JPS632229Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS632229Y2 JPS632229Y2 JP1980181638U JP18163880U JPS632229Y2 JP S632229 Y2 JPS632229 Y2 JP S632229Y2 JP 1980181638 U JP1980181638 U JP 1980181638U JP 18163880 U JP18163880 U JP 18163880U JP S632229 Y2 JPS632229 Y2 JP S632229Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- torch
- tube
- cup
- welding
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Arc Welding In General (AREA)
- Butt Welding And Welding Of Specific Article (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、伝熱管に小径管を挿入して二重管構
造とするような場合において、それら端部を斜め
方向から溶接するTIG溶接トーチに関する。
造とするような場合において、それら端部を斜め
方向から溶接するTIG溶接トーチに関する。
第１図に示す如く、伝熱管１の中に更に管２を
挿入して二重管とする場合には、従来、径方向に
電極２０が突出した溶接トーチ３を用いて管端よ
り若干中に入つた所にシール溶接部を形成してい
た。この管内面溶接の場合、シールド性には問題
ないが、アーク起動用の高周波電圧による影響が
問題となる。つまり、TIG溶接のアーク起動には
高周波電圧が利用されているため電気絶縁性が重
要となるのであるが、従来の管内面用トーチ３で
はセラミツクカツプ２２とセラミツクナツト２３
および絶縁体１９との隙間ｇから高周波電流が流
れることがある。この漏洩高周波電流によつて被
溶接管１，２との間にアークが発生してトーチ３
を破壊するか伝熱管１および小径管２を破損する
ことがあつた。
挿入して二重管とする場合には、従来、径方向に
電極２０が突出した溶接トーチ３を用いて管端よ
り若干中に入つた所にシール溶接部を形成してい
た。この管内面溶接の場合、シールド性には問題
ないが、アーク起動用の高周波電圧による影響が
問題となる。つまり、TIG溶接のアーク起動には
高周波電圧が利用されているため電気絶縁性が重
要となるのであるが、従来の管内面用トーチ３で
はセラミツクカツプ２２とセラミツクナツト２３
および絶縁体１９との隙間ｇから高周波電流が流
れることがある。この漏洩高周波電流によつて被
溶接管１，２との間にアークが発生してトーチ３
を破壊するか伝熱管１および小径管２を破損する
ことがあつた。
そこで、この漏洩高周波電流の影響を幾分でも
避けるため、第２図に示す如くタングステン電極
２０を傾けた狙い位置で溶接するトーチ４が考え
られる。しかし、この場合、管内面溶接とは異な
りシールド性が悪く溶接不良が発生し易い問題が
ある。
避けるため、第２図に示す如くタングステン電極
２０を傾けた狙い位置で溶接するトーチ４が考え
られる。しかし、この場合、管内面溶接とは異な
りシールド性が悪く溶接不良が発生し易い問題が
ある。
本考案は、管端面の溶接を斜め方向から狙つて
行ない得る溶接トーチを提供することを目的とす
る。
行ない得る溶接トーチを提供することを目的とす
る。
管端面の溶接を行なう小型のTIG溶接トーチで
あつて、タングステン電極が先端部に斜めに取付
けられるトーチボデイの基端部をトーチ外筒内に
配される通電チユーブの先端に設け、該トーチボ
デイの基端を覆う絶縁体を前記トーチ外筒の先端
に設け、該絶縁体の端面に一端が傾斜面でもつて
係合するセラミツクナツトを前記トーチボデイに
螺合し、該セラミツクナツトの他端に傾斜面でも
つて係合すると共に前記トーチボデイの先端を覆
い且つ前記タングステン電極が外部に臨むシール
ドカツプを前記トーチボデイに螺合し、ばねによ
