JPS63233583A - 光信号の周波数を制御するための装置および方法 - Google Patents
光信号の周波数を制御するための装置および方法Info
- Publication number
- JPS63233583A JPS63233583A JP63038467A JP3846788A JPS63233583A JP S63233583 A JPS63233583 A JP S63233583A JP 63038467 A JP63038467 A JP 63038467A JP 3846788 A JP3846788 A JP 3846788A JP S63233583 A JPS63233583 A JP S63233583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical signal
- fiber
- polarization
- frequency
- polarization maintaining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 124
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 35
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 168
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 16
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 15
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 11
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 3
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 241000219198 Brassica Species 0.000 description 1
- 235000003351 Brassica cretica Nutrition 0.000 description 1
- 235000003343 Brassica rupestris Nutrition 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- QKSKPIVNLNLAAV-UHFFFAOYSA-N bis(2-chloroethyl) sulfide Chemical compound ClCCSCCCl QKSKPIVNLNLAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002839 fiber optic waveguide Methods 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007620 mathematical function Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 235000010460 mustard Nutrition 0.000 description 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/58—Turn-sensitive devices without moving masses
- G01C19/64—Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams
- G01C19/72—Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams with counter-rotating light beams in a passive ring, e.g. fibre laser gyrometers
- G01C19/721—Details, e.g. optical or electronical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06236—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the polarisation, e.g. TM/TE polarisation switching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
この発明は一般に光信号源から出力された光の周波数を
制御するための装置および方法に関するものである。こ
の発明は特に、コヒーレント光源から出力された光信号
の周波数を制御するための装置および方法に関するもの
である。
制御するための装置および方法に関するものである。こ
の発明は特に、コヒーレント光源から出力された光信号
の周波数を制御するための装置および方法に関するもの
である。
光ファイバへの光フアイバ入力における安定性は光ファ
イバを使用するセンシング・システムの開発および実現
には実際必要である。光センシング・システムは光源と
して半導体ダイオードレーザかまたはスーパールミネセ
ント・ダイオードを使用し得る。光フアイバ回転センサ
は、ファイバで後方散乱から生じるノイズを減じるため
にかつ光学カー効果により引き起こされる誤差を減じる
ために広帯域半導体光源で使用されてきた。センサのス
ケールファクタは光源の波長に依有するので、高精度光
フアイバ回転センサは安定した光源波長を必要とした。
イバを使用するセンシング・システムの開発および実現
には実際必要である。光センシング・システムは光源と
して半導体ダイオードレーザかまたはスーパールミネセ
ント・ダイオードを使用し得る。光フアイバ回転センサ
は、ファイバで後方散乱から生じるノイズを減じるため
にかつ光学カー効果により引き起こされる誤差を減じる
ために広帯域半導体光源で使用されてきた。センサのス
ケールファクタは光源の波長に依有するので、高精度光
フアイバ回転センサは安定した光源波長を必要とした。
たとえば、航法グレード回転センサは約1/10’の波
長安定を要する。
長安定を要する。
スーパールミネセント・ダイオード(st、f))のよ
うな広帯域光源または単一モードまたは多数モードレー
ザダイオードのようなより狭い帯域の光源は、光源とし
てサニヤックリング光フアイバ回転センサに適するよう
に、周波数安定を必要とする。
うな広帯域光源または単一モードまたは多数モードレー
ザダイオードのようなより狭い帯域の光源は、光源とし
てサニヤックリング光フアイバ回転センサに適するよう
に、周波数安定を必要とする。
SLDはコヒーレント後方散乱およびカー効果のせいで
ある不所望の位相誤差を克服するのに十分なスペクトル
線幅を提何する。わずかな線幅は100万分の(ppm
)10と100万分の1000の間であるべきである。
ある不所望の位相誤差を克服するのに十分なスペクトル
線幅を提何する。わずかな線幅は100万分の(ppm
)10と100万分の1000の間であるべきである。
光源スペクトル分布の図心の周波数安定はスケールファ
クタ安定性および線形性要件に適うように数ppmであ
るべきである。それゆえ、光源幅はスケールファクタ設
計性を高めるためにコヒーレント後方散乱およびカー効
果の制限内で最小にされるべきである。わずかな線幅は
時間にわたる光源スペクトル分布の変化のせいであるス
ケールファクタの不所望の誤差を最小限にするために1
0ないし11000ppの範囲の低い部分に近づくべき
である。
クタ安定性および線形性要件に適うように数ppmであ
るべきである。それゆえ、光源幅はスケールファクタ設
計性を高めるためにコヒーレント後方散乱およびカー効
果の制限内で最小にされるべきである。わずかな線幅は
時間にわたる光源スペクトル分布の変化のせいであるス
ケールファクタの不所望の誤差を最小限にするために1
0ないし11000ppの範囲の低い部分に近づくべき
である。
構造に従って分類される、少なくとも3グループのレー
ザダイオードが存在する。これらはホモ構造ダイオード
レーザ、単一へテロ構造ダイオードレーザ、および二重
へテロ構造ダイオードレーザである。
ザダイオードが存在する。これらはホモ構造ダイオード
レーザ、単一へテロ構造ダイオードレーザ、および二重
へテロ構造ダイオードレーザである。
最も簡単なダイオードレーザは、1個の半導体物質から
作られるので、ホモ構造レーザと呼ばれる。ホモ構造レ
ーザダイオードは、たとえばn型およびp型砒化ガリウ
ムの領域を含み得る。n領域からp領域へ注入される電
子はレーザ光を放出するために孔または陽電荷キャリア
と結合する。
作られるので、ホモ構造レーザと呼ばれる。ホモ構造レ
ーザダイオードは、たとえばn型およびp型砒化ガリウ
ムの領域を含み得る。n領域からp領域へ注入される電
子はレーザ光を放出するために孔または陽電荷キャリア
と結合する。
レーザダイオードはすべて、p型およびn型領域の接合
の平面に垂直である、2個の研摩された平行な面を含む
。放出された光は研摩された表面の間の領域にわたり前
後に反射し、その結果接続点を通過するたびごとに増幅
される。
の平面に垂直である、2個の研摩された平行な面を含む
。放出された光は研摩された表面の間の領域にわたり前
後に反射し、その結果接続点を通過するたびごとに増幅
される。
典型的な単一へテロ構造半導体レーザは砒化アルミニウ
ムガリウムの付加的な層を含み、そこでは砒化ガリウム
中のガリウム原子のいくつかがアルミニウム原子によっ
て置換されている。砒化アルミニウムガリウム層は注入
された電子を抑止し、それにより普通ホモ構造ダイオー
ドレーザを用いた場合に起こるよりも高強度のレーザ光
の放出を引き起こす。
ムガリウムの付加的な層を含み、そこでは砒化ガリウム
中のガリウム原子のいくつかがアルミニウム原子によっ
て置換されている。砒化アルミニウムガリウム層は注入
された電子を抑止し、それにより普通ホモ構造ダイオー
ドレーザを用いた場合に起こるよりも高強度のレーザ光
の放出を引き起こす。
典型的な二重へテロ構造半導体レーザは、砒化アルミニ
ウムガリウムの2つの層により分離される砒化ガリウム
の3つの層を含む。n型またはp型物質のいずれかを予
め選択することにより、放出されるレーザビームの強度
がさらに増加される。
ウムガリウムの2つの層により分離される砒化ガリウム
の3つの層を含む。n型またはp型物質のいずれかを予
め選択することにより、放出されるレーザビームの強度
がさらに増加される。
レーザダイオードから放出される光の波長は動作温度お
よび与えられる注入電流の関数として変化する。光回転
センサで光源としてレーザダイオードを効果的に使用す
るには、公知の波長の出力が必要である。光フアイバ回
転センシングの用途では、周波数安定は約Δf/f−1
0’であるべきであり、光源は一定温度で保持されるべ
きである。
よび与えられる注入電流の関数として変化する。光回転
センサで光源としてレーザダイオードを効果的に使用す
るには、公知の波長の出力が必要である。光フアイバ回
転センシングの用途では、周波数安定は約Δf/f−1
0’であるべきであり、光源は一定温度で保持されるべ
きである。
光フアイバ回転センサで光源とし使用されるスーパール
ミネセントーダイオードは約10,000ppmの過度
のわずかな線幅を有する。それらはまた約100時間の
動作耐久時間を有し、約500μWまたはそれよりも少
ない光出力を光ファイバへ与える。SLDは約10,0
00の周波数安定に対する線幅の比を有し、典型的には
100mAを超える比較的高い注入電流を要する。その
結果として、短い動作耐久時間と過度の線幅のせいで、
光源を取替えずに数千時間の間確実に動作すべきである
光フアイバ回転センサにはSLDは受入れられない。
ミネセントーダイオードは約10,000ppmの過度
のわずかな線幅を有する。それらはまた約100時間の
動作耐久時間を有し、約500μWまたはそれよりも少
ない光出力を光ファイバへ与える。SLDは約10,0
00の周波数安定に対する線幅の比を有し、典型的には
100mAを超える比較的高い注入電流を要する。その
結果として、短い動作耐久時間と過度の線幅のせいで、
光源を取替えずに数千時間の間確実に動作すべきである
光フアイバ回転センサにはSLDは受入れられない。
単一モードレーザダイオードは、注入電流の変調が出力
されるパワーの同時の振幅および周波数変調を生じると
いう特性を有する。振幅変調は100%に近い変調の深
さを有する。キロヘルツまたはメガヘルツの速度でのし
きい値より下またはその近くから最高出力までの周期的
AM変調は20GHzを超える連続するスペクトル分布
で出力を生じ得る。20GHzを超える出力周波数のチ
ャーブ周波数変調を生じることが可能であり、それは波
長γ−820nmで50ppmのわずかな線幅に等しい
。適当なスペクトル密度の擬ランダムノイズ源での変調
は、所望のスペクトル分布および線幅で出力を生じ得る
。このように単一モードレーザダイオードは、工ないし
5mWの範囲での光ファイバへのパワー人力、10,0
00時間を超える長い動作耐久時間、および約10ない
し100の範囲にわたって調整可能である、周波数安定
に対する線幅の比を提供するという利点を有する。
されるパワーの同時の振幅および周波数変調を生じると
いう特性を有する。振幅変調は100%に近い変調の深
さを有する。キロヘルツまたはメガヘルツの速度でのし
きい値より下またはその近くから最高出力までの周期的
AM変調は20GHzを超える連続するスペクトル分布
で出力を生じ得る。20GHzを超える出力周波数のチ
ャーブ周波数変調を生じることが可能であり、それは波
長γ−820nmで50ppmのわずかな線幅に等しい
。適当なスペクトル密度の擬ランダムノイズ源での変調
は、所望のスペクトル分布および線幅で出力を生じ得る
。このように単一モードレーザダイオードは、工ないし
5mWの範囲での光ファイバへのパワー人力、10,0
00時間を超える長い動作耐久時間、および約10ない
し100の範囲にわたって調整可能である、周波数安定
に対する線幅の比を提供するという利点を有する。
多数モードレーザダイオードが、レイジングする縦モー
ドの数に依有する調整可能なわずかな線幅を有する。5
モードレーザに対し、わずかなライン幅はγ−820n
mで約11000ppとなり得て、それは波長変化Δγ
−0,2nmに対応する。キロヘルツまたはメガヘルツ
の速度での注入電流変調はディスクリートな縦モードを
不鮮明にして、11000ppのわずかな線幅にわたる
連続的または擬連続的スペクトル分布を生じ得る。
ドの数に依有する調整可能なわずかな線幅を有する。5
モードレーザに対し、わずかなライン幅はγ−820n
mで約11000ppとなり得て、それは波長変化Δγ
−0,2nmに対応する。キロヘルツまたはメガヘルツ
の速度での注入電流変調はディスクリートな縦モードを
不鮮明にして、11000ppのわずかな線幅にわたる
