JPS63224042A - 光学ヘツド - Google Patents
光学ヘツドInfo
- Publication number
- JPS63224042A JPS63224042A JP62058124A JP5812487A JPS63224042A JP S63224042 A JPS63224042 A JP S63224042A JP 62058124 A JP62058124 A JP 62058124A JP 5812487 A JP5812487 A JP 5812487A JP S63224042 A JPS63224042 A JP S63224042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- storage medium
- information storage
- light beam
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、集束光を用いて情報記憶媒体から少なくとも
情報の読取りを行なう光学ヘッドに関する。
情報の読取りを行なう光学ヘッドに関する。
（従来の技術）
一般に、光デイスク装置等に用いられる光学ヘッドにお
いては、半導体レーザーからレーザービームが発せられ
、このレーザービームはコリメートレンズ、偏光ビーム
スプリッタ、および１／４波長板を順次通過した後、対
物レンズにより、スパイラルあるいは同心円状にトラッ
クを有する情報記憶媒体上に集光される。この集光され
たレーザービームは情報記憶媒体で反射され、再び上記
対物レンズおよび１／４波長板を通過侵、偏光ビームス
プリッタに戻され、この偏光ビームスプリッタによって
反射される。この反射されたレーザービームは、投光レ
ンズを通過された後、光検出器で電気信号に変換される
。これにより、その光検出器からの出力を用いて情報記
憶媒体に記録された情報の読取り、対物レンズの情報記
憶媒体に対する焦点ぼけ検出、情報記憶媒体上のトラッ
クずれ検出が行われる。
いては、半導体レーザーからレーザービームが発せられ
、このレーザービームはコリメートレンズ、偏光ビーム
スプリッタ、および１／４波長板を順次通過した後、対
物レンズにより、スパイラルあるいは同心円状にトラッ
クを有する情報記憶媒体上に集光される。この集光され
たレーザービームは情報記憶媒体で反射され、再び上記
対物レンズおよび１／４波長板を通過侵、偏光ビームス
プリッタに戻され、この偏光ビームスプリッタによって
反射される。この反射されたレーザービームは、投光レ
ンズを通過された後、光検出器で電気信号に変換される
。これにより、その光検出器からの出力を用いて情報記
憶媒体に記録された情報の読取り、対物レンズの情報記
憶媒体に対する焦点ぼけ検出、情報記憶媒体上のトラッ
クずれ検出が行われる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記光学ヘッドでは、情報記憶媒体から
戻されたレーザービームが偏光ビームスプリッタによっ
て半導体レーザーとは異なる方向に導かれるため、半導
体レーザーと光検出器とが離れた位置に設けられている
。このため、光学ヘッドの大型化し重くなり、アクセス
時間が長くなるという欠点がある。
戻されたレーザービームが偏光ビームスプリッタによっ
て半導体レーザーとは異なる方向に導かれるため、半導
体レーザーと光検出器とが離れた位置に設けられている
。このため、光学ヘッドの大型化し重くなり、アクセス
時間が長くなるという欠点がある。
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、小型軽量化が図れ、しかも軽量化に
よるアクセス時間の短縮化が図れる光学ヘッドを提供す
ることにある。
的とするところは、小型軽量化が図れ、しかも軽量化に
よるアクセス時間の短縮化が図れる光学ヘッドを提供す
ることにある。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題を解決するために、光ビーム発生手
段により発生された光ビームを偏光ビームスプリット面
によって反射し、この反射された光ビームを集光手段に
よって情報記憶媒体上に集光させ、この集光手段により
情報記憶媒体上に集光された後情報記憶媒体から射出さ
れ集光手段を再び通過した光ビームが偏光ビームスプリ
ッタを透過するように光ビームの偏波面を１／４波長板
によって回転させ、この偏波面を回転され偏光ビームス
プリッタを透過した光ビームを光反射性シリンドリカル
面によって反射し、この反射された光ビームを少なくと
も焦点ぼけ検出およびトラックずれ検出を行なうための
少なくとも４分割された光検出手段によって検出するこ
とを特徴とするものである。
段により発生された光ビームを偏光ビームスプリット面
によって反射し、この反射された光ビームを集光手段に
よって情報記憶媒体上に集光させ、この集光手段により
