JPS6322406B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6322406B2 JPS6322406B2 JP57044884A JP4488482A JPS6322406B2 JP S6322406 B2 JPS6322406 B2 JP S6322406B2 JP 57044884 A JP57044884 A JP 57044884A JP 4488482 A JP4488482 A JP 4488482A JP S6322406 B2 JPS6322406 B2 JP S6322406B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ionized
- substance
- pipe
- ion source
- metal ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/26—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、各種物質のイオンを発生させるイオ
ン源に係り、特に電界放出型溶融金属イオン源に
関する。
ン源に係り、特に電界放出型溶融金属イオン源に
関する。
近年、各種物質のイオンを利用する技術分野は
広範囲に及び、例えば、核融合（プラズマ加熱、
炉壁処理）、高エネルギー物理学（加速器）、重イ
オン科学、イオン・ロケツト、イオン打ち込み
（不純物ドーピング、表面物性制御）、薄膜形成
（表面コーテイング、薄膜型デバイス開発）等の
分野に及ぶ。
広範囲に及び、例えば、核融合（プラズマ加熱、
炉壁処理）、高エネルギー物理学（加速器）、重イ
オン科学、イオン・ロケツト、イオン打ち込み
（不純物ドーピング、表面物性制御）、薄膜形成
（表面コーテイング、薄膜型デバイス開発）等の
分野に及ぶ。
しかして、各種物質のイオンを得るために、
種々の方法が提案実施されているが、その１つと
して、イオン化すべき物質に高電圧を印加してイ
オンを取り出す方法がある。かかる方法において
各種物質のイオンを発生させる金属イオン源の１
つに電界放出型溶融金属イオン源がある。
種々の方法が提案実施されているが、その１つと
して、イオン化すべき物質に高電圧を印加してイ
オンを取り出す方法がある。かかる方法において
各種物質のイオンを発生させる金属イオン源の１
つに電界放出型溶融金属イオン源がある。
第１図は電界放出型溶融金属イオン源の従来例
の断面を略示する図解図であり、一般に同図イお
よびロはニードル型、同図ハはキヤピラリー型と
呼ばれる。
の断面を略示する図解図であり、一般に同図イお
よびロはニードル型、同図ハはキヤピラリー型と
呼ばれる。
すなわち同図イにおいて、ニードル型の電界放
出型溶融金属イオン源は、高融点材料よりなる略
円筒状のパイプに、これと同心に、高融点材料よ
りなり、先端が数μｍから数10μｍ径のニードル
が内装されており、前記ニードルが加熱されると
前記パイプとニードルとの間の空隙にイオン化さ
れるべき物質が溶融して浸透しニードルの先端を
濡らす。
出型溶融金属イオン源は、高融点材料よりなる略
円筒状のパイプに、これと同心に、高融点材料よ
りなり、先端が数μｍから数10μｍ径のニードル
が内装されており、前記ニードルが加熱されると
前記パイプとニードルとの間の空隙にイオン化さ
れるべき物質が溶融して浸透しニードルの先端を
濡らす。
また同図ロのニードル型電界放出型溶融金属イ
オン源は、同図イにおける略円筒状パイプが省略
された形で、高融点材料よりなり、先端が数μｍ
径のニードルが加熱用フイラメントに溶接されて
おり、ニードルにイオン化されるべき物質が付着
されており、ニードルが加熱されると、イオン化
されるべき物質が溶融し、ニードルの先端を濡ら
す。
オン源は、同図イにおける略円筒状パイプが省略
された形で、高融点材料よりなり、先端が数μｍ
径のニードルが加熱用フイラメントに溶接されて
おり、ニードルにイオン化されるべき物質が付着
されており、ニードルが加熱されると、イオン化
されるべき物質が溶融し、ニードルの先端を濡ら
す。
一方、同図ハに示すキヤピラリー型の電界放出
型溶融金属イオン源は、高融点材料よりなり、そ
の長手方向に沿つて小径の貫通孔の開設された円
錐状体をなし、円錐状体が加熱されると、イオン
化されるべき物質が溶融してその貫通孔に浸透
し、円錐状体の先端を濡らす。