連続的または擬連続的スペクトル分布を生じ得る。
多数モードレーザダイオードは、典型的には約1ないし
10mWの範囲で光ファイバへ高パワー人力を与え、典
型的には10,000時間を超える動作耐久時間を有し
、さらに約100ないし1゜00の範囲で周波数安定に
対する線幅の比を有する。
10mWの範囲で光ファイバへ高パワー人力を与え、典
型的には10,000時間を超える動作耐久時間を有し
、さらに約100ないし1゜00の範囲で周波数安定に
対する線幅の比を有する。
光フアイバ内の光の偏光および光の伝搬にいくらか精通
すれば、この発明の理解が容易になるであろう。それゆ
え、ファイバでの光の伝搬および偏光を説明するために
利用される概念の短い説明を提示する。
すれば、この発明の理解が容易になるであろう。それゆ
え、ファイバでの光の伝搬および偏光を説明するために
利用される概念の短い説明を提示する。
光ファイバは中心のコアのとそれを包囲するクラッドを
含む。クラッドの屈折率はコアのものよりも大きい。コ
アの直径は非常に小さいので、コアにより嚮導される光
は全内部反射に対する臨界角度よりも小さい角度でコア
ークラッド界面に衝突する。
含む。クラッドの屈折率はコアのものよりも大きい。コ
アの直径は非常に小さいので、コアにより嚮導される光
は全内部反射に対する臨界角度よりも小さい角度でコア
ークラッド界面に衝突する。
光波が、光波の周波数に等しい周波数を有する互いに直
交する電場おiび磁場ベクトルを含む、時間とともに変
化する電磁場により表わされ得ることは周知である。導
波構造を介して伝搬する電磁波は1組のノーマルモード
により説明され得る。
交する電場おiび磁場ベクトルを含む、時間とともに変
化する電磁場により表わされ得ることは周知である。導
波構造を介して伝搬する電磁波は1組のノーマルモード
により説明され得る。
ノーマルモードは、たとえば光フアイバ導波路のような
導波構造内の電場および磁場がとり得る分布である。こ
の場の分布は構造内のエネルギ分布に直接関連する。
導波構造内の電場および磁場がとり得る分布である。こ
の場の分布は構造内のエネルギ分布に直接関連する。
ノーマルモードは一般に、導波構造での周波数および空
間分布に関して波における場の成分を説明する数学的関
数により表わされ得る。導波路のノーマルモードを説明
する特定の関数はその導波路の幾何学的配置に依有する
。嚮導される波が固定された大きさの円形断面を有する
構造に閉込められる光ファイバに対し、成る一定の周波
数および空間分布を有する場のみが極端に減衰せずに伝
”搬するであろう。低い減衰で伝搬する場の成分を
有する波はノーマルモードと呼ばれる。単一モードファ
イバは所与の周波数の信号に対し、1つのエネルギの空
間分布、すなわち1つのノーマルモードのみを伝搬する
。
間分布に関して波における場の成分を説明する数学的関
数により表わされ得る。導波路のノーマルモードを説明
する特定の関数はその導波路の幾何学的配置に依有する
。嚮導される波が固定された大きさの円形断面を有する
構造に閉込められる光ファイバに対し、成る一定の周波
数および空間分布を有する場のみが極端に減衰せずに伝
”搬するであろう。低い減衰で伝搬する場の成分を
有する波はノーマルモードと呼ばれる。単一モードファ
イバは所与の周波数の信号に対し、1つのエネルギの空
間分布、すなわち1つのノーマルモードのみを伝搬する
。
ノーマルモードを説明する際には、その波の伝搬の方向
に関して電場および磁場の方向に言及するのが便利であ
る。電場ベクトルのみが通常光軸と呼ばれる伝搬の方向
に垂直であるならば、その波は横電気(TE)モードで
ある。磁場ベクトルのみが光軸に対し垂直であるならば
、その波は横磁気(TM)モードである。電場および磁
場ベクトルの両方が光軸に対し垂直であるならば、その
波は横電磁気(TEM)モードである。
に関して電場および磁場の方向に言及するのが便利であ
る。電場ベクトルのみが通常光軸と呼ばれる伝搬の方向
に垂直であるならば、その波は横電気(TE)モードで
ある。磁場ベクトルのみが光軸に対し垂直であるならば
、その波は横磁気(TM)モードである。電場および磁
場ベクトルの両方が光軸に対し垂直であるならば、その
波は横電磁気(TEM)モードである。
どのノーマルモードも場の成分の規定された方向を必要
とはしない。たとえばTEモードにおいては、電場は光
軸に対し垂直であるいずれの方向であっても構わない。
とはしない。たとえばTEモードにおいては、電場は光
軸に対し垂直であるいずれの方向であっても構わない。
電磁波における電場ベクトルの方向はその波の偏波であ
る。一般に波は、所与のモードに対し許容されるすべて
の方向を指し示す電場ベクトルの均一な分布が存在する
ランダムな偏波を有する。波における電場ベクトルのす
べてが1つの特定の方向のみを指し示すならば、その波
は直線偏波している。電場が等しい大きさでかつ位相差
が90°の2つの互いに直交する電場成分からなるなら
ば、その電場は円偏波しており、その理由は総電場はそ
の波の周波数に等しい角速度で伝搬方向のまわりを回転
するベクトルであるからである。2つの直線偏波が等し
くな(−1すなわち90°以外の位相差を有するならば
、その波は楕円偏波を有する。一般にいずれの任意の偏
波も、2つの直交する直線偏波、2つの反対方向を向い
た円偏波または直交する長軸を冑する2つの逆回転する
楕円偏波の和で表わされ得る。
る。一般に波は、所与のモードに対し許容されるすべて
の方向を指し示す電場ベクトルの均一な分布が存在する
ランダムな偏波を有する。波における電場ベクトルのす
べてが1つの特定の方向のみを指し示すならば、その波
は直線偏波している。電場が等しい大きさでかつ位相差
が90°の2つの互いに直交する電場成分からなるなら
ば、その電場は円偏波しており、その理由は総電場はそ
の波の周波数に等しい角速度で伝搬方向のまわりを回転
するベクトルであるからである。2つの直線偏波が等し
くな(−1すなわち90°以外の位相差を有するならば
、その波は楕円偏波を有する。一般にいずれの任意の偏
波も、2つの直交する直線偏波、2つの反対方向を向い
た円偏波または直交する長軸を冑する2つの逆回転する
楕円偏波の和で表わされ得る。
光フアイバ導波路のコアおよびクラッド間の境界は、場
の成分に関する成る周知の境界条件が満たされなければ
ならない誘電体の界面である。たとえば、この界面に平
行な電場の成分は連続的でなければならない。単一モー
ド光ファイバは、コアークラッド界面に対し垂直な電場
成分を有する電磁エネルギを伝搬する。ファイバのコア
はクラッドのものよりも大きい屈折率を有しかつ光は臨
界角度に等しいかそれよりも大きい角度で界面に衝突す
るので、本質的にすべての電場は界面における内部反射
によりコア内に留まる。この連続性および内部反射要件
の両方を満足させるために、クラッドにおける半径方向
の電場成分は急速に減少する指数関数でなければならな
い。指数関数的に減少する電場は通常「エバネセント・
フィールド」と呼ばれる。
の成分に関する成る周知の境界条件が満たされなければ
ならない誘電体の界面である。たとえば、この界面に平
行な電場の成分は連続的でなければならない。単一モー
ド光ファイバは、コアークラッド界面に対し垂直な電場
成分を有する電磁エネルギを伝搬する。ファイバのコア
はクラッドのものよりも大きい屈折率を有しかつ光は臨
界角度に等しいかそれよりも大きい角度で界面に衝突す
るので、本質的にすべての電場は界面における内部反射
によりコア内に留まる。この連続性および内部反射要件
の両方を満足させるために、クラッドにおける半径方向
の電場成分は急速に減少する指数関数でなければならな
い。指数関数的に減少する電場は通常「エバネセント・
フィールド」と呼ばれる。
光信号の速度は光が伝播する媒体の屈折率に依有する。
成る物質は異なる偏光に対し異なる屈折率を有する。2
つの屈折率を有する物質は複屈折であると言われる。単
一モード光ファイバに沿って伝搬する信号の偏光はしば
しばモードと呼ばれる。標準的な単一モードの光ファイ
バは、2つの異なる偏光を有する、同一周波数および空
間分布の2つの波を伝搬するので、2モードフアイバと
みなされ得る。同一ノーマルモードの2つの異なる偏光
成分は、2つの偏光間の速度差を除いて変化せず、複屈
折物質を介して伝搬し得る。
つの屈折率を有する物質は複屈折であると言われる。単
一モード光ファイバに沿って伝搬する信号の偏光はしば
しばモードと呼ばれる。標準的な単一モードの光ファイ
バは、2つの異なる偏光を有する、同一周波数および空
間分布の2つの波を伝搬するので、2モードフアイバと
みなされ得る。同一ノーマルモードの2つの異なる偏光
成分は、2つの偏光間の速度差を除いて変化せず、複屈
折物質を介して伝搬し得る。
要約すると、いかなる偏光も適当な位相および振幅を有
する2つの円偏波により表わされ得る。
する2つの円偏波により表わされ得る。
言い換えると、光は電場の楕円状に回転する成分かまた
は垂直をなす直線偏光成分により表わされ得る。
は垂直をなす直線偏光成分により表わされ得る。
多くの複屈折物質が存在する。それらの構造およびそれ
を介して伝搬する光の配向に依存して、成る結晶は同腹
屈折であり、また成る結晶は直線複屈折である。たとえ
ば石英のような、他の型の結晶は、適当に選択された方
向に伝搬する光波に対し楕円複屈折を生じるように、同
腹屈折および直線複屈折の両方を有し得る。
を介して伝搬する光の配向に依存して、成る結晶は同腹
屈折であり、また成る結晶は直線複屈折である。たとえ
ば石英のような、他の型の結晶は、適当に選択された方
向に伝搬する光波に対し楕円複屈折を生じるように、同
腹屈折および直線複屈折の両方を有し得る。
異なる屈折率を有する2つの物質の層が光学的および周
期的に層形成されるならば、光波の性質は均一な媒体に
おけるものとは異なる。各層の厚さが光の波長と比較し
て十分に小さいときおよび層の数が十分に多いとき、そ
の複合媒体は複屈折である。フオーム複屈折は、その物
質の分子と比べれば大きいがファイバで伝搬される光の
波長と比べると小さい大きさを有する、光学的に等方的
物質の層の整然とした配置に起因する。フオーム複屈折
ファイバを使用する光フアイバ装置は、ジャイロスコー
プ、センサ、周波数シフタおよび通信システムを構成す
る際に有用である。
期的に層形成されるならば、光波の性質は均一な媒体に
おけるものとは異なる。各層の厚さが光の波長と比較し
て十分に小さいときおよび層の数が十分に多いとき、そ
の複合媒体は複屈折である。フオーム複屈折は、その物
質の分子と比べれば大きいがファイバで伝搬される光の
波長と比べると小さい大きさを有する、光学的に等方的
物質の層の整然とした配置に起因する。フオーム複屈折
ファイバを使用する光フアイバ装置は、ジャイロスコー
プ、センサ、周波数シフタおよび通信システムを構成す
る際に有用である。
発明の概要
この発明は、光回転センサで使用されるもののような光
源から出力される光信号の周波数を安定させる際の難点
を克服するための装置および方法を提供する。
源から出力される光信号の周波数を安定させる際の難点
を克服するための装置および方法を提供する。
この発明に従った、光源から出力される光信号の周波数
を制御するための装置は、光信号を田導しながらその信
号の偏光を維持するための装置を含む。この嚮導装置は
偏光維持光ファイバかまたは光信号の偏光を維持するよ
うな形状にされた、統合された先導波路のいずれであっ
てもよい。この装置は光源から出力された信号の一部を
偏光維持嚮導装置へと導入するための装置と偏光維持嚮
導装置により四環される光信号の位相を変調するための
装置とをさらに含む。偏光維持嚮導装置から出力される
光信号の強度を示す電気信号は、発生されると光源に与
えられ、そこから出力される光信号の周波数を制御する
。
を制御するための装置は、光信号を田導しながらその信
号の偏光を維持するための装置を含む。この嚮導装置は
偏光維持光ファイバかまたは光信号の偏光を維持するよ
うな形状にされた、統合された先導波路のいずれであっ
てもよい。この装置は光源から出力された信号の一部を
偏光維持嚮導装置へと導入するための装置と偏光維持嚮
導装置により四環される光信号の位相を変調するための
装置とをさらに含む。偏光維持嚮導装置から出力される
光信号の強度を示す電気信号は、発生されると光源に与
えられ、そこから出力される光信号の周波数を制御する
。
この発明に従った装置は、偏光維持四環装置の主軸に対
し45°で配向される。偏光軸を有する第1の偏光器を
さらに含み得る。第1の偏光器は偏光維持嚮導装置に予
め定められた偏光の光を与えるように位置決めされる。
し45°で配向される。偏光軸を有する第1の偏光器を
さらに含み得る。第1の偏光器は偏光維持嚮導装置に予
め定められた偏光の光を与えるように位置決めされる。
偏光維持嚮導装置の主軸に対し45′で配向される偏光
軸を有する第2の偏光器は、偏光維持嚮導装置から出力
される光信号を受信するように位置決めされる。次にこ
れら信号は光信号を検出するための適当な装置で検出さ
れる。
軸を有する第2の偏光器は、偏光維持嚮導装置から出力
される光信号を受信するように位置決めされる。次にこ
れら信号は光信号を検出するための適当な装置で検出さ
れる。
この発明に従った装置はまた、その検出器に接続される
帯域フィルタをさらに含み得る。この帯域フィルタは予
め定められた変調周波数の出力信号を有するように形成
される。帯域フィルタの出力は同期して検出され、さら
に同期検出器からの誤差信号は光源に与えられ、そのた
め光源は誤差信号の低減を引き起こす周波数を有する光
信号を発生する。
帯域フィルタをさらに含み得る。この帯域フィルタは予
め定められた変調周波数の出力信号を有するように形成
される。帯域フィルタの出力は同期して検出され、さら
に同期検出器からの誤差信号は光源に与えられ、そのた
め光源は誤差信号の低減を引き起こす周波数を有する光
信号を発生する。
この発明に従った装置は、位相変調器に接続されて変調
周波数で偏光維持嚮導装置により嚮導された光信号の位
相を変調する、ドライバオシレータをさらに含み得る。
周波数で偏光維持嚮導装置により嚮導された光信号の位
相を変調する、ドライバオシレータをさらに含み得る。
光源から出力される光信号の周波数を制御するためのこ
の発明の方法は、光信号を努導しながらその信号の偏光
を維持しかつ光源から出力されるその信号の一部を偏光
維持ファイバへ導入するステップを含む。この方法は偏
光維持嚮導装置により嚮導された光信号の位相を変調し
、かつその偏光維持嚮導装置から出力された光信号の強
度を示す電気信号を発生させることをさらに含む。この
電気信号は誤差信号であり、次に光源に与えられて、そ
こから出力される光信号の周波数を制御する。
の発明の方法は、光信号を努導しながらその信号の偏光
を維持しかつ光源から出力されるその信号の一部を偏光
維持ファイバへ導入するステップを含む。この方法は偏
光維持嚮導装置により嚮導された光信号の位相を変調し
、かつその偏光維持嚮導装置から出力された光信号の強
度を示す電気信号を発生させることをさらに含む。この
電気信号は誤差信号であり、次に光源に与えられて、そ
こから出力される光信号の周波数を制御する。
