JPS6322721Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6322721Y2 JPS6322721Y2 JP1932682U JP1932682U JPS6322721Y2 JP S6322721 Y2 JPS6322721 Y2 JP S6322721Y2 JP 1932682 U JP1932682 U JP 1932682U JP 1932682 U JP1932682 U JP 1932682U JP S6322721 Y2 JPS6322721 Y2 JP S6322721Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- bias supply
- stub
- supply circuit
- phase shifter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、マイクロストリツプライン型ダイオ
ード移相器に関するものである。
ード移相器に関するものである。
第１図は従来のマイクロストリツプライン型ダ
イオード移相器の例を示したものである。この位
相器は、マイクロ波入出力用の端子１と端子２と
をつなぐ入出力ライン３にθ0（約90゜）なる電気角
をへだてて第１と第２のスタブ回路４，５を分岐
接続し、各スタブ回路４，５にはそれぞれダイオ
ード６，７をそのアノードを入出力ライン３側に
向けて直列接続し、各スタブ回路４，５の先端を
それぞれ接続し、且つ入出力ライン３にはバイア
ス端子８を低域通過炉波器９を介して接続した構
造となつている。
イオード移相器の例を示したものである。この位
相器は、マイクロ波入出力用の端子１と端子２と
をつなぐ入出力ライン３にθ0（約90゜）なる電気角
をへだてて第１と第２のスタブ回路４，５を分岐
接続し、各スタブ回路４，５にはそれぞれダイオ
ード６，７をそのアノードを入出力ライン３側に
向けて直列接続し、各スタブ回路４，５の先端を
それぞれ接続し、且つ入出力ライン３にはバイア
ス端子８を低域通過炉波器９を介して接続した構
造となつている。
なお、この出願で入出力ラインとは、移相処理
を受けるマイクロ波が通り抜けるラインを言う。
を受けるマイクロ波が通り抜けるラインを言う。
このようなマイクロストリツプ型ダイオード移
相器の位相角は、各ダイオード６，７に対する順
方向バイアス時における端子１から端子２への透
過係数の位相角と、逆方向バイアス時における端
子１から端子２への透過係数の位相角の差で規定
される。
相器の位相角は、各ダイオード６，７に対する順
方向バイアス時における端子１から端子２への透
過係数の位相角と、逆方向バイアス時における端
子１から端子２への透過係数の位相角の差で規定
される。
このようなダイオード移相器においては、端子
１又は端子２から入力されたマイクロ波がバイア
ス端子８に漏れ込むと、移相器としての特性が劣
化する。そこで従来は、この漏れ込みを防ぐため
に図示のように低域通過炉波器９を介してバイア
ス端子８を入出力ライン３に接続するか或いはイ
ンピーダンスが非常に大きい集中定数素子（コイ
ル）を介してバイアス端子８を入出力ライン３に
接続していた。
１又は端子２から入力されたマイクロ波がバイア
ス端子８に漏れ込むと、移相器としての特性が劣
化する。そこで従来は、この漏れ込みを防ぐため
に図示のように低域通過炉波器９を介してバイア
ス端子８を入出力ライン３に接続するか或いはイ
ンピーダンスが非常に大きい集中定数素子（コイ
ル）を介してバイアス端子８を入出力ライン３に
接続していた。
しかしながら、前者の構造では回路が大型にな
る欠点がある。また、後者の構造では、集中定数
素子の接続位置や接続の仕方により安定した特性
が得られない欠点があつた。
る欠点がある。また、後者の構造では、集中定数
素子の接続位置や接続の仕方により安定した特性
が得られない欠点があつた。
本考案の目的は、大型化をまねかず、且つ特性
を悪化させずにバイアス端子へのマイクロ波の漏
れ込みを防止できるマイクロストリツプライン型
ダイオード移相器を提供することにある。
を悪化させずにバイアス端子へのマイクロ波の漏
れ込みを防止できるマイクロストリツプライン型
ダイオード移相器を提供することにある。
本考案は、入出力ラインに高周波開放・直流短
絡部を分岐接続し、ダイオードを有するスタブ回
路を前記入出力ラインの途中に対にしてそれぞれ
接続し、前記各スタブ回路の末端に高周波短絡・
直流遮断部をそれぞれ設け、前記各スタブ回路に
バイアス供給回路を接続したマイクロストリツプ
ライン型ダイオード移相器において、前記バイア
ス供給回路は対になつた前記各スタブ回路の前記
ダイオードと前記高周波短絡・直流遮断部との各
接続点間を相互に接続する相互接続ライン部分
と、該相互接続ライン部分の中間点とバイアス端
