JPS63230876A - イオンビ−ム照射装置 - Google Patents
イオンビ−ム照射装置Info
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- JPS63230876A JPS63230876A JP62064863A JP6486387A JPS63230876A JP S63230876 A JPS63230876 A JP S63230876A JP 62064863 A JP62064863 A JP 62064863A JP 6486387 A JP6486387 A JP 6486387A JP S63230876 A JPS63230876 A JP S63230876A
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- JP
- Japan
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- sample
- ion beam
- electron
- electrons
- neutralizer
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H3/00—Production or acceleration of neutral particle beams, e.g. molecular or atomic beams
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/14—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using charge exchange devices, e.g. for neutralising or changing the sign of the electrical charges of beams
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、イオンビーム照射装置に関し、例えば絶縁
体あるいは半導体の表面改質、加工、及び膜形成などに
利用する装置に関する。具体的には全体あるいは一部が
電気的に絶縁された試料の表面電位を制御できる中和器
を有するイオンビーム照射装置に関するものである。
体あるいは半導体の表面改質、加工、及び膜形成などに
利用する装置に関する。具体的には全体あるいは一部が
電気的に絶縁された試料の表面電位を制御できる中和器
を有するイオンビーム照射装置に関するものである。
イオン照射技術の内で、例えば半導体のイオン注入機は
集積回路への不純物ドーピング技術として実用化されて
いる。
集積回路への不純物ドーピング技術として実用化されて
いる。
しかし、例えばＩ ＭｂｉｔＤＲＡＭのようにサブミク
ロンクラスの線幅や絶縁層厚さの寸法を持つ高実装密度
の集積回路に大電流のＡｓ＋イオン注入を行った場合、
集積回路内の絶縁層及び絶縁層で囲まれた露出半導体ノ
ーや導電層が、入射するイオンビ−ムで正電荷の蓄積（
以後、正帯電と呼ぶ）で高電位になるため、後に続くイ
オンビームを偏向させて不均一な注入が発生したり、時
には電気的な絶縁破壊が生じ、集積回路が動作不能とな
る。従って、スルーブツト向上を目的に大電流型のイオ
ン注入機を導入しても、集積回路における正帯電現象が
顕著に発生しないイオン電流値に制限せざるを得ない状
況にあり、実用上大きな問題となっている。
ロンクラスの線幅や絶縁層厚さの寸法を持つ高実装密度
の集積回路に大電流のＡｓ＋イオン注入を行った場合、
集積回路内の絶縁層及び絶縁層で囲まれた露出半導体ノ
ーや導電層が、入射するイオンビ−ムで正電荷の蓄積（
以後、正帯電と呼ぶ）で高電位になるため、後に続くイ
オンビームを偏向させて不均一な注入が発生したり、時
には電気的な絶縁破壊が生じ、集積回路が動作不能とな
る。従って、スルーブツト向上を目的に大電流型のイオ
ン注入機を導入しても、集積回路における正帯電現象が
顕著に発生しないイオン電流値に制限せざるを得ない状
況にあり、実用上大きな問題となっている。
この問題を解決するため、例えば第４図に示すイオン注
入装置（特開昭５８−７１５４６ 号公報）がある１図
において、（６）はイオンビームＩｉが照射する軌道内