この方法は偏光維持ファイバに予め定められた偏光の光
を与えることをさらに含み得る。この偏光維持ファイバ
の出力は、選択された偏光のみを有する光信号を与える
ように分析される。選択された偏光を有する信号は検出
される。
を与えることをさらに含み得る。この偏光維持ファイバ
の出力は、選択された偏光のみを有する光信号を与える
ように分析される。選択された偏光を有する信号は検出
される。
この方法は帯域フィルタ装置を検出装置に接続して予め
定められた変調周波数の出力信号を与えることと、同期
検出器装置を帯域フィルタ装置に接続してそこから出力
信号を受信することと、光源が誤差信号の低減を引き起
こす周波数を有する光信号を発生するように、光源に同
期検出器装置からの誤差信号を与えることとをさらに含
み得る。
定められた変調周波数の出力信号を与えることと、同期
検出器装置を帯域フィルタ装置に接続してそこから出力
信号を受信することと、光源が誤差信号の低減を引き起
こす周波数を有する光信号を発生するように、光源に同
期検出器装置からの誤差信号を与えることとをさらに含
み得る。
この方法はまた、ドライバオシレータを位相変調器に接
続して、変調周波数で偏光維持嚮導装置により嚮導され
た光信号の位相を変調するステップをさらに含み得る。
続して、変調周波数で偏光維持嚮導装置により嚮導され
た光信号の位相を変調するステップをさらに含み得る。
好ましい実施例の説明
第1図を参照すると、光信号源12から出力される波長
を制御するための光源制御器システム10は、光カプラ
13、光ファイバ16、偏光維持ファイバ17の長さ部
分、偏光器14、分析器18、光検出器20、増幅器2
1、帯域フィルタ22、同期検出器24、位相変調器2
5、ドライバオシレータ26および光源ドライバ27を
含む。
を制御するための光源制御器システム10は、光カプラ
13、光ファイバ16、偏光維持ファイバ17の長さ部
分、偏光器14、分析器18、光検出器20、増幅器2
1、帯域フィルタ22、同期検出器24、位相変調器2
5、ドライバオシレータ26および光源ドライバ27を
含む。
光源12は固体レーザダイオードかまたはスーパールミ
ネセント・ダイオード(SLD)であることが好ましい
。光源12からの光はファイバ16を介して伝搬し、次
にその光の一部をファイバ11へ結合するカブラ13に
入力される。ファイバ11は結合された光を第14図に
示される回転センシングシステム40のような装置に嚮
導する。
ネセント・ダイオード(SLD)であることが好ましい
。光源12からの光はファイバ16を介して伝搬し、次
にその光の一部をファイバ11へ結合するカブラ13に
入力される。ファイバ11は結合された光を第14図に
示される回転センシングシステム40のような装置に嚮
導する。
結合された光は光源の安定化を必要とする他の光システ
ム(示されていない)に嚮導され得る。次にファイバ1
6に留まっている光がファイバ16と偏光維持ファイバ
17の接合点29に伝搬される。ファイバ16および偏
光維持ファイバ17は当該技術分野では周知の態様でと
もに当接結合され得る。
ム(示されていない)に嚮導され得る。次にファイバ1
6に留まっている光がファイバ16と偏光維持ファイバ
17の接合点29に伝搬される。ファイバ16および偏
光維持ファイバ17は当該技術分野では周知の態様でと
もに当接結合され得る。
偏光維持ファイバ17に達する前に、光は偏光器14を
通過し、それはファイバ17の主軸に対し45°の角度
で直線偏光されるビームを伝送する。偏光維持ファイバ
17は後で説明される多様な技術により形成され得る。
通過し、それはファイバ17の主軸に対し45°の角度
で直線偏光されるビームを伝送する。偏光維持ファイバ
17は後で説明される多様な技術により形成され得る。
偏光維持ファイバは異なる偏光に対してはかなり異なる
屈折率を有する。ファイバ17に入力される光は両方の
ファイバ軸に沿った偏光成分を有するので、これら偏光
の両方がともに混合せずにファイバ17で伝搬する。
屈折率を有する。ファイバ17に入力される光は両方の
ファイバ軸に沿った偏光成分を有するので、これら偏光
の両方がともに混合せずにファイバ17で伝搬する。
第1j図を参照すると、光フアイバ回転センサ40はフ
ァイバ11に形成されるセンシング・ループIIAを含
む。入力信号はファイバ11を通り、その光を分割して
左回り(CCW)と右回り(CW)でループ11Aを介
して伝搬する光波を生じる光カブラ30へ伝搬される。
ァイバ11に形成されるセンシング・ループIIAを含
む。入力信号はファイバ11を通り、その光を分割して
左回り(CCW)と右回り(CW)でループ11Aを介
して伝搬する光波を生じる光カブラ30へ伝搬される。
ループ11Aを通過した後で、次にその波は光カブラ3
0に衝突する。次に光カプラ30はその波の部分を結合
し、そのためCW波とCCW波の重なりがファイバ11
を通り、結合された波の一部をサニヤック検出器32に
向ける光カブラ13へと逆戻りして伝搬されるが、この
サニヤック検出器は適当な光ダイオードであれば何でも
よい。
0に衝突する。次に光カプラ30はその波の部分を結合
し、そのためCW波とCCW波の重なりがファイバ11
を通り、結合された波の一部をサニヤック検出器32に
向ける光カブラ13へと逆戻りして伝搬されるが、この
サニヤック検出器は適当な光ダイオードであれば何でも
よい。
サニヤック検出器32の出力は、ループIIAの平面に
対し垂直な線であってもよいそのセンシング軸を中心に
したセンシング・ループIIAの回転速度を示す、電気
信号である。回転の方向へセンシング・ループ11Aの
まわりを移動する波は回転の方向と反対に移動する波よ
りも長いループでの移行時間を有する。この移行時間の
差はCW波およびCCW波で移相として検出される。移
相の量はセンシングループ11Aへ入力される光の回転
速度と波長の関数である。スケールファクタは回転速度
を回転センシング・システム40のパラメータに関連さ
せる。
対し垂直な線であってもよいそのセンシング軸を中心に
したセンシング・ループIIAの回転速度を示す、電気
信号である。回転の方向へセンシング・ループ11Aの
まわりを移動する波は回転の方向と反対に移動する波よ
りも長いループでの移行時間を有する。この移行時間の
差はCW波およびCCW波で移相として検出される。移
相の量はセンシングループ11Aへ入力される光の回転
速度と波長の関数である。スケールファクタは回転速度
を回転センシング・システム40のパラメータに関連さ
せる。
サニヤック検出器32の電気出力は、またオシレータ3
6からの信号も受信する加算増幅34へ入力される。オ
シレータ36は、センシング中ループ11Aで光の位相
を調整するために形成される位相変調器38を駆動する
。加算増幅器34の出力は、オシレータ42へ入力され
る制御信号を発生する第2の増幅器41へ入力される。
6からの信号も受信する加算増幅34へ入力される。オ
シレータ36は、センシング中ループ11Aで光の位相
を調整するために形成される位相変調器38を駆動する
。加算増幅器34の出力は、オシレータ42へ入力され
る制御信号を発生する第2の増幅器41へ入力される。
オシレータ42は、その出力が増幅器41から出力され
る電圧の関数である、電圧制御されたオシレータであっ
てもよい。オシレータ42は、センシングループで光の
周波数を調整する周波数シフタ44を駆動する。第7図
および第8図に関連して下で説明されるセロダイン位相
変調器46は周波数シフタ44の代わりに用いられ得る
。そのオシレータはのこぎり波発生器であることが好ま
しい。位相を「0」にするサーボループ48は、加算増
幅器34、オシレータ36、位相変調器38、増幅器4
1、オシレータ42および周波数シフタ44(または位
相変調器46)を含む。より広いダイナミックレンジを
設けるために、サーボループ48はセンシング・ループ
11Aで光を調整し、センシング・ループの回転により
引き起こされる位相差を「0」にする。その回転速度は
回転嚮導された移相を「0」にするのに必要なオシレー
タ42の出力を測定することにより決定される。
る電圧の関数である、電圧制御されたオシレータであっ
てもよい。オシレータ42は、センシングループで光の
周波数を調整する周波数シフタ44を駆動する。第7図
および第8図に関連して下で説明されるセロダイン位相
変調器46は周波数シフタ44の代わりに用いられ得る
。そのオシレータはのこぎり波発生器であることが好ま
しい。位相を「0」にするサーボループ48は、加算増
幅器34、オシレータ36、位相変調器38、増幅器4
1、オシレータ42および周波数シフタ44(または位
相変調器46)を含む。より広いダイナミックレンジを
設けるために、サーボループ48はセンシング・ループ
11Aで光を調整し、センシング・ループの回転により
引き起こされる位相差を「0」にする。その回転速度は
回転嚮導された移相を「0」にするのに必要なオシレー
タ42の出力を測定することにより決定される。
システム10の光フアイバ成分はこの発明の動作の方法
の詳細な説明が提示される前に説明される。
の詳細な説明が提示される前に説明される。
第1図のカブラ13および第14図のカブラ30として
単一モードの用途での使用に適する光フアイバ指向性カ
ブラは、1980年3月29日発行の「エレクトロニク
ス・レターズ(Electronics Lette
rs)J、第28巻、第28号、260−261頁およ
びショー(ShaW)等に対し1985年1月15日に
発行され、リーランド争スタンフォード・ジュニア・ユ
ニバーシティの評議委員会(the Board
。
単一モードの用途での使用に適する光フアイバ指向性カ
ブラは、1980年3月29日発行の「エレクトロニク
ス・レターズ(Electronics Lette
rs)J、第28巻、第28号、260−261頁およ
びショー(ShaW)等に対し1985年1月15日に
発行され、リーランド争スタンフォード・ジュニア・ユ
ニバーシティの評議委員会(the Board
。
f Tr’ustees of the Le
land 5tanford Junior U
niversity)に譲渡された、米国特許第4゜4
93.528号に記載されている。
land 5tanford Junior U
niversity)に譲渡された、米国特許第4゜4
93.528号に記載されている。
第2図ないし第4図に例示されるように、カブラ13は
それぞれ1対の基板50および52に装設される、第1
図の光ファイバ11および16を含む。ファイバ11は
基板50の光学的に平坦な表面58に形成される曲面状
の溝54に装設される。同様に、ファイバ16は基板5
2の光学的に平坦な表面60に形成される曲面状の溝5
6に装設される。基板50およびそこに装設されるファ
イバ11はカブラハーフ62を含み、基板52およびそ
こに装設されるファイバ16はカブラハーフ64を含む
。
それぞれ1対の基板50および52に装設される、第1
図の光ファイバ11および16を含む。ファイバ11は
基板50の光学的に平坦な表面58に形成される曲面状
の溝54に装設される。同様に、ファイバ16は基板5
2の光学的に平坦な表面60に形成される曲面状の溝5
6に装設される。基板50およびそこに装設されるファ
イバ11はカブラハーフ62を含み、基板52およびそ
こに装設されるファイバ16はカブラハーフ64を含む
。
曲面状の溝54および56は各々ファイバ11および1
6の直径と比べて大きい曲率半径を有するが、それらは
通常実質的に同一である。溝54および56の幅はファ
イバの直径よりもわずかに大きく、ファイバ11および
16がそれぞれ溝54および56の底部の壁により規定
される経路に適合することを可能にする。溝54および
56の深さはそれぞれ基板50および52の中心での最
小の深さから基板50および52の端縁での最大の深さ
まで変化する。溝の深さの変化により、光ファイバ11
および16は、それぞれ溝54および56に装設される
と、緩やかに基板50および52の中心に向かって集束
し、それらの端縁に向かって発散することができる。フ
ァイバ11および16の緩やかな曲率はファイバ11お
よび16の急な屈曲かそうでなければそれらの方向の突
然の変化の発生を防ぎ、モード摂動による出力損失を回
避する。溝54および56は断面が矩形であってもよい
が、U字形またはV字形のような他の断面形状もカブラ
13を形成する際に使用され得る。
6の直径と比べて大きい曲率半径を有するが、それらは
通常実質的に同一である。溝54および56の幅はファ
イバの直径よりもわずかに大きく、ファイバ11および
16がそれぞれ溝54および56の底部の壁により規定
される経路に適合することを可能にする。溝54および
56の深さはそれぞれ基板50および52の中心での最
小の深さから基板50および52の端縁での最大の深さ
まで変化する。溝の深さの変化により、光ファイバ11
および16は、それぞれ溝54および56に装設される
と、緩やかに基板50および52の中心に向かって集束
し、それらの端縁に向かって発散することができる。フ
ァイバ11および16の緩やかな曲率はファイバ11お
よび16の急な屈曲かそうでなければそれらの方向の突
然の変化の発生を防ぎ、モード摂動による出力損失を回
避する。溝54および56は断面が矩形であってもよい
が、U字形またはV字形のような他の断面形状もカブラ
13を形成する際に使用され得る。
なお第2図ないし第4図を参照すると、基板50および
52の中心では、満54および56の深さはファイバ1
1および16の直径よりも小さい。
52の中心では、満54および56の深さはファイバ1
1および16の直径よりも小さい。
基板50および52の端縁では、溝54および56の深
さは少なくともファイバの直径と同じぐらいであること
が好ましい。光フアイバ物質はラッピングのようないず
れの適当な方法によってもファイバ11および16の各
々から除去され、基板50および52の直面する表面5
8および60と共面をなす楕円形の平面状表面をファイ
バ11および16で形成する。この楕円形表面は直面す
る関係で並置され、ファイバ11および16の各々によ
り伝搬される光のエバネセント・フィールドが他のファ
イバと相互作用する相互作用領域66を形成する。除去
される光フアイバ物質の量は基板50および52の端縁
近くでの「0」からそれらの中心における最大量まで徐
々に増加する。
さは少なくともファイバの直径と同じぐらいであること
が好ましい。光フアイバ物質はラッピングのようないず
れの適当な方法によってもファイバ11および16の各
々から除去され、基板50および52の直面する表面5
8および60と共面をなす楕円形の平面状表面をファイ
バ11および16で形成する。この楕円形表面は直面す
る関係で並置され、ファイバ11および16の各々によ
り伝搬される光のエバネセント・フィールドが他のファ
イバと相互作用する相互作用領域66を形成する。除去
される光フアイバ物質の量は基板50および52の端縁
近くでの「0」からそれらの中心における最大量まで徐
々に増加する。
第2図および第3図で示されるように、光フアイバ物質
をテーパ状除去することにより、ファイバ11および1