り前記トーチボデイの先端方向に付勢され被溶接
材表面に接触して前記シールドカツプを覆い且つ
該シールドカツプ内に供給されるシールドガスと
は別のシールドガスが前記通電チユーブと前記ト
ーチ外筒の間を経由して内部に送られる補助シー
ルドカツプを前記絶縁体の外方に設置したことを
特徴とする。
あつて、タングステン電極が先端部に斜めに取付
けられるトーチボデイの基端部をトーチ外筒内に
配される通電チユーブの先端に設け、該トーチボ
デイの基端を覆う絶縁体を前記トーチ外筒の先端
に設け、該絶縁体の端面に一端が傾斜面でもつて
係合するセラミツクナツトを前記トーチボデイに
螺合し、該セラミツクナツトの他端に傾斜面でも
つて係合すると共に前記トーチボデイの先端を覆
い且つ前記タングステン電極が外部に臨むシール
ドカツプを前記トーチボデイに螺合し、ばねによ
り前記トーチボデイの先端方向に付勢され被溶接
材表面に接触して前記シールドカツプを覆い且つ
該シールドカツプ内に供給されるシールドガスと
は別のシールドガスが前記通電チユーブと前記ト
ーチ外筒の間を経由して内部に送られる補助シー
ルドカツプを前記絶縁体の外方に設置したことを
特徴とする。
以下本考案の構成を図面に示す一実施例に基づ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
本考案の管端面TIG溶接トーチは、シールドガ
ス供給路を兼ねる通電チユーブ１５を接続したト
ーチボデイ１８と、タングステン電極２０を被う
セラミツクカツプ２２および溶接部を囲繞する補
助シールドカツプ３２から主に成る。
ス供給路を兼ねる通電チユーブ１５を接続したト
ーチボデイ１８と、タングステン電極２０を被う
セラミツクカツプ２２および溶接部を囲繞する補
助シールドカツプ３２から主に成る。
前記通電チユーブ１５との間に補助シールドガ
ス供給路４５を構成するトーチ外筒６は、その一
端がトーチボデイ１８に嵌着された絶縁体１９に
ねじ込まれ、他端がトーチベースブロツク７に溶
接付けされている。トーチベースブロツク７に
は、絶縁リング８と絶縁筒９で囲繞された通電ブ
ロツク１０が当該トーチベースブロツク７にねじ
込まれる絶縁外筒１２とねじ１３によつて固定さ
れている。ロツクナツト１１の締付けによつて絶
縁筒９が固定されている通電ブロツク１０には電
気とシールドガスを供給するパワーケーブル１４
が接続されている。そして、この通電ブロツク１
０の上部には絶縁チユーブ１６に保護されかつＯ
リングによつて外気侵入が防がれた通電チユーブ
１５がねじ込まれている。
ス供給路４５を構成するトーチ外筒６は、その一
端がトーチボデイ１８に嵌着された絶縁体１９に
ねじ込まれ、他端がトーチベースブロツク７に溶
接付けされている。トーチベースブロツク７に
は、絶縁リング８と絶縁筒９で囲繞された通電ブ
ロツク１０が当該トーチベースブロツク７にねじ
込まれる絶縁外筒１２とねじ１３によつて固定さ
れている。ロツクナツト１１の締付けによつて絶
縁筒９が固定されている通電ブロツク１０には電
気とシールドガスを供給するパワーケーブル１４
が接続されている。そして、この通電ブロツク１
０の上部には絶縁チユーブ１６に保護されかつＯ
リングによつて外気侵入が防がれた通電チユーブ
１５がねじ込まれている。
通電チユーブ１５とトーチボデイ１８は溶接着
けされている。また、トーチボデイ１８とトーチ
外筒６とは絶縁体１９により電気的に絶縁されて
いる。
けされている。また、トーチボデイ１８とトーチ
外筒６とは絶縁体１９により電気的に絶縁されて
いる。
前記トーチボデイ１８にはセラミツクナツト２
３を介在させてシールドカツプとしてのセラミツ
クカツプ２２がねじ込まれると共に先端からねじ
込まれるねじ２１により電極２０が固定される。
つまり、セラミツクナツト２３の一端は絶縁体１
９の端面に傾斜面（テーパ面）でもつて整合し、
セラミツクナツト２３の他端はセラミツクカツプ
２２の端面にテーパ面でもつて整合している。電
極２０の取付けは、第４図に示すように、セラミ
ツクナツト２３とセラミツクカツプ２２をトーチ
ボデイ１８にねじ込み電極取付位置にセラミツク
カツプ２２の側面開口部を合せ、この側面開口部
