JPS6323382A - 分布反射型半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
分布反射型半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS6323382A JPS6323382A JP6510286A JP6510286A JPS6323382A JP S6323382 A JPS6323382 A JP S6323382A JP 6510286 A JP6510286 A JP 6510286A JP 6510286 A JP6510286 A JP 6510286A JP S6323382 A JPS6323382 A JP S6323382A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、光通信等に用いられる分布反射型半導体レ
ーザの製造方法に関する。
ーザの製造方法に関する。
「従来の技術」
長手方向に連続形成されている外部導波路層中に活性導
波路層を埋め込み、さらに、活性導波路層と外部導波路
層との間の電界分布の整合をとり、これにより、結合部
でのレーザ光の反射を極めて低減さＵ′、なおかっ、注
入電流が活性導波路層に集中的に供給されるように電流
狭窄層を設けた分布反射型半導体レーザが開発され効果
をあげている。
波路層を埋め込み、さらに、活性導波路層と外部導波路
層との間の電界分布の整合をとり、これにより、結合部
でのレーザ光の反射を極めて低減さＵ′、なおかっ、注
入電流が活性導波路層に集中的に供給されるように電流
狭窄層を設けた分布反射型半導体レーザが開発され効果
をあげている。
第２図は、上記構成による分布反射型半導体レーザの構
成を示す断面斜視図である。
成を示す断面斜視図である。
図において、ｌはｐ ＩｎＰ基板、２はｐ−１ｎＰバ
ツフア １會、３はλｇ＝ １．５５μｔｎのＩｎＧａ
ＡｓＰ活性導波路層、４はλｇ＝ １．０〜１．２μｍ
のＨ−１ｎＧａＡｓＰ（またはｎ−ＩｎＰ）保護層、５
はλｇ＝１．３〜１゜４μｎのｎ−１ｎＧａＡｓＰ外部
導波路層、６はｎ−１ｎＰクラッド層、７は５１０２絶
縁膜、８は金属電極、９は金属電極８用の窓部、１０は
分布ブラッグ反射器（回折格子）である。また、１１〜
１３は各々埋込層を構成するｎ−ＩｎＰ層、ｐ−ＩｎＰ
層およびｎ−１ｎＧａＡｓＰ層であり、２０．２０はＰ
−ｒｎＰによって形成されている電流狭窄層である。
ツフア １會、３はλｇ＝ １．５５μｔｎのＩｎＧａ
ＡｓＰ活性導波路層、４はλｇ＝ １．０〜１．２μｍ
のＨ−１ｎＧａＡｓＰ（またはｎ−ＩｎＰ）保護層、５
はλｇ＝１．３〜１゜４μｎのｎ−１ｎＧａＡｓＰ外部
導波路層、６はｎ−１ｎＰクラッド層、７は５１０２絶
縁膜、８は金属電極、９は金属電極８用の窓部、１０は
分布ブラッグ反射器（回折格子）である。また、１１〜
１３は各々埋込層を構成するｎ−ＩｎＰ層、ｐ−ＩｎＰ
層およびｎ−１ｎＧａＡｓＰ層であり、２０．２０はＰ
−ｒｎＰによって形成されている電流狭窄層である。
ここで、上記構成において、
ｎｓ＋ｐ−１ｎＰ基板ｌおよびｎ−１ｎＰクラッド層６
の屈折率 ｎａｃｔ ：活性導波路層３の屈折率 ｎｃｏｖ ：保護層４の屈折率 ｎｅｘｔ ：外部導波路層５の屈折率 ｔａｃｔ ：活性導波路層３の厚さ ｔｃｏｖ ：保護層４の厚さ ｔｅｘｔ ：外部導波路層５の厚さ とした場合に、 ｎａｃｔ ＞ ｎｅｘｔ ＞ ｎｃｏｖ≧ｎｓ −−
（１）となるようにし、かっ、この条件のもとて各層の
物質組成および厚さｔａｃｔ、 ｔｃｏｖ、 ｔｅｘｔ
を適切に設定することにより、伝播定数および電界分布
の整合を得ろことが可能となる。そして、実験結果によ
れば、活性導波路層３と外部導波路層５との間の結合効
率を９０％以上、１００％に近い値とすることかできる
。
の屈折率 ｎａｃｔ ：活性導波路層３の屈折率 ｎｃｏｖ ：保護層４の屈折率 ｎｅｘｔ ：外部導波路層５の屈折率 ｔａｃｔ ：活性導波路層３の厚さ ｔｃｏｖ ：保護層４の厚さ ｔｅｘｔ ：外部導波路層５の厚さ とした場合に、 ｎａｃｔ ＞ ｎｅｘｔ ＞ ｎｃｏｖ≧ｎｓ −−
（１）となるようにし、かっ、この条件のもとて各層の
物質組成および厚さｔａｃｔ、 ｔｃｏｖ、 ｔｅｘｔ
を適切に設定することにより、伝播定数および電界分布
の整合を得ろことが可能となる。そして、実験結果によ
れば、活性導波路層３と外部導波路層５との間の結合効
率を９０％以上、１００％に近い値とすることかできる
。
また、電流狭窄層２０があるために、活性導波路層３以
外の領域における基板ｌと金属電極８との間には、ｐｎ
ｐｎサイリスタ構造が形成され、この部分に流れる電流