6が緩やかに集束および発散することが可能になり、そ
れは相互作用領域66での後方反射および過度の光エネ
ルギの損失を回避するのに有利である。
をテーパ状除去することにより、ファイバ11および1
6が緩やかに集束および発散することが可能になり、そ
れは相互作用領域66での後方反射および過度の光エネ
ルギの損失を回避するのに有利である。
光は相互作用領域66でのエバネセント・フィールド結
合によりファイバ11および16の間で伝送される。光
ファイバ11は中心のコア68とそれを包囲するクラッ
ド70を含む。ファイバ16は、それぞれ実質的にコア
68およびクラッド70と同一であるコア72およびク
ラッド74を有する。コア68はクラッド70のものよ
りも大きい屈折率を有し、さらにコア68の直径はコア
68内で伝搬する光がコアークラッド界面で内部反射す
るようなものである。光ファイバ11により嚮導される
光エネルギの大半はそのコア68に閉込められる。しか
しながら、ファイバ68の波動方程式を解き、周知の境
界条件を適用することにより、エネルギ分布は主にコア
68にあるけれども、クラッドの中へ延在する部分を含
み、ファイバの中心からの半径が増加すると指数関数的
に減少することが示される。ファイバ68内のエネルギ
分布の指数関数的に減少する部分は一般にエバネセント
・フィールドと呼ばれる。ファイバ11により最初に伝
搬される光エネルギのエバネセント・フィールドがファ
イバ16内へ十分な距離を延ばすならば、エネルギはフ
ァイバ11からファイバ16へと結合するであろう。
合によりファイバ11および16の間で伝送される。光
ファイバ11は中心のコア68とそれを包囲するクラッ
ド70を含む。ファイバ16は、それぞれ実質的にコア
68およびクラッド70と同一であるコア72およびク
ラッド74を有する。コア68はクラッド70のものよ
りも大きい屈折率を有し、さらにコア68の直径はコア
68内で伝搬する光がコアークラッド界面で内部反射す
るようなものである。光ファイバ11により嚮導される
光エネルギの大半はそのコア68に閉込められる。しか
しながら、ファイバ68の波動方程式を解き、周知の境
界条件を適用することにより、エネルギ分布は主にコア
68にあるけれども、クラッドの中へ延在する部分を含
み、ファイバの中心からの半径が増加すると指数関数的
に減少することが示される。ファイバ68内のエネルギ
分布の指数関数的に減少する部分は一般にエバネセント
・フィールドと呼ばれる。ファイバ11により最初に伝
搬される光エネルギのエバネセント・フィールドがファ
イバ16内へ十分な距離を延ばすならば、エネルギはフ
ァイバ11からファイバ16へと結合するであろう。
適当なエバネセント・フィールド結合を確実にするため
に、ファイバ11および16から除去される物質の量は
、ファイバ11および16のコア間の間隔が予め定めら
れた臨界区域内になるように、注意深く制御されなけれ
ばならない。エバネセント・フィールドはクラッド内へ
短い距離を延ばし、ファイバコアの外で距離とともに大
きさが急速に減じられる。このように、十分な光フアイ
バ物質が除去されて、2つのファイバ11および16に
より伝搬される波のエバネセント・フィールド間の重な
りを可能とすべきである。わずかな物質しか除去されな
ければ、コアは十分に近接せず、エバネント◆フィール
ドが嚮導された波の所望の相互作用を引き起こすことが
できず、それゆえ不充分な結合が生じるであろう。
に、ファイバ11および16から除去される物質の量は
、ファイバ11および16のコア間の間隔が予め定めら
れた臨界区域内になるように、注意深く制御されなけれ
ばならない。エバネセント・フィールドはクラッド内へ
短い距離を延ばし、ファイバコアの外で距離とともに大
きさが急速に減じられる。このように、十分な光フアイ
バ物質が除去されて、2つのファイバ11および16に
より伝搬される波のエバネセント・フィールド間の重な
りを可能とすべきである。わずかな物質しか除去されな
ければ、コアは十分に近接せず、エバネント◆フィール
ドが嚮導された波の所望の相互作用を引き起こすことが
できず、それゆえ不充分な結合が生じるであろう。
あまりに多くの物質を除去するとファイバの伝搬特性が
変わり、モード摂動のせいでファイバからの光エネルギ
の損失を生じる。しかしながら、ファイバ11および1
6のコア間の間隔が臨界区域内にあるときには、各ファ
イバ11および16は他方からかなりの部分のエバネセ
ントΦフィールドエネルギを受取り、それほどのエネル
ギ損失なしに良好な結合を達成する。臨界区域はファイ
バ11および16のエバネセント・フィールドが十分に
重なって、各コアが他のコアにより嚮導される光のエバ
ネセント・フィールド内にある、良好なエバネセント・
フィールド結合を与える領域を含む。単一モードフィイ
バにより嚮導されるH ′E11モードのような弱く
四環されたモードに対しては、ファイバコアが露出され
たときにモード摂動が起こると思われる。それゆえ臨界
区域は、エバネンセトフィールドが十分に重なって実質
的なモード摂動により嚮導される出力損失をもたらさず
に結合を引き起こすようにする、コア間隔である。
変わり、モード摂動のせいでファイバからの光エネルギ
の損失を生じる。しかしながら、ファイバ11および1
6のコア間の間隔が臨界区域内にあるときには、各ファ
イバ11および16は他方からかなりの部分のエバネセ
ントΦフィールドエネルギを受取り、それほどのエネル
ギ損失なしに良好な結合を達成する。臨界区域はファイ
バ11および16のエバネセント・フィールドが十分に
重なって、各コアが他のコアにより嚮導される光のエバ
ネセント・フィールド内にある、良好なエバネセント・
フィールド結合を与える領域を含む。単一モードフィイ
バにより嚮導されるH ′E11モードのような弱く
四環されたモードに対しては、ファイバコアが露出され
たときにモード摂動が起こると思われる。それゆえ臨界
区域は、エバネンセトフィールドが十分に重なって実質
的なモード摂動により嚮導される出力損失をもたらさず
に結合を引き起こすようにする、コア間隔である。
特定のカブラに対する臨界区域の程度はファイバのパラ
メータやカブラの幾何学的配置ような多数の要因に依有
する。臨界区域はステップインデックスプロファイルを
有する単一モードファイバに対してはかなり狭くてもよ
い。ファイバ11および16の中心から中心までの間隔
は典型的には2ないし3コア直径より小さい。
メータやカブラの幾何学的配置ような多数の要因に依有
する。臨界区域はステップインデックスプロファイルを
有する単一モードファイバに対してはかなり狭くてもよ
い。ファイバ11および16の中心から中心までの間隔
は典型的には2ないし3コア直径より小さい。
第2図のカブラ13(t13A、13B、13Cおよび
13Dと表示された4個のポートを含む。
13Dと表示された4個のポートを含む。
ポート13Aおよび13Bは、それぞれカブラ13の左
側と右側にあるが、ファイバ11に対応する。ポート1
3Cおよび13Dは同様にファイバ16に対応する。説
明するために、光信号入力はファイバ11を介してポー
ト13Aに与えられると仮定される。この信号はカブラ
13を通過し、ファイバ11および16の間の結合の量
に依存してポート13Bまたは13Dのいずれか一方ま
たはその両方で出力される。「結合定数」は全出力パワ
ーに対する結合されたパワーの比と定義される。上の具
体例では、結合定数はポート13Bおよび13Dで出力
されたパワーの和により除算された、ポート13Dで出
力されたパワーの比である。この比はしばしば「結合効
率」と呼ばれ、典型的にはパーセントで表わされる。そ
れゆえ、「結合定数」という語がここで使用されるとき
には、対応する結合効率は結合定数の100倍に等しい
ことが理解されるべきである。
側と右側にあるが、ファイバ11に対応する。ポート1
3Cおよび13Dは同様にファイバ16に対応する。説
明するために、光信号入力はファイバ11を介してポー
ト13Aに与えられると仮定される。この信号はカブラ
13を通過し、ファイバ11および16の間の結合の量
に依存してポート13Bまたは13Dのいずれか一方ま
たはその両方で出力される。「結合定数」は全出力パワ
ーに対する結合されたパワーの比と定義される。上の具
体例では、結合定数はポート13Bおよび13Dで出力
されたパワーの和により除算された、ポート13Dで出
力されたパワーの比である。この比はしばしば「結合効
率」と呼ばれ、典型的にはパーセントで表わされる。そ
れゆえ、「結合定数」という語がここで使用されるとき
には、対応する結合効率は結合定数の100倍に等しい
ことが理解されるべきである。
エバネセント・フィールドの重なりの領域の大きさを制
御するためにファイバ11および16の直面している表
面をオフセットすることにより、カブラ13は同調され
て「0」とrl、OJの間のいずれの所望の値にでも結
合定数を調整し得る。
御するためにファイバ11および16の直面している表
面をオフセットすることにより、カブラ13は同調され
て「0」とrl、OJの間のいずれの所望の値にでも結
合定数を調整し得る。
同調は基板50および52を互いに関して横方向または
縦方向にスライドさせることにより達成され得る。
縦方向にスライドさせることにより達成され得る。
ファイバ11および16の一方から他方へ交差結合され
る光はπ/2の移相を受けるが、交差結合されずにカブ
ラ13を真直ぐに通過する光は移相されない。たとえば
、カブラ13が0.5の結合定数を有し、光信号がポー
ト13Aに入力されるならば、ポート13Bおよび13
Dでの出力は等しい大きさであるが、ポート13Dでの
出力はポート13Bでの出力に関連してπ/2だけ移相
されるであろう。
る光はπ/2の移相を受けるが、交差結合されずにカブ
ラ13を真直ぐに通過する光は移相されない。たとえば
、カブラ13が0.5の結合定数を有し、光信号がポー
ト13Aに入力されるならば、ポート13Bおよび13
Dでの出力は等しい大きさであるが、ポート13Dでの
出力はポート13Bでの出力に関連してπ/2だけ移相
されるであろう。
ここで説明される偏光器14および18は、ベルブ(B
ergh)に与えられかつリーランド・スタンフォード
・ジュニアΦユニバーシティ評議委員会に譲渡された、
米国特許第4,386,822号に開示された偏光器と
本質的に同一であり得る。
ergh)に与えられかつリーランド・スタンフォード
・ジュニアΦユニバーシティ評議委員会に譲渡された、
米国特許第4,386,822号に開示された偏光器と
本質的に同一であり得る。
第11図および第12図を参照すると、偏光器14は、
好ましくは石英ブロックから形成され、そこに曲面状の
溝164を有する基板162を含む半分のカブラ160
を含む。光ファイバ16の長さ部分は溝164に固定さ
れる。基板160の一部はファイバ16のクラッドの中
まで研削されている。研削および研摩動作によりクラッ
ドの一部が除去されて相互領域166が形成される。複
屈折結晶170の光学的に平坦な表面165は基板16
0の表面170に装設される。相互作用領域では、ファ
イバ16で伝搬する光のエバネセント・フィールドは複
屈折結晶168と相互作用する。
好ましくは石英ブロックから形成され、そこに曲面状の
溝164を有する基板162を含む半分のカブラ160
を含む。光ファイバ16の長さ部分は溝164に固定さ
れる。基板160の一部はファイバ16のクラッドの中
まで研削されている。研削および研摩動作によりクラッ
ドの一部が除去されて相互領域166が形成される。複
屈折結晶170の光学的に平坦な表面165は基板16
0の表面170に装設される。相互作用領域では、ファ
イバ16で伝搬する光のエバネセント・フィールドは複
屈折結晶168と相互作用する。
ファイバ16が単一モードファイバであるならば、伝搬
される唯一のモードは電場および磁場の方向がファイバ
16を介する波の伝搬の方向に対しほぼ垂直であるもの
である。
される唯一のモードは電場および磁場の方向がファイバ
16を介する波の伝搬の方向に対しほぼ垂直であるもの
である。
結晶168は、結晶−ファイバ界面に対し垂直に偏光さ
れ光に対して結晶168の屈折率がファイバ16の屈折
率よりも小さくなるように配置される。それゆえ、結晶
−ファイバ界面に対し垂直な偏光で光フアイバ16内を
伝搬する光は結晶−ファイバ界面での内部反射のせいで
光ファイバ16に留まる傾向ある。結晶−ファイバ界面
に平行な偏光に対する結晶168の屈折率は光ファイバ
16の屈折率よりも大きくなるように選択され、そのた
め結晶−ファイバ界面に平行に偏光される光は光ファイ
バ16から複屈折結晶168へと結合する。
れ光に対して結晶168の屈折率がファイバ16の屈折
率よりも小さくなるように配置される。それゆえ、結晶
−ファイバ界面に対し垂直な偏光で光フアイバ16内を
伝搬する光は結晶−ファイバ界面での内部反射のせいで
光ファイバ16に留まる傾向ある。結晶−ファイバ界面
に平行な偏光に対する結晶168の屈折率は光ファイバ
16の屈折率よりも大きくなるように選択され、そのた
め結晶−ファイバ界面に平行に偏光される光は光ファイ
バ16から複屈折結晶168へと結合する。
第13図を参照すると、システム10での使用に適する
偏光器14はクラッド上で平坦にされた領域171に隣
接する、CaF2のような誘電体バッファの層170を
含む。金属層172はバッファ層170上に設置される
。不所望の偏光は、平坦にされた領域171を通り越し
たファイバ16で伝搬しようとするが、減衰される。所
望の偏光は実質的に減衰されずに通過する。
偏光器14はクラッド上で平坦にされた領域171に隣
接する、CaF2のような誘電体バッファの層170を
含む。金属層172はバッファ層170上に設置される
。不所望の偏光は、平坦にされた領域171を通り越し
たファイバ16で伝搬しようとするが、減衰される。所
望の偏光は実質的に減衰されずに通過する。
この発明で使用され得る位相変調器220は第5図およ
び第6図に示されている。ファイバ17は1対の圧電変
換器222および224の間で保持される。圧電変換器
222および224はファイバ17に時間とともに変化
する圧縮を付与する。
び第6図に示されている。ファイバ17は1対の圧電変
換器222および224の間で保持される。圧電変換器
222および224はファイバ17に時間とともに変化
する圧縮を付与する。
偏光維持ファイバ17は2つの起こり得る直線偏光に対
し異なる屈折率を有する。伝搬の速度はv −c /
nであるので、2つの偏光はファーストウェーブおよび
スローウェーブとして特徴づけられ得る。この2つの波
は位相変調器220で保持されるファイバ17の一部を
通過する際に異なる時間遅延を経験する。
し異なる屈折率を有する。伝搬の速度はv −c /
nであるので、2つの偏光はファーストウェーブおよび
スローウェーブとして特徴づけられ得る。この2つの波
は位相変調器220で保持されるファイバ17の一部を
通過する際に異なる時間遅延を経験する。
圧電変換器222は圧電物質230の両側に装設される
1対の電極226および228を含む。
1対の電極226および228を含む。
圧電変換器224は好ましくは圧電変換器222と同一
