JPS6322471B2

JPS6322471B2 -

Info

Publication number: JPS6322471B2
Application number: JP56043285A
Authority: JP
Inventors: Marukomu Deiison Kuraibu
Original assignee: FUIRITSUPUSU EREKUTORONIKU ENDO ASOSHEITETSUDO IND Ltd
Current assignee: FUIRITSUPUSU EREKUTORONIKU ENDO ASOSHEITETSUDO IND Ltd
Priority date: 1981-03-26
Filing date: 1981-03-26
Publication date: 1988-05-12
Also published as: JPS57162476A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は基板上に半導体のほぼ平行な細長スト
リツプ形態で具えており、かつ熱放射の発生によ
る自由少数電荷キヤリアの同時二極性
（ambipolar）ドリフトを前記ストリツプに沿つ
て伴なう熱放射結像装置に関するものである。

英国特許明細書第1488258号には、半導体材料
製の細長ストリツプ形態の半導体を具え、前記ス
トリツプに入射する熱放射の吸収時に自由電荷キ
ヤリアを発生させることができ、バイアス電極手
段を前記ストリツプに沿う方向に離間して設け
て、主として多数電荷キヤリアのバイアス電流を
前記ストリツプに沿つて流すようにし、前記バイ
アス電流が熱放射の発生による自由少数電荷キヤ
リアの同時二極性ドリフトを前記バイアス電流に
対して反対方向に支持し得るようにし、かつ前記
離間して配置したバイアス電極手段の間における
同時二極性ドリフト通路に読出手段を設けた熱放
射結像装置が記載されている。

前記ストリツプを形成する半導体材料は通常テ
ルル化水銀カドミウムとする。前記読出手段はオ
ーム接点を形成する第１および第２読出電極を前
記ストリツプに接近させて構成することができ、
これらの電極はアルミニウムの如き金属製とする
ことができ、またこれらの電極はストリツプを横
切つて延在させるのが好適であり、しかも一方の
電極はバイアス電極と共通とすることができる。
斯種結像装置の使用時に２個の読出電極間に発生
する電圧は熱放射により発生される少数キヤリア
濃度の大きさとなる。しかし、読出手段は金属と
するか、またはストリツプと共にダイオード接合
部を形成し、かつ使用時に適当なバイアス電圧を
かけることによりこの接合部が逆バイアスされる
半導体領域（この領域は好ましくはストリツプを
横切つて延在させる）の何れかとすることもでき
る。上記ダイオードを介して発生する電流も熱放
射により発生される少数キヤリア濃度の大きさと
なる。

前記英国特許明細書第1488258号に記載され、
かつ図示されている装置の特定な形態のもので
は、読出手段を形成する金属または半導体領域を
半導体ストリツプ上に取り付けるか、またはこの
ストリツプに画成し、ストリツプそのものはこの
ストリツプを所望な動作温度に冷却し、かつ適当
な電気結像を成す慣例のカプセル封じ装置に取り
付けている。斯種のカプセル封じにて熱放射結像
装置に電気的な接続を行うにはワイヤボンデイン
グ法を用いるのが慣例である。しかし、結像装置
のストリツプにおける前述したような読出手段に
ワイヤを直接接続するボンデイング法には問題が
ある。読取手段の個所は同時二極性通路における
感応領域であり、この領域でのワイヤボンデイン
グは半導体材料の損傷をまねき、この領域にて電
荷キヤリアを著しく再結合させることがあり得
る。極端な場合には、半導体材料を破壊すること
さえも起り得る。

さらに本発明を導出する実験では本発明者等は
斯種装置のストリツプを複数個共通基板上に平行
に組立てて、二次元的な感応領域を形成した。平
行ストリツプ間の非感応領域を小さくするにはス
トリツプを互いに密に離間させるのが望ましい。
また、斯種の平行ストリツプを用いる結像システ
ムを簡単にするには前記読出手段およびバイアス
電極手段をそれぞれストリツプに対してほぼ垂直
の方向に整列させるのが望ましい。このように、
ストリツプを互いに密に離間させ、かつ前記両手
段をストリツプに対して垂直方向に整列させるこ
とは各ストリツプ上の読出手段に直接ワイヤボン
デイングすることにより満足させることができる
が、この場合には前述したような欠点を受けるこ
とになる。