で電子が試料（７）とは逆方向に拡散するのを防止する
シールド電極であり、電源（８）により負電位が与えら
れる。（至）は試料台、α・はアパーチャを示す、これ
は、ファラデーカップ（１）と呼ばれるものであり、フ
ァラデーカップ四内部で、試料近傍にバイアス電極（２
）を設け、そのバイアス電極（２）を基板に対して負電
位にし、イオン衝撃による２次電子放出を抑制して試料
（７）の表面における正帯電を防止する方法である。し
かし２次電子放出率がイオン及び試料の種類などによっ
て大きく変化するため、バイアス電極（２）に印加する
電圧を常に変化させなければならないなどの問題がある
。
入装置（特開昭５８−７１５４６ 号公報）がある１図
において、（６）はイオンビームＩｉが照射する軌道内
で電子が試料（７）とは逆方向に拡散するのを防止する
シールド電極であり、電源（８）により負電位が与えら
れる。（至）は試料台、α・はアパーチャを示す、これ
は、ファラデーカップ（１）と呼ばれるものであり、フ
ァラデーカップ四内部で、試料近傍にバイアス電極（２
）を設け、そのバイアス電極（２）を基板に対して負電
位にし、イオン衝撃による２次電子放出を抑制して試料
（７）の表面における正帯電を防止する方法である。し
かし２次電子放出率がイオン及び試料の種類などによっ
て大きく変化するため、バイアス電極（２）に印加する
電圧を常に変化させなければならないなどの問題がある
。
更に、本出願人によるイオンビームを中和する方法とし
て、第６図に示されたイオンビームを中和する装ｆｆ１
（以後、中和器と呼ぶ）がある。図において、（１）は
電子を放出する電子放出源で、例えばフィラメントであ
り、第１電源（２）で加熱され、第２電源（８）により
電位が与えられる。（４）はフィラメント（１）から放
出された電子が外部に拡散するのを防止する第１拡散防
止手段で、例えば電子シールド電極であり、第８電源（
５）により負電位が与えられる。（６）はイオンビーム
軌道に引き出され、イオンビームに取り込まれた電子が
イオンビームの進行方向とは逆方向に拡散するのを防止
する第１拡散防止手段で、例えばシールド電極であり、
第４電源（８）により負電位が与えられる。（９）はフ
ィラメント（１）から電子を第６電ｓＱＯより引き出す
ために電子引き出し手段で、電子引き出し電極、旬は引
き出された電子のエネルギーを第６電極（２）で制御す
るための電子エネルギー制御手段で、電子エネルギー制
御電極である。なお、電子引き出し電画（９）及び電子
エネルギー制御電極（ロ）はフィラメント（１）から引
き出された電子が通過できるように例えば格子状になっ
ており、ｆｓ５電源αＱのマイナスとＴｈ６ｍ！源（２
）のマイナス及びフィラメント（１）の一端は図に示し
たように同一の電位になるように接続されている。Ｑ３
は試料台、 （１４はイオンビーム、（至）は試料（７
）表面におけるイオンの電荷を中和する中和器、（至）
はアパーチャである。
て、第６図に示されたイオンビームを中和する装ｆｆ１
（以後、中和器と呼ぶ）がある。図において、（１）は
電子を放出する電子放出源で、例えばフィラメントであ
り、第１電源（２）で加熱され、第２電源（８）により
電位が与えられる。（４）はフィラメント（１）から放
出された電子が外部に拡散するのを防止する第１拡散防
止手段で、例えば電子シールド電極であり、第８電源（
５）により負電位が与えられる。（６）はイオンビーム
軌道に引き出され、イオンビームに取り込まれた電子が
イオンビームの進行方向とは逆方向に拡散するのを防止
する第１拡散防止手段で、例えばシールド電極であり、
第４電源（８）により負電位が与えられる。（９）はフ
ィラメント（１）から電子を第６電ｓＱＯより引き出す
ために電子引き出し手段で、電子引き出し電極、旬は引
き出された電子のエネルギーを第６電極（２）で制御す
るための電子エネルギー制御手段で、電子エネルギー制
御電極である。なお、電子引き出し電画（９）及び電子
エネルギー制御電極（ロ）はフィラメント（１）から引
き出された電子が通過できるように例えば格子状になっ
ており、ｆｓ５電源αＱのマイナスとＴｈ６ｍ！源（２
）のマイナス及びフィラメント（１）の一端は図に示し
たように同一の電位になるように接続されている。Ｑ３
は試料台、 （１４はイオンビーム、（至）は試料（７
