JPS63222473A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63222473A JPS63222473A JP62055639A JP5563987A JPS63222473A JP S63222473 A JPS63222473 A JP S63222473A JP 62055639 A JP62055639 A JP 62055639A JP 5563987 A JP5563987 A JP 5563987A JP S63222473 A JPS63222473 A JP S63222473A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光学フィルタとしての薄膜を形成する半導体
装置の製造方法に関する。
装置の製造方法に関する。
従来の技術
半導体ウェハ上に有機染料を含んだ感光性樹脂を用いて
光学フィルタを形成した光半導体装置がよ（知られてい
た。この種の従来例は、例えば第５図ａ−ｃに工程順断
面図を示すように、まず、第５図ａのように、半導体基
板１上に二つのｐｎ接合２ａ、２ｂが形成され、その上
に、全面に感光性樹脂３ａを形成したのちまず青色フィ
ルタ４を形成する。次に、第５図すのように、分離層６
を形成したのち、第５図Ｃのように、この上に、再び全
面に感光性樹脂３ｂを形成したのち、赤色フィルタ５を
形成する。このように、複数の領域に透過特性の異なる
各光学フィルタを設ける場合、従来は各々のフィルタを
形成し、しかも層間に分離層を形成する複雑な製造工程
を必要としていた。
光学フィルタを形成した光半導体装置がよ（知られてい
た。この種の従来例は、例えば第５図ａ−ｃに工程順断
面図を示すように、まず、第５図ａのように、半導体基
板１上に二つのｐｎ接合２ａ、２ｂが形成され、その上
に、全面に感光性樹脂３ａを形成したのちまず青色フィ
ルタ４を形成する。次に、第５図すのように、分離層６
を形成したのち、第５図Ｃのように、この上に、再び全
面に感光性樹脂３ｂを形成したのち、赤色フィルタ５を
形成する。このように、複数の領域に透過特性の異なる
各光学フィルタを設ける場合、従来は各々のフィルタを
形成し、しかも層間に分離層を形成する複雑な製造工程
を必要としていた。
発明が解決しようとする問題点
各色ごとに感光性樹脂を形成し、しかも分離層を形成す
ると、フィルタ形成の工程数２時間を多く必要とし、こ
れらにともなう歩留り低下をもたらすという問題点があ
った。
ると、フィルタ形成の工程数２時間を多く必要とし、こ
れらにともなう歩留り低下をもたらすという問題点があ
った。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記の問題点を解決するために、半導体基板
の所定接合領域部に、所定の透過特性をもつ薄膜を選択
的に塗布形成して、光学フィルタを形成する工程をそな
えたものである。
の所定接合領域部に、所定の透過特性をもつ薄膜を選択
的に塗布形成して、光学フィルタを形成する工程をそな
えたものである。
作用
本発明によれば、半導体基板上に簡単な方法で、多量に
しかも精度よく光学フィルタを形成することができ、工
程が簡素化され、歩留りが高く、安価な光学フィルタを
得ることができる。このためにこの光学フィルタを用い
た光半導体装置も、高性能、高歩留りで安価な光半導体
装置を提供することができる。
しかも精度よく光学フィルタを形成することができ、工
程が簡素化され、歩留りが高く、安価な光学フィルタを
得ることができる。このためにこの光学フィルタを用い
た光半導体装置も、高性能、高歩留りで安価な光半導体
装置を提供することができる。
実施例
第１図ａ、ｂは本発明の一実施例である。第１図ａのよ
うに、Ｎ型半導体基板１１に分離された２つのｐｎ接合
１２ａ、１２ｂを有するフォトダイオードに対して、ま
ず、一方のｐｎ接＊１２ａ上に、青色フィルタ１４を印
刷方式により形成する。そののちに第１図すのように、
他方のｐｎ接合１２ｂに赤色フィルタ１５を同じ方法に
より形成する。このようにして、青色領域を選択的に光
電変換するフォトダイオードと赤色を選択的に光電変換
するフォトダイオードとが同一チップで得られることに
なる。なお、印刷方式によりフィルタを印刷するために
半導体ウェハと原版との位置合せが必要となる。第２図
は、通常の拡散工程に用いる半導体ウェハ１１上の位置
合せマーク２１と、フィルタ形成位置２２である。本実
施例においては、第３図ａに示す十字形のマークを位置
合せマーク２１として用い、これに、青色フィルタと赤
色フィルタとの各フィルタを形成するためのマスクを位
置合せする。例えば、第３図すに示すように、斜線の４
つの長方形のマーク２３が印刷原版に形成されており、
これらを、先の工程で形成された半導体基板１１上の第
３図ａのような合せマーク２１と上下左右を合せること
により、青色フィルタあるいは赤色フィルタの形成領域
を正確に位置決めすることができる。以上の方法により
、簡単でしかも精度よ（フィルタを半導体ウェハ上に形
成することが可能となる。
うに、Ｎ型半導体基板１１に分離された２つのｐｎ接合