から電極２０をトーチボデイ１８内に差し込みね
じ２１で固定するのである。このとき、セラミツ
クカツプ２２はセラミツクナツト２３をねじ込む
ことにより固定される。
３を介在させてシールドカツプとしてのセラミツ
クカツプ２２がねじ込まれると共に先端からねじ
込まれるねじ２１により電極２０が固定される。
つまり、セラミツクナツト２３の一端は絶縁体１
９の端面に傾斜面（テーパ面）でもつて整合し、
セラミツクナツト２３の他端はセラミツクカツプ
２２の端面にテーパ面でもつて整合している。電
極２０の取付けは、第４図に示すように、セラミ
ツクナツト２３とセラミツクカツプ２２をトーチ
ボデイ１８にねじ込み電極取付位置にセラミツク
カツプ２２の側面開口部を合せ、この側面開口部
から電極２０をトーチボデイ１８内に差し込みね
じ２１で固定するのである。このとき、セラミツ
クカツプ２２はセラミツクナツト２３をねじ込む
ことにより固定される。
前記トーチ外筒６には、トーチ先端即ちセラミ
ツクカツプ２２の前半部を被溶接管２内に案内し
かつ開先検出を行なうトーチガイド筒２４がねじ
２６で固定されている。このトーチガイド筒２４
は、先端部分が板ばねのようになつており、この
板ばね効果によりトーチの芯出しを行なう。更
に、トーチガイド筒２４の外方には外筒２５が嵌
められねじ２７で固定されている。この外筒２５
とトーチガイド筒２４との間の空間は、連通穴４
６によつてトーチ外筒内部に繋がれ補助シールド
ガス供給路４５の一部と成されている。前述の連
通穴４６はＯリング３７の嵌着により外部空気の
流入が防がれている。また、外筒２５の周りには
溶接部を囲繞する補助シールドカツプ３２が設置
されている。この補助シールドカツプ３２は外筒
２５上を自在に摺動するテフロンブツシユ３１に
止め輪３３を使つて固定されており、その後方の
収納ボツクス２９との間に介在されているばね２
８によつて前方へ押しつけられ収納ボツクス２９
と止め輪３４の間で移動可能である。この補助シ
ールドカツプ３２の後方側は収納ボツクス２９に
嵌まり込む程度に縮径されている。したがつて、
両部材３２，２９を嵌め合せてからピン３５を穴
４７から差し込めば、補助シールドカツプ３２は
電極２０部分を露出させた状態で収納ボツクス２
９に固定される。尚、該補助シールドカツプ３２
内には前述した補助シールドガス供給路４５を通
つてトーチベースブロツク７のノズル３６から導
入される補助シールドガスで満たされる。
ツクカツプ２２の前半部を被溶接管２内に案内し
かつ開先検出を行なうトーチガイド筒２４がねじ
２６で固定されている。このトーチガイド筒２４
は、先端部分が板ばねのようになつており、この
板ばね効果によりトーチの芯出しを行なう。更
に、トーチガイド筒２４の外方には外筒２５が嵌
められねじ２７で固定されている。この外筒２５
とトーチガイド筒２４との間の空間は、連通穴４
６によつてトーチ外筒内部に繋がれ補助シールド
ガス供給路４５の一部と成されている。前述の連
通穴４６はＯリング３７の嵌着により外部空気の
流入が防がれている。また、外筒２５の周りには
溶接部を囲繞する補助シールドカツプ３２が設置
されている。この補助シールドカツプ３２は外筒
２５上を自在に摺動するテフロンブツシユ３１に
止め輪３３を使つて固定されており、その後方の
収納ボツクス２９との間に介在されているばね２
８によつて前方へ押しつけられ収納ボツクス２９
と止め輪３４の間で移動可能である。この補助シ
ールドカツプ３２の後方側は収納ボツクス２９に
嵌まり込む程度に縮径されている。したがつて、
両部材３２，２９を嵌め合せてからピン３５を穴
４７から差し込めば、補助シールドカツプ３２は
電極２０部分を露出させた状態で収納ボツクス２
９に固定される。尚、該補助シールドカツプ３２
内には前述した補助シールドガス供給路４５を通
つてトーチベースブロツク７のノズル３６から導
入される補助シールドガスで満たされる。
尚、第３図において、符号３８は定寸送り機構
であり、駆動モータ３９によつてトーチ長手方向
にトーチホルダ４１を移動させると共に駆動モー
タ４２によつてトーチ４を回転させる。上述のト
ーチ４は、トーチ外筒６部分がトーチホルダ部４