）表面におけるイオンの電荷を中和する中和器、（至）
はアパーチャである。
次に動作について説明する。フィラメント（１）を熱電
子が充分放出できうる高温になるまでＩ１１！ｌ電源（
２）で加熱する。フィラメント（１）をマイナス、電子
引き出し電極（９）をプラスとして第６電源α０で電圧
ｖｓ を印加すると、フィラメント（１）から電子が引
き出される。このとき、フィラメントの温度が充分高け
れば、電子電流量Ｉｓは空間電荷制限式（Ｘ・−ＫＶａ
丁）に従い、フィラメント（１）から放出される。ただ
し、Ｋは電子の初速間あるいは電磁形状、電極間距離な
どに依存する係数である。
子が充分放出できうる高温になるまでＩ１１！ｌ電源（
２）で加熱する。フィラメント（１）をマイナス、電子
引き出し電極（９）をプラスとして第６電源α０で電圧
ｖｓ を印加すると、フィラメント（１）から電子が引
き出される。このとき、フィラメントの温度が充分高け
れば、電子電流量Ｉｓは空間電荷制限式（Ｘ・−ＫＶａ
丁）に従い、フィラメント（１）から放出される。ただ
し、Ｋは電子の初速間あるいは電磁形状、電極間距離な
どに依存する係数である。
次に亀６電源四でフィラメント（１）をマイナス、電子
エネルギー制御電極（ロ）をプラスとしてＶｅの電圧を
印加する。この場合、Ｖａ＝０であれば電子引き出し電
極（９）で引き出された電子流は電子エネルギー制御電
極（ロ）の近傍で停留する。又、例えばＶｅ＝１０Ｖで
あれば電子エネルギー制御電極（ロ）から１０・Ｖのエ
ネルギーを持った電子流がイオンビーム軌道の方向に移
動する。即ち、電子引き出し電極（９）から引き出され
た電子のエネルギーはＶｅで制御される。
エネルギー制御電極（ロ）をプラスとしてＶｅの電圧を
印加する。この場合、Ｖａ＝０であれば電子引き出し電
極（９）で引き出された電子流は電子エネルギー制御電
極（ロ）の近傍で停留する。又、例えばＶｅ＝１０Ｖで
あれば電子エネルギー制御電極（ロ）から１０・Ｖのエ
ネルギーを持った電子流がイオンビーム軌道の方向に移
動する。即ち、電子引き出し電極（９）から引き出され
た電子のエネルギーはＶｅで制御される。
従って、中和器０１に入射するイオンビームα◆の電子
捕獲断面積に見合った電子エネルギーをＶａ及びｖ６で
制御することでイオンビームα◆の体積内に取り込ませ
、イオンビーム軌道内のイオン密度と電子密度が等しい
プラズマ状態を形成する。
捕獲断面積に見合った電子エネルギーをＶａ及びｖ６で
制御することでイオンビームα◆の体積内に取り込ませ
、イオンビーム軌道内のイオン密度と電子密度が等しい
プラズマ状態を形成する。
内部がプラズマ状態番ζある中和器（ト）に第２電源（
８）で負電位を与えると、試料（７）との間に電位勾配
が生じ、プラズマ内の電子は試料（７）方向に移動する
。今、イオンビーム軌道内のイオン密度と電子密度が等
しいので、試料（７）への電子の移動速度とイオンビー
ムの入射速度を同じになるように第２［源（８）で電子
の移動速度をコントロールすれば、試料（７）に到達す
るイオンと電子の数が等しくなり、試料（７）表面で中
和されることになる。
８）で負電位を与えると、試料（７）との間に電位勾配
が生じ、プラズマ内の電子は試料（７）方向に移動する
。今、イオンビーム軌道内のイオン密度と電子密度が等
しいので、試料（７）への電子の移動速度とイオンビー
ムの入射速度を同じになるように第２［源（８）で電子
の移動速度をコントロールすれば、試料（７）に到達す
るイオンと電子の数が等しくなり、試料（７）表面で中
和されることになる。
試料（７）面では、イオン照射により試料（７）からの
２次電子放出が生じるため、試料（７）が正帯電する。
２次電子放出が生じるため、試料（７）が正帯電する。
この場合、９子移動エネルギーを高くし、２次電子放出
量と同じ電子社を中和器（至）が供給しなければ、試料
（７）表面の低電位は維持されない。
量と同じ電子社を中和器（至）が供給しなければ、試料
（７）表面の低電位は維持されない。
従来のイオンビーム照射装置は以上のように構成されて
いるので、イオン及び試料の種類などによって試料から
の２次電子放出係数が変動するため、その変動に見合っ
た電子の移動エネルギーを制御する必要があり、制御が
複雑になるなどの問題点があった。
いるので、イオン及び試料の種類などによって試料から
の２次電子放出係数が変動するため、その変動に見合っ