本発明の熱放射結合装置基板と、該基板上に設
けられ入射熱放射を吸収して自由電荷キヤリアを
発生し得る半導体材料の半導体より成る略々平行
な細長いストリツプと、このストリツプに沿う方
向に離間して配置さたバイアス電極から成り、各
ストリツプ内に各ストリツプに沿つて主として多
数電荷キヤリアから成るバイアス電流を流させ、
このバイアス電流が、入射熱放射で発生され且つ
前記の多数電荷キヤリアの流れと反対方向に流れ
る自由少数電荷キヤリアと同時二極性ドリフトを
維持させ得るバイアス電極手段と、このバイアス
電極手段の一方のバイアス電極と第１読取電極か
ら成る読取手段とをそなえ、前記ストリツプの
夫々は、同時二極性ドリフト通路と同時二極性ド
リフト通路との連続部分を与え、前記第１読取電
極は同時二極性ドリフト通路と前記連続部分とが
接続する区域から延在し、この連続部分は、前記
区域の直前の同時二極性ドリフト通路にくらべて
幅が狭く電界が大きいように形成されたことを特
徴とする。

斯る装置においては前記読取手段への配線は前
記ストリツプの他方の部分を含み、前記読取手段
の区域から延在するので、例えばワイヤボンデイ
ング法を装置のカプセル封止に用いる場合にこれ
らワイヤを、この配線の読取手段と関連する感応
区域と反対側の部分にボンデイングすることがで
きる。スロツトと前記ストリツプの分岐部分の並
行配置によれば、斯る形態の配線を半導体ストリ
ツプ間に、これらストリツプが小間隔に配列され
る場合でも延在させることができる。これがた
め、ストリツプの配列を、これらストリツプのバ
イアス電極手段と読取手段がそれぞれこれらスト
リツプと略々直交する方向に整列するように行な
うことができると共に、これらストリツプをスト
リツプの幅より著しく狭い、例えばストリツプの
幅の1/2又は1/4以下の幅のスロツトで互に分離し
て近接配置することができる。

斯る幾可学形状のマルチストリツプ装置は、同
時二極性ドリフト通路を連続させる前記細条部分
を前記読取手段の区域前のドリフト通路部分より
狭くすると、特にコンパクトにすることができ
る。前記読取手段の区域において同時二極性ドリ
フト通路を幅狭にすることはこの区域におけるバ
イアス電流の集中を生じ、従つて高い電界を生
じ、これは装置のドリフト速度と応答を増して装
置の特性を改善する。

半導体ストリツプをカプセル封止装置内に設け
られる電気配線の影響から絶縁するためには、こ
れら配線を半導体ストリツプの一部分上に形成す
るよりも基板上に直接メタライズして形成するの
が好適である。各ストリツプの少なくとも一方の
端部の上縁部はその側縁部に沿つた上縁部より丸
められ、金属層によりこの丸められた端部の上縁
部上から基板上に延在する金属層によりバイアス
電極および第１読取り電極への接続部を形成する
のが有利である。前記ストリツプの側縁部は丸め
られないので、これらストリツプは近接配置し得
ると共に、ストリツプの端部の丸められた縁部に
よつてこの縁部上に金属層を堆積する際に生ずる
問題を軽減して読取手段及びバイアス電極手段へ
の亀裂のない高信頼度の配線を形成することがで
きる。

読取手段は、例えば前述したオーム接点又はダ
イオード接合を含む既知タイプのものとすること
ができる。読取手段への配線の直列抵抗を低減す
るためには前記２部分の他方の部分に、前記２部
分間の前記スロツトの少くとも略々内縁まで延在
する金属ストリツプを設けて前記他方の部分を含
む前記配線の主導電路を与えるようにする。

本発明では、更に、前記各ストリツプはこれと
少なくとも略々平行に延在するスロツトで互いに
分離した２部分に分岐し、該２部分の一方の部分
で前記連続部分を形成し、前記２部分の他方の部
分で前記第１読取電極への連続部分を形成し、第
１読取電極は、前記スロツトと略々平行な方向に
延在し、前記のバイアス電極手段の一方のバイア
ス電極から前記スロツトで分離される。