型溶融金属イオン源は、高融点材料よりなり、そ
の長手方向に沿つて小径の貫通孔の開設された円
錐状体をなし、円錐状体が加熱されると、イオン
化されるべき物質が溶融してその貫通孔に浸透
し、円錐状体の先端を濡らす。
かかる状態の金属イオン源に高電圧を印加する
と、先端に強電界がかかり、電界による力により
イオン化されるべき物質が液面の先端から放出さ
れると共に、金属イオン源先端のすぐ前方でイオ
ン化され引き出される。その際、イオン化領域で
イオンを放出する面の形状を決定すると考えられ
ている、微小のプラズマ領域（プラズマボールと
称する）が、金属イオン源先端のすぐ前方にでき
る。このプラズマボールは、電界放出型溶融金属
イオン源の動作条件、例えばイオン電流の大きさ
により変化して、ビームの特性、例えばイオンビ
ームの開き角等が大幅に変化する。
と、先端に強電界がかかり、電界による力により
イオン化されるべき物質が液面の先端から放出さ
れると共に、金属イオン源先端のすぐ前方でイオ
ン化され引き出される。その際、イオン化領域で
イオンを放出する面の形状を決定すると考えられ
ている、微小のプラズマ領域（プラズマボールと
称する）が、金属イオン源先端のすぐ前方にでき
る。このプラズマボールは、電界放出型溶融金属
イオン源の動作条件、例えばイオン電流の大きさ
により変化して、ビームの特性、例えばイオンビ
ームの開き角等が大幅に変化する。
従来の電界放出型溶融金属イオン源の先端領域
へのイオン化されるべき物質の供給については何
ら制御されていないので、最適動作流量の制御が
できないのと、融点近くの温度で蒸気圧の高い物
質のイオン化では中性粒子蒸気が多量に放出され
るため安定な動作が困難である。また特に同図ロ
の型の金属イオン源では、イオン化されるべき物
質の総量がニードルに濡れて付着している微少量
であるため、長時間連続運転が困難である。
へのイオン化されるべき物質の供給については何
ら制御されていないので、最適動作流量の制御が
できないのと、融点近くの温度で蒸気圧の高い物
質のイオン化では中性粒子蒸気が多量に放出され
るため安定な動作が困難である。また特に同図ロ
の型の金属イオン源では、イオン化されるべき物
質の総量がニードルに濡れて付着している微少量
であるため、長時間連続運転が困難である。
一方、金属イオン源からのイオンの放出は長時
間持続されることが望ましく、また、イオンビー
ムを用いて微細な対象を加工し、又は制御しよう
とする場合等にあつては、イオンビームの開き角
は安定して小さいことが必要である。
間持続されることが望ましく、また、イオンビー
ムを用いて微細な対象を加工し、又は制御しよう
とする場合等にあつては、イオンビームの開き角
は安定して小さいことが必要である。
しかしながら、前述の如く従来の電界放出型溶
融金属イオン源はこれを満足するものでない。
融金属イオン源はこれを満足するものでない。
それ故、本発明の目的は、金属イオン源からの
イオンの放出を長時間持続させるとともに、イオ
ン化されるべき物質の量を制御し、かつプラズマ
ボール領域の安定化を図り、イオンビームの開き
角度を安定して小さくすることができる電界放出
型溶融金属イオン源を提供することにある。
イオンの放出を長時間持続させるとともに、イオ
ン化されるべき物質の量を制御し、かつプラズマ
ボール領域の安定化を図り、イオンビームの開き
角度を安定して小さくすることができる電界放出
型溶融金属イオン源を提供することにある。
そして、そのために本発明は、少くともイオン
化される物質よりも融点の高い材料よりなるパイ
プと、少くともイオン化される物質よりも融点の
高い金属を含み、その先端部が略円錐状をなすと
ともに、溶融したイオン化される物質を浸透させ
るべき多孔性を有するチツプよりなり、このチツ
プは、前記パイプの一端開口部に、その先端部が
突出する如く取り付けられていることを特徴とし
ている。
化される物質よりも融点の高い材料よりなるパイ
プと、少くともイオン化される物質よりも融点の
高い金属を含み、その先端部が略円錐状をなすと
ともに、溶融したイオン化される物質を浸透させ
るべき多孔性を有するチツプよりなり、このチツ
プは、前記パイプの一端開口部に、その先端部が
突出する如く取り付けられていることを特徴とし
ている。
以下、本発明に係る電界放出型溶融金属イオン
源（以下「本発明品」と呼ぶ）について図面とと
もに説明する。
源（以下「本発明品」と呼ぶ）について図面とと
