JPS63210652A - ガス検知装置 - Google Patents
ガス検知装置Info
- Publication number
- JPS63210652A JPS63210652A JP4356887A JP4356887A JPS63210652A JP S63210652 A JPS63210652 A JP S63210652A JP 4356887 A JP4356887 A JP 4356887A JP 4356887 A JP4356887 A JP 4356887A JP S63210652 A JPS63210652 A JP S63210652A
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- JP
- Japan
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- gas
- temperature
- resistance
- gas detection
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- Pending
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的1
(産業上の利用分野)
この発明は、−酸化炭素CO,アルコール。
水素H2等を検知するガス検知装置に関する。
(従来の技術)
ガス漏れ警報器や調理器などに用いられ、−酸化炭素C
O,アルコール、水素H2等を検知するガス検知素子と
しては、たとえば第7図に示すものがある。
O,アルコール、水素H2等を検知するガス検知素子と
しては、たとえば第7図に示すものがある。
第7図において、ユはガス検知素子で、基台2を備え、
その基台2には複数本のリードビン3が植設されている
。そして、これらリードビンにそれぞれリード線4を介
して絶縁管5が接続される。
その基台2には複数本のリードビン3が植設されている
。そして、これらリードビンにそれぞれリード線4を介
して絶縁管5が接続される。
この絶縁管5は、内部にヒータを内蔵するとともに、外
周面に一対の電極を対向して設け、その各電極の上に感
ガス体を設けたもので、ヒータの両端および各電極が各
リードビン3に電気的に接続される。さらに、基台2に
被さるようにしてステンレスネット6およびカバー7が
設けられる。
周面に一対の電極を対向して設け、その各電極の上に感
ガス体を設けたもので、ヒータの両端および各電極が各
リードビン3に電気的に接続される。さらに、基台2に
被さるようにしてステンレスネット6およびカバー7が
設けられる。
すなわち、ヒータで絶縁管5を300〜400℃の高温
に熱した状態において、大気中のガスの濃度に応じて各
電橋間の感ガス体の抵抗値が変化し、それが出力として
取出されるようになっている。
に熱した状態において、大気中のガスの濃度に応じて各
電橋間の感ガス体の抵抗値が変化し、それが出力として
取出されるようになっている。
ところで、このようなガス検知素子には温度依存性があ
り、周囲温度の影響を受けて感ガス特性にばらつきが生
じるという欠点がある。これは、ガス漏れ警報の誤動作
につながるものであり、非常に危険である。
り、周囲温度の影響を受けて感ガス特性にばらつきが生
じるという欠点がある。これは、ガス漏れ警報の誤動作
につながるものであり、非常に危険である。
そこで、従来、第8図に示すように、ガス検知素子に感
温抵抗素子を接続し、ガス検知素子の出力に対する温度
補償を行なうものがある。
温抵抗素子を接続し、ガス検知素子の出力に対する温度
補償を行なうものがある。
第8図において、ガス検知素子1は各電極間の抵抗R1
およびヒータHを有しており、抵抗Rは感温抵抗素子た
とえばサーミスタ11と抵抗12との並列回路を介して
端子P、Nに接続される。そして、端子P、N間に直流
電圧Vdが印加される。
およびヒータHを有しており、抵抗Rは感温抵抗素子た
とえばサーミスタ11と抵抗12との並列回路を介して
端子P、Nに接続される。そして、端子P、N間に直流
電圧Vdが印加される。
さらに、ガス検知素子1のヒータHに対し、ヒータ電圧
