＡ Ｐ（００１）超格子では
、静水的又は超格子面内方向に圧力を印加することによ
り、有効な構造の自由度を増すことができる。
、静水的又は超格子面内方向に圧力を印加することによ
り、有効な構造の自由度を増すことができる。
上記実施例では、Ｇ ａ Ｐ ／ Ａ ７ＩＰ超格子に
限定した解析をもとにして、光素子用材料として有効な
超格子構造を提案したが、一般に井戸層に間接遷移型半
扉体を用いた超格子においても基本的には同様な振舞が
見られる。例えば、Ｇ ａ Ｐ ／ Ｚ ｎ５Ｓｅ、Ａ
ＥＰ／ＺｎＳＳｅ、、Ｓｉ／ＧａＰ、Ａ１ Ａ ｓ ／
Ｚ ｎ Ｓ ｅのような半導体材料の組合せによる超
格子が光素子用材料として有用である。
限定した解析をもとにして、光素子用材料として有効な
超格子構造を提案したが、一般に井戸層に間接遷移型半
扉体を用いた超格子においても基本的には同様な振舞が
見られる。例えば、Ｇ ａ Ｐ ／ Ｚ ｎ５Ｓｅ、Ａ
ＥＰ／ＺｎＳＳｅ、、Ｓｉ／ＧａＰ、Ａ１ Ａ ｓ ／
Ｚ ｎ Ｓ ｅのような半導体材料の組合せによる超
格子が光素子用材料として有用である。
以上説明したように本発明は、間接遷移型半導体を超格
子構造にすることにより又は間接遷移型半導体の超格子
構造に圧力を印加することにより間接遷移型半導体を直
接遷移型半導体に転移させたことにより、通常のＩ［［
／Ｖ族直接遷移型半導体よりも大きな可視光領域のバン
ドギャップを有すると共に光との相互作用を大きくでき
るので、高効率な光素子を実現することができる効果が
ある。
子構造にすることにより又は間接遷移型半導体の超格子
構造に圧力を印加することにより間接遷移型半導体を直
接遷移型半導体に転移させたことにより、通常のＩ［［
／Ｖ族直接遷移型半導体よりも大きな可視光領域のバン
ドギャップを有すると共に光との相互作用を大きくでき
るので、高効率な光素子を実現することができる効果が
ある。
第１図はＧａ Ｐ／Ａｊ２ Ｐ（００１）超格子の構造
変化による間接遷移／直接遷移間の転移の様子を示す説
明図、第２図はＧａＰ／ＡＩＰ超格子のｒ点における振
動子強度の構造依存性を示すグラフ、第３図はＧａ Ｐ
／Ａ／！ Ｐ（００１）超格子の直接ギャップの大きさ
の構造依存性を示すグラフ、第４図〜第６図はＧａ Ｐ
／Ａ６ Ｐ（００１）超格子に超格子軸方向、静水的又
は超格子面内方向に１０ｋｂａｒの圧力を印加したとき
の間接遷移／直接遷移間の転移の様子についての解析結
果を示す説明図である。
変化による間接遷移／直接遷移間の転移の様子を示す説
明図、第２図はＧａＰ／ＡＩＰ超格子のｒ点における振
動子強度の構造依存性を示すグラフ、第３図はＧａ Ｐ
／Ａ／！ Ｐ（００１）超格子の直接ギャップの大きさ
の構造依存性を示すグラフ、第４図〜第６図はＧａ Ｐ
／Ａ６ Ｐ（００１）超格子に超格子軸方向、静水的又
は超格子面内方向に１０ｋｂａｒの圧力を印加したとき
の間接遷移／直接遷移間の転移の様子についての解析結
果を示す説明図である。
Claims (3)
- （１）間接遷移型半導体を超格子構造にすることにより
又は間接遷移型半導体の超格子構造に圧力を印加するこ
とにより前記間接遷移型半導体を直接遷移型半導体に転
移させたことを特徴とする可視光領域光素子用材料。 - （２）超格子はＧａＰ／ＡｌＰ（００１）の超格子であ
り、一超格子周期中に含まれるＧａＰ分子層数ｍとＡｌ
Ｐ分子層数ｎとの組合せ（ｍ、ｎ）が（１、１）（１、
３）、（１、５）、（３、３）、（５、１）、（１、７
）、（３、５）、（５、３）、（７、１）であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の可視光領域光素
子用材料。 - （３）超格子はＧａＰ／ＡｌＰ（００１）の超格子であ
り、一超格子周期中に含まれるＧａＰ分子層数ｍとＡｌ
Ｐ分子層数ｎとの組合せとして、ｍ、ｎが奇数であり、
ｍ＋ｎ≦１２であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の可視光領域光素子用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62039236A JPS63207186A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 可視光領域光素子用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62039236A JPS63207186A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 可視光領域光素子用材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63207186A true JPS63207186A (ja) | 1988-08-26 |
Family
ID=12547494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62039236A Pending JPS63207186A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 可視光領域光素子用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63207186A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187986A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light emitting element |
| JPS59197187A (ja) * | 1983-04-07 | 1984-11-08 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 半導体装置 |
| JPS61244086A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP62039236A patent/JPS63207186A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187986A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light emitting element |
| JPS59197187A (ja) * | 1983-04-07 | 1984-11-08 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 半導体装置 |
| JPS61244086A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
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