もに説明する。
第２図は本発明品の一実施例たる電界放出溶融
金属イオン源２０の断面を略示する図解図であ
る。同図イにおいて、２１は少くともイオン化さ
れる物質よりも融点の高い材料よりなる両端の開
口したパイプであり、本実施例においては例えば
タングステンで構成されている。一方、２２は、
少くともイオン化される物質よりも融点の高い金
属を含み、長さが前記パイプ２１よりも短くて、
その先端部が略円錐状をなしているチツプであ
る。かかるチツプ２２は例えば少くともイオン化
される物質よりも融点の高い金属の粉体を適宜な
媒体を介して成形し、焼結して形成されることに
より溶融したイオン化される物質を浸透させるべ
き多孔性を有する。そして前記金属の粉体は、例
えば、タングステン、モリブデン、ニツケル等が
用いられるが、好ましくは溶融したイオン化され
る物質との濡れ性の良好な金属が選択される。ま
た、前記金属の粉体の粒径は、先端に電界が充分
かゝるために数μｍ〜数100μｍ程度で、好まし
くはイオン化される物質との関連等において定め
られる一方、イオン化されるべき物質の流量制御
をも行う為にその粉体は異なる粒径を有する粉体
を所定の割合で混合して用いられるものであつて
もよい。例えば、ガリウムをイオン化する場合、
本実施例においては、略等重量の100ミクロン径
のタングステン・パウダーと10ミクロン径のタン
グステン・パウダーを混合してチツプ２２を形成
している。かかるチツプ２２は前記パイプ２１の
一端開口部に、その先端部が突出する如く取り付
けられている一方、パイプ２１内にはイオン化さ
れるべき物質３２が入れられる。
金属イオン源２０の断面を略示する図解図であ
る。同図イにおいて、２１は少くともイオン化さ
れる物質よりも融点の高い材料よりなる両端の開
口したパイプであり、本実施例においては例えば
タングステンで構成されている。一方、２２は、
少くともイオン化される物質よりも融点の高い金
属を含み、長さが前記パイプ２１よりも短くて、
その先端部が略円錐状をなしているチツプであ
る。かかるチツプ２２は例えば少くともイオン化
される物質よりも融点の高い金属の粉体を適宜な
媒体を介して成形し、焼結して形成されることに
より溶融したイオン化される物質を浸透させるべ
き多孔性を有する。そして前記金属の粉体は、例
えば、タングステン、モリブデン、ニツケル等が
用いられるが、好ましくは溶融したイオン化され
る物質との濡れ性の良好な金属が選択される。ま
た、前記金属の粉体の粒径は、先端に電界が充分
かゝるために数μｍ〜数100μｍ程度で、好まし
くはイオン化される物質との関連等において定め
られる一方、イオン化されるべき物質の流量制御
をも行う為にその粉体は異なる粒径を有する粉体
を所定の割合で混合して用いられるものであつて
もよい。例えば、ガリウムをイオン化する場合、
本実施例においては、略等重量の100ミクロン径
のタングステン・パウダーと10ミクロン径のタン
グステン・パウダーを混合してチツプ２２を形成
している。かかるチツプ２２は前記パイプ２１の
一端開口部に、その先端部が突出する如く取り付
けられている一方、パイプ２１内にはイオン化さ
れるべき物質３２が入れられる。
一方、同図ロは本発明品のその他の実施例の断
面を略示する図解図である。すなわち、電界放出
型金属イオン源４０は前述した如き多孔性を有す
るチツプ４２をパイプ４２に嵌入固定し、かかる
パイプ４２をイオン化されるべき物質４４の封入
された金属容器４３に挿着して一体に形成される
ものであつてもよい。
面を略示する図解図である。すなわち、電界放出
型金属イオン源４０は前述した如き多孔性を有す
るチツプ４２をパイプ４２に嵌入固定し、かかる
パイプ４２をイオン化されるべき物質４４の封入
された金属容器４３に挿着して一体に形成される
ものであつてもよい。
次に、上述した如き電界放出型溶融金属イオン
源の使用例を説明する。第３図は本発明品を使用
する金属イオン発生装置の原理図であり、同図に
おいて２０は本発明品たる電界放出型溶融金属イ
オン源であり、電界放出型溶融金属イオン源２０
のパイプ２１の両端には、例えばモリブデンより
なる接触片２３を介してヒータ電源２４が接続さ
れている。一方、２５は接地されている引き出し
電極で、この引き出し電極と前記パイプ２１の上
端部との間には引き出し電圧源２６が接続され
る。また、図に示した２７は回路電流、２８はイ
オン電流を測定するための電流計である。そし
