JPS6321888B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6321888B2
JPS6321888B2 JP12964780A JP12964780A JPS6321888B2 JP S6321888 B2 JPS6321888 B2 JP S6321888B2 JP 12964780 A JP12964780 A JP 12964780A JP 12964780 A JP12964780 A JP 12964780A JP S6321888 B2 JPS6321888 B2 JP S6321888B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
direction wiring
active matrix
mask
row
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP12964780A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5754318A (en
Inventor
Yasuo Katsuyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP12964780A priority Critical patent/JPS5754318A/ja
Publication of JPS5754318A publication Critical patent/JPS5754318A/ja
Publication of JPS6321888B2 publication Critical patent/JPS6321888B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、繰り返しパターンによつて構成され
るアクテイブ・マトリクスIC用フオト・マスク
上に位置検出用の印となるパターンを形成するこ
とに関する。
従来、同じパターンが少なくても２回以上繰り
返えして配列されているアクテイブ・マトリクス
IC用フオト・マスクは、繰り返しパターン数が
アクテイブ・マトリクス・パネルICの大きさに
比例して増加する。例えば1.5インチ位のアクテ
イブ・マトリクス・パネルICを造るとして、一
画素の大きさが約150μｍ×100μｍとすると、第
１図に示されるように、フオト・マスクのＸ方向
１０１及びＹ方向１０２への繰り返しパターン回
数はそれぞれ約200回となる。このような大型の
フオト・マスクに於いて、３インチウエハでは２
パネル、４インチウエハでは４パネルしか、アク
テイブ・マトリクス・パネルICを造ることがで
きず、歩留りとのかね合いから、必然的にフオ
ト・マスク上の欠陥の有無を検査しなければなら
ない。しかし、繰り返しパターンが多い為欠陥場
所を発見しても、そのアドレスを見つける為にパ
ターンの端から欠陥場所まで数えなければならな
い。しかも定期的にマスク検査を行ない、更に、
工程別に数種類のマスクがあるので、このような
方法で欠陥アドレスを捜したのでは、作業能率が
著しく低下すると共に、アドレスの信頼性も低
い。またアクテイブ・マトリクス・パネルICに
於いても工程別に発生した欠陥の場所を捜す為
に、マスク検査と同じように、アドレスを端から
数えなければならない。従つて、フオト・マスク
及びパネルIC上での欠陥場所のアドレスを捜す
ことが困難である為に、その結果パターンの修
正、完成品の電特解析及び量産性などの問題が多
数発生する。
本発明はかかる欠点を除去したもので、その目
的はフオト・マスク上の繰り返しパターン・アド
レスを、それぞれ簡単に見つける方法を提供する
ものである。
以下実施例に基づいて詳しく説明する。
第２図は本発明による第一の実施例である。図
中２０１はパターンであり、実際のパターンとは
異り、本発明を説明する為に略して描いたもので
ある。また、マスク全体を描くと大きくなるので
四角について示した。図に示されるように、Ｘ方
向Ｙ方向に形成される繰返しパターン上以外のマ
スク上に、繰り返しパターンと対になるように印
として数字を、左右、上下にそれぞれパターンニ
ングしたものである。また、工程別にそれぞれの
フオト・マスクについても同様の数字をパターン
ニングするものである。
本実施例に於いては、繰り返しパターンが形成
されていないフオト・マスク上に印となるパター
ンを形成したが、それに限るものではなく、繰り
返しパターン上に形成することも可能である。ま
た印となるパターンとして、数字を１〜200番ま
で順番に繰り返しパターンと対にして形成したが
それに限るものではなく、任意の間隔を設けてそ
れぞれに印となるパターンを形成することも可能
である。更に印となるパターンは数字に限らな
い。
本発明による効果は、フオト・マスクの検査の
時に、パターン・アドレスが簡単にわかることで
修正が間違いなく正確に行うことができると共に
作業能率が向上する。またパネルICに於いても
電特によつて発見された欠陥場所を捜すことが大
変容易になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のアクテイブ・マトリクス・マス
クの概略図である。第２図は本発明による第１の
実施例である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 行方向配線及び列方向配線がマトリクス状に
    パターン化されてなるアクテブマトリクスパネル
    用フオトマスクにおいて、該行方向配線及び列方
    向配線の繰返しパターンの順番を示す認識数字又
    は符号パターンを設け、該行方向配線の認識数字
    又は符号パターンのいずれか一つは該列方向配線
    の認識数字又は符号パターンのいずれか一つと同
    一であることを特徴とするアクテブマトリクスパ
    ネル用フオトマスク。
JP12964780A 1980-09-18 1980-09-18 Active matrix mask Granted JPS5754318A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12964780A JPS5754318A (en) 1980-09-18 1980-09-18 Active matrix mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12964780A JPS5754318A (en) 1980-09-18 1980-09-18 Active matrix mask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5754318A JPS5754318A (en) 1982-03-31
JPS6321888B2 true JPS6321888B2 (ja) 1988-05-10

Family

ID=15014682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12964780A Granted JPS5754318A (en) 1980-09-18 1980-09-18 Active matrix mask

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5754318A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01222980A (ja) * 1988-03-02 1989-09-06 Fujitsu Ltd サーマルプリンタ及びそれに用いる２ｐｌｙ感熱紙
JP5102989B2 (ja) * 2006-08-08 2012-12-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN107329365B (zh) * 2017-05-31 2018-10-12 泰州市西陵纺机工具厂 一种掩模板图案的测量方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5754318A (en) 1982-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20020010585A (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 그것을 사용하여 제조된반도체 장치
DE112004000395T5 (de) Halbleiterwafer mit nichtrechteckig geformten Chips
CN102623368A (zh) 一种晶圆缺陷检测方法
CN118967798B (zh) 一种显示屏子像素亮团的定位方法、装置和存储介质
CN105101653B (zh) 一种超长柔性线路板的制备方法
JPS6321888B2 (ja)
JP2009264865A (ja) フラットパネルディスプレイの欠陥検査装置およびその方法
JP4972278B2 (ja) レチクル及び半導体装置の製造方法
CN204102865U (zh) 一种对准测量结构
JP2829211B2 (ja) 合せずれ測定方法
CN114720483A (zh) 一种无需标准样片的光学检测方法及其应用
JP2633228B2 (ja) 半導体装置のエッチング精度検査方法
CN119381296B (zh) 一种晶圆定位map定位标记方法
JP2913747B2 (ja) ウェーハ検査装置
CN106325004A (zh) Ldi曝光机能量均匀性检测方法
US4765743A (en) Method of inspecting a master member
JP2564440B2 (ja) ウエハ内位置表示を付したチップの製造方法
JPS6184029A (ja) 半導体検査装置
JPH04587B2 (ja)
JPS6184649A (ja) ホトマスク
US5317338A (en) Visual measurement technique and test pattern for aperture offsets in photoplotters
JPS6132550A (ja) 半導体集積回路素子
JP2001274067A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02125256A (ja) フォトマスク
JPS6017747A (ja) 半導体集積回路製造用レチクル