JPS6320914A - Proximity switch - Google Patents

Proximity switch

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JPS6320914A
JPS6320914A JP61166353A JP16635386A JPS6320914A JP S6320914 A JPS6320914 A JP S6320914A JP 61166353 A JP61166353 A JP 61166353A JP 16635386 A JP16635386 A JP 16635386A JP S6320914 A JPS6320914 A JP S6320914A
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oscillation
current
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feedback
proximity switch
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Kengo Ueki
植木 健五
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Abstract

PURPOSE:To increase the response speed by providing a resonance circuit, a current mirror circuit outputting a feedback current to the resonance circuit and a switching element increasing/decreasing the feedback current intermittently to a current feedback oscillation circuit. CONSTITUTION:A transistor (TR) 5 is turned off for this period only in providing a negative pulse (p) with a small duty ratio to a base of the TR 5 via terminal 5. Thus, the feedback current being a current I1 at the on-state goes into I1+I2, then the oscillating state of a resonance circuit 5 is increased. When an object to be detected, however, is being parted and the resonance circuit 3 is going to start the oscillation. a slope (s) in the increased oscillation amplitude, shown C in figure is made steep while the TR 5 is turned off. Thus, the time from the oscillation start till the saturated oscillation is much shortened.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は近接スイッチに係り、特に検出対象物を検知
する応答速度の速い高周波発振型近接スイッチに関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a proximity switch, and more particularly to a high-frequency oscillation type proximity switch with a fast response speed for detecting an object to be detected.

(従来の技術〕 高周波発振型近接スイッチは検出ヘッド内に検出コイル
を収納し、この検出コイルを発振コイルとして用いて発
振回路を構成し、この回路の出力の低下により検出対象
物を検知している。この際に、検知に要する時間である
応答速度は検出コイルの形状1巻数値等により変化し、
発振回路の発振開始所要時間と発振停止所要時間の和と
みなせる。そして通常、発振開始所要時間は発振停止所
要時間と比較し極めて長い。また、検出距離を伸長する
ために検出コイルの形状を大きくすると、それに比例し
て応答速度は遅くなる。それゆえ検出対象物が高速で移
動している場合には、検出ができないという問題点があ
った。したがって従来から検出距離が長く取れ、しかも
応答速度が速い近接スイッチの実現がi!l!題とされ
ていた。
(Prior art) A high-frequency oscillation type proximity switch houses a detection coil in a detection head, uses this detection coil as an oscillation coil to configure an oscillation circuit, and detects an object by reducing the output of this circuit. At this time, the response speed, which is the time required for detection, changes depending on the shape of the detection coil, the number of turns per turn, etc.
It can be regarded as the sum of the time required to start oscillation and the time required to stop oscillation of the oscillation circuit. Usually, the time required to start oscillation is extremely long compared to the time required to stop oscillation. Furthermore, if the shape of the detection coil is made larger in order to extend the detection distance, the response speed will become slower in proportion. Therefore, there is a problem in that if the object to be detected is moving at high speed, it cannot be detected. Therefore, the i! l! It was said to be a topic.

この課題を解決する提案かい(つかなされている。まず
、実開昭60−145742号公報に開示されている第
1の技術がある。この技術は発振回路に発振出力の低下
を検出するシュミット回路を設け、この回路の出力によ
り発振回路に設けられた発振状態調整用抵抗の抵抗値を
変化させ、検出対象物の近接により発振出力が低下して
検知信号を出力した後、さらに検出対象物が近接しても
近接スイッチから所定の位置までは、小さな振幅で発振
が継続するようにしている。
There have been proposals to solve this problem.Firstly, there is a first technique disclosed in Japanese Utility Model Application Publication No. 145742/1983.This technique uses a Schmitt circuit in the oscillation circuit to detect a decrease in the oscillation output. The output of this circuit changes the resistance value of the oscillation state adjustment resistor provided in the oscillation circuit, and after the oscillation output decreases due to the proximity of the detection target and a detection signal is output, the detection target is further detected. Even when the proximity switch approaches, oscillation continues with a small amplitude from the proximity switch to a predetermined position.