上述の本発明装置は英国特許第1488258号明細
書に記載されているように機械的走査手段を具え
るシステムに使用できる。従つて、本発明装置
は、熱放射像を前記ストリツプに沿つて同時二極
性ドリフトと同方向にこの同時二極性ドリフト速
度に相当する速度で走査する手段を設けることに
より熱放射結像システムを得ることができる。

しかし、本発明装置は他の形態の走査を用いる
熱放射結像システム、例えばストリツプにバイア
ス電極を介して走査傾斜波電圧を供給して熱放射
で発生されたキヤリアを読取手段に向け駆動する
手段を具えるシステムに使用することもできる。

以下図面により本発明を説明する。尚、図はス
ケール通りに描いておらず、また図示の簡単化及
び便宜のためある部分の相対的寸法及び比率を誇
張或いは縮少して示してある。さらに各図におい
て同一装置または素子の同一部分のみならず別の
装置及び素子の同様な部分に対しても同一参照番
号を使用してこれを示している。

第１図〜第３図の熱放射結像装置は基板２上に
複数個の光導電素子１を具え、この素子１は所定
の導電形の半導体材料から成るほぼ平行に設けら
れた細長矩形ストリツプの形態の半導体であつ
て、このストリツプに入射した熱放射の吸収によ
り自由電荷キヤリアを発生できるものである。こ
の半導体材料を、例えば、入射放射が無い場合に
はキヤリア濃度が５×10¹⁴cm^-3より小さいｎ型の
テルル化水銀カドミウムHg_0.79Cd_0.21Teとするこ
とができる。この組成の材料では77〓の動作温度
での放射吸収端は波長約11.5ミクロンである。こ
の材料では８〜14ミクロンの窓で赤外放射を吸収
して電子―正孔対を有効的に発生させており、77
〓の動作温度における正孔の移動度は600cm²
V^-1sec^-1でそのライフタイムは2.5ミリ秒である。
電子の移動度は約２×10¹⁵cm²V^-1sec^-1である。

各ストリツプ１は、例えば長さを１mm、幅を
62.5ミクロン及び厚さを10ミクロンとすることが
できる。これらストリツプ１はスロツト３で分離
し得、これらスロツトの幅を例えば12.5ミクロン
とすることができる。第１図には一例として８個
の斯様な分離されたストリツプ１を示してある。
尚、システムが異なればストリツプの個数はもと
よりそれらの長さ、幅、厚さ及び間隔の寸法もそ
れぞれ異なつたものを必要とし得ること明らかで
ある。

基板２をサフアイアとし得、これに例えば0.5
ミクロンの厚さのエポキシ接着層によつて半導体
ストリツプ１を定着することができる（第３図参
照）。これら各半導体ストリツプ１の上側表面上
にはパツシベーテイング層５があり、その厚さを
約0.1ミクロンとし得かつこれは主として水銀、
カドミウム及びテルルの酸化物から成つている。
各ストリツプ１の上側表面の、バイアス電極６及
び７が存在する相対向する両端部ではこのパツシ
ベーテイング層５は除去されている。これら電極
は約１ミクロンの厚さの金のデポジツト層で構成
し得、これら層の各々は半導体表面とオーム接触
を形成している。そしてこれら層を半導体表面上
をストリツプ１の端部から例えば100ミクロンの
距離にわたり延在させることができる。第３図に
示すように、バイアス電極６及び７を半導体表面
中に例えば１または２ミクロンの短距離にわたり
シンクさせることができ、これを英国特許出願第
2027986A号に開示されているメタル・リフト―
オフ方法及びイオン―エツチング法を用いて形成
することができる。

バイアス電極６及び７を形成する金属層も基板
２上に延在させ、これら金属層もこれら電極に対
する接続部として作用する。基板上のこれら電極
接続部６及び７は僅かに広がりかつ末広となつ
て、装置をハウジング内に取付けられる時に例え
ばゴールド・ワイヤ接続部が形成され得る区域を
形成する。第３図に示すように、各ストリツプ１
の両端部における上縁部をこのストリツプの側部
に沿つた縁部よりも丸くする。電極接続部６及び
７を形成する金属層は基板２上をこの一層丸めら
れた上縁部にわたり延在する。イオン―エツチン
グ法を使用して単一半導体から並列の半導体スト
リツプ１を形成すると共に、半導体及び基板２に
デポジツトされた金属層から各ストリツプ１用接
続部及び個別電極を形成することができる。この
場合、英国特許出願第2027556A号に開示された
方法を使用してもよい。