vhが印加される。
vhが印加される。
すなわち、ガス検知索子1は周囲の温度が高いと抵抗R
が小さくなるため、それをサーミスタ11の抵抗値変化
で補償するようにしており、サーミスタ11と抵抗12
との並列回路に生じる電圧vOが出力として取出される
。
が小さくなるため、それをサーミスタ11の抵抗値変化
で補償するようにしており、サーミスタ11と抵抗12
との並列回路に生じる電圧vOが出力として取出される
。
(発明が解決しようとする問題点)
ただし、上記の装置では、ガス検知素子1の抵抗Rの絶
対値そのものにばらつきがある場合、それが装置ごとの
出力のばらつきとなって現われてしまう。しかも、それ
を防ごうとすると、抵抗Rの絶対値のばらつきに合わせ
た抵抗値を有するサーミスタを選定しなければならない
という非常に面倒なこととなる。また、ガス検知素子1
とサーミスタ11とが直列であるため、ガス検知素子1
の温度依存性とサーミスタ11の温度特性とが互いに重
畳し合う形となり、回路設計が非常に難しいという問題
がある。
対値そのものにばらつきがある場合、それが装置ごとの
出力のばらつきとなって現われてしまう。しかも、それ
を防ごうとすると、抵抗Rの絶対値のばらつきに合わせ
た抵抗値を有するサーミスタを選定しなければならない
という非常に面倒なこととなる。また、ガス検知素子1
とサーミスタ11とが直列であるため、ガス検知素子1
の温度依存性とサーミスタ11の温度特性とが互いに重
畳し合う形となり、回路設計が非常に難しいという問題
がある。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、ガス検知素子の抵抗の絶対値
のばらつきにかかわらず、また回路設計の複雑化を招く
ことなく、周囲温度の影響を除去して常に安定かつ適正
な検知出力を19ることができる信頼性にすぐれたガス
検知装置を提供することにある。
その目的とするところは、ガス検知素子の抵抗の絶対値
のばらつきにかかわらず、また回路設計の複雑化を招く
ことなく、周囲温度の影響を除去して常に安定かつ適正
な検知出力を19ることができる信頼性にすぐれたガス
検知装置を提供することにある。
[発明の構成1
(問題点を解決するための手段)
ガスの濃度に応じて抵抗値が変化するガス検知素子と、
このガス検知素子の抵抗値変化に基づく出力を調節する
ための調節器と、この調節器を介して得られる出力を増
幅する増幅回路と、温度に応じて抵抗値が変化する感温
抵抗素子と、この感温抵抗素子の抵抗値変化により面記
増幅回路の出力を補正する手段とを設け、増幅回路の出
力を検知出力とする。
このガス検知素子の抵抗値変化に基づく出力を調節する
ための調節器と、この調節器を介して得られる出力を増
幅する増幅回路と、温度に応じて抵抗値が変化する感温
抵抗素子と、この感温抵抗素子の抵抗値変化により面記
増幅回路の出力を補正する手段とを設け、増幅回路の出
力を検知出力とする。
(作用)
ガス検知装置の抵抗値の絶対値のばらつきが調節器によ
って吸収される。そして、感温抵抗素子の抵抗値変化に
基づく増幅回路の出力補正により、ガス検知素子の温度
依存性が補償される。
って吸収される。そして、感温抵抗素子の抵抗値変化に
基づく増幅回路の出力補正により、ガス検知素子の温度
依存性が補償される。
(実施例)
以下、この発明の一実施例について図面を毒照して説明
する。
する。
第1図に示すように、ガス検知索子1の抵抗Rが調節器
であるところの可変抵抗器21を介して端子P、Nに接
続される。可変抵抗器21は、ガス検知素子1の抵抗R
に基づく出力を調節するためのものである。さらに、端
子P、Nに増幅回路30が接続される。この増幅回路3
0は、抵抗31.32.33、感温抵抗素子であるとこ
ろのサーミスタ(負特性)34、および演算増幅器35
からなり、抵抗31.32゜33の抵抗値およびサーミ
スタ34の抵抗値に基づく増幅率をもって上記可変抵抗
器21に生じる電圧VJ (以下、素子出力と称す)
を増幅するようになっている。そして、増幅回路30の
出力電圧Vsがガス検知装置としての検知出力となる。
であるところの可変抵抗器21を介して端子P、Nに接