１２ａ、１２ｂを有するフォトダイオードに対して、ま
ず、一方のｐｎ接＊１２ａ上に、青色フィルタ１４を印
刷方式により形成する。そののちに第１図すのように、
他方のｐｎ接合１２ｂに赤色フィルタ１５を同じ方法に
より形成する。このようにして、青色領域を選択的に光
電変換するフォトダイオードと赤色を選択的に光電変換
するフォトダイオードとが同一チップで得られることに
なる。なお、印刷方式によりフィルタを印刷するために
半導体ウェハと原版との位置合せが必要となる。第２図
は、通常の拡散工程に用いる半導体ウェハ１１上の位置
合せマーク２１と、フィルタ形成位置２２である。本実
施例においては、第３図ａに示す十字形のマークを位置
合せマーク２１として用い、これに、青色フィルタと赤
色フィルタとの各フィルタを形成するためのマスクを位
置合せする。例えば、第３図すに示すように、斜線の４
つの長方形のマーク２３が印刷原版に形成されており、
これらを、先の工程で形成された半導体基板１１上の第
３図ａのような合せマーク２１と上下左右を合せること
により、青色フィルタあるいは赤色フィルタの形成領域
を正確に位置決めすることができる。以上の方法により
、簡単でしかも精度よ（フィルタを半導体ウェハ上に形
成することが可能となる。
次に第４図に示す２つのフォトダイオードの面積が異な
った実施例について説明する。本実施例に用いた青色フ
ィルタ１４と赤色フィルタ１５を形成した場合、同一の
受光面積では青色の方が感度が高い。このため、赤色の
感度とは°ぼ同一の大きさにするために、受光面積をそ
の透過特性に応じて変え、同一の光感度が得られるよう
にした。
った実施例について説明する。本実施例に用いた青色フ
ィルタ１４と赤色フィルタ１５を形成した場合、同一の
受光面積では青色の方が感度が高い。このため、赤色の
感度とは°ぼ同一の大きさにするために、受光面積をそ
の透過特性に応じて変え、同一の光感度が得られるよう
にした。
透過特性の異なるフィルタは、たとえば、顔料を含んだ
インクを用い、このインクを印刷する時に、光感度を同
一にする場合には、そのインクの透過特性に応じて受光
面積をかえればよい。
インクを用い、このインクを印刷する時に、光感度を同
一にする場合には、そのインクの透過特性に応じて受光
面積をかえればよい。
さらに、インクの透過率が大きいものは、インクの厚み
を厚くすることで透過率を変化させ光感度を調整するこ
とも可能なことはいうまでもない。
を厚くすることで透過率を変化させ光感度を調整するこ
とも可能なことはいうまでもない。
上記実施例において、フォトダイオードにより説明をお
こなったが、フォトトランジスタ上にフィルタを印刷方
式で形成しても同一の効果があることは、いうまでもな
い。
こなったが、フォトトランジスタ上にフィルタを印刷方
式で形成しても同一の効果があることは、いうまでもな
い。
発明の効果
本発明を用いることにより、波長を選択的に透過させる
光学フィルタを顔料を含んだインクを用いて、印刷方式
で半導体ウェハに形成することができ、異なる面積や異
なる厚みの印刷が容易なことから、必要な特性をもつ色
フィルタを容易に形成でき、高歩留りで安価な光学フィ
ルタが形成された光半導体装置を得ることができる。
光学フィルタを顔料を含んだインクを用いて、印刷方式
で半導体ウェハに形成することができ、異なる面積や異
なる厚みの印刷が容易なことから、必要な特性をもつ色
フィルタを容易に形成でき、高歩留りで安価な光学フィ
ルタが形成された光半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明実施例を示す工程順断面図、第２図は製
造方法の一過程を説明するための半導体ウニへの斜視図
、第３図は位置合せマークを説明する過程図、第４図は
本発明の実施により得られたフィルタの平面図、第５図
は従来の方法による製造方法を説明するための工程順断
面図である。 １・・・・・・半導体基板、２ａ・・・・・・一つのｐ
ｎ接合、２ｂ・・・・・・もう一つのｐｎ接合、３ａ・
・・・・・第一の感光性樹脂、３ｂ・・・・・・第二の
感光性樹脂、４・・・・・・青色フィルタ、５・・・・
・・赤色フィルタ、６・・・・・・分離層、１１・・・
・・・半導体基板、１２ａ・・・・・・一つのｐｎ接合
、１２ｂ・・・・・・もう−っのｐｎ接合、１４・・・
・・・青色フィルタ、１５・・・・・・赤色フィルタ、
２１・旧・・拡散工程での合せマーク、２２・・・・・
・印刷工程での合せマーク。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第 １ 図 勇 ２ 図 第４図 第５図
造方法の一過程を説明するための半導体ウニへの斜視図
、第３図は位置合せマークを説明する過程図、第４図は
本発明の実施により得られたフィルタの平面図、第５図
は従来の方法による製造方法を説明するための工程順断
面図である。 １・・・・・・半導体基板、２ａ・・・・・・一つのｐ
ｎ接合、２ｂ・・・・・・もう一つのｐｎ接合、３ａ・
・・・・・第一の感光性樹脂、３ｂ・・・・・・第二の
感光性樹脂、４・・・・・・青色フィルタ、５・・・・