であり、圧電物質236の両側に装設される1対の電極
232および234を含む。オシレータ238は電極2
26.228.232および234に接続され、オシレ
ータ238から圧電物質230および236にかかる電
圧を印加する。
であり、圧電物質236の両側に装設される1対の電極
232および234を含む。オシレータ238は電極2
26.228.232および234に接続され、オシレ
ータ238から圧電物質230および236にかかる電
圧を印加する。
これら電圧は変換器222および224にファイバ17
を圧縮させる。ファイバ11を圧搾すると、ファイバ1
7の長さが変わることによってファーストウェーブおよ
びスローウェーブの移行時間が変化する。
を圧縮させる。ファイバ11を圧搾すると、ファイバ1
7の長さが変わることによってファーストウェーブおよ
びスローウェーブの移行時間が変化する。
第7A図および第7B図を参照すると、位相変調器25
.38および44は各々、ニオブ酸リチウムのような電
気光学的活物質の基板23上に形成される先導波路19
を含み得る。1対の電極240および242が導波路1
9の両側で基板に取付けられる。電極25および27は
アルミニウムの蒸着により基板23上に形成され得る。
.38および44は各々、ニオブ酸リチウムのような電
気光学的活物質の基板23上に形成される先導波路19
を含み得る。1対の電極240および242が導波路1
9の両側で基板に取付けられる。電極25および27は
アルミニウムの蒸着により基板23上に形成され得る。
先導波路19は、まず基板23上にチタンのストリップ
を生成し、次にそれを加熱してチタンを基板23中へと
追い込むことにより、基板23に形成され得る。結果と
して生じる導波路19は第8図に示されるような、一般
には半円形の断面を有する。
を生成し、次にそれを加熱してチタンを基板23中へと
追い込むことにより、基板23に形成され得る。結果と
して生じる導波路19は第8図に示されるような、一般
には半円形の断面を有する。
第7図および第14図を参照すると、ファイバセンシシ
グコイル11Aは第7図に示されるような光導波路19
の両側に当接結合される2つの端部33および35を有
するように切断されなけばならない。
グコイル11Aは第7図に示されるような光導波路19
の両側に当接結合される2つの端部33および35を有
するように切断されなけばならない。
電極にかかる電圧の印加は電気光学的効果の装置により
先導波路19の屈折率を変える。導波路19を介する光
波の移行時間は、真空での光の速度により除算される、
導波路の長さとその屈折率の積である。このように、先
導波路19の屈折率を変えることによりそれを通る光信
号の移行時間が変わる。光波を含む電磁場の正弦波の性
質のせいで、移行時間の変化は波の位相の変化であると
思われる。
先導波路19の屈折率を変える。導波路19を介する光
波の移行時間は、真空での光の速度により除算される、
導波路の長さとその屈折率の積である。このように、先
導波路19の屈折率を変えることによりそれを通る光信
号の移行時間が変わる。光波を含む電磁場の正弦波の性
質のせいで、移行時間の変化は波の位相の変化であると
思われる。
偏光維持ファイバは異なる偏光に対してはかなり異なる
屈折率を有する。ファイバ17へ入力される光は両方の
ファイバ軸に沿った偏光成分を有するので、これら偏光
の両方ともがともに混合せずにファイバで伝搬する。偏
光維持ファイバ17は後で説明される多様な技術により
形成され得る。
屈折率を有する。ファイバ17へ入力される光は両方の
ファイバ軸に沿った偏光成分を有するので、これら偏光
の両方ともがともに混合せずにファイバで伝搬する。偏
光維持ファイバ17は後で説明される多様な技術により
形成され得る。
ファイバ17での光の速度はv m c / nで、C
は真空での光の速度でありかつnは検討中の特定の偏光
に対するファイバの屈折率であるので、この2つの偏光
はファイバで異なる速度を有する。
は真空での光の速度でありかつnは検討中の特定の偏光
に対するファイバの屈折率であるので、この2つの偏光
はファイバで異なる速度を有する。
スローウェーブはvs−c/nlの速度を有し、ファー
ストウェーブはvp−c/n2の速度を有し、ここでは
n2 <nlである。ファイバ17は直線偏光された光
の入力を互いに直交するファーストウェーブとスローウ
ェーブの重なりのせいで楕円偏波された波へと変換する
。
ストウェーブはvp−c/n2の速度を有し、ここでは
n2 <nlである。ファイバ17は直線偏光された光
の入力を互いに直交するファーストウェーブとスローウ
ェーブの重なりのせいで楕円偏波された波へと変換する
。
成る型の偏光維持ファイバは第9図に示されるような層
状のコア250およびそれを包囲するクラッド252を
有する。コア250は異なる偏波の波に対し異なる屈折
率を有し、そのためコアの伝搬定数は偏波に依有する。
状のコア250およびそれを包囲するクラッド252を
有する。コア250は異なる偏波の波に対し異なる屈折
率を有し、そのためコアの伝搬定数は偏波に依有する。
クラッド252は両方のコア屈折率よりも小さい屈折率
を有する。より大きな屈折率を有する物質から2つの非
類似の誘電体間の界面に入射する光は、入射角が臨界角
よりも小さければ内部反射されるであろう。それゆえ、
偏光維持ファイバは両方の偏光の光を膏導する。コアの
伝搬定数が2つの偏光に対し異なるかまたは非縮退であ
るので、エネルギはそれらの間で容易には結合しない。
を有する。より大きな屈折率を有する物質から2つの非
類似の誘電体間の界面に入射する光は、入射角が臨界角
よりも小さければ内部反射されるであろう。それゆえ、
偏光維持ファイバは両方の偏光の光を膏導する。コアの
伝搬定数が2つの偏光に対し異なるかまたは非縮退であ
るので、エネルギはそれらの間で容易には結合しない。
それゆえ、第9図の偏光維持ファイバにより伝搬される
光は偏光の変化を経験しない。
光は偏光の変化を経験しない。
複屈折特性を有するコアは特定の屈折率および厚さを有
するように層の物質を適当に選択することにより合成さ
れ得る。第9図を参照すると、コア200は第1の物質
の層253ないし255および第1の物質とは異なる屈
折率を有する第2の物質の層256および257からな
る。コア250は2つの物質の多くの層を含み得るが、
例示および説明の便宜上5つの層253ないし257の
みが示されている。
するように層の物質を適当に選択することにより合成さ
れ得る。第9図を参照すると、コア200は第1の物質
の層253ないし255および第1の物質とは異なる屈
折率を有する第2の物質の層256および257からな
る。コア250は2つの物質の多くの層を含み得るが、
例示および説明の便宜上5つの層253ないし257の
みが示されている。
コア250は大抵の光ファイバにおけるのと同様、断面
が円形であるように示されている。コア250およびク
ラッド252を含む物質は、2軸およびy軸に沿った偏
光に対するコア屈折率がクラッド252の屈折率よりも
大きいように選択される。それゆえ、第1図のフオーム
ファイバ17に入力される2方向に沿って偏波される波
は2方向に偏波されたままである。
が円形であるように示されている。コア250およびク
ラッド252を含む物質は、2軸およびy軸に沿った偏
光に対するコア屈折率がクラッド252の屈折率よりも
大きいように選択される。それゆえ、第1図のフオーム
ファイバ17に入力される2方向に沿って偏波される波
は2方向に偏波されたままである。
普通の光ファイバと異なり、フオーム複屈折単一モード
ファイバ17はそこで伝搬する波の偏光状態を維持する
。ファイバ17では、2つの偏光に対する屈折率間の差
はかなり大きく、そのため2つの直交する偏波を有する
波の伝搬定数間に実質的な差が存在する。伝搬定数間の
差は偏光状態間の縮退を除去し、一方の偏波の波が普通
の状態で他の偏波に結合することを防ぐ。波の間のエネ
ルギ結合は、それらの波が本質的に同一速度であること
を必要とする。その速度が異なるならば、2つの状態の
間には感知できる結合は存在しない。
ファイバ17はそこで伝搬する波の偏光状態を維持する
。ファイバ17では、2つの偏光に対する屈折率間の差
はかなり大きく、そのため2つの直交する偏波を有する
波の伝搬定数間に実質的な差が存在する。伝搬定数間の
差は偏光状態間の縮退を除去し、一方の偏波の波が普通
の状態で他の偏波に結合することを防ぐ。波の間のエネ
ルギ結合は、それらの波が本質的に同一速度であること
を必要とする。その速度が異なるならば、2つの状態の
間には感知できる結合は存在しない。
第10図を参照すると、第9図に示されるような偏光維
持ファイバ17を製造する方法は、まず異なる屈折率を
有する物質の交互の層268および269の積み重ね2
66を形成することを含む。
持ファイバ17を製造する方法は、まず異なる屈折率を
有する物質の交互の層268および269の積み重ね2
66を形成することを含む。
積み重ね266は本質的にモノリシックなブロックを形
成するように加熱される。このブロックは次に連続する
ダイスを介して引張られ、またそうでなければ当該技術
分野で周知の方法により引き伸ばされ、コア250とし
ての使用に適する値までその大きさを減じ得る。引張る
前に、円形断面を有するコアを作るためにそのブロック
が研削されて円筒を形成し得る。コア250の両方の屈
折率よりも小さい屈折率を有するクラッドは、バルク二
酸化シリコン5i02をコア上へと溶融させたり、5i
02の管状物質をコア上へ当てるような、いくつかの標
準的な技術のいずれかによって、または気体混合物から
の5i02の反応生成によりそこへ付加され得る。
成するように加熱される。このブロックは次に連続する
ダイスを介して引張られ、またそうでなければ当該技術
分野で周知の方法により引き伸ばされ、コア250とし
ての使用に適する値までその大きさを減じ得る。引張る
前に、円形断面を有するコアを作るためにそのブロック
が研削されて円筒を形成し得る。コア250の両方の屈
折率よりも小さい屈折率を有するクラッドは、バルク二
酸化シリコン5i02をコア上へと溶融させたり、5i
02の管状物質をコア上へ当てるような、いくつかの標
準的な技術のいずれかによって、または気体混合物から
の5i02の反応生成によりそこへ付加され得る。
積み重ね266では、GeO2は高屈折率成分として、
5i02は低屈折率成分として使用され得る。シリカと
ゲルマニアの両方は、それらの低損失および物理的両用
性のせいで、事実上すべての単一モードファイバおよび
多数モードファイバで使用される。適当なわずかな厚さ
で不均等に結合されて、それらは両方の偏光に対するそ
の屈折率が溶融されたシリカによりクラツディングされ
るのに十分な大きさでコア250を形成する。
5i02は低屈折率成分として使用され得る。シリカと
ゲルマニアの両方は、それらの低損失および物理的両用
性のせいで、事実上すべての単一モードファイバおよび
多数モードファイバで使用される。適当なわずかな厚さ
で不均等に結合されて、それらは両方の偏光に対するそ
の屈折率が溶融されたシリカによりクラツディングされ
るのに十分な大きさでコア250を形成する。
定評のある光学製造技術が純粋バルク5i02から5i
02のプレートを製造するために使用され得る。GeO
2成分はあまりに薄いので、機械的製造技術によっては
形成され得ないかもしれない。GeO2層は5t02基
板へGeO2膜をスパッタリングすることにより形成さ
れ得る。GeO2層はまた、Geの層でStO,を被覆
し、さらにそれを管状の炉で酸化してGeO□にするこ
とにより形成され得る。
02のプレートを製造するために使用され得る。GeO
2成分はあまりに薄いので、機械的製造技術によっては
形成され得ないかもしれない。GeO2層は5t02基
板へGeO2膜をスパッタリングすることにより形成さ
れ得る。GeO2層はまた、Geの層でStO,を被覆
し、さらにそれを管状の炉で酸化してGeO□にするこ
とにより形成され得る。
偏光維持ファイバ17としての使用に適する他の型の高
複屈折ファイバは次の米国特許に開示されている。すな
わち、「偏光保持単一モード光導波路」に対するバガバ
チューラ(Bhagavat u 1 a)等に198
5年10月29日に発行された米国特許第4,549,
781号、「高複屈折ファイバを製造する方法」に対し
ブライベル(Pleibel)等に1985年7月16
日に発行された米国特許第4,529,426号、「導
波路および導波路を製造する方法」に対しヒユーバー(
Huber)等に1984年4月14日に発行された米
国特許第4,465,336号、および偏光保存光ファ
イバを作る方法」に対しバーキー(Berkey)に1
985年12月31日に発行された米国特許第4.56
1,871号である。゛ 第1図を参照すると、偏光維持ファイバ17は一方の偏
光成分に対し他方に対するよりも小さい屈折率を有する
。ファイバ17での光の速度はVm c / nで、C
は真空での光の速度でありかつnは検討中の特定の偏光
に対するファイバの屈折率であるので、これら2つの偏
光は偏光維持ファイバ17で異なる速度を有する。スロ
ーウェーブは速度vsmc/n、を有し、ファーストウ
ェーブは速度v4:mc/n2を有し、ここではn2
>n、である。偏光維持ファイバ17は直交するファー
ストウェーブとスローウェーブの重なりのせいで直線偏
光された光の入力を楕円偏波された波に変換する。
複屈折ファイバは次の米国特許に開示されている。すな
わち、「偏光保持単一モード光導波路」に対するバガバ
チューラ(Bhagavat u 1 a)等に198
5年10月29日に発行された米国特許第4,549,
781号、「高複屈折ファイバを製造する方法」に対し
ブライベル(Pleibel)等に1985年7月16
日に発行された米国特許第4,529,426号、「導
波路および導波路を製造する方法」に対しヒユーバー(
Huber)等に1984年4月14日に発行された米
国特許第4,465,336号、および偏光保存光ファ
イバを作る方法」に対しバーキー(Berkey)に1
985年12月31日に発行された米国特許第4.56
1,871号である。゛ 第1図を参照すると、偏光維持ファイバ17は一方の偏
光成分に対し他方に対するよりも小さい屈折率を有する
。ファイバ17での光の速度はVm c / nで、C
は真空での光の速度でありかつnは検討中の特定の偏光
に対するファイバの屈折率であるので、これら2つの偏
光は偏光維持ファイバ17で異なる速度を有する。スロ
ーウェーブは速度vsmc/n、を有し、ファーストウ
ェーブは速度v4:mc/n2を有し、ここではn2
>n、である。偏光維持ファイバ17は直交するファー
ストウェーブとスローウェーブの重なりのせいで直線偏
光された光の入力を楕円偏波された波に変換する。
位相変調器で圧電変換器を駆動する基準信号が変調周波
数ωPで正弦波状であるならば、ファーストウェーブと
スローウェーブの間の時間遅延τは次のように書かれ得
る。
数ωPで正弦波状であるならば、ファーストウェーブと
スローウェーブの間の時間遅延τは次のように書かれ得
る。
τ = τ0+ΔτCog Q)pτ
(1)ω?τ−2πmでmが整数ならば、時間遅延は
最大かまたは最小である。時5間遅延のイクスカーショ
ン(excursion)は出力強度を変える。
(1)ω?τ−2πmでmが整数ならば、時間遅延は
最大かまたは最小である。時5間遅延のイクスカーショ
ン(excursion)は出力強度を変える。
偏光維持ファイバ17を介して移動した後で、光は分析
器18に入射する。分析器18は上で説明された光フア
イバ偏光装置のいずれかに類似する光フアイバ偏光器を
含み得て、すなわちそれは当該技術分野では周知である
、バルク光学偏光器であってもよい。
器18に入射する。分析器18は上で説明された光フア
イバ偏光装置のいずれかに類似する光フアイバ偏光器を
含み得て、すなわちそれは当該技術分野では周知である
、バルク光学偏光器であってもよい。
分析器18に入力される光信号は次のように書かれ得る
。
。
I=(1+cos頭)
(2)ここではωは光周波数であり、τはファイ
バ16の長さ部分にわたる速い偏光と遅い偏光の間の時
間遅延である。位相変調器25はファーストウェーブと
スローウェーブの相関的な位相の変調を生じる。ドライ
バオシレータ26は周波数ωPを有する交流源として働
き、位相変調器25を駆動する。
(2)ここではωは光周波数であり、τはファイ
バ16の長さ部分にわたる速い偏光と遅い偏光の間の時
間遅延である。位相変調器25はファーストウェーブと
スローウェーブの相関的な位相の変調を生じる。ドライ
バオシレータ26は周波数ωPを有する交流源として働
き、位相変調器25を駆動する。
位相変調器25が動作しているときには、検出器20か
ら出力される電流は次のように書かれ得る。
ら出力される電流は次のように書かれ得る。
i −(1’十cos[oyc+φpcosac4wt
l) (3)次にこの出力電流
は帯域フィルタを介して送られ、それは圧搾器周波数ω
Pを通過させる。次に帯域フィルタから出力される信号
が同期検出器すなわちロックイン増幅器に入力され、そ
れは圧搾器ドライバから基準信号を受信する。復調後に
は、信号は Sl −5incod1(φp)
(4)であり、ここではJ、は第1のオーダのベッ
セル関数である。この信号S1は光源12にフィードバ
ックされ、所望の値に向かう光源周波数を出すために使
用される。
l) (3)次にこの出力電流
は帯域フィルタを介して送られ、それは圧搾器周波数ω
Pを通過させる。次に帯域フィルタから出力される信号
が同期検出器すなわちロックイン増幅器に入力され、そ
れは圧搾器ドライバから基準信号を受信する。復調後に
は、信号は Sl −5incod1(φp)
(4)であり、ここではJ、は第1のオーダのベッ
セル関数である。この信号S1は光源12にフィードバ
ックされ、所望の値に向かう光源周波数を出すために使
用される。
第15図は単一モードレーザダイオードのスペクトル分
布を例示する。位相変調器は曲線IA(ω)とIa
(ω)の間のスペクトル分布関数!(ω)をシフトする
。周波数ω、およびωBは第15図に示される2つのス
ペクトル分布の図心を表わす。光源スペクトル分布の図
心は、Dがセンシング・ループの直径であり、nがファ
イバの屈折率であり、γが光の波長であり、fが光の周
波数でありさらにCが光の自由空間速度である、閉ルー
プジャイロのスケールファクタS=D/(nγ)−fD
/(nc)を与える平均波長すなわち周波数を表わす。
布を例示する。位相変調器は曲線IA(ω)とIa
(ω)の間のスペクトル分布関数!(ω)をシフトする
。周波数ω、およびωBは第15図に示される2つのス
ペクトル分布の図心を表わす。光源スペクトル分布の図
心は、Dがセンシング・ループの直径であり、nがファ
イバの屈折率であり、γが光の波長であり、fが光の周
波数でありさらにCが光の自由空間速度である、閉ルー
プジャイロのスケールファクタS=D/(nγ)−fD
/(nc)を与える平均波長すなわち周波数を表わす。
光源が安定化しなければ、スペクトル分布の図心のシフ
トは量ΔS/S−Δf/fだけスケールファクタの変化
を引き起こす。この発明に従った光源安定化システムを
用いると、スペクトル分布の図心のシフトは基準干渉計
の出力を変える。次に基準干渉計の出力は空間分布の図
心のシフトに対する修正を始める信号を与えるように処
理される。
トは量ΔS/S−Δf/fだけスケールファクタの変化
を引き起こす。この発明に従った光源安定化システムを
用いると、スペクトル分布の図心のシフトは基準干渉計
の出力を変える。次に基準干渉計の出力は空間分布の図
心のシフトに対する修正を始める信号を与えるように処
理される。
第16図はスケールファクタの安定化を光路差の関数で
例示している。最適修正は、スケールファクタのシフト
を表わす曲線が光路差を表わす線と交差するときに達成
される。この交差は、光路差がL c / 4よりもわ
ずかに少ないときに起こる。
例示している。最適修正は、スケールファクタのシフト
を表わす曲線が光路差を表わす線と交差するときに達成
される。この交差は、光路差がL c / 4よりもわ
ずかに少ないときに起こる。
基準干渉計のスケールファクタを安定させる性能は、基
準干渉計のアームの光路差、センシング・ループの回転
速度、空間分布の形状、およびサニヤックループの長さ
部分の関数である。スケールファクタの線形性はスペク
トルの形状の複雑な関数であり、スペクトル分布幅の幅
でほぼ線形に低下する。
準干渉計のアームの光路差、センシング・ループの回転
速度、空間分布の形状、およびサニヤックループの長さ
部分の関数である。スケールファクタの線形性はスペク
トルの形状の複雑な関数であり、スペクトル分布幅の幅
でほぼ線形に低下する。
第14図の光フアイバ回転センサで使用され得るいくつ
かの型の光周波数シフタが存在する。第17図は光波へ
の周波数シフタの効果を例示している。角速度fで回転
している2分の1波長板400に入射する円偏波入力光
を考えてみられたい。
かの型の光周波数シフタが存在する。第17図は光波へ
の周波数シフタの効果を例示している。角速度fで回転
している2分の1波長板400に入射する円偏波入力光
を考えてみられたい。
入力波は周波数f、を有するように示されている。
この波は正の2方向に移動し、等しい大きさでかつ90
°位相のずれたy軸およびy軸に沿った偏光ベクトルを
有する。それゆえ、偏光ベクトルは伝搬の方向を向いて
見られると、角速度foで2軸を中心に右回りの方向へ
回転するように見える。
°位相のずれたy軸およびy軸に沿った偏光ベクトルを
有する。それゆえ、偏光ベクトルは伝搬の方向を向いて
見られると、角速度foで2軸を中心に右回りの方向へ
回転するように見える。
2分の1波長板400は偏光ベクトルと同じ方向に回転
し、そのため出力波は入力周波数fl)から周波数シフ
トされ、fo+2fの周波数を有するようになる。
し、そのため出力波は入力周波数fl)から周波数シフ
トされ、fo+2fの周波数を有するようになる。
第18図は、周波数シフタ44が単側波帯抑圧搬送波位
相シフタとして動作されるときの、その周波数シフタ4
4から出力される起こり得る周波数をグラフ式に表わし
ている。入力周波数がf。
相シフタとして動作されるときの、その周波数シフタ4
4から出力される起こり得る周波数をグラフ式に表わし
ている。入力周波数がf。
ならば、入力ビームの偏光の方向に周波数fで2分の1
波長板を回転させることにより、fo+2fの出力が生
じられる。円偏波入力波の偏波の方向と反対に周波数f
で2分に1波長板400を回転させることにより、fO
−2fの出力周波数が生じられる。回転周波数fを制御
することにより、4分の1波長板の出力周波数が(fo
±2flIlαX)で、f maxが2分の1波長板
400の最大回転周波数である範囲を有することが可能
になる。
波長板を回転させることにより、fo+2fの出力が生
じられる。円偏波入力波の偏波の方向と反対に周波数f
で2分に1波長板400を回転させることにより、fO
−2fの出力周波数が生じられる。回転周波数fを制御
することにより、4分の1波長板の出力周波数が(fo
±2flIlαX)で、f maxが2分の1波長板
400の最大回転周波数である範囲を有することが可能
になる。
周波数シフタ44の出力振幅は次のとおりである。
φ(t)−Aexp[1(fo+2f)tl+Bexp
[if、)tl (5)出力波の強度は振幅の二
乗であり、次のものにより与えられる。
[if、)tl (5)出力波の強度は振幅の二
乗であり、次のものにより与えられる。
I=lφ(112(6’)
1 − A2+82+2ABCO5(2fl
ン (7)係数Aは普通はBよりはるかに
大きく、B2は無視できる。
ン (7)係数Aは普通はBよりはるかに
大きく、B2は無視できる。
第14図の光フアイバ回転センサ34で使用され得る周
波数シフタ構造は第20図に示されている。周波数シフ
タ44は石英から形成され得るブロック423とアルミ
ニウムのような金属から形成されるウェッジ424の間
で保持される光ファイバ11の長さ部分422を含み得
る。たとえば、Cr−Auを含む金属層はウェッジ42
4の表面427上に形成され、さらにたとえば、PZT
から形成される変換器430は金属ブロック424に装
設される。変換器430は適当なオシレータ(示されて
いない)により駆動されて、ファイバで角θで音波を出
し得る。
波数シフタ構造は第20図に示されている。周波数シフ
タ44は石英から形成され得るブロック423とアルミ
ニウムのような金属から形成されるウェッジ424の間
で保持される光ファイバ11の長さ部分422を含み得
る。たとえば、Cr−Auを含む金属層はウェッジ42
4の表面427上に形成され、さらにたとえば、PZT
から形成される変換器430は金属ブロック424に装
設される。変換器430は適当なオシレータ(示されて
いない)により駆動されて、ファイバで角θで音波を出
し得る。
ファイバー1は、単一モードファイバであるので、単一
伝搬モードの2つの互いに直交する偏光を支持する。フ
ァイバは複屈折であり、ファイバの電場の異なる方向に
対しては異なる屈折率を有するので、2つの偏光が存在
する。この2つの偏豐 光は、一方の偏光から他方へのエネルギ伝達がないよう
に、通常結合されない。ファイバに課される空間的に周
期的な応カバターンは2つの偏光間に結合を嚮導し、そ
れらの間の出力伝達をもたらす。応カバターンの空間周
期がファイバのビートの長さに等しいときのみ出力伝達
は累積的であることがわかっている。
伝搬モードの2つの互いに直交する偏光を支持する。フ
ァイバは複屈折であり、ファイバの電場の異なる方向に
対しては異なる屈折率を有するので、2つの偏光が存在
する。この2つの偏豐 光は、一方の偏光から他方へのエネルギ伝達がないよう
に、通常結合されない。ファイバに課される空間的に周
期的な応カバターンは2つの偏光間に結合を嚮導し、そ
れらの間の出力伝達をもたらす。応カバターンの空間周
期がファイバのビートの長さに等しいときのみ出力伝達
は累積的であることがわかっている。
第19図を参照すると、光ファイバのビートの長さはL
B−λ/Δnであり、ここではΔnは2つの偏光に対す
る屈折率の差でありかつλは光の波長である。応カバタ
ーンは、その応力が複屈折の主軸に対し45°で向けら
れれば、2つの偏光の結合を引き起こす際には最も有効
であることがわかっている。
B−λ/Δnであり、ここではΔnは2つの偏光に対す
る屈折率の差でありかつλは光の波長である。応カバタ
ーンは、その応力が複屈折の主軸に対し45°で向けら
れれば、2つの偏光の結合を引き起こす際には最も有効
であることがわかっている。
変換器430は移動する音波の装置によりファイバ部分
422に動く応カバターンを形成する。
422に動く応カバターンを形成する。
この応カバターンがファイバに沿って動くならば、一方
の偏光から他方へ結合される光は結合領域の動きのせい
で動く応カバターンの周波数に等しい量だけ周波数がシ
フトされる。言及する便宜上、一方の偏光は「スロー」
と呼ばれ、他方の偏光は「ファースト」と呼ばれる。誘
電体媒体での光波の速度は誘電体媒体の屈折率により除
算された光の自由空間速度、すなわちV W C/ n
である。それゆえ、複屈折媒体では屈折率がより大きい
偏光がスローウェーブであり、屈折率がより小さい偏光
がファーストウェーブであることがわかるであろう。
の偏光から他方へ結合される光は結合領域の動きのせい
で動く応カバターンの周波数に等しい量だけ周波数がシ
フトされる。言及する便宜上、一方の偏光は「スロー」
と呼ばれ、他方の偏光は「ファースト」と呼ばれる。誘
電体媒体での光波の速度は誘電体媒体の屈折率により除
算された光の自由空間速度、すなわちV W C/ n
である。それゆえ、複屈折媒体では屈折率がより大きい
偏光がスローウェーブであり、屈折率がより小さい偏光
がファーストウェーブであることがわかるであろう。
第19図および第20図を参照すると、波長λαの平面
音響波頭はファイバ部分422に入射する。位相整合は
、音波の伝搬の方向のビートの長さLbの成分が音響波
長に等しいときに起こる。
音響波頭はファイバ部分422に入射する。位相整合は
、音波の伝搬の方向のビートの長さLbの成分が音響波
長に等しいときに起こる。
それゆえに、第19図および第20図からし6 sin
θ■λaであることがわかる。先の等式から音響波長を
除去するために波の速度、周波数および波長間の周知の
関係を用いると、音響周波数はf mv/ (LB s
i nθ)と与えられ、そこではVはファイバでの音
波速度である。
θ■λaであることがわかる。先の等式から音響波長を
除去するために波の速度、周波数および波長間の周知の
関係を用いると、音響周波数はf mv/ (LB s
i nθ)と与えられ、そこではVはファイバでの音
波速度である。
音波とファイバにより伝搬される2つの光の偏光の間の
相互作用の特殊な性質は周波数−波の数の図を用いて表
示され得る。第21図を参照すると、音波がファイバ1
1の光と同じ方向に移動するならば、ファーストモード
で偏光されかつ周波数ωををする光はスローモードに結
合し、結果として生じる波は周波数ω+ωaを有し、そ
こではωaは音波周波数である。スローモードで伝搬す
る光はファーストモードに結合し、周波数がω−ωαに
シフトする。
相互作用の特殊な性質は周波数−波の数の図を用いて表
示され得る。第21図を参照すると、音波がファイバ1
1の光と同じ方向に移動するならば、ファーストモード
で偏光されかつ周波数ωををする光はスローモードに結
合し、結果として生じる波は周波数ω+ωaを有し、そ
こではωaは音波周波数である。スローモードで伝搬す
る光はファーストモードに結合し、周波数がω−ωαに
シフトする。
第22図に示されるように、音波がファイバ11の光の
方向と反対方向に伝搬するならば、このシステムの周波
数シフト特性は逆転する。具体的に言うと、ファースト
モードで伝搬する光は周波数のω−ωaへの変化を伴っ
てスローモードに結合し、さらにスローモードで伝搬す
る光は周波数のω+ωαへの変化を伴ってファーストモ
ードに結合する。
方向と反対方向に伝搬するならば、このシステムの周波
数シフト特性は逆転する。具体的に言うと、ファースト
