JPS63232436A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS63232436A
JPS63232436A JP62066146A JP6614687A JPS63232436A JP S63232436 A JPS63232436 A JP S63232436A JP 62066146 A JP62066146 A JP 62066146A JP 6614687 A JP6614687 A JP 6614687A JP S63232436 A JPS63232436 A JP S63232436A
Authority
JP
Japan
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Pending
Application number
JP62066146A
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English (en)
Inventor
Kazufumi Terachi
寺地 和文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS63232436A publication Critical patent/JPS63232436A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置関し、特に外部導出用リードを有す
るフィルムキャリア方式の半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来のかかるフィルムキャリア方式の半導体装置は、ポ
リイミド樹脂等で形成された長尺状のフレキシブルな絶
縁性フィルムテープに、このテープを順次送る為のスズ
ロケット・ホールと半導体ペレットを収納するデバイス
・ホールと外部基板との接続用開孔部とを形成し、この
フィルムテープ上にリードパターン及び配線パターンが
密着して設けられている。
第4図は従来の半導体装置を搭載したモジュールの断面
図である。
第4図に示すように、従゛来のフィルムキャリア方式の
半導体装置は、半導体素子13に接続されたリード16
を接続用開孔部15で切断し、それを個々に外部基板1
9に接続していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、ICカード等の2個以上のベレットをフ
ィルムキャリア上で接続する場合、ボンディング接続の
ための接続用開孔部の外周に接続用配線パターンが形成
されており、この様な形状の半導体装置を外部基板等に
接続するときには接続用開孔部で切断することが不可能
となる。そのため接続用開孔部を介して接続するか、半
導体装置を逆にして接続することになるが、前記接続用
開孔部を介して接続すると接続リードが断線したり、ま
た逆に接続すると配線ショート等が生ずる欠点がある。
更に、逆に接続する場合は、眉間に絶縁シートあるいは
レジスト等を設ける必要があるが、この場合は製造工数
が複雑になる等の欠点がある。
本発明の目的はかかる接続リードの断線、配線のショー
トおよび製造工数を簡略化するフィルムキャリア方式の
半導体装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はかかる半導体装置を実現するため、フィルム上
に外部基板へのボンディング接続用開孔部と、半導体素
子の配置用開孔部と、前記接続用開孔部をブリッジする
リードと、前記リード部に形成した複数個の伸び補償部
とを含んで構成される。
また、特に前記接続用開孔部内に設けられたリードの複
数個(例えば27個)の伸び補償部は接続用開孔部の両
端に設けられ、この伸び補償部間のリードと外部基板と
の接続を行なうように構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第1図は本発明の一実施例を説明するための半導体装置
の平面図である。
第1図に示すように、本発明の半導体装置は、ポリイミ
ド、ガラス・エボシキ、ポリエステル等の絶縁フィルム
で作られたテープ1に、このテープ1を順次送るための
スプロケットホール2と半導体素子3を収納するデバイ
スホール4とアウター・リード・ボンディング接続を行
なうための接続用開孔部5とをあけ、このテープ1に密
着してリード6及び配線7を形成する。このとき、ボン
ディング接続用開孔部5をブリッジするリード6は各々
2個の角形のメガネ状伸び補償部8を有し、且つこの2
つの伸び補償部8は接続用開孔部5の両端に形成される
。
次に、第2図は第1図に示す半導体装置を搭載したIC
カード等のモジュールのA−A″線断面図である。
第2図に示すように、A−A’線断面はフィルム1上に
接続配置した半導体素子3をICカード用基板9に搭載
したモジュールの断面を示し、特にかかる半導体装置は
そのリード6が伸び補償部8間で接続されている。
また、第3図は本発明の第二の実施例を説明するための
半導体装置の平面図である。
第3図に示すように、この半導体装置はフィルムチー1
1上にデバイスホール4.このデバイスホール4の周囲
に形成されたボンディング接続用開孔部5等を有し、且
つ前記テープ1上に密着してリード6が形成される。こ
のリード6がブリッジされる接続用開孔部5内において
は、2個所以上の円形の伸び補償部8が接続用開孔部5
の端部に形成される。
尚、この円形の形状は、基板等に伸び補償部間で接続す
る時、リードが伸び、切断されなければ他の形状でもよ
い。
以上の実施例では半導体素子が2個までの例をとり上げ
て説明したが、本発明においては特にこの数に制限され
るものでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の半導体装置はフィルム上
に形成したボンディング接続用開孔部をブリッジするリ
ードと前記開孔部内の前記リードに形成した数個の伸び
補償部とを設けることにより、基板に熱圧着ボンディン
グ等を行って伸びた前記リードを前記伸び補償部で吸収
することができる効果がある。また、本発明の半導体装
置は前記フィルムに配置される半導体素子間を個々に切
断することなく前記基板にフィルム毎に搭載できるので
前記半導体素子間の配線がショートする問題も解消され
る効果がある。更には、本発明の半導体装置はモジュー
ル組立における製造上の工数も簡略化される効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第二の実施例を説明するたyの半導体
装置の平面図、第2図は第1図に示す内導体装置を搭載
したモジュールのA−A’線@U図、第3図は本発明の
第二の実施例を説明するiめの半導体装置の平面図、第
4図は従来の半導体装置を搭載したモジュールの断面図
である。 1・・・テープ、2・・・スプロケットホール、3・・
・引導体素子、4・・・デバイスホール、5・・・接続
用開了部、6・・・リード、7・・・配線、8・・・伸
び補償部、≦・・・基板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、フィルム上に外部基板への接続用開孔部と、半導体
    素子の配置用開孔部と、前記接続用開孔部をブリッジす
    るリードと、前記リード部に形成した複数個の伸び補償
    部とを有するように形成したことを特徴とする半導体装
    置。 2、リードに形成した少なくとも二つの伸び補償部を接
    続用開口部の両端に形成するようにした特許請求の範囲
    第1項記載の半導体装置。
JP62066146A 1987-03-20 1987-03-20 半導体装置 Pending JPS63232436A (ja)

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JP62066146A JPS63232436A (ja) 1987-03-20 1987-03-20 半導体装置

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JPS63232436A true JPS63232436A (ja) 1988-09-28

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ID=13307432

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JP62066146A Pending JPS63232436A (ja) 1987-03-20 1987-03-20 半導体装置

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JP (1) JPS63232436A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5681777A (en) * 1992-06-04 1997-10-28 Lsi Logic Corporation Process for manufacturing a multi-layer tab tape semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5681777A (en) * 1992-06-04 1997-10-28 Lsi Logic Corporation Process for manufacturing a multi-layer tab tape semiconductor device

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