１にロツクねじなどを使つて固定されている。
であり、駆動モータ３９によつてトーチ長手方向
にトーチホルダ４１を移動させると共に駆動モー
タ４２によつてトーチ４を回転させる。上述のト
ーチ４は、トーチ外筒６部分がトーチホルダ部４
１にロツクねじなどを使つて固定されている。
斯様に本考案の管端面トーチは構成されている
ので次の如く操作される。まず、手動操作でトー
チガイド筒２４の開先検出端面ａが被溶接材であ
る小径管２の端面ｂに当たるまでトーチ外筒６を
押し上げる。このとき、補助シールドカツプ３２
が管板面４３に当たるが、テフロンブツシユ３１
と外筒２５の間で摺べりが起こるためばね２８を
縮めることになる。したがつて、補助シールドカ
ツプ３２は常に一定の加圧力をもつて管板面４３
に当接し、溶接開先ｂ近傍を密閉状態に囲繞す
る。同時に、トーチガイド筒２４の先端が小径管
２内へ挿入されるので、このトーチガイド筒２４
の板ばね効果によりラジアル方向のトーチ芯出し
が保障される。その後、ロツクねじを締めてトー
チホルダ４１の溶接トーチ４を固定する。そし
て、定寸送り機構により記憶された寸法ｃだけ送
りスライド４０を下方即ち反溶接材側へスライド
させることによりタングステン電極２０を正規の
溶接線に位置させる。トーチ設定後、ノズル３６
より導入される補助シールドガスをガス供給路４
５を通して補助シールドカツプ３２内に充満さ
せ、ある程度のガス圧力で小径管２上部から混入
する空気を押し上げてシールドガス雰囲気を溶接
部に形成する。同時にパワーケーブル１４からも
メインシールドガスを導入してセラミツクカツプ
２２から電極２０を囲繞するように噴出させる。
この状態でトーチは回転して接続を始める。
ので次の如く操作される。まず、手動操作でトー
チガイド筒２４の開先検出端面ａが被溶接材であ
る小径管２の端面ｂに当たるまでトーチ外筒６を
押し上げる。このとき、補助シールドカツプ３２
が管板面４３に当たるが、テフロンブツシユ３１
と外筒２５の間で摺べりが起こるためばね２８を
縮めることになる。したがつて、補助シールドカ
ツプ３２は常に一定の加圧力をもつて管板面４３
に当接し、溶接開先ｂ近傍を密閉状態に囲繞す
る。同時に、トーチガイド筒２４の先端が小径管
２内へ挿入されるので、このトーチガイド筒２４
の板ばね効果によりラジアル方向のトーチ芯出し
が保障される。その後、ロツクねじを締めてトー
チホルダ４１の溶接トーチ４を固定する。そし
て、定寸送り機構により記憶された寸法ｃだけ送
りスライド４０を下方即ち反溶接材側へスライド
させることによりタングステン電極２０を正規の
溶接線に位置させる。トーチ設定後、ノズル３６
より導入される補助シールドガスをガス供給路４
５を通して補助シールドカツプ３２内に充満さ
せ、ある程度のガス圧力で小径管２上部から混入
する空気を押し上げてシールドガス雰囲気を溶接
部に形成する。同時にパワーケーブル１４からも
メインシールドガスを導入してセラミツクカツプ
２２から電極２０を囲繞するように噴出させる。
この状態でトーチは回転して接続を始める。
したがつて、電極および溶接部は二重シールド
によつて外気と完全に遮蔽されており、溶接欠陥
のない良好な溶接部を得ることができる。また、
セラミツクナツトとセラミツクカツプおよび絶縁
体の各々対向する端面が互いに整合するテーパ状
端面であるので、セラミツクカツプを固定するた
めにセラミツクナツトを締め付けることによりセ
ラミツクナツトと絶縁体との間に隙間が生じても
トーチボデイが露出しないため高周波リークを防
止できる。
によつて外気と完全に遮蔽されており、溶接欠陥
のない良好な溶接部を得ることができる。また、
セラミツクナツトとセラミツクカツプおよび絶縁
体の各々対向する端面が互いに整合するテーパ状
端面であるので、セラミツクカツプを固定するた
めにセラミツクナツトを締め付けることによりセ
ラミツクナツトと絶縁体との間に隙間が生じても
トーチボデイが露出しないため高周波リークを防
止できる。
第１図は従来の溶接トーチによる管内面溶接作
業状態の説明図、第２図は管端面を斜めから狙つ
て溶接する場合の作業状態説明図である。第３図