モードで伝搬する光は周波数のω−ωaへの変化を伴っ
てスローモードに結合し、さらにスローモードで伝搬す
る光は周波数のω+ωαへの変化を伴ってファーストモ
ードに結合する。
それゆえ、1つの偏光の光のみがそこに周期的な動く応
カバターンを有するファイバ11の一部に衝突するなら
ば、第20図に示されるような周波数シフタ420は単
側波帯周波数シフタである。
カバターンを有するファイバ11の一部に衝突するなら
ば、第20図に示されるような周波数シフタ420は単
側波帯周波数シフタである。
実際、選択された偏光は、ジャイロスコープに含まれる
偏光器の限られた消光比および他の要因のせいで、わず
かな量の搬送波周波数と反対の周波数シフトを有する側
波帯を有し得る。
偏光器の限られた消光比および他の要因のせいで、わず
かな量の搬送波周波数と反対の周波数シフトを有する側
波帯を有し得る。
第23図を参照すると、回転センサ34に含まれ得る周
波数シフタ450は溝が付けられた基板452に装設さ
れるファイバ11の長さ部分を含む。電極454はファ
イバ11の下の溝456に装設される。ファイバクラッ
ド460の一部は研削されて、コア462の近くに相互
作用領域461を形成する。電気光学的活物質から形成
される相互作用物質464は、クラッドが除去されたフ
ァイバの領域上に装設される。1対の電極466および
468は相互作用物質の両端部に装設され、電極470
は電極454と一般に平行に整列する相互作用物質に装
設される。オシレータ472は電極470に電圧を供給
する。位相シフタ474はオシレータ出力を受信し、移
相し、次に移相された信号を電極468に与える。電極
466および456は接地される。
波数シフタ450は溝が付けられた基板452に装設さ
れるファイバ11の長さ部分を含む。電極454はファ
イバ11の下の溝456に装設される。ファイバクラッ
ド460の一部は研削されて、コア462の近くに相互
作用領域461を形成する。電気光学的活物質から形成
される相互作用物質464は、クラッドが除去されたフ
ァイバの領域上に装設される。1対の電極466および
468は相互作用物質の両端部に装設され、電極470
は電極454と一般に平行に整列する相互作用物質に装
設される。オシレータ472は電極470に電圧を供給
する。位相シフタ474はオシレータ出力を受信し、移
相し、次に移相された信号を電極468に与える。電極
466および456は接地される。
相互作用物質464にオシレータ信号を与えると、電気
光学的効果に従ってその屈折率が変化する。相互作用物
質464での屈折率のこれらの変化はファイバ11の実
効屈折率の変化を引き起こす。これら変化はオシレータ
信号の周波数で振動性である。光の速度はV W C/
nで、nはファイバの屈折率であるので、屈折率の変
化は周波数シフタ450の光信号の速度を変調する。こ
れら速度変調は光の周波数の変調と思われる。
光学的効果に従ってその屈折率が変化する。相互作用物
質464での屈折率のこれらの変化はファイバ11の実
効屈折率の変化を引き起こす。これら変化はオシレータ
信号の周波数で振動性である。光の速度はV W C/
nで、nはファイバの屈折率であるので、屈折率の変
化は周波数シフタ450の光信号の速度を変調する。こ
れら速度変調は光の周波数の変調と思われる。
この発明は特定の実施例に関連して説明されてきたけれ
ども、これら実施例が具体的な好ましい実施例であるこ
とおよび前掲の特許請求の範囲に規定されるようなこの
発明の範囲から逸脱することなしに修正がなされ得るこ
とが理解されるべきである。
ども、これら実施例が具体的な好ましい実施例であるこ
とおよび前掲の特許請求の範囲に規定されるようなこの
発明の範囲から逸脱することなしに修正がなされ得るこ
とが理解されるべきである。
第1図はこの発明に従った周波数制御システムの概略図
である。 第2図は第1図の二重光フアイバジャイロスコープに含
まれ得る光カブラの断面図である。 第3図は第2図の線3−3に沿って破断された断面図で
ある。 第4図は第2図および第3図の光フアイバエバネセント
・フィールドカプラに含まれる光ファイバの一部での楕
円形表面を示す斜視図である。 第5図は第1図の周波数制御システムで位相変調器とし
て機能し得るファイバ圧搾器の側面図である。 第6図は第5図のファイバ圧搾器の斜視図である。 第7A図は第1図の周波数制御システムに含まれ得る第
2の型の位相変調器の斜視図である。 第7B図は第7A図の位相変調器の平面図である。 第8図は第7図の位相変調器の端面図である。 第9図は第1図の周波数制御回路に含まれ得る偏光維持
ファイバの断面図である。 第10図は第9図の偏光維持ファイバを形成するために
使用され得る誘電体の交互の層の積み重ねの正面図であ
る。 第11図は第1図の周波数制御回路に含まれ得る偏光器
の断面図である。 第12図は第11図の線12−12に沿って破断された
断面図である。 第13図は第1図のシステムに含まれ得る第2の型の偏
光器を例示する図である。 第14図は第1図の周波数制御システムを含む光フアイ
バ回転センシングシステムを例示する図である。 第15図は第1図および第14図のシステムで光源を含
み得るレーザダイオードのスペクトル分布をグラフ式に
例示する図である。 第16図は第1図の周波数制御システムで2つの偏光の
光路差の関数で第14図の光フアイバ回転センサのスケ
ールファクタの安定化をグラフ式に例示した図である。 第17図および第18図は光波への周波数シフタの効果
を例示する図である。 第19図は光ファイバに衝突する音響波頭を例示する図
である。 第20図は第14図の光フアイバ回転センサに含まれ得
る音響光学周波数シフタの構造を例示する図である。 第21図および第22図は第20図の音響光学周波数シ
フタの光信号への効果を例示する図である。 第23図は第14図の光フアイバ回転センサに含まれ得
る周波数シックの第2の構造を例示する図である。 図において、12は光信号源、13は光カブラ、14は
偏光器、16は光ファイバ、17は偏光維持ファイバ、
18は分析器、20は光検出器、21は増幅器、22は
帯域フィルタ、24は同期検出器、25は位相変調器、
26はドライバオシレータ、27は光源ドライバである
。 特許出願人 リットン・システムズ・インコ−■(ω) FIG、 16 先豚t
である。 第2図は第1図の二重光フアイバジャイロスコープに含
まれ得る光カブラの断面図である。 第3図は第2図の線3−3に沿って破断された断面図で
ある。 第4図は第2図および第3図の光フアイバエバネセント
・フィールドカプラに含まれる光ファイバの一部での楕
円形表面を示す斜視図である。 第5図は第1図の周波数制御システムで位相変調器とし
て機能し得るファイバ圧搾器の側面図である。 第6図は第5図のファイバ圧搾器の斜視図である。 第7A図は第1図の周波数制御システムに含まれ得る第
2の型の位相変調器の斜視図である。 第7B図は第7A図の位相変調器の平面図である。 第8図は第7図の位相変調器の端面図である。 第9図は第1図の周波数制御回路に含まれ得る偏光維持
ファイバの断面図である。 第10図は第9図の偏光維持ファイバを形成するために
使用され得る誘電体の交互の層の積み重ねの正面図であ
る。 第11図は第1図の周波数制御回路に含まれ得る偏光器
の断面図である。 第12図は第11図の線12−12に沿って破断された
断面図である。 第13図は第1図のシステムに含まれ得る第2の型の偏
光器を例示する図である。 第14図は第1図の周波数制御システムを含む光フアイ
バ回転センシングシステムを例示する図である。 第15図は第1図および第14図のシステムで光源を含
み得るレーザダイオードのスペクトル分布をグラフ式に
例示する図である。 第16図は第1図の周波数制御システムで2つの偏光の
光路差の関数で第14図の光フアイバ回転センサのスケ
ールファクタの安定化をグラフ式に例示した図である。 第17図および第18図は光波への周波数シフタの効果
を例示する図である。 第19図は光ファイバに衝突する音響波頭を例示する図
である。 第20図は第14図の光フアイバ回転センサに含まれ得
る音響光学周波数シフタの構造を例示する図である。 第21図および第22図は第20図の音響光学周波数シ
フタの光信号への効果を例示する図である。 第23図は第14図の光フアイバ回転センサに含まれ得
る周波数シックの第2の構造を例示する図である。 図において、12は光信号源、13は光カブラ、14は
偏光器、16は光ファイバ、17は偏光維持ファイバ、
18は分析器、20は光検出器、21は増幅器、22は
帯域フィルタ、24は同期検出器、25は位相変調器、
26はドライバオシレータ、27は光源ドライバである
。 特許出願人 リットン・システムズ・インコ−■(ω) FIG、 16 先豚t
Claims (10)
- (1)光源10から出力される光信号の周波数を制御す
るための装置であって、 光信号を嚮導しながらそれの偏光を維持するための装置
(14、17、18)と、 光源(12)から出力される信号の一部を偏光維持嚮導
装置へと導入するための装置(13、16)と、 偏光維持嚮導装置により嚮導される光信号の位相を変調
するための装置(25)と、 偏光維持嚮導装置から出力される光信号の強度を示す電
気信号を生じるための装置(20)と、光源に電気信号
を与えて、そこから出力される光信号の周波数を制御す
るための装置(21、22、24、27)とを特徴とす
る、装置。 - (2)偏光維持嚮導装置の主軸に対し45°で配向され
る偏光軸を有する第1の偏光器(14)を含み、第1の
偏光器が偏光維持嚮導装置に予め定められた偏光の光を
与えるように位置決めされ、偏光維持嚮導装置の主軸に
対し45°で配向される偏光軸を有する第2の偏光器(
18)を含み、第2の偏光器が偏光維持嚮導装置から出
力される光信号を受信するように位置決めされ、さらに
第2の偏光器から出力される光信号を検出するための装
置(20)を含む、請求項1に記載の装置。 - (3)検出装置(20)に接続される帯域フィルタ(2
2)装置をさらに含み、帯域フィルタ(22)が予め定
められた変調周波数の出力信号を有するように形成され
、 帯域フィルタ装置(22)に接続されてそこから出力信
号を受信する同期検出器装置(24)と、光源が誤差信
号の低減を引き起こす周波数を有する光信号を生じるよ
うに、光源に同期検出器装置(24)からの誤差信号を
与えるための装置(27)とをさらに含む、請求項2に
記載の装置。 - (4)位相変調器(25)に接続されて、変調周波数で
偏光維持嚮導装置(14、17、18)により嚮導され
る光信号の位相を変調するドライバオシレータ(26)
をさらに含む、請求項3に記載の装置。 - (5)偏光維持嚮導装置(14、17、18)が1対の
主軸を有する偏光維持光ファイバ(17)の長さ部分を
含む、請求項1に記載の装置。 - (6)光源から出力される光信号の周波数を制御するた
めの方法であって、 光信号を嚮導しながらそれの偏光を維持するステップと
、 光源から出力される信号の一部を偏光維持嚮導装置へ導
入するステップと、 偏光維持嚮導装置により嚮導される光信号の位相を変調
するステップと、 偏光維持嚮導装置から出力される光信号の強度を示す電
気信号を発生するステップと、 光源に電気信号を与え、そこから出力される光信号の周
波数を制御するステップとを特徴とする、方法。 - (7)偏光維持嚮導装置へ予め定められた偏光の光を与
えるステップと、 偏光維持嚮導装置の出力を分析して、選択された偏光の
みを有する光信号を与えるステップと、選択された偏光
を有する光信号を検出するステップとをさらに含む、請
求項6に記載の方法。 - (8)検出装置に帯域フィルタ装置を接続して、予め定
められた変調周波数の出力信号を与えるステップと、 帯域フィルタ装置に同期検出器装置を接続してそこから
出力信号を受信するステップと、光源が誤差信号の低減
を引き起こす周波数を有する光信号を発生するように、
光源に同期検出器装置からの誤差信号を与えるステップ
とをさらに含む、請求項7に記載の方法。 - (9)位相変調器にドライバオシレータを接続して、変
調周波数で偏光維持嚮導装置により嚮導される光信号の
位相を変調するステップをさらに含む、請求項7に記載
の方法。 - (10)偏光維持嚮導装置を形成して、1対の主軸を有
する偏光維持光ファイバの長さ部分を含むステップをさ
らに含む、請求項6に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/017,430 US4887900A (en) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | Polarization maintaining fiber interferometer and method for source stabilization |
| US017,430 | 1987-02-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63233583A true JPS63233583A (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=21782549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63038467A Pending JPS63233583A (ja) | 1987-02-20 | 1988-02-19 | 光信号の周波数を制御するための装置および方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4887900A (ja) |
| EP (1) | EP0279602A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63233583A (ja) |
| CA (1) | CA1304970C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6393168B1 (en) | 1998-03-31 | 2002-05-21 | Ntt Advanced Technology Corporation | Method and apparatus for maintaining optical signal having low degree of polarization in specific state of polarization |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5040896A (en) * | 1989-07-24 | 1991-08-20 | Behzad Moslehi | Three-crystal temperature-compensated reference interferometer for source wavelength stabilization |
| US5009480A (en) * | 1989-08-11 | 1991-04-23 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Fiber optic gyro |