各ストリツプ１に沿う方向に離間したこれら電
極６及び７間に直流バイアス電圧を印加させて、
主として多数電荷キヤリア（この例では電子）の
バイアス電流をこのストリツプに沿つた方向に流
すようにする。このバイアス電流により、反対方
向に放射で発生した少数キヤリア（この例では正
孔）の同時二極性ドリフトを保持させることがで
きる。この装置の動作については第５図を参照し
て後述する。

離間したバイアス電極６及び７間の同時二極性
ドリフト通路には電極８を具えた読取手段を設け
てあり、この読取手段を既知の任意のタイプの読
取手段とし得る。これら読取手段を半導体ストリ
ツプ１のバルクとｐ―ｎダイオード接合を形成す
る反対導電形（この実施例ではｐ型）の表面隣接
領域とし得る。この領域及び半導体ストリツプ１
のバルクはこの装置の意図された動作温度でそれ
らの導電型特性を示すが室温ではこれら特性は必
らずしも示すものではない。ストリツプ１にｎ型
のテルル化水銀カドミウムを使用しかつ意図され
た動作温度を77〓とした特定の場合には、室温で
は斯新なｐ―ｎダイオード接合の存在は明らかで
はない。このｐ―ｎ接合を使用する代わりに、読
取手段はシヨツトキ（金属―半導体）ダイオード
接合を具えていてもよい。

しかしながら、第１図〜第３図に示す実施例で
は、読出手段はダイオード接合を含まず半導体ス
トリツプ１とオーム接触を形成している離間され
た電極（８及び６）と（８及び７）とを単に具え
ている。第１図〜第３図の装置は各ストリツプ１
の両端部に読取手段を有し、これがためいずれか
の方向にバイアスされたストリツプで読取可能と
なる。すなわち、電極６から７へバイアス電流を
流して電極（８及び６）を用いた読取り或いは電
極７から６へバイアス電流を流して電極（８及び
７）を用いた読取りのいずれかが可能となる。こ
れがため、一方の方向にバイアスした場合の方が
他方の方向にバイアスした場合よりも装置の特性
が良い場合には、この一方のバイアス方向を装置
の動作用として選定する。

しかしながら、ストリツプ１の両端部に読取手
段を設ける必要はない。従つて、第４図及び第５
図に示す実施例ではストリツプ１の端部の電極７
に隣接した読取手段を備えていない。

第４図及び第５図に示す実施例では、各ストリ
ツプ１の個別電極７を与える金属層は各ストリツ
プ１の端部にわたつて延在しかつ基板２上にも延
在している。

当該読取手段の前にあつて、放射により発生し
た少数キヤリアの総合積分が行なわれ得る同時二
極性ドリフト通路の長さは半導体材料中の少数キ
ヤリアのライフタイム、電界及び半導体材料にふ
さわしくしかも普通は少数キヤリアの移動度に近
い同時二極性移動度（ambipolar mobility）に
よつて決まる距離に制限される。これがため、読
取手段の位置決めに際しこの距離を考慮する必要
がある。

本発明によれば、読取手段（８および６）と
（８および７）との各領域で、ストリツプ１のそ
れぞれは、スロツト１３によつて互いに分離され
た２つの部分に分岐される（第２図および第３図
参照）。スロツト１３は、前記領域からストリツ
プ１にほぼ平行な方向に延在している。

一方の部分１１は、前記領域から隣接バイアス
電極６または７への同時二極性ドリフト通路の連
続部を与える。

電極８は、読取領域からスロツト１３にほぼ平
行な方向に延在して、他方の部分１２によつて支
持される読取電極８の金属ストリツプ接続部を形
成する。この接続部は、少くとも金属ストリツプ
のため機械的支持部として部分１２を有してい
る。この電極接続部を、隣接バイアス電極６また
は７からスロツト１３によつて分離する。このス
トリツプ接続部８を、短距離にわたつて半導体表
面内に沈下させ、ストリツプ１の一層丸みのある
端縁部を経て基板２上に延在させ、ワイヤ接続の
ための領域を形成する。この金属ストリツプパタ
ーンを、電極６および７として同一金属層から同
時に形成することができ、スロツト１３をスロツ
ト３と同時に形成することができる。スロツト１
３は、たとえば12.5ミクロンの幅を有することが
できる。

