JPS63213381A - 積層セラミツクアクチユエ−タ素子 - Google Patents
積層セラミツクアクチユエ−タ素子Info
- Publication number
- JPS63213381A JPS63213381A JP62044095A JP4409587A JPS63213381A JP S63213381 A JPS63213381 A JP S63213381A JP 62044095 A JP62044095 A JP 62044095A JP 4409587 A JP4409587 A JP 4409587A JP S63213381 A JPS63213381 A JP S63213381A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- internal electrode
- electrode
- partial
- digital signal
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- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/802—Circuitry or processes for operating piezoelectric or electrostrictive devices not otherwise provided for, e.g. drive circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/872—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
Landscapes
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気信号を機械的な変位に変換するための積層
セラミックアクチュエータ素子に関するものである。
セラミックアクチュエータ素子に関するものである。
従来の技術
従来、この種の積層セラミックアクチュエータ素子の一
例は、第２図に示すように内部電極２を挾んで複数の圧
電セラミック層１を積層して積層体を形成し、これらの
内部電極２が表面に現れている側面部分を一つおきに絶
縁体５でマスクし、その上に外部電極３および４によシ
交互に内部電極２を接続した構成を有するものであった
。
例は、第２図に示すように内部電極２を挾んで複数の圧
電セラミック層１を積層して積層体を形成し、これらの
内部電極２が表面に現れている側面部分を一つおきに絶
縁体５でマスクし、その上に外部電極３および４によシ
交互に内部電極２を接続した構成を有するものであった
。
すなわち、この従来の積層セラミックアクチュエータ素
子は、内部電極を交互に接続し、圧電セラミック層の１
つ１つに電圧を印加できる２端子の素子であシ、この２
端子間に印加する電気信号に応じた縦効果の圧電変位を
生じさせるものであった。
子は、内部電極を交互に接続し、圧電セラミック層の１
つ１つに電圧を印加できる２端子の素子であシ、この２
端子間に印加する電気信号に応じた縦効果の圧電変位を
生じさせるものであった。
したがって、印加する電気信号はアナログ信号であり、
ディジタル信号を用いて直接駆動することはできず、デ
ィジタル信号を用いる場合には、ディジタル信号をアナ
ログ信号に変換するためのディジタル・アナログ変換器
が必要になるという欠点があった。
ディジタル信号を用いて直接駆動することはできず、デ
ィジタル信号を用いる場合には、ディジタル信号をアナ
ログ信号に変換するためのディジタル・アナログ変換器
が必要になるという欠点があった。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、上記の欠点、すなわちディジタル信号
を用いて直接駆動することができず、ディジタル・アナ
ログ変換器が必要になるという問題点を解決した積層セ
ラミックアクチュエータ素子を提供することにある。
を用いて直接駆動することができず、ディジタル・アナ
ログ変換器が必要になるという問題点を解決した積層セ
ラミックアクチュエータ素子を提供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明は上述の問題点を解決するために、夫々異った２
（ｎは０−Ｎ−１）個の圧電セラミック層を第１の
内部電極を挾んで積層して形成するＮ個の部分積層体と
、これらを順次積み重ねるために挿入される第２の内部
電極と、この第２の内部電極を含む１つおきの内部電極
を共通に接続する共通外部電極と、他方の１つおきの内
部電極を部分積層体毎に接続するＮ個の個別外部電極μ
を有する構成を採用するものである。
（ｎは０−Ｎ−１）個の圧電セラミック層を第１の
内部電極を挾んで積層して形成するＮ個の部分積層体と
、これらを順次積み重ねるために挿入される第２の内部
電極と、この第２の内部電極を含む１つおきの内部電極
を共通に接続する共通外部電極と、他方の１つおきの内
部電極を部分積層体毎に接続するＮ個の個別外部電極μ
を有する構成を採用するものである。
作用
本発明は上述のように構成したので、Ｎビットのディジ
タル信号の各ビットを夫々の個別外部電極と共通電極と
の間に印加することによシ、夫々の部分積層体が変位し
、全体の積層体にディジタル信号に対応する変位が得ら
れる。
タル信号の各ビットを夫々の個別外部電極と共通電極と
の間に印加することによシ、夫々の部分積層体が変位し
、全体の積層体にディジタル信号に対応する変位が得ら
れる。
実施例
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
本発明の一実施例を側面図で示す第１図を参照すると、
本発明の積層セラミックアクチュエータ素子は、Ｎ個の
部分積層体Ｎ１１ｌ〜ＮｎＮが第２の内部電極６（破線
で示している）を挾んで順次積み重ねられて１個の積層
体を構成している。また部分積層体毎１〜ＮｎＮは夫々
１，２．４・・・２ 個の圧電セラミック層１が第１の
内部電極２を挾んで構成されたものである。ここでｎは
０−Ｎ−１である。積層体の左右の側面の第１および第
２の内部電極２および６の端部は左右１つお、六に絶縁
体５によってマスクされ、第２の内部電極６がマスクさ
れていない側面は全て接続されて共通の外部電極４とし
、反対側の第２の内部電極６が絶縁体でマスクされた側
面は夫々の部分積層体毎に第１の内部電極２を接続して
Ｎ個の外部電極３ａ、３ｂ。
本発明の積層セラミックアクチュエータ素子は、Ｎ個の
部分積層体Ｎ１１ｌ〜ＮｎＮが第２の内部電極６（破線
で示している）を挾んで順次積み重ねられて１個の積層