次に、特開昭61−35619.32620,3562
1,35622.35623号公報に開示されている第
2の技術がある。この技術は発振回路の出力の低下によ
り比較回路を動作させ、この回路の出力によって電流ミ
ラー回路を動作させる。そして、検出対象物の近接によ
り発振出力が低下して検知信号を出力した後、さらに検
出対象物が近接を継続しても発振が停止せず、低いレベ
ルで発振が41cされる。
Next, JP-A-61-35619.32620,3562
There is a second technique disclosed in Japanese Patent No. 1,35622.35623. In this technique, a comparator circuit is operated by a drop in the output of an oscillator circuit, and a current mirror circuit is operated by the output of this circuit. Then, after the oscillation output is reduced due to the proximity of the detection target and a detection signal is output, even if the detection target continues to approach, the oscillation does not stop and oscillation is continued at a low level 41c.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところがこれら2つの技術には、以下に述べるような問
題点があった。上記2つの技術とも、検出対象物が近接
し発振振幅が小さくなると、より小さな振幅で発振を継
続させるように作用する。
However, these two techniques have the following problems. Both of the above two techniques work to continue oscillation with a smaller amplitude when the object to be detected approaches and the oscillation amplitude becomes smaller.

それゆえ、動作安定、耐ノイズの目的でなされるヒステ
リシスと反対の動作を行う。すなわち、ヒステリシスと
は動作開始、終了時の動作点を安定させるために設けら
れた、動作開始、終了時の動作レベルの差異のことであ
る。よって、動作開始。
Therefore, the operation is opposite to the hysteresis that is performed for the purpose of stable operation and noise resistance. That is, hysteresis is a difference between the operating levels at the start and end of an operation, which is provided to stabilize the operating points at the start and end of the operation. Therefore, it starts working.

終了レベルが同一であるとそのレベルにおいて動作の不
安定を招来する。上記2つの技術ではこのヒステリシス
を消滅させる方向に動作するため、動作安定性が悪くノ
イズの影響を受けやすいという問題点がある。
If the end levels are the same, the operation will become unstable at that level. Since the above two techniques operate in a direction to eliminate this hysteresis, there is a problem in that the operation stability is poor and they are easily affected by noise.

この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、応
答速度が速く動作安定性に優れ、かつノイズの影響を受
けにくい高周波発振型近接スイッチの提供を目的とする
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a high frequency oscillation type proximity switch that has a fast response speed, excellent operational stability, and is less susceptible to noise.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記問題点を解決し、この目的を達成するための具体的
手段は、発振電流の一部を帰還させる電流帰還型発振回
路の出力低下により検出対象物の検知を行う近接スイッ
チにおいて、前記電流帰還型発振回路に、共振回路と、
この共振回路への帰還電流を出力する電流ミラー回路と
、前記帰還電流を断続的に増大または減少させるスイッ
チング素子を具備したことである。
A specific means for solving the above problems and achieving this objective is to provide a proximity switch that detects an object by reducing the output of a current feedback type oscillator circuit that feeds back a part of the oscillation current. type oscillation circuit, resonant circuit,
The present invention includes a current mirror circuit that outputs a feedback current to the resonant circuit, and a switching element that intermittently increases or decreases the feedback current.

〔作  用〕[For production]

この発明は前述のような手段を採ったので、次のような
作用がもたらされる。検出対象物が近接すると、電流帰
還型発振回路の共振回路による発振出力が低下する。こ
の低下を受けて、電流ミラー回路から出力される帰還電
流も小さくなる。検出対象物が次第に近接し、発振出力
が検出レベルを下回ると検知信号が出力される。さらに
検出対象物が近接すると発振出力は徐々に減少し、最後
には発振が停止される。スイッチング素子は断続的に帰
還電流を増大または減少している。
Since this invention employs the above-mentioned means, the following effects are brought about. When the object to be detected approaches, the oscillation output by the resonant circuit of the current feedback oscillation circuit decreases. In response to this decrease, the feedback current output from the current mirror circuit also decreases. When the object to be detected gradually approaches and the oscillation output falls below the detection level, a detection signal is output. Further, as the object to be detected approaches, the oscillation output gradually decreases, and finally the oscillation is stopped. The switching element intermittently increases or decreases the feedback current.