子間を結ぶ共通ライン部分とを備え、且つ該バイ
アス供給回路の前記各接続点から前記中間点をそ
れぞれみたインピーダンスは該バイアス供給回路
が帯域阻止炉波器として機能する大きさにそれぞ
れ定められていることを特徴とする。
絡部を分岐接続し、ダイオードを有するスタブ回
路を前記入出力ラインの途中に対にしてそれぞれ
接続し、前記各スタブ回路の末端に高周波短絡・
直流遮断部をそれぞれ設け、前記各スタブ回路に
バイアス供給回路を接続したマイクロストリツプ
ライン型ダイオード移相器において、前記バイア
ス供給回路は対になつた前記各スタブ回路の前記
ダイオードと前記高周波短絡・直流遮断部との各
接続点間を相互に接続する相互接続ライン部分
と、該相互接続ライン部分の中間点とバイアス端
子間を結ぶ共通ライン部分とを備え、且つ該バイ
アス供給回路の前記各接続点から前記中間点をそ
れぞれみたインピーダンスは該バイアス供給回路
が帯域阻止炉波器として機能する大きさにそれぞ
れ定められていることを特徴とする。
以下本考案の一実施例を図面を参照して詳細に
説明する。第２図は本考案の第１実施例を示した
ものである。本実施例のマイクロストリツプライ
ン型ダイオード移相器は、マイクロ波入出力用の
端子１と端子２とをつなぐ入出力ライン３にθ0
（約90゜）なる電気角をへだてて第１、第２のスタ
ブ回路４，５を対にして分岐接続し、角スタブ回
路４，５にはそれぞれダイオード６，７をそのカ
ソードを入出力ライン３に向けて直列接続し、各
ダイオード６，７のアノード側は高周波短絡・直
流遮断部を形成するコンデンサ１０，１１を介し
てそれぞれ接地している。対になつた第１、第２
のスタブ回路４，５のダイオード６，７のアノー
ド側に共通のバイアス供給回路１２を接続し、バ
イアス端子８から各ダイオード６，７にバイアス
をかけるようにしている。該バイアス供給回路１
２は、対になつた第１、第２のスタブ回路４，５
のダイオード６，７と高周波短絡・直流遮断部１
０，１１との各接続点ａ，ｃ間を相互に接続する
相互接続ライン部分１２Ａと、該相互接続ライン
部分の中間点ｂとバイアス端子８間を結ぶ共通ラ
イン部分１２Ｂとにより構成している。また、該
バイアス供給回路１２の各接続点ａ，ｃから中間
点ｂをそれぞれみたインピーダンスは、該バイア
ス供給回路１２が帯域阻止炉波器として機能する
大きさにそれぞれ定めている。このようにバイア
ス供給回路１２を設けるに伴つて、入出力ライン
３は高周波開放・直流短絡部を形成するλ／４の
接地線１３で接地している。
説明する。第２図は本考案の第１実施例を示した
ものである。本実施例のマイクロストリツプライ
ン型ダイオード移相器は、マイクロ波入出力用の
端子１と端子２とをつなぐ入出力ライン３にθ0
（約90゜）なる電気角をへだてて第１、第２のスタ
ブ回路４，５を対にして分岐接続し、角スタブ回
路４，５にはそれぞれダイオード６，７をそのカ
ソードを入出力ライン３に向けて直列接続し、各
ダイオード６，７のアノード側は高周波短絡・直
流遮断部を形成するコンデンサ１０，１１を介し
てそれぞれ接地している。対になつた第１、第２
のスタブ回路４，５のダイオード６，７のアノー
ド側に共通のバイアス供給回路１２を接続し、バ
イアス端子８から各ダイオード６，７にバイアス
をかけるようにしている。該バイアス供給回路１
２は、対になつた第１、第２のスタブ回路４，５
のダイオード６，７と高周波短絡・直流遮断部１
０，１１との各接続点ａ，ｃ間を相互に接続する
相互接続ライン部分１２Ａと、該相互接続ライン
部分の中間点ｂとバイアス端子８間を結ぶ共通ラ
イン部分１２Ｂとにより構成している。また、該
バイアス供給回路１２の各接続点ａ，ｃから中間
点ｂをそれぞれみたインピーダンスは、該バイア
ス供給回路１２が帯域阻止炉波器として機能する
大きさにそれぞれ定めている。このようにバイア
ス供給回路１２を設けるに伴つて、入出力ライン
３は高周波開放・直流短絡部を形成するλ／４の
接地線１３で接地している。
このようなマイクロストリツプライン型ダイオ
ード移相器を４端子回路で示すと第３図に示すよ
うになる。なお、Ｌは実装の際発生するボンデン
グワイヤーのリアクタンス、θ1はバイアス供給回
路１２のｂ点−ａ点間及びｂ点−ｃ点間の各電気
角、θ2はバイアス供給回路１２のｂ点とバイアス
端子８間の電気角、θ3はλ／４の接地線１３の電
気角、Z1はバイアス供給回路１２のｂ点−ａ点間
及びｂ点−ｃ点間の線路の特性インピーダンス、
Z2はバイアス供給回路１２のｂ点とバイアス端子
８間の開放線路の特性インピーダンス、Z3は接地
線１３からなる終端短絡線路の特性インピーダン
スである。
ード移相器を４端子回路で示すと第３図に示すよ
うになる。なお、Ｌは実装の際発生するボンデン
グワイヤーのリアクタンス、θ1はバイアス供給回
路１２のｂ点−ａ点間及びｂ点−ｃ点間の各電気