が阻止される。すなわち、リーク電流か発生けず、注入
電流が活性導波路層に集中して流れ、極めて効率の良い
発振が行なわれる。
外の領域における基板ｌと金属電極８との間には、ｐｎ
ｐｎサイリスタ構造が形成され、この部分に流れる電流
が阻止される。すなわち、リーク電流か発生けず、注入
電流が活性導波路層に集中して流れ、極めて効率の良い
発振が行なわれる。
このように、第２図に示す構成によれば、活性導波路層
３と外部導波路層５との間の結合を極めて良好に行うこ
とができるから、反射や散乱等の発生をほとんどなくす
ことができ、これによって、高効率で高安定な単一モー
ドのレーザ発振を行うことができるとともに、注入電流
が集中的に活性導波路層に供給されるから、高効率の発
振を行うことができる。
３と外部導波路層５との間の結合を極めて良好に行うこ
とができるから、反射や散乱等の発生をほとんどなくす
ことができ、これによって、高効率で高安定な単一モー
ドのレーザ発振を行うことができるとともに、注入電流
が集中的に活性導波路層に供給されるから、高効率の発
振を行うことができる。
なお、第２図に示す構成において各層の導電性（ｐ型と
ｎ型〕を反転させても、全く同様の効果が得られる。た
だし、この場合にはキャップ層と拡散領域とが必要にな
る。
ｎ型〕を反転させても、全く同様の効果が得られる。た
だし、この場合にはキャップ層と拡散領域とが必要にな
る。
次に、第２図に示す分布反射型半導体レーザの製造方法
について、第８図を参照して説明する。
について、第８図を参照して説明する。
まず、第３図（イ）に示すように、−回目の成長工程と
してバッファ層２上に活性導波路層３と保護層４を順次
エピタキシャル成長によって形成し、次いで、レーザ光
軸方向中央部以外の部分をバッファ層に至るまでエツチ
ングして分布ブラッグ反射器１０．１０を作成し、その
後に同図（ロ）に示すように外部導波路層５を成長させ
る（２回目の成長工程）。そして、活性導波路層３の上
方に対応する外部導波路層５の上面に５ｉｎ２絶縁膜を
形成し、その後に、３回目の成長工程として電流狭窄層
２０をエピタキシャル成長させる（第３図（ハ）参照）
。次に、Ｓｉｎ、絶縁膜を除去した後に４回目の成長工
程として、同図（ニ）に示すように、ｎ−ＩｎＰクラッ
ド層６を成長させると成形が完了し、その後は通常の方
法によって低電流駆動及び横モード安定のための埋込成
長を行い、さらに絶縁膜７、金属電極８を形成すること
によって、−連の製造工程が終了する。
してバッファ層２上に活性導波路層３と保護層４を順次
エピタキシャル成長によって形成し、次いで、レーザ光
軸方向中央部以外の部分をバッファ層に至るまでエツチ
ングして分布ブラッグ反射器１０．１０を作成し、その
後に同図（ロ）に示すように外部導波路層５を成長させ
る（２回目の成長工程）。そして、活性導波路層３の上
方に対応する外部導波路層５の上面に５ｉｎ２絶縁膜を
形成し、その後に、３回目の成長工程として電流狭窄層
２０をエピタキシャル成長させる（第３図（ハ）参照）
。次に、Ｓｉｎ、絶縁膜を除去した後に４回目の成長工
程として、同図（ニ）に示すように、ｎ−ＩｎＰクラッ
ド層６を成長させると成形が完了し、その後は通常の方
法によって低電流駆動及び横モード安定のための埋込成
長を行い、さらに絶縁膜７、金属電極８を形成すること
によって、−連の製造工程が終了する。
「発明が解決しようとする問題点Ｊ
ところで、上述した従来の半導体レーザの製造方法にお
いては、第３図（イ）、（ロ）１（ハ）、（ニ）に示す
４回のエピタキシャル成長工程（埋込成長工程を含むと
５回）があるが、この成長工程は少ないほど作業効率か
よい。また、１つの成長工程から次の成長工程へ移る際
には、フォトリソグラフィや選択エツチングを行うため
に、素子を外部に出す必要があるが、素子は外部雰囲気
中において悪影響を受けることが多いため、素子の取り
出し回数が多いほど歩どまりは悪くなる。
いては、第３図（イ）、（ロ）１（ハ）、（ニ）に示す
４回のエピタキシャル成長工程（埋込成長工程を含むと
５回）があるが、この成長工程は少ないほど作業効率か
よい。また、１つの成長工程から次の成長工程へ移る際
には、フォトリソグラフィや選択エツチングを行うため
に、素子を外部に出す必要があるが、素子は外部雰囲気
中において悪影響を受けることが多いため、素子の取り
出し回数が多いほど歩どまりは悪くなる。
すなわち、成長工程数を減らして素子の取り出し回数を
減らした方が、歩どまりおよび作業効率の点で有利とな
る。
減らした方が、歩どまりおよび作業効率の点で有利とな
る。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたちので、エピ