・・赤色フィルタ、６・・・・・・分離層、１１・・・
・・・半導体基板、１２ａ・・・・・・一つのｐｎ接合
、１２ｂ・・・・・・もう−っのｐｎ接合、１４・・・
・・・青色フィルタ、１５・・・・・・赤色フィルタ、
２１・旧・・拡散工程での合せマーク、２２・・・・・
・印刷工程での合せマーク。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第 １ 図 勇 ２ 図 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）一導電型の半導体基板上に、異なる導電型の不純
物領域を形成し、前記不純物領域上に所定の透過特性を
もつ薄膜を選択的に塗布形成する工程をそなえた半導体
装置の製造方法。 - （２）複数の不純物領域およびこれらの不純物領域上に
異なる透過特性の薄膜を形成する工程をそなえた特許請
求の範囲第（１）項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055639A JP2702709B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055639A JP2702709B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222473A true JPS63222473A (ja) | 1988-09-16 |
| JP2702709B2 JP2702709B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=13004371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62055639A Expired - Fee Related JP2702709B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2702709B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580091B1 (en) * | 1996-11-08 | 2003-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| US6727108B2 (en) | 1996-11-08 | 2004-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| WO2005068951A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Nec Corporation | 光検出装置およびその製造方法、光モジュール |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125867A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 色センサ− |
| JPS6388504A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−フイルタ製造装置 |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP62055639A patent/JP2702709B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125867A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 色センサ− |
| JPS6388504A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−フイルタ製造装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580091B1 (en) * | 1996-11-08 | 2003-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| US6727108B2 (en) | 1996-11-08 | 2004-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| US6849470B1 (en) | 1996-11-08 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| WO2005068951A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Nec Corporation | 光検出装置およびその製造方法、光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2702709B2 (ja) | 1998-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |