JPS632344A - ウエハチツプの検出方法 - Google Patents
ウエハチツプの検出方法Info
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- JPS632344A JPS632344A JP61144753A JP14475386A JPS632344A JP S632344 A JPS632344 A JP S632344A JP 61144753 A JP61144753 A JP 61144753A JP 14475386 A JP14475386 A JP 14475386A JP S632344 A JPS632344 A JP S632344A
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- chips
- wafer
- chip
- wafer chips
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はダイボンダの如き電子部品の自動実装機におけ
る視覚認識によるウェハチップの検出方法に関する。
る視覚認識によるウェハチップの検出方法に関する。
（背景技術）
ウェハチップは、多数の半導体回路が形成された円板状
のウェハを半導体回路単位毎に格子状に切断して得られ
るものであり、第７図に示すように接看剤付透明シート
１２の上にウェハ１０を載せ、カッタ（図示せず）によ
り格子状に切断した後、接着剤付透明シート１２の基台
となっているエキスバンドリング１３を拡げ、第８図に
示すように個々のウェハチップ１１を分離し、ダイボン
ダ等による実装を行えるようにしている。
のウェハを半導体回路単位毎に格子状に切断して得られ
るものであり、第７図に示すように接看剤付透明シート
１２の上にウェハ１０を載せ、カッタ（図示せず）によ
り格子状に切断した後、接着剤付透明シート１２の基台
となっているエキスバンドリング１３を拡げ、第８図に
示すように個々のウェハチップ１１を分離し、ダイボン
ダ等による実装を行えるようにしている。
しかして、ウェハチップは上記のようにして製造される
ため、以下の如き不規則要因を含んでいる。すなわち、 ■ウェハは円形をしているため、端面のウェハチップは
均一な形状をしていない。また、水平、垂直方向のウェ
ハチップの数も不均一である。
ため、以下の如き不規則要因を含んでいる。すなわち、 ■ウェハは円形をしているため、端面のウェハチップは
均一な形状をしていない。また、水平、垂直方向のウェ
ハチップの数も不均一である。
■ウェハの切断時に一部のウェハチップに欠け。
割れ等を生じることがある。
■ウニ八を引き延ばす際にウェハチップ間の引き延ばし
率がばらつき、ウェハチップ間のピッチが不均一となる
ことがある。
率がばらつき、ウェハチップ間のピッチが不均一となる
ことがある。
等である。
このようなことから、ウェハチップの実装を行うダイポ
ンダ等の自動実装機にあっては、要求される位置晴度を
満たすために視覚認識によるウェハチップの確認が必要
とされ、実装に先立ってウェハチップの形状良否の判定
および取出位置の検出を行う必要がある。
ンダ等の自動実装機にあっては、要求される位置晴度を
満たすために視覚認識によるウェハチップの確認が必要
とされ、実装に先立ってウェハチップの形状良否の判定
および取出位置の検出を行う必要がある。
第９図は従来の認識方法を示したものであり、認識に先
立ってオペレータより （１）認識スタート位置（いずれかのウェハチップのチ
ップセンター） （２）ウェハチップ間のピッチ がデータとして与えられる。
立ってオペレータより （１）認識スタート位置（いずれかのウェハチップのチ
ップセンター） （２）ウェハチップ間のピッチ がデータとして与えられる。
しかして、動作は次のように行われる。
■最初にオペレータより与えられた認識位置においてウ
ェハチップを認識しくステップ２０１）、形状の良否を
判断し、実装の可否を判断する（ステップ２０２）。
ェハチップを認識しくステップ２０１）、形状の良否を
判断し、実装の可否を判断する（ステップ２０２）。