このスイッチング素子が動作状態の期間に、帰還電流が
減少する場合について述べる。この動作状態以外の期間
は共振回路への帰還電流の総和は増大する。したがって
、発振出力が停止されても断続的に帰還電流が共振回路
へ流れこみ、共振回路は発振の立ち上がりを生起する。
A case will be described in which the feedback current decreases while the switching element is in the operating state. During periods other than this operating state, the total feedback current to the resonant circuit increases. Therefore, even if the oscillation output is stopped, the feedback current intermittently flows into the resonant circuit, causing the resonant circuit to start oscillating.

この際に、検出対象物が依然として近接していて共振回
路の発振が停止した状態であると、発振は速やかに減衰
する。また検出対象物が離間しつつある場合には、この
発振の立ち上がりを受けて共振回路の発振速度が速まり
、発振開始所要時間は短縮される。
At this time, if the object to be detected is still close and the oscillation of the resonant circuit has stopped, the oscillation will quickly attenuate. Furthermore, when the object to be detected is moving away, the oscillation speed of the resonant circuit increases in response to the rise of this oscillation, and the time required to start oscillation is shortened.

次に、スイッチング素子が動作状態の期間に帰還電流が
増大する場合について述べる。上記と反対に、この動作
状態以外の期間は共振回路への帰還電流の総和は減少す
る。したがって、検出対象物が近接して来て共振回路の
発振が停止しつつある状態であると、発振は速やかに減
衰する。
Next, a case will be described in which the feedback current increases while the switching element is in the operating state. Contrary to the above, the total feedback current to the resonant circuit decreases during periods other than this operating state. Therefore, when the object to be detected approaches and the resonant circuit is about to stop oscillating, the oscillation quickly attenuates.

〔実 施 例〕〔Example〕

この発明を、以下1実施例に基づいて詳細に説明する。 This invention will be explained in detail below based on one embodiment.

第1図に示すように、この実施例に係る近接スイッチの
発振回路は定電流源1に直流電源2を介して、コイルL
とコンデンサCからなる共振回路3が接続されている。
As shown in FIG. 1, the oscillation circuit of the proximity switch according to this embodiment connects a coil L to a constant current source 1 via a DC power source 2.
A resonant circuit 3 consisting of a capacitor C and a capacitor C is connected.

また、定電流源lにはトランジスタTr、のベースも接
続されている。
Further, the base of the transistor Tr is also connected to the constant current source I.

このトランジスタTr、のエミッタは、コレクタ電流を
定める抵抗R,を介して接地されるとともに、検出信号
を伝達する0LIT端子に接続されている。
The emitter of this transistor Tr is grounded via a resistor R, which determines the collector current, and is also connected to an 0LIT terminal that transmits a detection signal.

またコレクタは、トランジスタTr、 、 Tra 、
 Traからなる電流ミラー回路4に接続されている。
In addition, the collector is a transistor Tr, , Tra,
It is connected to a current mirror circuit 4 consisting of Tra.

トランジスタTr3 、 Tr4のコレクタ間にはダイ
オードDが接続され、トランジスタTr#のコレクタに
はスイッチング素子であるトランジスタTrsのコレク
タが接続されている。このトランジスタTrSのエミッ
タは接地され、ベースは端子5に接続されている。
A diode D is connected between the collectors of the transistors Tr3 and Tr4, and the collector of the transistor Trs, which is a switching element, is connected to the collector of the transistor Tr#. The emitter of this transistor TrS is grounded, and the base is connected to the terminal 5.

この発振回路の動作について説明する。定電流源1から
直流型−rA2を経由して共振回路3に電流が供給され
る。共振回路3によって得られる電流値がトランジスタ
Tr、により電流増幅され、トランジスタTr、のコレ
クタ電流I0と各々の電流値の総和が同一である帰還電
流11.12が、電流ミラー回路4によりトランジスタ
Tr3 、 Tr、を経由して共振回路3に電流帰還さ
れる。したがって電流正帰還がかけられるため、共振回
路3の共振周波数によって発振が開始される。
The operation of this oscillation circuit will be explained. Current is supplied from the constant current source 1 to the resonant circuit 3 via the DC type -rA2. The current value obtained by the resonant circuit 3 is amplified by the transistor Tr, and a feedback current 11.12 whose sum of the respective current values is the same as the collector current I0 of the transistor Tr is amplified by the current mirror circuit 4. The current is fed back to the resonant circuit 3 via the Tr. Therefore, since positive current feedback is applied, oscillation is started at the resonant frequency of the resonant circuit 3.