| US5007695A (en) * | 1989-09-29 | 1991-04-16 | Honeywell Inc. | Fiber optic phase modulator using electro-optic material in evanescent field |
| JPH06103189B2 (ja) * | 1989-11-07 | 1994-12-14 | 日本航空電子工業株式会社 | 光干渉角速度計 |
| US5167444A (en) * | 1990-08-13 | 1992-12-01 | Litton Systems, Inc. | Apparatus and method for optical signal source stabilization |
| DE4127859A1 (de) * | 1991-08-22 | 1993-07-08 | Teldix Gmbh | Einrichtung zur messung der drehgeschwindigkeit |
| DE4220010C2 (de) * | 1992-06-19 | 1998-06-10 | Teldix Gmbh | Optischer Polarisator |
| JPH0712576A (ja) * | 1992-08-11 | 1995-01-17 | Fujitsu Ltd | 光ファイバーリング干渉計 |
| US5381230A (en) * | 1993-02-12 | 1995-01-10 | Honeywell Inc. | Emission source spectrum stabilizer |
| US5373383A (en) * | 1993-03-02 | 1994-12-13 | The Boeing Company | Optical carrier filtering for signal/noise and dynamic range improvement |
| JP3378969B2 (ja) * | 1994-02-10 | 2003-02-17 | エヌイーシートーキン株式会社 | 受信システム |
| JP3423761B2 (ja) * | 1994-03-02 | 2003-07-07 | 東北パイオニア株式会社 | 光波長変換装置 |
| US5428700A (en) * | 1994-07-29 | 1995-06-27 | Litton Systems, Inc. | Laser stabilization |
| US6563589B1 (en) | 1996-04-19 | 2003-05-13 | Kvh Industries, Inc. | Reduced minimum configuration fiber optic current sensor |
| US6330105B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-12-11 | Litton Systems, Inc. | Double-pass fully isolated broadband optical signal source for fiber optic interferometric sensors |
| US6539134B1 (en) | 1999-02-11 | 2003-03-25 | Kvh Industries, Inc. | Polarization transformer |
| US6891622B2 (en) | 1999-02-11 | 2005-05-10 | Kvh Industries, Inc. | Current sensor |
| US6370289B1 (en) | 2000-01-12 | 2002-04-09 | Kvh Industries, Inc. | Apparatus and method for electronic RIN reduction in fiber-optic sensors |
| DE60102906D1 (de) | 2000-02-28 | 2004-05-27 | Kvh Ind Inc | Faraday-effekt-stromsonde mit verbesserter schwingungsreaktion |
| US6208798B1 (en) * | 2000-03-03 | 2001-03-27 | E-Tek Dynamics | Variable optical attenuator with thermo-optic control |
| WO2002006769A2 (en) | 2000-07-13 | 2002-01-24 | Kvh Industries, Inc. | Method for controlling fiber optic sensor scale factor |
| US7120323B2 (en) * | 2000-08-02 | 2006-10-10 | Kvh Industries, Inc. | Reduction of linear birefringence in circular-cored single-mode fiber |
| WO2002023237A2 (en) | 2000-08-02 | 2002-03-21 | Kvh Industries, Inc. | Decreasing the effects of linear birefringence in a fiber-optic sensor by use of berry's topological phase |
| US6611649B2 (en) * | 2001-03-19 | 2003-08-26 | Molecular Optoelectronics Corporation | Variable optical attenuator with polarization maintaining fiber |
| US6836334B2 (en) * | 2001-10-31 | 2004-12-28 | Kvh Industries, Inc. | Angle random walk (ARW) noise reduction in fiber optic sensors using an optical amplifier |
| US6763153B2 (en) * | 2002-04-17 | 2004-07-13 | Kvh Industries, Inc. | Apparatus and method for electronic RIN reduction in fiber-optic sensors utilizing filter with group delay |
| JP3692474B2 (ja) * | 2002-11-01 | 2005-09-07 | 日本航空電子工業株式会社 | 光ファイバジャイロ |
| JP2004220392A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Minebea Co Ltd | 回転体トルク測定装置 |
| US20070003285A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Meyer A D | Optical signal source wavelength stabilization system and method |
| US8502452B2 (en) | 2010-07-28 | 2013-08-06 | Usl Technologies, Llc | High-stability light source system and method of manufacturing |
| CN107525583A (zh) * | 2016-06-22 | 2017-12-29 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种用于高功率光纤激光器的全光纤功率测量系统 |
| US11320267B2 (en) * | 2017-03-23 | 2022-05-03 | Kvh Industries, Inc. | Integrated optic wavemeter and method for fiber optic gyroscopes scale factor stabilization |
| US10725243B2 (en) | 2017-04-27 | 2020-07-28 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Stabilized broadband light source apparatus and methods |
| US20230223732A1 (en) * | 2022-01-12 | 2023-07-13 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Laser device and optical apparatus including the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4299490A (en) * | 1978-12-07 | 1981-11-10 | Mcdonnell Douglas Corporation | Phase nulling optical gyro |
| US4410275A (en) * | 1981-03-31 | 1983-10-18 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Fiber optic rotation sensor |
| US4529262A (en) * | 1983-05-09 | 1985-07-16 | At&T Bell Laboratories | Inline optical fiber attentuator |
-
1987
- 1987-02-20 US US07/017,430 patent/US4887900A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-01-11 CA CA000556189A patent/CA1304970C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-12 EP EP88301180A patent/EP0279602A3/en not_active Ceased
- 1988-02-19 JP JP63038467A patent/JPS63233583A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6393168B1 (en) | 1998-03-31 | 2002-05-21 | Ntt Advanced Technology Corporation | Method and apparatus for maintaining optical signal having low degree of polarization in specific state of polarization |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1304970C (en) | 1992-07-14 |
| EP0279602A3 (en) | 1989-04-05 |
| US4887900A (en) | 1989-12-19 |
| EP0279602A2 (en) | 1988-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4887900A (en) | Polarization maintaining fiber interferometer and method for source stabilization | |
| US4842358A (en) | Apparatus and method for optical signal source stabilization | |
| US4915503A (en) | Fiber optic gyroscope with improved bias stability and repeatability and method | |
| US4735506A (en) | Phase nulling optical gyroscope | |
| US4890922A (en) | Thermally compensated reference interferometer and method | |
| US4997282A (en) | Dual fiber optic gyroscope | |
| US4773759A (en) | Interferometer with Kerr effect compensation | |
| JPH03138614A (ja) | 光導波路により導波された光の偏光を制御するためのシステムと方法 | |
| US5037205A (en) | Integrated optic interferometric fiber gyroscope module and method | |
| JP2016004048A (ja) | 光学的誤差の低減した小型で低コストな共振器光ファイバジャイロスコープ | |
| US5020912A (en) | Fiber optic rotation sensing system and method for basing a feedback signal outside of a legion of instability | |
| JPH08506898A (ja) | スペクトル変化系誤差の制御 | |
| EP0260885B1 (en) | Dual fiber optic gyroscope | |
| GB2201256A (en) | Thermally compensated reference interferometer and method | |
| EP0502196B1 (en) | Optical interference angular velocity meter | |
| KR900008876B1 (ko) | 광섬유 회전 감지기 | |
| JPH0743264B2 (ja) | 統合されたオプチック干渉計的ファイバジャイロスコープモジュール | |
| KR910002592B1 (ko) | 케르 효과 보상 간섭계 | |
| AU554903B2 (en) | Interferometer with kerr effect compensation | |
| JPH07128078A (ja) | カー効果補償を伴なう干渉計 | |
| JPS6135486B2 (ja) |