このようにして、バイアス電極６，７と読取電
極８とが前記ストリツプ１にほぼ垂直な方向にそ
れぞれほぼ配列されたコンパクトな装置形状が得
られる。

部分１１および１２は、読取手段の領域を越え
たそれらの各ストリツプの延長部である。したが
つて、部分１１内の同時二極性ドリフト通路の連
続部は、読取手段の領域の前の前記ドリフト通路
の主要部よりも狭い。このことは、前述したよう
に装置のドリフト速度および応答度を増大させる
電流収れんを部分１１内で生じさせる。しかし、
部分１１をあまりに狭くすべきでない。その理由
は、部分１１の側部が、部分１１内の少数キヤリ
アの寿命を減少させる高いキヤリア再結合効果を
有するからである。したがつて、部分１１は部分
１２よりも広くするのが好適であり、この領域前
の同時二極性ドリフト路の主要部の幅の少なくと
も半分である。第１図〜第３図の装置では、部分
１１および１２がそれぞれたとえば35ミクロンお
よび15ミクロンの幅を有するようにすることがで
きる。

隣接バイアス電極６または７が読取電極８に非
常に接近している場合には、要素の応答度および
検出度を減少させることができる。したがつて、
部分１１内のドリフト通路の連続部を、その幅よ
りも長くするのが好適である。第１図〜第３図に
示す配置において、バイアス電極６と読取電極８
がドリフト通路に接する領域との間の距離を、た
とえば50ミクロンとすることができる。第１図お
よび第２図に示す特定の形態では、読取電極８
は、スロツト１３の内側端を越えて延在せず、一
方の側でドリフト通路に接触している。この利点
は、電極ストリツプの横方向の広がりが、平行ス
ロツト１３および３によつて正確に定められると
いうことである。しかし、読取電極８がスロツト
１３の内側端を越えて延在し、ドリフト通路との
一層広範囲な接触を有するような他の形態とする
こともできる。第６図に示す形態では、金属スト
リツプ８はストリツプ１を直角に横切つて延在
し、スロツト１３を越えて読取電極を形成する。

動作中、この装置は低温度に保たれ、特定の適
用に従つて取り付けられる。このような取り付け
は図示していないが、赤外放射（たとえば８〜14
ミクロン帯域）を導くための窓を有する真空にさ
れた囲い内での基板２への取り付けより通常成
る。この囲いは、半導体ストリツプ１を有する基
板２を必要な動作温度（たとえば77〓）に保持す
るための手段を具えている。１つのこのような形
態の取り付けは、赤外検出器技術において普通採
用されるジユア形（Dewar―type）カプセル化
より成る。

以下第５図につき本発明装置の動作を説明す
る。バイアス電極６および７並びに接続導線を介
して各ストリツプ１を直流バイアス電源２１と可
変抵抗２２とに直列に接続し、主として多数キヤ
リア（今の場合電子）から成る一定のバイアス電
流がストリツプ１内をバイアス電極６からバイア
ス電極７へ長手方向に流れるようにする。バイア
ス電源２１は全ての電極６および７に接続するも
のであるが、図面を簡明ならしめるため第５図で
は一つのストリツプ１の接続関係しか示していな
い。

このバイアス電流は、入射熱放射で発生された
反対方向すなわち電極７から電極６の方向への自
由少数電荷キヤリア（この例では正孔）の同時二
極性ドリフトを維持することができる。電極６と
７の間のバイアス電圧の適当な範囲は１ボルトか
ら10ボルトである。前記組成のｎ形材料内に
15V／cmの電圧降下が生じている時この少数キヤ
リアの同時二極性移動度（ambipolar mobility）
は約400cm²V^-1sec^-1である。

放射パターンを走査し、このパターンの単位区
域の像をストリツプ１上に合焦させることは前記
英国特許第1488258号明細書に記載されているも
のと類似の方法で行なうことができる。このよう
なストリツプ１に沿つて少数キヤリアの同時二極
性ドリフト方向と同一方向にこの同時二極性ドリ
フト速度とほぼ等しい速度で熱放射像を走査する
手段は第５図に略図の形態で図示してある。この
走査手段は一対の回転鏡２５および２６並びにレ
ンズ系２７とで構成することができる。そしてこ
の走査手段により、シーン２８から送られてくる
放射パターンの像区域を１個又は複数個の半導体
ストリツプ１の表面上で5000cm・sec^-1〜20000
cm・sec^-1の範囲の速度で動かす。