なお、抵抗R0は検出距離を設定するために設けられ、
小さな抵抗値に設定するとコレクタ電流1G、すなわち
帰還電流の総和(1+ +lz)が大きくなる。それゆ
え発振振幅が大きくなり、検出対象物がより近接してい
ないと検出不可能となる。当然、抵抗R8の抵抗値を大
きな値に設定すると検出距離は長くなる。帰還電流11
.I2の電流値の比は、トランジスタTr:+ 、 T
raの面積比によって所望の値に設定し得る。トランジ
スタTrSがオン状態であると帰還電流はI1のみとな
り、オフ状態であると帰還電流は1.+1.となる。
Note that the resistor R0 is provided to set the detection distance,
When the resistance value is set to a small value, the collector current 1G, that is, the total feedback current (1+ +lz) becomes large. Therefore, the oscillation amplitude increases, and detection becomes impossible unless the object to be detected is closer. Naturally, if the resistance value of the resistor R8 is set to a large value, the detection distance will become longer. Feedback current 11
.. The ratio of the current values of I2 is the transistor Tr: +, T
It can be set to a desired value depending on the area ratio of ra. When the transistor TrS is in the on state, the feedback current is only I1, and when the transistor TrS is in the off state, the feedback current is 1. +1. becomes.

この発振回路において、端子5を介してトランジスタT
rsのベースに、第2図(alに示すように、デユーテ
ィ比の小さな負のパルスpを付与すると、トランジスタ
Trsはこの付与期間だけオフ状態に移行する。すると
オン状態の時には11のみであった帰還電流が、1+ 
十■2となり共振回路3の発振振幅は増大する。このよ
うに、周期的に共振回路3の発振振幅は増大される。同
図fblに示すように、共振回路3の発振が飽和してい
る場合Aには、周期的に発振振幅が増大されても何の影
響も生じない。発振停止の状態Bでは、パルスpにより
周期的に発振が立ち上がろうとしだ俊速やかに減衰する
。この立ち上がりによる出力信号は、OUT端子に接続
された積分回路(図示省略)において積分され、その影
響が除去されるので同等検出動作に影響しない。
In this oscillation circuit, the transistor T
When a negative pulse p with a small duty ratio is applied to the base of rs, as shown in FIG. Feedback current is 1+
12, and the oscillation amplitude of the resonant circuit 3 increases. In this way, the oscillation amplitude of the resonant circuit 3 is increased periodically. As shown in fbl of the figure, in case A when the oscillation of the resonant circuit 3 is saturated, no effect occurs even if the oscillation amplitude is increased periodically. In state B where oscillation is stopped, oscillation starts to rise periodically due to the pulse p, but quickly attenuates. The output signal caused by this rising edge is integrated in an integrating circuit (not shown) connected to the OUT terminal, and its influence is removed, so that it does not affect the equivalence detection operation.

しかし検出対象物が離間しつつあり、共振回路3が発振
を開始しようとしている場合C(第2図(b)参照)に
は、トランジスタTrsのオフ状態の期間中、発振振幅
の増大化の傾斜Sが急峻になる。
However, in case C (see FIG. 2(b)) when the object to be detected is moving away and the resonant circuit 3 is about to start oscillating, the oscillation amplitude increases at an increasing rate during the off-state period of the transistor Trs. S becomes steep.

したがって、発振開始から発振飽和に至る時間(発振開
始所要時間)が極めて短縮される。反対に検出対象物が
近接しつつあり、共振回路3が発振を停止しようとして
いる場合D(同図Tb)参照)には、トランジスタTr
sのオフ状態の期間中、発振の停止を妨害する作用をす
る。したがって、発振飽和から発振停止に至る時間(発
振停止所要時間)は僅かに延長されるが、上記発振開始
所要時間の短縮時間の方がこの発振停止所要時間の延長
時間より蟲かに長いので、総体的にこの実施例に係る発
振回路を用いた近接スイッチの応答速度は速くなる。
Therefore, the time from the start of oscillation to oscillation saturation (the time required to start oscillation) is extremely shortened. On the other hand, in case D (see Tb in the same figure) when the object to be detected is approaching and the resonant circuit 3 is about to stop oscillating, the transistor Tr
During the off state of s, it acts to prevent the oscillation from stopping. Therefore, the time from oscillation saturation to oscillation stop (oscillation stop time) is slightly extended, but the reduction in the oscillation start time is much longer than the extension of the oscillation stop time. Overall, the response speed of the proximity switch using the oscillation circuit according to this embodiment is faster.