情報記憶媒体上に集光された後情報記憶媒体から射出さ
れ集光手段を再び通過した光ビームが偏光ビームスプリ
ッタを透過するように光ビームの偏波面を１／４波長板
によって回転させ、この偏波面を回転され偏光ビームス
プリッタを透過した光ビームを光反射性シリンドリカル
面によって反射し、この反射された光ビームを少なくと
も焦点ぼけ検出およびトラックずれ検出を行なうための
少なくとも４分割された光検出手段によって検出するこ
とを特徴とするものである。
（作用）
光源から情報記憶媒体へ導かれる光ビームと情報記憶媒
体から光検出手段へ導かれる光ビームとを略同−の光路
上を進ませ、これにより光源の近傍に光検出手段を配置
する。
体から光検出手段へ導かれる光ビームとを略同−の光路
上を進ませ、これにより光源の近傍に光検出手段を配置
する。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第１図および第２図中２は半導体レーザー（光源）であ
り、この半導体レーザー２から発せられたレーザービー
ムＬはプリズム４の一面に垂直に入射される。このプリ
ズム４の他の一面には偏光ビームスブリト面６が形成さ
れており、入射されたレーザービームＬは偏光ビームス
プリット面６によって略１００％が反射され１／４波長
板８に導かれる。この導かれたレーザービームＬは、１
／４波長板８を透過することによって円偏光光となり、
対物レンズ１０に導かれる。
り、この半導体レーザー２から発せられたレーザービー
ムＬはプリズム４の一面に垂直に入射される。このプリ
ズム４の他の一面には偏光ビームスブリト面６が形成さ
れており、入射されたレーザービームＬは偏光ビームス
プリット面６によって略１００％が反射され１／４波長
板８に導かれる。この導かれたレーザービームＬは、１
／４波長板８を透過することによって円偏光光となり、
対物レンズ１０に導かれる。
ここで、上記半導体レーザー２から発せられたレーザー
ビームＬの断面強度分布に対する楕円補正は行わず、レ
ーザービームＬの断面強度分布中、中心付近の強度分布
の一様な部分のみのレーザーご一ムＬが対物レンズ１０
を通過するように、レーザービームＬのビームサイズが
対物レンズ１０の開口よりも十分大きくされている。こ
の場合、レーザービームＬの利用効率は低下するが、楕
円補正用レンズを省略することができる。
ビームＬの断面強度分布に対する楕円補正は行わず、レ
ーザービームＬの断面強度分布中、中心付近の強度分布
の一様な部分のみのレーザーご一ムＬが対物レンズ１０
を通過するように、レーザービームＬのビームサイズが
対物レンズ１０の開口よりも十分大きくされている。こ
の場合、レーザービームＬの利用効率は低下するが、楕
円補正用レンズを省略することができる。
対物レンズ１０に導かれたレーザービームＬはこの対物
レンズ１０によってトラックを有する情報記憶媒体１２
上に集光される。
レンズ１０によってトラックを有する情報記憶媒体１２
上に集光される。
情報記憶媒体１２上で集光されたレーザービームＬは、
この情報記憶媒体１２上で反射し、再び対物レンズ１０
および１／４波長板８を透過した後、プリズム４の偏光
ビームスプリット面６に戻される。
この情報記憶媒体１２上で反射し、再び対物レンズ１０
および１／４波長板８を透過した後、プリズム４の偏光
ビームスプリット面６に戻される。
ここで、レーザービームＬは１／４波長板８を往復する
ことによって偏光ビームスプリット面６で反射された際
に比べ撮動方向が９０度回転した直線偏光光に変換され
ている。したがって、偏光ビームスプリット面６に戻さ
れたレーザービームＬは、この偏光ビームスプリット面
６を透過する。
ことによって偏光ビームスプリット面６で反射された際
に比べ撮動方向が９０度回転した直線偏光光に変換され
ている。したがって、偏光ビームスプリット面６に戻さ
れたレーザービームＬは、この偏光ビームスプリット面
６を透過する。
プリズム４の偏光ビームスプリット面６には光反射部材
１４が重合されている。この光反射部材１４は偏光ビー
ムスプリット面６と反対側の面が光反射性シリンドリカ
ル凹レンズ面１６に形成されている。しかも、このシリ
ンドリカル凹レンズ面１６の母線１８が偏光ビームスプ
リット面６上で対物レンズ１０から伸びる光軸と半導体
レーザー２の発光点から伸びる光軸で規定される面に対
して略４５度の角度を成すように、上記光反射部材１４
が上記偏光ビームスプリット面６に重合されている。
１４が重合されている。この光反射部材１４は偏光ビー
ムスプリット面６と反対側の面が光反射性シリンドリカ
ル凹レンズ面１６に形成されている。しかも、このシリ
ンドリカル凹レンズ面１６の母線１８が偏光ビームスプ
リット面６上で対物レンズ１０から伸びる光軸と半導体
レーザー２の発光点から伸びる光軸で規定される面に対
して略４５度の角度を成すように、上記光反射部材１４
が上記偏光ビームスプリット面６に重合されている。
偏光ビームスプリット面６を透過したレーザービームＬ