続される。可変抵抗器21は、ガス検知素子1の抵抗R
に基づく出力を調節するためのものである。さらに、端
子P、Nに増幅回路30が接続される。この増幅回路3
0は、抵抗31.32.33、感温抵抗素子であるとこ
ろのサーミスタ(負特性)34、および演算増幅器35
からなり、抵抗31.32゜33の抵抗値およびサーミ
スタ34の抵抗値に基づく増幅率をもって上記可変抵抗
器21に生じる電圧VJ (以下、素子出力と称す)
を増幅するようになっている。そして、増幅回路30の
出力電圧Vsがガス検知装置としての検知出力となる。
なお、端子P、N間に直流電圧Vdが印加される。さら
に、ガス検知素子1のヒータHに対し、所定のヒータ電
圧vhが印加される。
に、ガス検知素子1のヒータHに対し、所定のヒータ電
圧vhが印加される。
上記増幅回路30の増幅率は、周囲温度が王のとき、
(1+Rn (T)/R1)となる。
R1は抵抗31の抵抗、Rn(T)は抵抗32.33と
サーミスタ34の合成抵抗である。
サーミスタ34の合成抵抗である。
よって、出力Vs (T)は、
Va (T) ・(1+Rn (T)/R1)となる
。
。
つぎに、上記のような構成において作用を説明する。
まず、第2図はガス検知素子1の感ガス特性を示したも
ので、ガス濃度に応じて抵抗Rが対数変化する。
ので、ガス濃度に応じて抵抗Rが対数変化する。
一方、第3図は相対湿度50%のときのガス検知装買1
の温度依存性を示したもので、周囲温度が高いと抵抗R
が小さくなる。
の温度依存性を示したもので、周囲温度が高いと抵抗R
が小さくなる。
また、第4図はサーミスタ34の温度特性を示したもの
で、ガス検知素子1と同様に周囲温度が高いと抵抗が小
さくなる。
で、ガス検知素子1と同様に周囲温度が高いと抵抗が小
さくなる。
しかして、可変抵抗器21の調節がたとえば製造工程に
おいてなされ、ガス検知素子1の抵抗Rの絶対値のばら
つきが吸収される。
おいてなされ、ガス検知素子1の抵抗Rの絶対値のばら
つきが吸収される。
そして、実際の使用状態において、ガス検知素子1はヒ
ータHの発熱によって300℃〜400℃程度の高温に
熱せられ、−酸化炭素C○なとのガスに反応する。この
ときの素子出力■Ωは、増幅回路30で増幅され、検知
出力Vsとなる。
ータHの発熱によって300℃〜400℃程度の高温に
熱せられ、−酸化炭素C○なとのガスに反応する。この
ときの素子出力■Ωは、増幅回路30で増幅され、検知
出力Vsとなる。
ところで、周囲温度が低くなると、それにヒータ発熱が
奪われ、ガス検知素子1の温度が低くなる。このとき、
ガス検知素子1の抵抗Rが大となって素子出力vgが低
下し、そのままでは検知出力vOが不要に低下すること
になる。ただし、この場合、増幅回路30におけるサー
ミスタ34の抵抗値も大となるので、増幅回路30の増
幅率が増大し、検知出力VOの不要な低下を防ぐことに
なる。つまり、周囲温度の低下にかかわらず適正な検知
を行なうことができる。
奪われ、ガス検知素子1の温度が低くなる。このとき、
ガス検知素子1の抵抗Rが大となって素子出力vgが低
下し、そのままでは検知出力vOが不要に低下すること
になる。ただし、この場合、増幅回路30におけるサー
ミスタ34の抵抗値も大となるので、増幅回路30の増
幅率が増大し、検知出力VOの不要な低下を防ぐことに
なる。つまり、周囲温度の低下にかかわらず適正な検知
を行なうことができる。
また、周囲温度が高くなると、それがヒータ発熱に加わ
り、ガス検知素子1の温度が高くなる。
り、ガス検知素子1の温度が高くなる。
このとき、ガス検知素子1の抵抗Rが小となって素子出
力Vgが上昇し、そのままでは検知出力■0が不要に上
昇することになる。ただし、この場合、増幅回路30に
おけるサーミスタ34の抵抗値も小となるので、増幅回
路30の増幅率が小さくなり、検知出力VOの不要な上
昇を防ぐことになる。
力Vgが上昇し、そのままでは検知出力■0が不要に上
昇することになる。ただし、この場合、増幅回路30に
おけるサーミスタ34の抵抗値も小となるので、増幅回
路30の増幅率が小さくなり、検知出力VOの不要な上
昇を防ぐことになる。
つまり、周囲温度の上昇にかかわらず適正な検知を行な