斯くして、像を少数キヤリアの同時二極性ドリ
フト速度に対応する速度で半導体ストリツプ１の
表面上を横切るように走査するため、放射で発生
した少数キヤリアは読取電極８に到達する前にｎ
形ストリツプの放射が当たる部分にたまる。而し
てこれらのたまつた放射で発生した少数キヤリア
は電極８と６との間のストリツプ部分１１を通過
するためこの部分１１で導電率変調が生ずる。画
像信号は既知の態様で電極８と６との間に接続さ
れ、導電率変調の結果、電極８と６との間に生ず
る電圧の変化を増幅し、処理する出力回路２９を
介して取り出す。なお図面を簡明ならしめるため
１つのストリツプ１についてしか出力回路を図示
していないが、実際には各ストリツプ１毎に個別
の出力回路２９を設け、これをそれぞれのストリ
ツプの電極６と８との間に接続する。

明らかに本発明の範囲内で多くの修正を加える
ことができる。例えばテルル化水銀カドミウムと
いうｎ形材料の組成を変更し、例えば３〜５ミク
ロン帯の放射を画像化できる装置を作ることがで
きる。またテルル化水銀カドミウム以外の半導体
材料を用いて光導電性のストリツプ１を形成する
こともできる。

上述した実施例では金属ストリツプ８が部分１
２の上側表面全面にわたつて延在し、少なくとも
スロツト１３の内側端にほぼ達するまで延在して
いる。それ故金属ストリツプ８は部分１２を具え
る読取接続関係の主導電路を提供する。このよう
な場合部分１２は電気接続関係の導電部である必
要は必らずしもなく、単なる電気接続関係の機械
的支持体となるだけでもよい。またデバイスが使
用されるシステムの読取接続部に抵抗値が高い直
列抵抗を持たせることができる場合は金属ストリ
ツプ８はスロツト１３の内側端まで延在させる必
要はなく、部分１２上で例えば電極６又は７が部
分１１上で延在している所までしか延在させず、
これにより読取接続関係のこの短かいストリツプ
８と同時二極性ドリフト通路との間の部分を半導
体部分１１内の導電径路でのみ構成するようにし
てもよい。

前述した実施例ではストリツプ１は例えばサフ
アイアの絶縁性基板上に設けた個別の半導体本体
として形成している。第６図はこれも本発明に係
るものであるが、もう一つの配置を示している。
ここではストリツプ１は共通半導体１０の部分で
構成し、ストリツプ同士を電極６を支持する共通
部を介して一体に連結している。そして電極６も
８も基体２（これは前の例のようにサフアイアと
することができる）上に延在しているのではな
い。しかし、これも本発明に係るものであるが、
一つの変形例では第６図のストリツプ１を一つの
導電形材料を例えば中性の基板２又はテルル化カ
ドミウムの基板２上にデポジツトさせて形成した
エピタキシヤル層とすることができる。第６図で
このようにする場合スロツト３および１３からは
エピタキシヤル材料をとり除いて単位構造を与
え、バイアス電極や読取電極６，７，８を構成す
る金属部を残りのエピタキシヤル層部に限定す
る。スロツト３と１３とは一緒になつて隣接する
電極６および８を分離し、導線はエピタキシヤル
層上の電極パターン６，７および８の活性ストリ
ツプ１から遠い部分につける。陽極となる主バイ
アス電極に隣接する同時二極性ドリフト通路から
不所望の注入された少数キヤリア（正孔）を一切
取り除くためにこのバイアス電極に隣接する電極
接続部に整流接合を与えてこのような少数キヤリ
アに対してドレイン（吸込機構）を提供し、これ
により効果的に同時二極性ドリフト通路の初段を
バイアス電極から分離する。このような整流接合
に電極を取り付けるに当つてはスロツトを利用し
て読取手段の場合と同様にして行なうことができ
る。