て、２９は、基板ホルダ３０の上に載置され、イ
オンの照射される例えば基板であり、基板２９と
前記引き出し電極２５との間には基板からの２次
電子を抑えるためのフアラデー電極３１が設けら
れている。
源の使用例を説明する。第３図は本発明品を使用
する金属イオン発生装置の原理図であり、同図に
おいて２０は本発明品たる電界放出型溶融金属イ
オン源であり、電界放出型溶融金属イオン源２０
のパイプ２１の両端には、例えばモリブデンより
なる接触片２３を介してヒータ電源２４が接続さ
れている。一方、２５は接地されている引き出し
電極で、この引き出し電極と前記パイプ２１の上
端部との間には引き出し電圧源２６が接続され
る。また、図に示した２７は回路電流、２８はイ
オン電流を測定するための電流計である。そし
て、２９は、基板ホルダ３０の上に載置され、イ
オンの照射される例えば基板であり、基板２９と
前記引き出し電極２５との間には基板からの２次
電子を抑えるためのフアラデー電極３１が設けら
れている。
一方、イオン化させる物質をパイプ２１の上端
開口部より注入するとともに、ヒータ電源２４を
駆動してパイプ２１を加熱すると、パイプ２１に
注入された物質が溶融し、これがパイプ２１の下
端に取り付けられたチツプ２２に浸透する結果、
チツプ２２の表面が溶融したイオン化されるべき
物質で濡らされる。その際イオン化されるべき物
質の流量は、多孔性チツプの構成粒子径および温
度によつて制御される。そして、チツプ２２に近
接して設けられる引き出し電極２５とパイプ２１
上の上端部との間に、引き出し電圧源２６によつ
て高電圧を印加すると、チツプ２２の表面に突出
した100μｍ径の粒体表面の溶融した物質からそ
のイオンが引き出され、加速されて例えば基板２
９に打ち込まれる。その際、多孔性を有するチツ
プ先端の形状に沿つて、イオンを放出する形状を
決定するプラズマボールが形成されるため、本発
明品はイオン源の動作条件の変化に対して、プラ
ズマボールの形状変化が少なく、イオンビームの
特性は安定である。
開口部より注入するとともに、ヒータ電源２４を
駆動してパイプ２１を加熱すると、パイプ２１に
注入された物質が溶融し、これがパイプ２１の下
端に取り付けられたチツプ２２に浸透する結果、
チツプ２２の表面が溶融したイオン化されるべき
物質で濡らされる。その際イオン化されるべき物
質の流量は、多孔性チツプの構成粒子径および温
度によつて制御される。そして、チツプ２２に近
接して設けられる引き出し電極２５とパイプ２１
上の上端部との間に、引き出し電圧源２６によつ
て高電圧を印加すると、チツプ２２の表面に突出
した100μｍ径の粒体表面の溶融した物質からそ
のイオンが引き出され、加速されて例えば基板２
９に打ち込まれる。その際、多孔性を有するチツ
プ先端の形状に沿つて、イオンを放出する形状を
決定するプラズマボールが形成されるため、本発
明品はイオン源の動作条件の変化に対して、プラ
ズマボールの形状変化が少なく、イオンビームの
特性は安定である。
第４図は本発明品と従来品における、イオン電
流の変化に対するイオンビームの開き角の変化を
表わした説明図である。すなわち、同図イは金属
イオン源から所定の距離を隔てた位置のイオンビ
ームプロフアイルを示すものであり、本実施例に
おいては、いわゆるフアラデーカツプによつて測
定している。同図イにおいて、Ａはイオンビーム
の強度が極大値Ｃの２分の１の値を示すイオンビ
ームの広がり幅を示し、イオンビームの開き角
（半角）θは、多孔性チツプ先端とフアラデーカ
ツプ間距離をＤとして θ＝tan-1１／２・Ａ／Ｄ で表わされる。
流の変化に対するイオンビームの開き角の変化を
表わした説明図である。すなわち、同図イは金属
イオン源から所定の距離を隔てた位置のイオンビ
ームプロフアイルを示すものであり、本実施例に
おいては、いわゆるフアラデーカツプによつて測
定している。同図イにおいて、Ａはイオンビーム
の強度が極大値Ｃの２分の１の値を示すイオンビ
ームの広がり幅を示し、イオンビームの開き角
（半角）θは、多孔性チツプ先端とフアラデーカ
ツプ間距離をＤとして θ＝tan-1１／２・Ａ／Ｄ で表わされる。
一方、同図ロは本発明のイオン電流とイオンビ
ーム開き角の関係を示し、同図ハは従来品のそれ
を示す。ここでイオン電流は、第３図に示す電流
計２８によつて測定される。また、同図ロにおい
て〇印は引き出し電圧が9.5KV、□印は引き出し
電圧が13.8KVのときの値をそれぞれ示している。