は光反射性シリンドリカル凹レンズ面１６で反射され、
これによりレーザービームＬは、その断面形状が一１方
向のみ拡大されて楕円形状に変換される。この断面楕円
形状にａ換されたレーザービームＬは再び偏光ビームス
プリット面６を透過し、半導体レーザー２の近傍に配置
された光検出器２０上に照射される。
は光反射性シリンドリカル凹レンズ面１６で反射され、
これによりレーザービームＬは、その断面形状が一１方
向のみ拡大されて楕円形状に変換される。この断面楕円
形状にａ換されたレーザービームＬは再び偏光ビームス
プリット面６を透過し、半導体レーザー２の近傍に配置
された光検出器２０上に照射される。
この光検出器２０は４分割された光検出セル２２・・・
を有するもので、上記半導体レーザー２の近傍に配置さ
れている。そして、この光検出器２０によって、いわゆ
る非点収差法による焦点ぼけ検出、いわゆるプッシュプ
ル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）法によるトラックずれ検出、
および情報検出が行われる。なお、この光学ヘッドは、
焦点ぼけ検出結果およびトラックずれ検出結果に応じて
全体が上下および左右方向に移動されることによって対
物レンズ１０が合焦状態に維持されるとともに所定のト
ラックに向けられる。
を有するもので、上記半導体レーザー２の近傍に配置さ
れている。そして、この光検出器２０によって、いわゆ
る非点収差法による焦点ぼけ検出、いわゆるプッシュプ
ル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）法によるトラックずれ検出、
および情報検出が行われる。なお、この光学ヘッドは、
焦点ぼけ検出結果およびトラックずれ検出結果に応じて
全体が上下および左右方向に移動されることによって対
物レンズ１０が合焦状態に維持されるとともに所定のト
ラックに向けられる。
また、第２図および第３図に示すように、上記半導体レ
ーザー２および光検出器２ｏは半導体素子マウント用フ
レーム２３に支持されている。半導体レーザー２および
光検出器２０以外の光学部品は光学部品マウント用フレ
ーム２４に内蔵されている。上記半導体素子マウント用
フレーム２３は光学部品マウント用フレーム２４にねじ
２６゜２６によって固定されている。ざらに、半導体素
子マウント用フレーム２３と光学部品マウント用フレー
ム２４との接合部は、半導体素子の耐環境性保護のため
、ハーメチックシール２８でシールされている。
ーザー２および光検出器２ｏは半導体素子マウント用フ
レーム２３に支持されている。半導体レーザー２および
光検出器２０以外の光学部品は光学部品マウント用フレ
ーム２４に内蔵されている。上記半導体素子マウント用
フレーム２３は光学部品マウント用フレーム２４にねじ
２６゜２６によって固定されている。ざらに、半導体素
子マウント用フレーム２３と光学部品マウント用フレー
ム２４との接合部は、半導体素子の耐環境性保護のため
、ハーメチックシール２８でシールされている。
以上の構成によれば、偏光ビームスプリット面６の裏面
に母線を４５度傾かせた光反射性シリンドリカル凹レン
ズ面１６を設け、レーザービームＬが偏光ビームスプリ
ット面６を透過し、シリンドリカル凹レンズ面１６で反
射する構成としたので、１個の光検出器２０で非点収差
法による焦点ぼけ検出、プッシュプル法によるトラック
ずれ検出、および情報検出を行なうことができるととも
に、半導体レーザー２から情報記憶媒体１２へ導かれる
レーザービームＬと情報記憶媒体１２から光検出器２０
へ導かれるレーザービームＬとが略同−の光路上を進む
ので、半導体レーザー２の近傍に光検出器２０を配置す
ることができる。従って、光学ヘッドの小型軽量化が図
れ、しかも軽量化によるアクセス時間の短縮化が図れる
。
に母線を４５度傾かせた光反射性シリンドリカル凹レン
ズ面１６を設け、レーザービームＬが偏光ビームスプリ
ット面６を透過し、シリンドリカル凹レンズ面１６で反
射する構成としたので、１個の光検出器２０で非点収差
法による焦点ぼけ検出、プッシュプル法によるトラック
ずれ検出、および情報検出を行なうことができるととも
に、半導体レーザー２から情報記憶媒体１２へ導かれる
レーザービームＬと情報記憶媒体１２から光検出器２０
へ導かれるレーザービームＬとが略同−の光路上を進む
ので、半導体レーザー２の近傍に光検出器２０を配置す
ることができる。従って、光学ヘッドの小型軽量化が図
れ、しかも軽量化によるアクセス時間の短縮化が図れる
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、光源から情報記憶
媒体へ導かれる光ビームと情報記憶媒体から光検出手段
へ導かれる光ビームとを略同−の光路上を進ませること
ができ、これにより光源の近傍に光検出器を配置するこ
とができ、以て、小型軽量化が図れ、しかも軽量化によ
るアクセス時間の短縮化が図れる等の優れた効果を奏す
る。