間隙３をほぼその全長に亘つて広げることによ
り、ストリツプ１を読取手段の間では読取手段に
隣接している場所でよりも一層狭くすることがで
き、各スロツト１の一側で読取接続部８を突出さ
せることができる。しかし、このような構造にす
るとストリツプ１同士の間の不感応性の所謂「死
んだ」スペースが大きくなり、一般には望ましく
ないことになる。

ストリツプ１をほぼ直線状に延在させる必要は
必らずしもない。例えば各ストリツプ１を仮想の
直線を中心にくねらせてもよい。その場合異なる
ストリツプ同士の仮想の直線は互にほぼ平行にす
る。なお、このような蛇行するストリツプは出願
公告されている英国特許願CB2019649号に示され
ている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による熱放射結像装置の一例を
示す平面図、第２図は第１図に示す装置の本発明
による２つのエレメントの端部分の一例を示す拡
大平面図、第３図は第２図の―線に沿つて取
つて示した断面図、第４図は本発明による熱放射
結像装置の一部分のエレメントの変形例を示す平
面図、第５図は本発明による熱放射結像システム
の一部分を簡略した形態で示した斜視図、第６図
は本発明による別の熱放射結像装置の一部分を示
す平面図である。１…ストリツプ、２…基板、３…スロツト、４
…層、５…パツシベーシヨン層、６，７…バイア
ス電極、８…読取電極、１０…共通半導体本体、
１１…電極８と６との間のストリツプ部分、１２
…部分、１３…スロツト、２１…直流バイアス電
源、２２…可変抵抗、２５，２６…回転鏡、２７
…レンズ系、２８…シーン、２９…出力回路。

Claims

【特許請求の範囲】１基板２と、該基板２上に設けられ入射熱放射
を吸収して自由電荷キヤリアを発生し得る半導体
材料の半導体より成る略々平行な細長いストリツ
プ１と、このストリツプ１に沿う方向に離間して
配置されたバイアス電極６，７から成り、各スト
リツプ１内に各ストリツプに沿つて主として多数
電荷キヤリアから成るバイアス電流を流させ、こ
のバイアス電流が、入射熱放射で発生され且つ前
記の多数電荷キヤリアの流れと反対方向に流れる
自由少数電荷キヤリアと同時二極性ドリフトを維
持させ得るバイアス電極手段と、このバイアス電
極手段の一方のバイアス電極６，７と第１読取電
極８から成る読取手段とをそなえ、前記のストリ
ツプ１の夫々は、同時二極性ドリフト通路と同時
二極性ドリフト通路との連続部分を与え、前記第
１読取電極８は同時二極性ドリフト通路と前記連
続部分とが接続する区域から延在し、この連続部
分は、前記区域の直前の同時二極性ドリフト通路
にくらべて幅が狭く電界が大きいように形成され
たことを特徴とする熱放射結像装置。２前記連続部分は、前記バイアス電極手段の一
方のバイアス電極７に延在する特許請求の範囲第
１項記載の装置。３第１読取電極８は、同時二極性ドリフト通路
の一側縁部と接触する特許請求の範囲第２項記載
の装置。４前記各ストリツプ１はこれと少なくとも略々
平行に延在するスロツト１３で互いに分離した２
部分１１，１２に分岐し、該２部分の一方の部分
１１で前記連続部分を形成し、前記２部分の他方
の部分１２で前記第１読取電極８への連続部分を
形成し、第１読取電極は、前記スロツト１３と
略々平行な方向に延在し、前記のバイアス電極手
段の一方のバイアス電極７から前記スロツト１３
で分離された特許請求の範囲第１乃至第３項のい
ずれか１項に記載の装置。５前記各ストリツプ１、第１読取電極８および
バイアス電極６，７は１つの共通の半導体の部分
により形成された特許請求の範囲第４項記載の装
置。６各ストリツプ１の少なくとも一方の端部の上
縁部はその側縁部に沿つた上縁部より丸められ、
この丸められた端部の上縁部上から基板上に延在
する金属層６，７，８によりバイアス電極６，７
および第１読取電極８への接続部を形成する特許
請求の範囲第４項記載の装置。７異なるストリツプ１のバイアス電極６，７と
読取手段８，７とをそれぞれこれらストリツプ１
と略々直交する方向に略々整列された特許請求の
範囲第１項乃至第５項の何れか１項に記載の装
置。