以上の説明より明らかなように本発明品を用いた
ときのイオンビームの開き角は従来品を用いたと
きより、イオン電流の大きさによる変化が少なく
安定しており、かつ開き角が小さい。
ーム開き角の関係を示し、同図ハは従来品のそれ
を示す。ここでイオン電流は、第３図に示す電流
計２８によつて測定される。また、同図ロにおい
て〇印は引き出し電圧が9.5KV、□印は引き出し
電圧が13.8KVのときの値をそれぞれ示している。
以上の説明より明らかなように本発明品を用いた
ときのイオンビームの開き角は従来品を用いたと
きより、イオン電流の大きさによる変化が少なく
安定しており、かつ開き角が小さい。
さらに、本発明品はパイプ２１を長くするか、
溶融金属溜と組み合わせればイオン化されるべき
物質を比較的多量に注入しておくことができ、ま
た多孔性チツプの構成粒子径を適当に選ぶことに
より流量制御ができるため、イオンの放出を長時
間持続させることが可能である。
溶融金属溜と組み合わせればイオン化されるべき
物質を比較的多量に注入しておくことができ、ま
た多孔性チツプの構成粒子径を適当に選ぶことに
より流量制御ができるため、イオンの放出を長時
間持続させることが可能である。
以上の本発明品の一実施例の説明より明らかな
ように、本発明に係る電界放出型溶融金属イオン
源は、イオンの放出を長時間持続させることが可
能であるとともに、イオンビームの開き角を安定
して小さくすることができるので実使用上極めて
有用性に富むものである。
ように、本発明に係る電界放出型溶融金属イオン
源は、イオンの放出を長時間持続させることが可
能であるとともに、イオンビームの開き角を安定
して小さくすることができるので実使用上極めて
有用性に富むものである。
第１図は電界放出型溶融金属イオン源の従来例
の断面を略示する図解図、第２図は本発明品の一
実施例の断面を略示する図解図、第３図は本発明
品を使用する金属イオン発生装置の原理図、第４
図は本発明品と従来品における、イオン電流の変
化に対するイオンビームの開き角の変化を表わし
た説明図である。 ２０…電界放出型溶融金属イオン源、２１…パ
イプ、２２…チツプ。
の断面を略示する図解図、第２図は本発明品の一
実施例の断面を略示する図解図、第３図は本発明
品を使用する金属イオン発生装置の原理図、第４
図は本発明品と従来品における、イオン電流の変
化に対するイオンビームの開き角の変化を表わし
た説明図である。 ２０…電界放出型溶融金属イオン源、２１…パ
イプ、２２…チツプ。
Claims (1)
- １ イオン化される物質よりも融点の高い材料よ
りなるパイプと、イオン化される物質よりも融点
の高い金属を含み、その先端が略円錐状をなすと
ともに、溶融したイオン化される物質を浸透させ
るべき多孔性を有するチツプよりなり、前記チツ
プは、前記パイプの一端開口部に、その先端が突
出する如く取付けられており、かつ前記チツプは
イオン化される物質よりも融点の高い金属粉末を
成形することにより形成されるものであり、かつ
前記金属粉末はそれぞれ異なる粒子径を有する粉
体を混合してなるものであり、前記混合粉体は
10μの金属粉末と100μの金属粉末との等重量％か
らなるものであることを特徴とするイオン源。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57044884A JPS58163135A (ja) | 1982-03-20 | 1982-03-20 | イオン源 |
| US06/476,470 US4638217A (en) | 1982-03-20 | 1983-03-18 | Fused metal ion source with sintered metal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57044884A JPS58163135A (ja) | 1982-03-20 | 1982-03-20 | イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58163135A JPS58163135A (ja) | 1983-09-27 |