た電子の移動エネルギーを制御する必要があり、制御が
複雑になるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、イオン及び試料の種類に関係なく、試料から
の２次電子放出を最小限に押えることが出来るイオンビ
ーム照射装置を得ることが目的とする。
たもので、イオン及び試料の種類に関係なく、試料から
の２次電子放出を最小限に押えることが出来るイオンビ
ーム照射装置を得ることが目的とする。
この発明に係るイオンビーム照射装置は、電子を発生す
る電子放出源と、電子放出源から電子を引き出す電子引
き出し手段と、引き出された電子のエネルギーを制御す
る電子エネルギー制御手段と、電子放出源から発生した
電子が外部へ拡散する仁とを防止する第１拡散防止手段
と、イオンビーム軌道に引き出され、イオンビームに取
り込まれた電子がイオンビームの進行方向と逆方向に拡
散することを防止する第２拡散防止手段とを有する中和
器を備え、イオンビームの照射によって試 ′料から
放出する２次電子を試料に停留させるように試料の周囲
を負電位で包囲する２次電子停留手段を設けたものであ
る。
る電子放出源と、電子放出源から電子を引き出す電子引
き出し手段と、引き出された電子のエネルギーを制御す
る電子エネルギー制御手段と、電子放出源から発生した
電子が外部へ拡散する仁とを防止する第１拡散防止手段
と、イオンビーム軌道に引き出され、イオンビームに取
り込まれた電子がイオンビームの進行方向と逆方向に拡
散することを防止する第２拡散防止手段とを有する中和
器を備え、イオンビームの照射によって試 ′料から
放出する２次電子を試料に停留させるように試料の周囲
を負電位で包囲する２次電子停留手段を設けたものであ
る。
この発明における２次電子停留手段は試料の周囲を負電
位で包囲するので試料表面から放出した２次電子が負電
位により、試料表面上に停留する。
位で包囲するので試料表面から放出した２次電子が負電
位により、試料表面上に停留する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図においてりは一端部が試料（７）近傍シζあり、試料
（７）と中和器（至）を包囲し、第７電Ｓ（至）＋Ｃよ
って試料（７）に対し負電位になる２次電子停留手段例
えば２次電子放出防止電極である。
図においてりは一端部が試料（７）近傍シζあり、試料
（７）と中和器（至）を包囲し、第７電Ｓ（至）＋Ｃよ
って試料（７）に対し負電位になる２次電子停留手段例
えば２次電子放出防止電極である。
次に動作について説明する。イオンビームα◆は、中和
器ａＱによりイオン密度と電子密度が等しく、かつ、イ
オンと電子の速度がほぼ同じである状態、即ちイオンは
イオンとして動作し、電子は電子として動作しながら、
電子はイオンビーム自身が形成する正電場中で捕獲され
たプラズマ状態になり、試料（７）に入射する。その場
合、試料（７）表面でイオンと電子が再結合し、中性化
が図られるが、入射エネルギーにより試料（７）から２
次電子が放出し、試料（７）から周囲に離脱・拡散する
ため、試料（７）表面は正に相定する。ところが、この
実施例では、試料（７）表面近傍の空間が２次電子放出
防止電極（ロ）によって負電位で包囲されており、放出
した２次電子はすぐに試料（７）表面に逆もどりする。
器ａＱによりイオン密度と電子密度が等しく、かつ、イ
オンと電子の速度がほぼ同じである状態、即ちイオンは
イオンとして動作し、電子は電子として動作しながら、
電子はイオンビーム自身が形成する正電場中で捕獲され
たプラズマ状態になり、試料（７）に入射する。その場
合、試料（７）表面でイオンと電子が再結合し、中性化
が図られるが、入射エネルギーにより試料（７）から２
次電子が放出し、試料（７）から周囲に離脱・拡散する
ため、試料（７）表面は正に相定する。ところが、この
実施例では、試料（７）表面近傍の空間が２次電子放出
防止電極（ロ）によって負電位で包囲されており、放出
した２次電子はすぐに試料（７）表面に逆もどりする。
なお、上記実施例で、は、試料（７）表面からの２次電
子放出を防止するため、２次電子放出防止電極Ｑと電位
を印加する第７電＠ａＳを独自に設けた場合を示したが
、第２図に示すように、２次電子放出防止電極（ロ）と
シールド電極（６）とを接合すると共に、第７ ［１ｉ