うことができる。
うことができる。
このように、ガス検知素子1の抵抗Rの絶対値のばらつ
きを可変抵抗器21によって吸収し、しかもガス検知素
子1の温度依存性をサーミスタ34に基づく増幅率の補
正によって補償するようにしたので、常に安定かつ適正
な検知出力を得ることができる。すなわち、第5図に示
すように、検知出力Vsが周囲温度の変化にかかわらず
ほぼ一定となる。
きを可変抵抗器21によって吸収し、しかもガス検知素
子1の温度依存性をサーミスタ34に基づく増幅率の補
正によって補償するようにしたので、常に安定かつ適正
な検知出力を得ることができる。すなわち、第5図に示
すように、検知出力Vsが周囲温度の変化にかかわらず
ほぼ一定となる。
特に、ガス検知素子1とサーミスタ34とが別系統の回
路となっているので、ガス検知素子1の温度依存性とサ
ーミスタ34の温度特性、とが互いに重畳し合うような
ことがなく、回路設計が容易である。また、ガス検知素
子1の抵抗Rの絶対値のばらつきに合わせてサーミスタ
34を選定するようなことも不要である。
路となっているので、ガス検知素子1の温度依存性とサ
ーミスタ34の温度特性、とが互いに重畳し合うような
ことがなく、回路設計が容易である。また、ガス検知素
子1の抵抗Rの絶対値のばらつきに合わせてサーミスタ
34を選定するようなことも不要である。
なお、上記実施例では、温度依存性の補償をサーミスタ
に基づく増幅率の補正によって行なったが、それに限ら
ず、たとえば第6図に示すように増幅回路30に変えて
差動増幅回路50を設け、その差動増幅回路50への入
力電圧の補正によって温度依存性を補償するようにして
もよい。
に基づく増幅率の補正によって行なったが、それに限ら
ず、たとえば第6図に示すように増幅回路30に変えて
差動増幅回路50を設け、その差動増幅回路50への入
力電圧の補正によって温度依存性を補償するようにして
もよい。
すなわち、第6図に示すように、抵抗41.42゜43
と感温抵抗素子であるところのサーミスタ44とが端子
P、Nに接続される。さらに、増幅回路30に代えて差
動増幅回路50が設けられる。この差動増幅回路50は
、抵抗51.52.53.54および演算増幅器55か
らなり、素子出力Vgとサーミスタ44の抵抗値変化に
基づく電圧Vtとの差電圧を増幅し、検知出力Vsを得
るものである。
と感温抵抗素子であるところのサーミスタ44とが端子
P、Nに接続される。さらに、増幅回路30に代えて差
動増幅回路50が設けられる。この差動増幅回路50は
、抵抗51.52.53.54および演算増幅器55か
らなり、素子出力Vgとサーミスタ44の抵抗値変化に
基づく電圧Vtとの差電圧を増幅し、検知出力Vsを得
るものである。
この場合、ガス検知素子1の抵抗Rの絶対値のばらつき
が可変抵抗器21によって吸収され、ガス検知素子1の
湿度依存性はサーミスタ44に基づく入力電圧Vtの補
正によって補償されることにな、る。
が可変抵抗器21によって吸収され、ガス検知素子1の
湿度依存性はサーミスタ44に基づく入力電圧Vtの補
正によって補償されることにな、る。
その他、この発明は上記実施例に限定されるものではな
く、要旨を変えない範囲で種々変形実施可能である。
く、要旨を変えない範囲で種々変形実施可能である。
[発明の効果]
以上述べたようにこの発明によれば、ガスの濃度に応じ
て抵抗値が変化するガス検知素子と、このガス検知素子
の抵抗値変化に基づく出力を調節するための調節器と、
この調節器を介して得られる出力を増幅する増幅回路と
、温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗素子と、この
感温抵抗素子の抵抗値変化により前記増幅回路の出力を
補正する手段とを設け、増幅回路の出力を検知出力とす
るようにしたので、ガス検知素子の抵抗の絶対値のばら
つきにかかわらず、また回路設計の複雑化を招くことな
く、周囲温度の影響を除去して常に安定かつ適正な検知
出力を得ることができる信頼性にすぐれたガス検知装置
を提供できる。
て抵抗値が変化するガス検知素子と、このガス検知素子
の抵抗値変化に基づく出力を調節するための調節器と、