タキシャル成長工程数を少なくし得る分布反射型半導体
レーザの製造方法を提供することを目的としている。
タキシャル成長工程数を少なくし得る分布反射型半導体
レーザの製造方法を提供することを目的としている。
「問題点を解決するための手段」
上記問題点を解決するために、活性導波路層およびこの
活性導波路層上に形成される保護層を包むようにして形
成される外部導波路層と、この外部導波路層上に形成さ
れるクラッド層と、このクラッド層と前記外部導波路層
との間の所定の領域に設けられ前記外部導波路層とは逆
導電性の電流狭窄層とを有する分布反射型半導体レーザ
の製造方法において、基板またはバッファ層上に前記活
性導波路層および前記保護層を順次成長させ、その後に
エツチングにより前記活性導波路層と前記保護層の所定
部分以外を除去するとと乙に所定部分以外の前記基板ま
たはバッファ層上に分布ブラッグ反射器を形成し、次い
で、分布ブラッグ反射器および前記保護層上に前記外部
導波路層と前記電流狭窄層を１項次成長させ、その後に
おいて前記活性導波路層の上方に対応する部分の前記電
流狭窄層をエツチングにより除去するようにしている。
活性導波路層上に形成される保護層を包むようにして形
成される外部導波路層と、この外部導波路層上に形成さ
れるクラッド層と、このクラッド層と前記外部導波路層
との間の所定の領域に設けられ前記外部導波路層とは逆
導電性の電流狭窄層とを有する分布反射型半導体レーザ
の製造方法において、基板またはバッファ層上に前記活
性導波路層および前記保護層を順次成長させ、その後に
エツチングにより前記活性導波路層と前記保護層の所定
部分以外を除去するとと乙に所定部分以外の前記基板ま
たはバッファ層上に分布ブラッグ反射器を形成し、次い
で、分布ブラッグ反射器および前記保護層上に前記外部
導波路層と前記電流狭窄層を１項次成長させ、その後に
おいて前記活性導波路層の上方に対応する部分の前記電
流狭窄層をエツチングにより除去するようにしている。
「作用 」
外部導波路層の成長と電流狭窄層の成長とが順次連続し
て行なわれ、その後において、電流狭窄層の所定部分の
みが除去されるから、成長工程数を少なくすることがで
きる。
て行なわれ、その後において、電流狭窄層の所定部分の
みが除去されるから、成長工程数を少なくすることがで
きる。
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図（イ）〜（ハ）は各々この発明の一実施例である
製造工程を説明するための断面図である。
製造工程を説明するための断面図である。
まず、第１図（イ）に示すように、ｐ−ＩｎＰバッファ
層２上２上ｎＧａＡｓＰ活性導波路層３およびｎ−Ｉｎ
Ｐ保護層４を順次エピタキシャル成長させる。この成長
工程が第１回目の成長工程である。
層２上２上ｎＧａＡｓＰ活性導波路層３およびｎ−Ｉｎ
Ｐ保護層４を順次エピタキシャル成長させる。この成長
工程が第１回目の成長工程である。
次に、フォトリソグラフィと、選択エツチングにより、
活性導波路層３と保護層４の中央部以外を除去するとと
もに、分布ブラッグ反射器（回折格子）１０を形成する
。ここまでは、従来方法と同様である。そして、第２回
目の成長工程として、第１図（ロ）に示すように、分布
ブラッグ反射器ｌＯおよび保護層４の上面にｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ外部導波路層５を成長させ、さらに、外部導波
路層５の上面全面にｐ−ＩｎＰ電流狭窄層２０を成長さ
せる。
活性導波路層３と保護層４の中央部以外を除去するとと
もに、分布ブラッグ反射器（回折格子）１０を形成する
。ここまでは、従来方法と同様である。そして、第２回
目の成長工程として、第１図（ロ）に示すように、分布
ブラッグ反射器ｌＯおよび保護層４の上面にｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ外部導波路層５を成長させ、さらに、外部導波
路層５の上面全面にｐ−ＩｎＰ電流狭窄層２０を成長さ
せる。
次に、電流狭窄層２０のうち、活性導波路層３の上方に
対応する領域部分を、フォトリソグラフィにより除去し
、その後において、第３回目の成長工程として第１図（
ハ）に示すように、ｎ−１ｎＰクラッド層６を成長させ
る。さらに、絶縁膜７、金属電極８を形成すれば、一連
の製造工程が終了する。すなわち、この実施例によれば
、埋込成長も含めて合計４回の成長工程で素子の形成が
完了する。
対応する領域部分を、フォトリソグラフィにより除去し
、その後において、第３回目の成長工程として第１図（
ハ）に示すように、ｎ−１ｎＰクラッド層６を成長させ
る。さらに、絶縁膜７、金属電極８を形成すれば、一連