ｔＱＩの役割を第４電源（８）で兼用してもよい、又、
第８図に示すように、２次電子放出防止電極ａカと電子
シールド電極（４）とを接合すると共に、第７電源（至
）の役割を第２電＃ （８）及び第８電源（５）で行っ
てもよい。
子放出を防止するため、２次電子放出防止電極Ｑと電位
を印加する第７電＠ａＳを独自に設けた場合を示したが
、第２図に示すように、２次電子放出防止電極（ロ）と
シールド電極（６）とを接合すると共に、第７ ［１ｉ
ｔＱＩの役割を第４電源（８）で兼用してもよい、又、
第８図に示すように、２次電子放出防止電極ａカと電子
シールド電極（４）とを接合すると共に、第７電源（至
）の役割を第２電＃ （８）及び第８電源（５）で行っ
てもよい。
更に、これらの構成は、試料（７）を含む試料台（２）
が第４図に示したファラデーカップ、２次電子放出防止
電極（ロ）が公知のサプレッサ電極と同一の機能を有し
ているため、イオン注入時の１１１）Ｉ・量の誤差がな
く、注入量の常時検出も可能になる。
が第４図に示したファラデーカップ、２次電子放出防止
電極（ロ）が公知のサプレッサ電極と同一の機能を有し
ているため、イオン注入時の１１１）Ｉ・量の誤差がな
く、注入量の常時検出も可能になる。
また、上記実施例では半導体のイオン注入機の場合につ
いて説明したが、半導体、絶縁体を対象としたイオンビ
ーム加工機、成膜装置などのイオンビーム照射゛装置に
も適用できる。さらに金属に例えば５ｉ０３などの複合
膜を形成するプロセス及び装置に関しても上記実施例と
同様の効果を奏する。
いて説明したが、半導体、絶縁体を対象としたイオンビ
ーム加工機、成膜装置などのイオンビーム照射゛装置に
も適用できる。さらに金属に例えば５ｉ０３などの複合
膜を形成するプロセス及び装置に関しても上記実施例と
同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、電子を発生する放出
源と、電子放出源から電子を引き出す電子引き出し手段
と、引き出された電子のエネルギーを制御する電子エネ
ルギー制御手段と、電子放出源で発生した電子が外部へ
拡散することを防止する亀ｌ拡散防止手段と、イオンビ
ーム軌道に引き出され、イオンビームに取り込まれた電
子がイオンビームの進行方向と逆方向に拡散することを
防止する第２拡散防止手段とを有する中和器を備え、イ
オンビームを試料表面に照射するイオンビーム照射装置
において、イオンビームの照射によって試料から放出す
る２次電子を試料に停留させるように試料の周囲を負電
位で包囲する２次電子停留手段を設ける仁とにより、試
料から放出する２次電子を最小限に押えることができ、
イオンビームの中和が安定に精度良くできる効果がある
。
源と、電子放出源から電子を引き出す電子引き出し手段
と、引き出された電子のエネルギーを制御する電子エネ
ルギー制御手段と、電子放出源で発生した電子が外部へ
拡散することを防止する亀ｌ拡散防止手段と、イオンビ
ーム軌道に引き出され、イオンビームに取り込まれた電
子がイオンビームの進行方向と逆方向に拡散することを
防止する第２拡散防止手段とを有する中和器を備え、イ
オンビームを試料表面に照射するイオンビーム照射装置
において、イオンビームの照射によって試料から放出す
る２次電子を試料に停留させるように試料の周囲を負電
位で包囲する２次電子停留手段を設ける仁とにより、試
料から放出する２次電子を最小限に押えることができ、
イオンビームの中和が安定に精度良くできる効果がある
。
第１図はこの発明の一実施例によるイオンビーム照射装
置に係る中和器を示す断面図、第２図。 第８図はそれぞれこの発明の他の実施例に係る中和器を
示す断面図、第４図は従来の中和器の動作を説明するた
めの説明図、第６図は従来のイオンビーム照射装置に係
る中和器を示す断面図である。 （１）は電子放出源、（４）は第１拡散防止手段、（６
）は第２拡散防止手段、→（７）は試料、（９）は電子
引き出し手段、（ロ）は電子エネルギー制御手段、σ→
はイオンビーム、Ｏ１２は中和器、＠は２次電子停留手
段である。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分
を示す。
置に係る中和器を示す断面図、第２図。 第８図はそれぞれこの発明の他の実施例に係る中和器を