この調節器を介して得られる出力を増幅する増幅回路と
、温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗素子と、この
感温抵抗素子の抵抗値変化により前記増幅回路の出力を
補正する手段とを設け、増幅回路の出力を検知出力とす
るようにしたので、ガス検知素子の抵抗の絶対値のばら
つきにかかわらず、また回路設計の複雑化を招くことな
く、周囲温度の影響を除去して常に安定かつ適正な検知
出力を得ることができる信頼性にすぐれたガス検知装置
を提供できる。
第1図はこの発明の一実施例の電気回路の構成を示す図
、第2図は同実施例におけるガス検知素子の感ガス特性
を示す図、第3図は同実施例におけるガス検知素子の温
度依存性を示す図、第4図は同実施例におけるサーミス
タの温度特性を示す図、第5図は同実施例の作用を説明
するための図、第6図は同実施例の変形例の構成を示す
図、第7図は同実施例および一般のガス検知素子の概略
的な構成を示す図、第8図は従来装置の電気回路の構成
を示す図である。 1・・・ガス検知素子、R・・・抵抗、H・・・ヒータ
、21・・・可変抵抗器(調節器)、30・・・増幅回
路、34・・・サーミスタ(感温抵抗素子)。 第1図 かス遺演(PPM)− 第2図 浸度(”C)− 第3図 − 肩圧逼J!!(’C) − 第4図 第5図 N 第6図 第7図 第8図
、第2図は同実施例におけるガス検知素子の感ガス特性
を示す図、第3図は同実施例におけるガス検知素子の温
度依存性を示す図、第4図は同実施例におけるサーミス
タの温度特性を示す図、第5図は同実施例の作用を説明
するための図、第6図は同実施例の変形例の構成を示す
図、第7図は同実施例および一般のガス検知素子の概略
的な構成を示す図、第8図は従来装置の電気回路の構成
を示す図である。 1・・・ガス検知素子、R・・・抵抗、H・・・ヒータ
、21・・・可変抵抗器(調節器)、30・・・増幅回
路、34・・・サーミスタ(感温抵抗素子)。 第1図 かス遺演(PPM)− 第2図 浸度(”C)− 第3図 − 肩圧逼J!!(’C) − 第4図 第5図 N 第6図 第7図 第8図
Claims (1)
- ガスの濃度に応じて抵抗値が変化するガス検知素子と、
このガス検知素子の抵抗値変化に基づく出力を調節する
ための調節器と、この調節器を介して得られる出力を増
幅する増幅回路と、温度に応じて抵抗値が変化する感温
抵抗素子と、この感温抵抗素子の抵抗値変化により前記
増幅回路の出力を補正する手段とを具備し、増幅回路の
出力を検知出力とすることを特徴とするガス検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4356887A JPS63210652A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ガス検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4356887A JPS63210652A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ガス検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210652A true JPS63210652A (ja) | 1988-09-01 |
Family
ID=12667348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4356887A Pending JPS63210652A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ガス検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63210652A (ja) |
-
1987
- 1987-02-26 JP JP4356887A patent/JPS63210652A/ja active Pending
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