| JPS6322406B2 true JPS6322406B2 (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=12703912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57044884A Granted JPS58163135A (ja) | 1982-03-20 | 1982-03-20 | イオン源 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4638217A (ja) |
| JP (1) | JPS58163135A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180048A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-13 | Fujitsu Ltd | 電界型イオン源 |
| JPH0744010B2 (ja) * | 1984-10-26 | 1995-05-15 | 株式会社日立製作所 | イオン源 |
| JPS62259332A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-11-11 | Nippon Denshi Zairyo Kk | イオン発生装置 |
| JPS62237650A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Hitachi Ltd | 金属イオン発生装置 |
| JPS6324538A (ja) * | 1987-07-17 | 1988-02-01 | Jeol Ltd | 質量分析装置用イオン源 |
| FR2618604B1 (fr) * | 1987-07-22 | 1989-11-24 | Realisations Nucleaires Et | Source d'ions de metaux liquides a arc sous vide |
| US5298835A (en) * | 1988-07-21 | 1994-03-29 | Electro-Plasma, Inc. | Modular segmented cathode plasma generator |
| US5397901A (en) * | 1990-06-12 | 1995-03-14 | American Technologies, Inc. | Forming charges in a fluid and generation of a charged beam |
| TW445522B (en) * | 1998-02-09 | 2001-07-11 | United Microelectronics Corp | Dual ion/electron source device and its operation method |
| WO2008087715A1 (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Shimadzu Corporation | イオン化用エミッタ、イオン化装置及びイオン化用エミッタの製造方法 |
| AT506340B1 (de) * | 2008-01-25 | 2012-04-15 | Fotec Forschungs & Technologi | Verfahren zur herstellung einer ionenquelle |
| FR3100464B1 (fr) * | 2019-09-10 | 2023-05-05 | Centre Nat Rech Scient | Procede d’emission d’atomes, de molecules ou d’ions |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1982
- 1982-03-20 JP JP57044884A patent/JPS58163135A/ja active Granted
-
1983
- 1983-03-18 US US06/476,470 patent/US4638217A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4638217A (en) | 1987-01-20 |
| JPS58163135A (ja) | 1983-09-27 |
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