の製造工程が終了する。すなわち、この実施例によれば
、埋込成長も含めて合計４回の成長工程で素子の形成が
完了する。
なお、第１図（ロ）に示す２回目の成長時において、ｐ
−ＩｎＰ電流狭窄層２０の上面に同図（ニ）に示すよう
に格子整合させたＩｎＧａＡ、ｓＰ４元層３０を成長さ
せ、この層によって電流狭窄層２０を保護するようにし
、成長炉から取り出し後、まず、Ｂ２Ｏを選択エツチン
グにより取り除き、次にフォトリソグラフィ及び選択エ
ツチングで活性導波路層３の上方に対応する電流狭窄層
２０を除去してもよい。すなわち、電流狭窄層２０を構
成しているｐ−１ｎＰは、外部雰囲気中の熱によってＰ
成分が飛んでしまうことがあるが、層３０があるとこれ
が防止されるため、ガスエッチのないきれいなｐ−１ｎ
Ｐ電流狭窄層の表面を露出させることができる。
−ＩｎＰ電流狭窄層２０の上面に同図（ニ）に示すよう
に格子整合させたＩｎＧａＡ、ｓＰ４元層３０を成長さ
せ、この層によって電流狭窄層２０を保護するようにし
、成長炉から取り出し後、まず、Ｂ２Ｏを選択エツチン
グにより取り除き、次にフォトリソグラフィ及び選択エ
ツチングで活性導波路層３の上方に対応する電流狭窄層
２０を除去してもよい。すなわち、電流狭窄層２０を構
成しているｐ−１ｎＰは、外部雰囲気中の熱によってＰ
成分が飛んでしまうことがあるが、層３０があるとこれ
が防止されるため、ガスエッチのないきれいなｐ−１ｎ
Ｐ電流狭窄層の表面を露出させることができる。
また、この実施例における各層の導電性（ｐ、ｎ）を反
対にしても、まったく同様の効果を得ることができ、さ
らに、バッファ層２を設けず、基Ｖｉ、１の上に活性導
波路層３、分布ブラッグ反射器１０を設ける場合におい
てら、全く同様の製造工毘とすることができる。
対にしても、まったく同様の効果を得ることができ、さ
らに、バッファ層２を設けず、基Ｖｉ、１の上に活性導
波路層３、分布ブラッグ反射器１０を設ける場合におい
てら、全く同様の製造工毘とすることができる。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、活性導波路層
およびこの活性導波路層上に形成される保護層を包むよ
うにして形成される外部導波路層と、この外部導波路層
上に形成されるクラッド層と、このクラッド層と前記外
部導波路層との間の所定の領域に設けられ前記外部導波
路層とは逆導電性の電流狭窄層とを有する分布反射型半
導体レーザのｉ！！造方法において、基板またはバッフ
ァ層上に前記活性導波路層および前記保護層を順次成長
させ、その後に選択エツチングにより前記活性導波路層
と前記保護層の所定部分以外を除去ずろとともに、所定
部分以外の前記基板またはバッファ層上に分布ブラッグ
反射器を形成し、次いで、前記分布ブラッグ反射器およ
び前記保護層上に前記外部導波路層と前記電流狭窄層を
順次成長させ、その後において前記活性導波路層の上方
に対応する部分の前記電流狭窄層をエツチングにより除
去するようにしたので、エピタキンヤル成長工程を従来
の方法に比べて１回少なくし得る利点が得られる。
およびこの活性導波路層上に形成される保護層を包むよ
うにして形成される外部導波路層と、この外部導波路層
上に形成されるクラッド層と、このクラッド層と前記外
部導波路層との間の所定の領域に設けられ前記外部導波
路層とは逆導電性の電流狭窄層とを有する分布反射型半
導体レーザのｉ！！造方法において、基板またはバッフ
ァ層上に前記活性導波路層および前記保護層を順次成長
させ、その後に選択エツチングにより前記活性導波路層
と前記保護層の所定部分以外を除去ずろとともに、所定
部分以外の前記基板またはバッファ層上に分布ブラッグ
反射器を形成し、次いで、前記分布ブラッグ反射器およ
び前記保護層上に前記外部導波路層と前記電流狭窄層を
順次成長させ、その後において前記活性導波路層の上方
に対応する部分の前記電流狭窄層をエツチングにより除
去するようにしたので、エピタキンヤル成長工程を従来
の方法に比べて１回少なくし得る利点が得られる。
第１図（イ）〜（ロ）は各々この発明の一実施例を適用
した製造工程を説明するための断面図、第２図は電流狭
窄層を設けた分布反射型半導体レーザの構成を示す断面
斜視図、第３図（イ）〜（ニ）は各々従来の製造方法に
おける製造工程を説明するための断面図である。 １・・・・・基板、２・・・・・バッファ層、３・・・
・・・活性導波路層、４・・ ・保護層、５・・・・・
・外部導波路層、６・・・・・・クラッド層、１０・・
・・・・分布ブラッグ反射器、２０・・・・・・電流狭
窄層。 出頼人 藤倉電線株式会社 東京工業大学 新技術開発事業団 第３図 ＋ Ｚ ３’＋ ：）手続補正書坊