角、θ2はバイアス供給回路１２のｂ点とバイアス
端子８間の電気角、θ3はλ／４の接地線１３の電
気角、Z1はバイアス供給回路１２のｂ点−ａ点間
及びｂ点−ｃ点間の線路の特性インピーダンス、
Z2はバイアス供給回路１２のｂ点とバイアス端子
８間の開放線路の特性インピーダンス、Z3は接地
線１３からなる終端短絡線路の特性インピーダン
スである。
さて、このような回路において、端子１，１′
から入力されたマイクロ波が２つのスタブ回路
４，５を通つて端子２，２′に出力される過程で
バイアス供給回路１２の影響を受けないために
は、ａ，a′点からｂ，b′点側を、及びｃ，c′点か
らｂ，b′点側をみたインピーダンスを充分大きく
すればよい。即ち、Ｌ，Z1，Z2，θ1，θ2を第４図
に示すインピーダンスを有するように決めてやれ
ばよい。換言すれば、バイアス供給回路１２をを
帯域阻止炉波器で形成すればよい。なお、第４図
において、1，2はマイクロストリツプライン型
ダイオード移相器の下限及び上限周波数、0は中
心周波数、Ｚは第３図においてａ，a′点からｂ，
b′点側をみたインピーダンスである。
から入力されたマイクロ波が２つのスタブ回路
４，５を通つて端子２，２′に出力される過程で
バイアス供給回路１２の影響を受けないために
は、ａ，a′点からｂ，b′点側を、及びｃ，c′点か
らｂ，b′点側をみたインピーダンスを充分大きく
すればよい。即ち、Ｌ，Z1，Z2，θ1，θ2を第４図
に示すインピーダンスを有するように決めてやれ
ばよい。換言すれば、バイアス供給回路１２をを
帯域阻止炉波器で形成すればよい。なお、第４図
において、1，2はマイクロストリツプライン型
ダイオード移相器の下限及び上限周波数、0は中
心周波数、Ｚは第３図においてａ，a′点からｂ，
b′点側をみたインピーダンスである。
なお、上記実施例では本考案をローデイツドラ
イン型のマイクロストリツプライン型ダイオード
移相器に適用した場合について説明したが、本考
案はこれに限定されるものではなく、方向性結合
器を用いた反射型のマイクロストリツプライン型
ダイオード移相器等にも同様に適用できるもので
ある。
イン型のマイクロストリツプライン型ダイオード
移相器に適用した場合について説明したが、本考
案はこれに限定されるものではなく、方向性結合
器を用いた反射型のマイクロストリツプライン型
ダイオード移相器等にも同様に適用できるもので
ある。
第５図はこの方向性結合器を用いた反射側のマ
イクロストリツプライン型ダイオード移相器の例
を示したものである。なお、第２図と対応する部
分には同一符号をつけて示している。本実施例で
は入出力ライン３の途中に3dB結合のブランチラ
イン型方向性結合器１４を図示のように接続して
いる。
イクロストリツプライン型ダイオード移相器の例
を示したものである。なお、第２図と対応する部
分には同一符号をつけて示している。本実施例で
は入出力ライン３の途中に3dB結合のブランチラ
イン型方向性結合器１４を図示のように接続して
いる。
このような反射型のマイクロストリツプライン
型ダイオード移相器においては、端子１から入力
されたマイクロ波は方向性結合器１４により1/2
に分割され、該方向性結合器１４の結合端に接続
された第１のスタブ回路４と、通過端に接続され
た第２のスタブ回路５とにそれぞれ供給される。
マイクロ波が供給された第１、第２のスタブ回路
４，５は、ダイオード６，７に印加されるバイア
スの方向（順方向、逆方向）により固有の位相角
を有するインピーダンス素子として置き換えられ
る。これらインピーダンス素子としてのスタブ回
路４，５で反射された各反射波は、再び方向性結
合器１４に戻り、合成され、端子２に出力され
る。
型ダイオード移相器においては、端子１から入力
されたマイクロ波は方向性結合器１４により1/2
に分割され、該方向性結合器１４の結合端に接続
された第１のスタブ回路４と、通過端に接続され
た第２のスタブ回路５とにそれぞれ供給される。
マイクロ波が供給された第１、第２のスタブ回路
４，５は、ダイオード６，７に印加されるバイア
スの方向（順方向、逆方向）により固有の位相角
を有するインピーダンス素子として置き換えられ
る。これらインピーダンス素子としてのスタブ回
路４，５で反射された各反射波は、再び方向性結
合器１４に戻り、合成され、端子２に出力され
る。
このような反射型のマイクロストリツプライン
型ダイオード移相器の位相角は、前述したローデ
イツドライン型のマイクロストリツプライン型方
向性結合器と同様に、順方向バイアス時と逆方向
バイアス時における端子１から端子２への透過係
数の位相角の差で規定される。
型ダイオード移相器の位相角は、前述したローデ
イツドライン型のマイクロストリツプライン型方
向性結合器と同様に、順方向バイアス時と逆方向
バイアス時における端子１から端子２への透過係