体を構成している。また部分積層体毎１〜ＮｎＮは夫々
１，２．４・・・２ 個の圧電セラミック層１が第１の
内部電極２を挾んで構成されたものである。ここでｎは
０−Ｎ−１である。積層体の左右の側面の第１および第
２の内部電極２および６の端部は左右１つお、六に絶縁
体５によってマスクされ、第２の内部電極６がマスクさ
れていない側面は全て接続されて共通の外部電極４とし
、反対側の第２の内部電極６が絶縁体でマスクされた側
面は夫々の部分積層体毎に第１の内部電極２を接続して
Ｎ個の外部電極３ａ、３ｂ。
・・・・・・３Ｎとしている。
次に本実施例の動作について第１図を用いて説明する。
いまＮビットのディジタル信号の最下位ビットを外部電
極３ａに、第２ビツトを３ｂに、・・・・・・最上位ビ
ットの第Ｎビットを入力端子３Ｎにというように接続す
ると、最下位ビットオンで電圧を印加した場合の変位を
１とした場合、第２ビツトでは２の変位、第３ビツトで
は４の変位と順次最上位ビットでは２Ｎ−１の変位とい
うように積層数に比例する変位を発生させることが可能
になる。
極３ａに、第２ビツトを３ｂに、・・・・・・最上位ビ
ットの第Ｎビットを入力端子３Ｎにというように接続す
ると、最下位ビットオンで電圧を印加した場合の変位を
１とした場合、第２ビツトでは２の変位、第３ビツトで
は４の変位と順次最上位ビットでは２Ｎ−１の変位とい
うように積層数に比例する変位を発生させることが可能
になる。
したがってＮビットのディジタル信号を用いて直接ディ
ジタル信号に応じた誤差の少ない変位を発生させること
ができ、従来必要であったディジタル・アナログ変換器
が不要になるという利点≠ｆある。
ジタル信号に応じた誤差の少ない変位を発生させること
ができ、従来必要であったディジタル・アナログ変換器
が不要になるという利点≠ｆある。
発明の効果
以上に説明したように１本発明によれば、夫々１．２．
４・・・２ （ｎ ＝Ｏ〜Ｎ −１）の圧電セラミッ
ク層を有するＮ個の部分積層体を積み重ねて一体化した
構造とすることによシ、Ｎビットのディジタル信号を用
いて直接駆動することができ、正確テカつディジタル・
アナログ変換器を必要としないアクチュエータ素子が得
られるという効果がある。
４・・・２ （ｎ ＝Ｏ〜Ｎ −１）の圧電セラミッ
ク層を有するＮ個の部分積層体を積み重ねて一体化した
構造とすることによシ、Ｎビットのディジタル信号を用
いて直接駆動することができ、正確テカつディジタル・
アナログ変換器を必要としないアクチュエータ素子が得
られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の側断面図、第２図（ａ）お
よび（ｂ）はそれぞれ従来の一例の斜視図および側断面
図である。 １・・・圧電セラミック層、２・・・第１の内部電極、
３ａ〜３Ｎ・・・個別外部電極（信号入力９ｔ１１）、
４・・・外部電極（共通端子側）、５・・・絶縁体、６
・・・第２□ユｒ−か−＋１ 葬 １ 目 矛 ２ 扇 （ａ−） （ｂ）
よび（ｂ）はそれぞれ従来の一例の斜視図および側断面
図である。 １・・・圧電セラミック層、２・・・第１の内部電極、
３ａ〜３Ｎ・・・個別外部電極（信号入力９ｔ１１）、
４・・・外部電極（共通端子側）、５・・・絶縁体、６
・・・第２□ユｒ−か−＋１ 葬 １ 目 矛 ２ 扇 （ａ−） （ｂ）
Claims (1)
- 複数個の圧電セラミック層を内部電極を介して積層し
た積層体と、この積層体の内部電極を１つおきに交互に
接続する外部電極とからなる積層アクチュエータ素子に
おいて、夫々異なった２＾ｎ（ｎは０〜Ｎ−１）個の圧
電セラミック層を第１の内部電極を挾んで積層して形成
したＮ個の部分積層体と、これらを順次積み重ねるため
に挿入される第２の内部電極と、この第２の内部電極を
含む１つおきの内部電極を共通に接続する片側側面の共
通外部電極と、他方の１つおきの内部電極を部分積層体
毎に接続する底面および他側側面のＮ個の個別外部電極
とよりなることを特徴とする積層セラミックアクチュエ
ータ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62044095A JPS63213381A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 積層セラミツクアクチユエ−タ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62044095A JPS63213381A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 積層セラミツクアクチユエ−タ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63213381A true JPS63213381A (ja) | 1988-09-06 |
Family
ID=12682058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62044095A Pending JPS63213381A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 積層セラミツクアクチユエ−タ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63213381A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6873089B2 (en) * | 2000-05-31 | 2005-03-29 | Denso Corporation | Piezoelectric device for injector |
-
1987
- 1987-02-28 JP JP62044095A patent/JPS63213381A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6873089B2 (en) * | 2000-05-31 | 2005-03-29 | Denso Corporation | Piezoelectric device for injector |
| US7067960B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-06-27 | Denso Corporation | Piezoelectric device for injector |
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