却 １ 事件の表示 昭和６１年特許願第６５１０２号 ２、発明の名称 分布反射型半導体レーザの製造方法 ３、補正をする音
した製造工程を説明するための断面図、第２図は電流狭
窄層を設けた分布反射型半導体レーザの構成を示す断面
斜視図、第３図（イ）〜（ニ）は各々従来の製造方法に
おける製造工程を説明するための断面図である。 １・・・・・基板、２・・・・・バッファ層、３・・・
・・・活性導波路層、４・・ ・保護層、５・・・・・
・外部導波路層、６・・・・・・クラッド層、１０・・
・・・・分布ブラッグ反射器、２０・・・・・・電流狭
窄層。 出頼人 藤倉電線株式会社 東京工業大学 新技術開発事業団 第３図 ＋ Ｚ ３’＋ ：）手続補正書坊
却 １ 事件の表示 昭和６１年特許願第６５１０２号 ２、発明の名称 分布反射型半導体レーザの製造方法 ３、補正をする音
Claims (1)
- 活性導波路層およびこの活性導波路層上に形成される保
護層を包むようにして形成される外部導波路層と、この
外部導波路層上に形成されるクラッド層と、このクラッ
ド層と前記外部導波路層との間の所定の領域に設けられ
前記外部導波路層とは逆導電性の電流狭窄層とを有する
分布反射型半導体レーザの製造方法において、基板また
は前記基板上のバッファ層上に前記活性導波路層および
前記保護層を順次成長させ、その後に前記活性導波路層
と前記保護層の所定部分以外を除去するとともに所定部
分以外の前記基板またはバッファ層上に前記分布ブラッ
グ反射器を形成し、次いで、前記分布ブラッグ反射器お
よび前記保護層上に前記外部導波路層と前記電流狭窄層
を順次成長させ、その後において前記活性導波路層の上
方に対応する部分の前記電流狭窄層を除去した後にクラ
ッド層を成長させることを特徴とする分布反射型半導体
レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6510286A JPS6323382A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 分布反射型半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6510286A JPS6323382A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 分布反射型半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6323382A true JPS6323382A (ja) | 1988-01-30 |
| JPH0528916B2 JPH0528916B2 (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=13277205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6510286A Granted JPS6323382A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 分布反射型半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6323382A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045066A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPWO2023248412A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6510286A patent/JPS6323382A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045066A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPWO2023248412A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | ||
| WO2023248412A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザ、波長可変レーザモジュールおよび波長可変レーザの層構造の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0528916B2 (ja) | 1993-04-27 |
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