示す断面図、第４図は従来の中和器の動作を説明するた
めの説明図、第６図は従来のイオンビーム照射装置に係
る中和器を示す断面図である。 （１）は電子放出源、（４）は第１拡散防止手段、（６
）は第２拡散防止手段、→（７）は試料、（９）は電子
引き出し手段、（ロ）は電子エネルギー制御手段、σ→
はイオンビーム、Ｏ１２は中和器、＠は２次電子停留手
段である。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分
を示す。
Claims (2)
- （１）電子を発生する電子放出源と、上記電子放出源か
ら電子を引き出す電子引き出し手段と、引き出された電
子のエネルギーを制御する電子エネルギー制御手段と、
上記電子放出源で発生した電子が外部へ拡散することを
防止する第１拡散防止手段と、上記イオンビーム軌道に
引き出され、イオンビームに取り込まれた電子が上記イ
オンビームの進行方向と逆方向に拡散することを防止す
る第２拡散防止手段とを有する中和器を備え、イオンビ
ームを試料表面に照射するイオンビーム照射装置におい
て、上記イオンビームの照射によつて上記試料から放出
する２次電子を上記試料に停留させるように上記試料の
周囲を負電位で包囲する２次電子停留手段を設けたこと
を特徴とするイオンビーム照射装置。 - （２）２次電子停留手段は、イオンビーム軌道を包囲す
る筒状の電極で、その一端部は第２拡散防止手段に接続
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のイオンビーム照射装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62064863A JPS63230876A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | イオンビ−ム照射装置 |
| KR1019880002397A KR910006161B1 (ko) | 1987-03-12 | 1988-03-08 | 이온빔 조사장치 |
| US07/166,074 US4916311A (en) | 1987-03-12 | 1988-03-09 | Ion beaming irradiating apparatus including ion neutralizer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62064863A JPS63230876A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | イオンビ−ム照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63230876A true JPS63230876A (ja) | 1988-09-27 |
Family
ID=13270427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62064863A Pending JPS63230876A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-18 | イオンビ−ム照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63230876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006500741A (ja) * | 2002-09-23 | 2006-01-05 | エピオン コーポレーション | ガスクラスタイオンビーム処理システム及び方法 |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP62064863A patent/JPS63230876A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006500741A (ja) * | 2002-09-23 | 2006-01-05 | エピオン コーポレーション | ガスクラスタイオンビーム処理システム及び方法 |
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