この実施例においては、電流ミラー回路4の帰還電流の
大きさを周期的に変化させることにより近接スイッチの
応答速度を速めたが、次のよう仝こしても良い。第3図
に示すように、電流ミラー回路4aをトランジスタTr
2 、 Trxで構成するとともに、検出距離を設定す
るための抵抗R0を抵抗R,lおよび抵抗Ra2とに分
割し、抵抗Ra2の両端に並列にスイッチング素子であ
るトランジスタTr5を接続する。このような構成にす
ると、トランジスタTr5がオン状態になると抵抗R8
の抵抗値が小さくなり、前述のように共振回路3の発振
振幅は大きくなる。逆にオフ状態になると発振振幅は小
さくなる。したがって上記実施例と同様な作用がもたら
される。
In this embodiment, the response speed of the proximity switch is increased by periodically changing the magnitude of the feedback current of the current mirror circuit 4, but the following may be made. As shown in FIG. 3, the current mirror circuit 4a is connected to a transistor Tr.
2. Trx, and the resistor R0 for setting the detection distance is divided into resistors R, l and resistor Ra2, and the transistor Tr5, which is a switching element, is connected in parallel to both ends of the resistor Ra2. With such a configuration, when the transistor Tr5 is turned on, the resistor R8
The resistance value of the resonant circuit 3 becomes smaller, and the oscillation amplitude of the resonant circuit 3 becomes larger as described above. Conversely, when it is in the off state, the oscillation amplitude becomes smaller. Therefore, the same effect as in the above embodiment is brought about.

また他の実施例として、第4図に示すように、スイッチ
ング素子であるトランジスタTr、のエミッタを+VC
C端子に接続し、コレクタを抵抗R1を介して共振回路
3に′接続する。さすればトランジスタTrsがオン状
態になると、共振回路3に周期的に電流衝撃が付与され
る。すなわち周期的に帰還電流が増加するので、上記実
施例と同様な作用がもたらされる。
As another example, as shown in FIG. 4, the emitter of the transistor Tr, which is a switching element, is
C terminal, and its collector is connected to the resonant circuit 3 via a resistor R1. Then, when the transistor Trs is turned on, a current shock is periodically applied to the resonant circuit 3. That is, since the feedback current increases periodically, the same effect as in the above embodiment is brought about.

これら3つの実施例のスイッチング素子であるトランジ
スタTr5に接続された端子5に、上記実施例と反対に
デユーティ比の小さな正のパルスを付与しても良い。す
ると電流ミラー回路の帰還電流を周期的に減少させ、発
振停止を速めるような作用がもたらされる。したがって
、検出対象物が近接して来て共振回路3の発振が停止し
つつある状態であると発振は速やかに減衰し、検出対象
物の近接に対する応答速度が速くなる。
Contrary to the above embodiments, a positive pulse with a small duty ratio may be applied to the terminal 5 connected to the transistor Tr5, which is a switching element in these three embodiments. This brings about the effect of periodically reducing the feedback current of the current mirror circuit and speeding up the stopping of oscillation. Therefore, if the object to be detected approaches and the oscillation of the resonance circuit 3 is about to stop, the oscillation will quickly attenuate and the response speed to the proximity of the object to be detected will become faster.