媒体へ導かれる光ビームと情報記憶媒体から光検出手段
へ導かれる光ビームとを略同−の光路上を進ませること
ができ、これにより光源の近傍に光検出器を配置するこ
とができ、以て、小型軽量化が図れ、しかも軽量化によ
るアクセス時間の短縮化が図れる等の優れた効果を奏す
る。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図はマウン
ト用フレームを除いた光学ヘッドを示す斜視図、第２図
は同光学ヘッドを示す断面図、第３図は同光学ヘッドの
半導体素子マウント用フレームに支持された半導体レー
ザーおよび光検出器を示す正面図である。 ２・・・光ビーム発生手段（半導体レーザー）、６・・
・偏光ビームスプリット面、８・・・１／４波長板、１
０・・・集光手段（対物レンズ）、１２・・・情報記憶
媒体、１６・・・光反射性シリンドリカル面、２０・・
・光検出手段（光検出器）。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 纂３図
ト用フレームを除いた光学ヘッドを示す斜視図、第２図
は同光学ヘッドを示す断面図、第３図は同光学ヘッドの
半導体素子マウント用フレームに支持された半導体レー
ザーおよび光検出器を示す正面図である。 ２・・・光ビーム発生手段（半導体レーザー）、６・・
・偏光ビームスプリット面、８・・・１／４波長板、１
０・・・集光手段（対物レンズ）、１２・・・情報記憶
媒体、１６・・・光反射性シリンドリカル面、２０・・
・光検出手段（光検出器）。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 纂３図
Claims (2)
- （１）光ビームを発生する光ビーム発生手段と、この光
ビーム発生手段により発生された光ビームを反射する偏
光ビームスプリット面と、この偏光ビームスプリット面
により反射された光ビームを情報記憶媒体上に集光させ
る集光手段と、この集光手段により情報記憶媒体上に集
光された後情報記憶媒体から射出され上記集光手段を再
び通過した光ビームが上記偏光ビームスプリッタを透過
するように上記光ビームの偏波面を回転させる１／４波
長板と、この１／４波長板により偏波面を回転され上記
偏光ビームスプリッタを透過した光ビームを反射させる
光反射性シリンドリカル面と、この光反射性シリンドリ
カル面により反射された光ビームを検出し少なくとも焦
点ぼけ検出およびトラックずれ検出を行なうための少な
くとも４分割された光検出手段とを具備したことを特徴
とする光学ヘッド。 - （２）上記シリンドリカル面の母線は、上記偏光ビーム
スプリット面上での上記集光手段から伸びる光軸と上記
光源から伸びる光軸とで規定される面に対して略４５度
の角度を成すことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光学ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62058124A JPS63224042A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 光学ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62058124A JPS63224042A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 光学ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224042A true JPS63224042A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13075231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62058124A Pending JPS63224042A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 光学ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63224042A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03189932A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62058124A patent/JPS63224042A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03189932A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
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