■実装可の場合はウェハチップの位置を検出し、実装を
行い（ステップ２０３）、オペレータにより与えられた
ピッチデータにより次の認識位置へ移動しくステップ２
０４）、同様に認識を行う（ステップ２０１）。
行い（ステップ２０３）、オペレータにより与えられた
ピッチデータにより次の認識位置へ移動しくステップ２
０４）、同様に認識を行う（ステップ２０１）。
■実装否の場合は実装を行わず、次の認識位置に移動し
くステップ２０４） 、再び認識を行う（ステップ２０
１）。
くステップ２０４） 、再び認識を行う（ステップ２０
１）。
０以上を繰り返し実行し、ウェハチップの実装を行って
いく。
いく。
しかして、上記の従来の方法でシよ、第１０図（イ）に
示すようにウェハチップ１１が一定のピッチｐで整列し
ている場合には認識エリアＡ内でウェハチップ１１が繰
り返し検出でき、問題は生じないが、第１Ｏ図（ロ）、
（ハ）の如くウェハチップ１１の引き延ばし率がばらつ
いている場合やウェハチップ１１が全体的に傾いている
場合には認識エリアＡ内でウェハチップ１１が検出でき
ず、検出を中断してオペレータによるピッチデータの補
正あるいはウェハチップの傾き補正を行う必要があった
。
示すようにウェハチップ１１が一定のピッチｐで整列し
ている場合には認識エリアＡ内でウェハチップ１１が繰
り返し検出でき、問題は生じないが、第１Ｏ図（ロ）、
（ハ）の如くウェハチップ１１の引き延ばし率がばらつ
いている場合やウェハチップ１１が全体的に傾いている
場合には認識エリアＡ内でウェハチップ１１が検出でき
ず、検出を中断してオペレータによるピッチデータの補
正あるいはウェハチップの傾き補正を行う必要があった
。
また、上記の方法では不良品のウェハチップを検出した
際に再認識を必要とするため、実装タクトに与える影響
が問題となっていた。すなわち、ウェハチップが良品で
ある場合は認識に続いて実装が行えるが、不良品である
場合は良品を検出するまで実装を見送らなければならな
いため、所定のリズムで実装を行うことができなかった
。
際に再認識を必要とするため、実装タクトに与える影響
が問題となっていた。すなわち、ウェハチップが良品で
ある場合は認識に続いて実装が行えるが、不良品である
場合は良品を検出するまで実装を見送らなければならな
いため、所定のリズムで実装を行うことができなかった
。
一方、第１１図は従来における列認識終了（１列のウェ
ハチップの認識を終了した状態）を判断する方法を示し
たものであり、第１１図（イ）の（至）−Ｇψ→（ｖ）
のように３回連続して不良品あるいはチップ無しと判断
した場合に列認識終了と判断するようにしていた。なお
、第１１図（ロ）はそのフローチャートであり、ステッ
プ２０５において不良品あるいはチップ無しが３回連続
するのを判断し、結果がＹＥＳであればステップ２０６
において列認識終了と判断していた。
ハチップの認識を終了した状態）を判断する方法を示し
たものであり、第１１図（イ）の（至）−Ｇψ→（ｖ）
のように３回連続して不良品あるいはチップ無しと判断
した場合に列認識終了と判断するようにしていた。なお
、第１１図（ロ）はそのフローチャートであり、ステッ
プ２０５において不良品あるいはチップ無しが３回連続
するのを判断し、結果がＹＥＳであればステップ２０６
において列認識終了と判断していた。
また、第１２図は全認識終了（全てのウェハチップの認
識を終了した状態）を判断する方法を示したものであり
、第１２図（イ）のに）→−→−−■→−（支）→（５
）のように列認識終了の後に６＠連続して不良品あるい
はチップ無しと判断した場合に全認識終了と判断するよ
うにしていた。なお、第１２図（ロ）はそのフローチャ
ートであり、ステップ２０７において列ｗｔ識終了の後
に不良品あるいはチップ無しが６回連続するのを判断し
、結果がＹＥＳであればステップ２０８において全認１
１１終了と判断していた。
識を終了した状態）を判断する方法を示したものであり
、第１２図（イ）のに）→−→−−■→−（支）→（５
）のように列認識終了の後に６＠連続して不良品あるい
はチップ無しと判断した場合に全認識終了と判断するよ
うにしていた。なお、第１２図（ロ）はそのフローチャ
ートであり、ステップ２０７において列ｗｔ識終了の後
に不良品あるいはチップ無しが６回連続するのを判断し
、結果がＹＥＳであればステップ２０８において全認１
１１終了と判断していた。
しかして、列認識終了、全認識終了のいずれも判断まで
に要する認識の回数が多く、実装タクトに影響を与えて
いた。
に要する認識の回数が多く、実装タクトに影響を与えて
いた。
（発明の目的）
本発明は上記の点に鑑み提案されたものであり、認識位
置の自動補正を行うことによりオペレータの介在をなく
すと共に、不良品ウェハチップのための再Ｊ ｍ等によ
る実装タクトへの影響をなくすことができるウェハチッ
プの検出方法を提供することを目的としている。
置の自動補正を行うことによりオペレータの介在をなく
すと共に、不良品ウェハチップのための再Ｊ ｍ等によ
る実装タクトへの影響をなくすことができるウェハチッ
プの検出方法を提供することを目的としている。
（発明の開示）
息下、実施例を示す図面に沿って本発明を詳述する。
第１図は本発明を具体化したシステムの構成を示すもの
であり、ＸＹ子テーブル５上にウェハチップ１１が並ぶ
ウニ八リング１４を固定し、ウェハチップ１１をＩＴＶ
カメラ１により撮像し、撮像信号より認識装置２で画像
処理を行い、認識結果をＲ３−２３２Ｇ回線の如き通信
回線３によりダイボンダコントローラ４に転送し、ウェ
ハチップ１１の認識位置および取出位置へとＸＹ子テー
ブル５を制御するようになっている。
であり、ＸＹ子テーブル５上にウェハチップ１１が並ぶ
ウニ八リング１４を固定し、ウェハチップ１１をＩＴＶ
カメラ１により撮像し、撮像信号より認識装置２で画像
処理を行い、認識結果をＲ３−２３２Ｇ回線の如き通信
回線３によりダイボンダコントローラ４に転送し、ウェ
ハチップ１１の認識位置および取出位置へとＸＹ子テー
ブル５を制御するようになっている。
以下、本発明によるウェハチップの検出方法を、同時に
認識するウェハチップの個数を４個として説明する。
認識するウェハチップの個数を４個として説明する。
第２図は認識および実装の工程を示したものであり、認
識に先立ってオペレー、夕より（１）認識スタート位置
（４個のウェハチップのセンター） がデータとして与えられろ。
識に先立ってオペレー、夕より（１）認識スタート位置
（４個のウェハチップのセンター） がデータとして与えられろ。
しかして、最初にオペレータにより与えられた認識位置
にて４個のウェハチップを同時に認識しくステップ１０
２）、良品チップの数にかかわらず例えば１個の良品チ
ップを実装しくステップ１０３） 、認識結果より次の
認識位置をピッチ補正を含めて算出しくステップ１０４
）、ＸＹ子テーブル５を移動させ（ステップ１０１）、
同様に認識を行う（ステップ１０２）。そして、これら
の動作を繰り返し行い、ウェハチップの実装を行ってい
く。
にて４個のウェハチップを同時に認識しくステップ１０
２）、良品チップの数にかかわらず例えば１個の良品チ
ップを実装しくステップ１０３） 、認識結果より次の
認識位置をピッチ補正を含めて算出しくステップ１０４
）、ＸＹ子テーブル５を移動させ（ステップ１０１）、
同様に認識を行う（ステップ１０２）。そして、これら
の動作を繰り返し行い、ウェハチップの実装を行ってい
く。
第３図は認識の様子を示したものであゆ、（イ）はウェ
ハチップ１１が一定のピッチで整列している場合、（ロ
）はウェハチップ１１の引き延ばし率がばらついてピッ
チがずれている場合、（ハ）はウニ八チップ１１全体が
傾斜している場合である。
ハチップ１１が一定のピッチで整列している場合、（ロ
）はウェハチップ１１の引き延ばし率がばらついてピッ
チがずれている場合、（ハ）はウニ八チップ１１全体が
傾斜している場合である。
しかして、同時に認識した４個のウェハチップ１１ａ、
ｌｌｂ、 ｌｌｅ、 ｌｌｄより次の４個のウェハチ
ップのチップセンター〇を算出して補正を与え、認識エ
リアＡを移動させていくので、認識エリアＡ内にウェハ
チップが検出できなくなるということがなくなるもので
ある。
ｌｌｂ、 ｌｌｅ、 ｌｌｄより次の４個のウェハチ
ップのチップセンター〇を算出して補正を与え、認識エ
リアＡを移動させていくので、認識エリアＡ内にウェハ
チップが検出できなくなるということがなくなるもので
ある。
次に、ウェハチップの取出位置および次回の認識におけ
る認識エリアのセンターの算出方法について説明する。
る認識エリアのセンターの算出方法について説明する。
第４図は認識エリアＡ内の４個のウェハチップｌｌａ、
ｌｌｂ、 ｌｌｃ、 ｌｉｄを示しており、Ｃはその
認識の際のセンター（認識センター）、Ｃ，、Ｃ，。
ｌｌｂ、 ｌｌｃ、 ｌｉｄを示しており、Ｃはその
認識の際のセンター（認識センター）、Ｃ，、Ｃ，。
Ｃ３，ｃ、はウェハチップｌｌａ、 ｌｌｂ、 ｌｉｅ
、 ｌｌｄの重心位置 Ｃ／は４個のウェハチップｌｌ
ａ、 ｌｌｂ。
、 ｌｌｄの重心位置 Ｃ／は４個のウェハチップｌｌ
ａ、 ｌｌｂ。
１１ｃ、 ｌｉｄの実際のセンター（４チツプセンター
）である。なお、ｃ、、 Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，ｃ’はセ
ンターのを基準とした相対位置を示すベクトルである。
）である。なお、ｃ、、 Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，ｃ’はセ
ンターのを基準とした相対位置を示すベクトルである。
しかして、画像処理により４個のウェハチップｌｌａ、
ｌｌｂ、 ｌｉｅ、 ｌｉｄの重心位置Ｃ，，Ｃ２，
Ｃ，。
ｌｌｂ、 ｌｉｅ、 ｌｉｄの重心位置Ｃ，，Ｃ２，
Ｃ，。
Ｃ４が測定されるので、ダイボンダによる取出位置は次
のように求められ、良品のウエノλチップにつき実装が
行われる。
のように求められ、良品のウエノλチップにつき実装が
行われる。
１１ａ：Ｃ＋Ｃ
１１ｂ：Ｃ＋Ｃ
１１ｅ：Ｃ＋Ｃ。
ｌｉｄ：Ｃ＋０４
また、４チツプセンターＣ′は
（Ｃ’＝ （（［：、＋（Ｃ２＋Ｃ３＋（Ｃ４） ／４
により求めることができろ。なお、このＣ′は認識セン
ターと４個のウェハチップのセンターとのズレを示すも
のである。
により求めることができろ。なお、このＣ′は認識セン
ターと４個のウェハチップのセンターとのズレを示すも
のである。
しかして、次回の認識位置のセンターは次式により求め
られる。
られる。
Ｘ成分：Ｃｘ＋Ｃ′８＋２Ｐｘ
Ｙ成分：Ｃ，＋Ｃ’、
なお、ｃｘ、 ｃ’、はｃ、ｃ’のＸ成分を、ＣＹ。
Ｃ′７はｃ、ｃ’のＹ成分を表わすものとする。また、
上式におけるＰｘはＸ軸方向のウニ／’１チップ間のピ
ッチであり、 Ｐｘ＝（Ｃ２ｘ−Ｃ１ｘ＋Ｃ４゜−Ｃ，ｘ）／ ２で求
められ、ここでは４個のウェハチップを同時に認識する
ようにしているのでＰ８を２倍したものを加算するよう
にしている。
上式におけるＰｘはＸ軸方向のウニ／’１チップ間のピ
ッチであり、 Ｐｘ＝（Ｃ２ｘ−Ｃ１ｘ＋Ｃ４゜−Ｃ，ｘ）／ ２で求
められ、ここでは４個のウェハチップを同時に認識する
ようにしているのでＰ８を２倍したものを加算するよう
にしている。
次いで、上記の認識を１列に沿って繰り返して行き、列
認識終了を判断した際には次式により次の認識位置の算
出を行う。
認識終了を判断した際には次式により次の認識位置の算
出を行う。
Ｘ成分： Ｃｘ−Ｃ’ｘ−２Ｐｘ
Ｙ成分： Ｃ，−Ｃ’、＋ ２ ＰＹ
なお、上式におけるＰ７はＹ軸方向のウェハチップ間の
ピッチであり、 Ｐヶ−（Ｃ８Ｙ−Ｃ３７＋Ｃ２，、−Ｃ４ｖ）／２で求
められる。そして、この計算結果により垂直方向への認
識位置の移動を行い、再び水平方向の認識位置の移動を
行う。なお、折返し後の水平方向の移動方向は前回まで
の方向と逆向きであり、よって、次回の認識を行う位置
は次式％式％ なお、上記の各式におけるウェハチップ１１ａ。
ピッチであり、 Ｐヶ−（Ｃ８Ｙ−Ｃ３７＋Ｃ２，、−Ｃ４ｖ）／２で求
められる。そして、この計算結果により垂直方向への認
識位置の移動を行い、再び水平方向の認識位置の移動を
行う。なお、折返し後の水平方向の移動方向は前回まで
の方向と逆向きであり、よって、次回の認識を行う位置
は次式％式％ なお、上記の各式におけるウェハチップ１１ａ。
１１ｂ、 ｌｉｅ、 １ｉｄ（７）重心位置（Ｃ，、Ｃ
２，Ｃ３，Ｃ４１！、認識エリアＡ内に４個ともウェハ
チップが存在し、かつ形状良品ウェハチップの場合しか
得られないため、不良がある場合や列の最後にあっては
Ｃ′、Ｐｘ、ＰＹが計算できないが、そのような場合は
前回に検知された（Ｃ’、 Ｐｘ、 Ｐ、を使用するも
のである。
２，Ｃ３，Ｃ４１！、認識エリアＡ内に４個ともウェハ
チップが存在し、かつ形状良品ウェハチップの場合しか
得られないため、不良がある場合や列の最後にあっては
Ｃ′、Ｐｘ、ＰＹが計算できないが、そのような場合は
前回に検知された（Ｃ’、 Ｐｘ、 Ｐ、を使用するも
のである。
しかして、上記の動作を全認識終了を判断するまで繰り
返し行い、その都度、同時認識する４個のウェハチップ
に対し例えば１個のウェハチップを実装するようにして
いるため、不良がはなはだしい部分に認識エリアがさし
かかった場合やウェハ端部においても、既に前回までの
認識において良品と判断されたウェハチップ（その位置
がダイボンダコントローラ４内のバッファに蓄えられて
いる。）の実装を行え、実装タクトを乱すことなく作業
を進めることができる。
返し行い、その都度、同時認識する４個のウェハチップ
に対し例えば１個のウェハチップを実装するようにして
いるため、不良がはなはだしい部分に認識エリアがさし
かかった場合やウェハ端部においても、既に前回までの
認識において良品と判断されたウェハチップ（その位置
がダイボンダコントローラ４内のバッファに蓄えられて
いる。）の実装を行え、実装タクトを乱すことなく作業
を進めることができる。
なお、実際の認識においては上記の位置を示すデータの
他に、 ■形状良品チップ ■バッドマークチップ ■形状良品チップ ■チップ無し といったウェハチップの状態を検出するようにしている
。なお、上記のバッドマークとは電気的な特性に異常が
あるウェハチップに付されたマークである。
他に、 ■形状良品チップ ■バッドマークチップ ■形状良品チップ ■チップ無し といったウェハチップの状態を検出するようにしている
。なお、上記のバッドマークとは電気的な特性に異常が
あるウェハチップに付されたマークである。
次に、第５図は列＃Ｆｔ識終了を判断する方法を示した
ものであり、第５図（イ）の（２）のように認識エリア
Ａ内に２個以上のウェハチップが形状不良であるかチッ
プ無しである場合と、（ｌＶｌのように認識エリアＡ内
のウェハチップが４個とも無い場合が連続した際に列認
識終了と判断するようにしている。なお、第５図（ロ）
はそのフローチャートであり、ステップ１０５において
認識エリアＡ内において２個以上のウェハチップが形状
不良であるかチップ無しであるかを判断し、ステップ１
０Ｂにおいて次のＥＦｔ 識エリア内のウェハチップが
４個とも無いかどうかを判断し、両者が満たされた場合
にステップ１０７において列認識終了と判断するように
している。
ものであり、第５図（イ）の（２）のように認識エリア
Ａ内に２個以上のウェハチップが形状不良であるかチッ
プ無しである場合と、（ｌＶｌのように認識エリアＡ内
のウェハチップが４個とも無い場合が連続した際に列認
識終了と判断するようにしている。なお、第５図（ロ）
はそのフローチャートであり、ステップ１０５において
認識エリアＡ内において２個以上のウェハチップが形状
不良であるかチップ無しであるかを判断し、ステップ１
０Ｂにおいて次のＥＦｔ 識エリア内のウェハチップが
４個とも無いかどうかを判断し、両者が満たされた場合
にステップ１０７において列認識終了と判断するように
している。
また、第６図は全認識終了を判断する方法を示したもの
であり、第６図（イ）の叫→Ｍのように、列認識が行わ
れた（２）の後に認識エリアＡ内のウェハチップが４個
とも無い状態を２回連続して検出した場合に全認識終了
と判断するようにしている。なお、第６図（ロ）はその
フローチャートであり、ステップ１０８において列認識
終了の後に認識エリアＡ内のウェハチップが４個とも無
い状態を２回連続して検出したかどうかを判断し、結果
がＹＥＳであればステップ１０９において全認識終了と
判断するようにしている。
であり、第６図（イ）の叫→Ｍのように、列認識が行わ
れた（２）の後に認識エリアＡ内のウェハチップが４個
とも無い状態を２回連続して検出した場合に全認識終了
と判断するようにしている。なお、第６図（ロ）はその
フローチャートであり、ステップ１０８において列認識
終了の後に認識エリアＡ内のウェハチップが４個とも無
い状態を２回連続して検出したかどうかを判断し、結果
がＹＥＳであればステップ１０９において全認識終了と
判断するようにしている。
しかして、本発明では複数のウェハチップを同時に認識
するようにしているので、上記のようにウェハの端部の
特徴を検出することが容易であり、列認識終了、全認識
終了に要する認識の回数が少なくでき、実装タクトに与
丸る影響を更に小さくすることができる。
するようにしているので、上記のようにウェハの端部の
特徴を検出することが容易であり、列認識終了、全認識
終了に要する認識の回数が少なくでき、実装タクトに与
丸る影響を更に小さくすることができる。
（発明の効果）
以上のように本発明にあっては、視覚ｉＦｊ ＲＬＩに
よりウェハチップの欠け２割れ等の形状判定、電気的な
不良を示すバッドマークの検出、および良品チップの位
置情報の検出を行うウェハチップの検出方法において、
１回の視覚検出において複数個のウェハチップを同時に
１つの認識エリア内に取り込み、認識エリア内での＝Ｒ
ａｔエリアセンタを基準とした複数個のウェハチップの
位置関係とウェハチップ間のピッチとを検出し、次の複
数個のウェハチップの認識位置を算出し、認識位置の補
正を行いつつ認識位置を移動して検出を行うようにして
いるので、（イ〕ウェハチップの引き延ばし率のばらつ
きやウェハリングをＸＹ子テーブル固定する際の傾きを
自動補正し、実際の配列に追従した認識が可能となり、
従来のようなオペレータの介在を不要とすることができ
る。
よりウェハチップの欠け２割れ等の形状判定、電気的な
不良を示すバッドマークの検出、および良品チップの位
置情報の検出を行うウェハチップの検出方法において、
１回の視覚検出において複数個のウェハチップを同時に
１つの認識エリア内に取り込み、認識エリア内での＝Ｒ
ａｔエリアセンタを基準とした複数個のウェハチップの
位置関係とウェハチップ間のピッチとを検出し、次の複
数個のウェハチップの認識位置を算出し、認識位置の補
正を行いつつ認識位置を移動して検出を行うようにして
いるので、（イ〕ウェハチップの引き延ばし率のばらつ
きやウェハリングをＸＹ子テーブル固定する際の傾きを
自動補正し、実際の配列に追従した認識が可能となり、
従来のようなオペレータの介在を不要とすることができ
る。
（ロ）１チツプ認識・１チツプ実装ではなく、その都度
実装するウェハチップの数よりも多い数のウェハチップ
を先行認識するため、不良品が連続しても実装タクトを
乱すことがない。
実装するウェハチップの数よりも多い数のウェハチップ
を先行認識するため、不良品が連続しても実装タクトを
乱すことがない。
（ハ）複数のウェハチップを同時に認識するため、ウェ
ハ端部の特徴を検出することが容易であり、列認識終了
、全認識終了に要する認識の回数が少なくでき、実装タ
クトに与える影響を小さくすることができる。
ハ端部の特徴を検出することが容易であり、列認識終了
、全認識終了に要する認識の回数が少なくでき、実装タ
クトに与える影響を小さくすることができる。
等の効果がある。
第１図は本発明のウェハチップの検出方法を具体化した
システムの構成図、第２図は認識および実装の工程を示
すフローチャート、第３図は認識エリアの設定の様子を
示す図、第４図は認識エリア内の各ウェハチップの位置
関係を示す図、第５図は列認識終了を判断する方法の説
明図、第６図は全５ｌｉｔ ｍ終了を判断する方法の説
明図、第７図および第８図はウェハチップの説明図、第
９図は従来の検出方法ｌζおける認識および実装の工程
を示すフローチャート、第１０図はその認識エリアの設
定の様子を示す図、第１１図は列認識終了を判断する従
来の方法の説明図、第１２図は全認識終了を判断する従
来の方法の説明図である。 １ ・ ＩＴＶカメラ、２・・・認識装置、３・・・通
信回線、４・・・・・・ダイボンダコントローラ、ＩＩ
、 ｌｌａ、 ｌｌｂ、 ｌｉｅ、 １１＋（・・・・
・・ウェハチップ、１４・・・・ウェハリング、１５・
・・・・ＸＹ子テーブルＡ・・・ 鼾ｇ群比エ リ ア
システムの構成図、第２図は認識および実装の工程を示
すフローチャート、第３図は認識エリアの設定の様子を
示す図、第４図は認識エリア内の各ウェハチップの位置
関係を示す図、第５図は列認識終了を判断する方法の説
明図、第６図は全５ｌｉｔ ｍ終了を判断する方法の説
明図、第７図および第８図はウェハチップの説明図、第
９図は従来の検出方法ｌζおける認識および実装の工程
を示すフローチャート、第１０図はその認識エリアの設
定の様子を示す図、第１１図は列認識終了を判断する従
来の方法の説明図、第１２図は全認識終了を判断する従
来の方法の説明図である。 １ ・ ＩＴＶカメラ、２・・・認識装置、３・・・通
信回線、４・・・・・・ダイボンダコントローラ、ＩＩ
、 ｌｌａ、 ｌｌｂ、 ｌｉｅ、 １１＋（・・・・
・・ウェハチップ、１４・・・・ウェハリング、１５・
・・・・ＸＹ子テーブルＡ・・・ 鼾ｇ群比エ リ ア
Claims (1)
- 視覚認識によりウェハチップの欠け、割れ等の形状判定
、電気的な不良を示すバッドマークの検出、および良品
チップの位置情報の検出を行うウェハチップの検出方法
において、１回の視覚検出において複数個のウェハチッ
プを同時に１つの認識エリア内に取り込み、認識エリア
内での認識エリアセンタを基準とした複数個のウェハチ
ップの位置関係とウェハチップ間のピッチとを検出し、
次の複数個のウェハチップの認識位置を算出し、認識位
置の補正を行いつつ認識位置を移動して検出を行うこと
を特徴としたウェハチップの検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61144753A JPS632344A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | ウエハチツプの検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61144753A JPS632344A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | ウエハチツプの検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS632344A true JPS632344A (ja) | 1988-01-07 |
| JPH0569301B2 JPH0569301B2 (ja) | 1993-09-30 |
Family
ID=15369578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61144753A Granted JPS632344A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | ウエハチツプの検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS632344A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0412549A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-17 | Rohm Co Ltd | 半導体ペレットのピックアップ装置 |
| JP2003028812A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | Shimadzu Corp | Ｘ線透視装置 |
| JP2006128231A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Nidec Tosok Corp | ボンディング装置 |
| JP2009016455A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nec Corp | 基板位置検出装置及び基板位置検出方法 |
| JP4919240B2 (ja) * | 2010-04-13 | 2012-04-18 | パイオニア株式会社 | 部品移送装置及び方法 |
| WO2012132273A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 東レエンジニアリング株式会社 | 外観検査方法およびその装置 |
| WO2014143598A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Microchip Technology Incorporated | Wafer mapping process control with indicator line |
| JP2017050327A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP61144753A patent/JPS632344A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0412549A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-17 | Rohm Co Ltd | 半導体ペレットのピックアップ装置 |
| JP2003028812A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | Shimadzu Corp | Ｘ線透視装置 |
| JP2006128231A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Nidec Tosok Corp | ボンディング装置 |
| JP2009016455A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nec Corp | 基板位置検出装置及び基板位置検出方法 |
| JP4919240B2 (ja) * | 2010-04-13 | 2012-04-18 | パイオニア株式会社 | 部品移送装置及び方法 |
| WO2012132273A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 東レエンジニアリング株式会社 | 外観検査方法およびその装置 |
| CN103460029A (zh) * | 2011-03-25 | 2013-12-18 | 东丽工程株式会社 | 外观检查方法及其装置 |
| JP5917492B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2016-05-18 | 東レエンジニアリング株式会社 | 外観検査方法およびその装置 |
| WO2014143598A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Microchip Technology Incorporated | Wafer mapping process control with indicator line |
| CN105009269A (zh) * | 2013-03-12 | 2015-10-28 | 密克罗奇普技术公司 | 具有指示线的晶片映射过程控制 |
| TWI645486B (zh) * | 2013-03-12 | 2018-12-21 | 微晶片科技公司 | 具有指示線之晶圓映對程序控制 |
| JP2017050327A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0569301B2 (ja) | 1993-09-30 |
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