この実施例と上記3つの実施例を組み合わせた発振回路
を構成すれば、発振飽和の状態ではダンプし発振停止の
状態では励起することにより、より一層近接スイッチの
応答速度を速めることが可能である。なおこのような回
路構成にした際には、チャタリング防止のために発振状
態の変化期間中は動作しないようにしておくことが肝要
である。
By configuring an oscillation circuit that combines this embodiment and the above three embodiments, it is possible to further speed up the response speed of the proximity switch by dumping when the oscillation is saturated and excitation when the oscillation is stopped. . When adopting such a circuit configuration, it is important to prevent the circuit from operating during a period when the oscillation state is changing in order to prevent chattering.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の説明から明らかなように、この発明は、発振電流
の一部を帰還させる電流帰還型発振回路の出力低下によ
り検出対象物の検知を行う近接スイッチにおいて、前記
電流帰還型発振回路に、共振回路と、この共振回路への
帰還電流を出力する電流ミラー回路と、前記帰還電流を
断続的に増大または減少させるスイッチング素子を具備
したので、検出距離を伸長するために検出コイルを大型
化しても応答速度を速めることができる。近接スイッチ
のIC化の際に高速応答のPNP)ランジスタを用いな
くとも良いので、通常のバイポーラC−MO3技術によ
りIC化ができる。また、温度特性が良いので温度変化
に強い。さらに動作レベルにヒステリシスを付与してい
るので、ノイズの影響を受けず動作安定性が良い。
As is clear from the above description, the present invention provides a proximity switch that detects an object by reducing the output of a current feedback oscillation circuit that feeds back a part of the oscillation current. circuit, a current mirror circuit that outputs a feedback current to this resonant circuit, and a switching element that intermittently increases or decreases the feedback current, so even if the detection coil is increased in size to extend the detection distance. Response speed can be increased. When converting the proximity switch into an IC, it is not necessary to use a high-speed response PNP) transistor, so the IC can be formed using normal bipolar C-MO3 technology. It also has good temperature characteristics and is resistant to temperature changes. Furthermore, since hysteresis is added to the operating level, it is not affected by noise and has good operating stability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明に係る近接スイッチの1実施例の回路
図、 第2図はこの実施例の動作説明図、 第3図および第4図は他の実施例の回路図である。 3・・・共振回路、4,4a・・・電流ミラー回路、L
・・・検出コイル、C・・・コンデンサ、R,、R,、
、R、+・+抵抗、Trz 、 Try 、 Tra 
・= )ランジスタ、Tr、・・・トランジスタ(スイ
ッチング素子)、I、。 ■2・・・帰還電流。 特許出願人  リード電機株式会社 く第1図〉 く第3図〉 、−/4a@流ミラー回路 〈第4図〉 共振回路
FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of a proximity switch according to the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of this embodiment, and FIGS. 3 and 4 are circuit diagrams of other embodiments. 3... Resonance circuit, 4, 4a... Current mirror circuit, L
...Detection coil, C...Capacitor, R,,R,,
, R, +・+resistance, Trz, Try, Tra
・= ) Transistor, Tr, . . . Transistor (switching element), I. ■2...Feedback current. Patent applicant: Reed Electric Co., Ltd. Figure 1> Figure 3> -/4a@flow mirror circuit <Figure 4> Resonant circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)発振電流の一部を帰還させる電流帰還型発振回路
の出力低下により検出対象物の検知を行う近接スイッチ
において、 前記電流帰還型発振回路が、 共振回路と、 この共振回路への帰還電流を出力する電流ミラー回路と
、 前記帰還電流を断続的に増大または減少させるスイッチ
ング素子を具備することを特徴とする近接スイッチ。
(1) In a proximity switch that detects an object to be detected by reducing the output of a current feedback oscillation circuit that feeds back a part of the oscillation current, the current feedback oscillation circuit has a resonant circuit and a feedback current to the resonant circuit. A proximity switch comprising: a current mirror circuit that outputs the feedback current; and a switching element that intermittently increases or decreases the feedback current.
(2)スイッチング素子にデューティ比の小さな負のパ
ルスを一定周期毎に付与する特許請求の範囲第1項記載
の近接スイッチ。
(2) The proximity switch according to claim 1, wherein a negative pulse with a small duty ratio is applied to the switching element at regular intervals.
JP61166353A 1986-07-15 1986-07-15 Proximity switch Granted JPS6320914A (en)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57157636A (en) * 1981-03-23 1982-09-29 Mitsubishi Electric Corp Proximity switch circuit
JPS6135619A (en) * 1984-07-27 1986-02-20 Omron Tateisi Electronics Co Proximity switch

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57157636A (en) * 1981-03-23 1982-09-29 Mitsubishi Electric Corp Proximity switch circuit
JPS6135619A (en) * 1984-07-27 1986-02-20 Omron Tateisi Electronics Co Proximity switch

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JPH0523649B2 (en) 1993-04-05

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