数の位相角の差で規定される。
以上説明したように本考案に係るマイクロスト
リツプライン型ダイオード移相器においては、バ
イアス供給回路を帯域阻止炉波器で構成したの
で、大型化をまねかずにマイクロ波がバイアス端
子に漏れ込むのを防止することができる。従つ
て、本考案によれば、小型で安定した特性のマイ
クロストリツプライン型ダイオード移相器を提供
することができる。
リツプライン型ダイオード移相器においては、バ
イアス供給回路を帯域阻止炉波器で構成したの
で、大型化をまねかずにマイクロ波がバイアス端
子に漏れ込むのを防止することができる。従つ
て、本考案によれば、小型で安定した特性のマイ
クロストリツプライン型ダイオード移相器を提供
することができる。
第１図は従来のダイオード移相器の回路図。第
２図は本考案に係るダイオード移相器のローデイ
ツドライン型のものの例を示す回路図、第３図は
第２図の回路を４端子回路で示した回路図、第４
図は本実施例におけるバイアス供給回路の周波数
特性図、第５図は本考案に係るダイオード移相器
の反射型のものの例を示す回路図である。 １，２……端子、３……入出力ライン、４，５
……スタブ回路、６，７……ダイオード、８……
バイアス端子、１０，１１……コンデンサ、１２
……バイアス供給回路、１２Ａ……相互接続ライ
ン部分、１２Ｂ……共通ライン部分。
２図は本考案に係るダイオード移相器のローデイ
ツドライン型のものの例を示す回路図、第３図は
第２図の回路を４端子回路で示した回路図、第４
図は本実施例におけるバイアス供給回路の周波数
特性図、第５図は本考案に係るダイオード移相器
の反射型のものの例を示す回路図である。 １，２……端子、３……入出力ライン、４，５
……スタブ回路、６，７……ダイオード、８……
バイアス端子、１０，１１……コンデンサ、１２
……バイアス供給回路、１２Ａ……相互接続ライ
ン部分、１２Ｂ……共通ライン部分。
Claims (1)
- 入出力ラインに高周波開放・直流短絡部を分岐
接続し、ダイオードを有するスタブ回路を前記入
出力ラインの途中に対にしてそれぞれ接続し、前
記各スタブ回路の末端に高周波短絡・直流遮断部
をそれぞれ設け、前記各スタブ回路にバイアス供
給回路を接続したマイクロストリツプライン型ダ
イオード移相器において、前記バイアス供給回路
は対になつた前記各スタブ回路の前記ダイオード
と前記高周波短絡・直流遮断部との各接続点間を
相互に接続する相互接続ライン部分と、該相互接
続ライン部分の中間点とバイアス端子間を結ぶ共
通ライン部分とを備え、且つ該バイアス供給回路
の前記各接続点から前記中間点をそれぞれみたイ
ンピーダンスは該バイアス供給回路が帯域阻止炉
波器として機能する大きさにそれぞれ定められて
いることを特徴とするマイクロストリツプライン
型ダイオード移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1932682U JPS58123605U (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | マイクロストリツプライン型ダイオ−ド移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1932682U JPS58123605U (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | マイクロストリツプライン型ダイオ−ド移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123605U JPS58123605U (ja) | 1983-08-23 |
| JPS6322721Y2 true JPS6322721Y2 (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=30031542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1932682U Granted JPS58123605U (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | マイクロストリツプライン型ダイオ−ド移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123605U (ja) |
-
1982
- 1982-02-16 JP JP1932682U patent/JPS58123605U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58123605U (ja) | 1983-08-23 |
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