は本考案に係る管端面溶接トーチの中央縦断面
図、第４図ａ〜ｄは電極の取付状態を示す説明図
である。 図面中、１，２は被溶接材である伝熱管と小径
管、６はトーチ外筒、１１は通電ブロツク、１５
は通電チユーブ、１８はトーチボデイ、１９は絶
縁体、２０はタングステン電極、２２はセラミツ
クカツプ、２３はセラミツクナツト、２８はば
ね、２９は収納ボツクス、３２は補助シールドカ
ツプ、４４は主シールドガス供給路、４５は補助
シールドガス供給路である。
業状態の説明図、第２図は管端面を斜めから狙つ
て溶接する場合の作業状態説明図である。第３図
は本考案に係る管端面溶接トーチの中央縦断面
図、第４図ａ〜ｄは電極の取付状態を示す説明図
である。 図面中、１，２は被溶接材である伝熱管と小径
管、６はトーチ外筒、１１は通電ブロツク、１５
は通電チユーブ、１８はトーチボデイ、１９は絶
縁体、２０はタングステン電極、２２はセラミツ
クカツプ、２３はセラミツクナツト、２８はば
ね、２９は収納ボツクス、３２は補助シールドカ
ツプ、４４は主シールドガス供給路、４５は補助
シールドガス供給路である。
Claims (1)
- 管端面の溶接を行なう小型のTIG溶接トーチで
あつて、タングステン電極が先端部に斜めに取付
けられるトーチボデイの基端部をトーチ外筒内に
配される通電チユーブの先端に設け、該トーチボ
デイの基端を覆う絶縁体を前記トーチ外筒の先端
に設け、該絶縁体の端面に一端が傾斜面でもつて
係合するセラミツクナツトを前記トーチボデイに
螺合し、該セラミツクナツトの他端に傾斜面でも
つて係合すると共に前記トーチボデイの先端を覆
い且つ前記タングステン電極が外部に臨むシール
ドカツプを前記トーチボデイに螺合し、ばねによ
り前記トーチボデイの先端方向に付勢され被溶接
材表面に接触して前記シールドカツプを覆い且つ
該シールドカツプ内に供給されるシールドガスと
は別のシールドガスが前記通電チユーブと前記ト
ーチ外筒の間を経由して内部に送られる補助シー
ルドカツプを前記絶縁体の外方に設置したことを
特徴とする管端面溶接トーチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980181638U JPS632229Y2 (ja) | 1980-12-19 | 1980-12-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980181638U JPS632229Y2 (ja) | 1980-12-19 | 1980-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57106581U JPS57106581U (ja) | 1982-07-01 |
| JPS632229Y2 true JPS632229Y2 (ja) | 1988-01-20 |
Family
ID=29979290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980181638U Expired JPS632229Y2 (ja) | 1980-12-19 | 1980-12-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS632229Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50141996A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-15 | ||
| JPS589391B2 (ja) * | 1976-07-31 | 1983-02-21 | シチズン時計株式会社 | 電子時計の照明装置 |
-
1980
- 1980-12-19 JP JP1980181638U patent/JPS632229Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57106581U (ja) | 1982-07-01 |
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